JP4920374B2 - Mos抵抗制御装置、mos減衰器 - Google Patents
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Description
Claims (5)
- ソースドレインが直列に接続され、該直列に接続されたソースドレインのうち最も外側の
ソースが第1の基準電位に接続された2以上のMOSトランジスタと、
前記2以上のMOSトランジスタの前記直列に接続されたソースドレインのうち最も外側
のドレインと第2の基準電位との間に挿入・接続された電流源と、
第1、第2の入力端、および出力端を有し、該第1の入力端に第3の基準電位が供給され
、該第2の入力端が前記最も外側のドレインに接続され、該出力端が前記2以上のMOS
トランジスタのゲートそれぞれに接続されたオペアンプと
を具備し、
前記2以上のMOSトランジスタのそれぞれが、おのおののチャネルが形成される半導体
領域に前記第1の基準電位が共通に供給されていることを特徴とするMOS抵抗制御装置
。 - ソースドレインが直列に接続され、該直列に接続されたソースドレインのうち最も外側の
ソースが第1の基準電位に接続された2以上のMOSトランジスタと、
前記2以上のMOSトランジスタの前記直列に接続されたソースドレインのうち最も外側
のドレインと第2の基準電位との間に挿入・接続された電流源と、
第1、第2の入力端、および出力端を有し、該第1の入力端に第3の基準電位が供給され
、該第2の入力端が前記最も外側のドレインに接続され、該出力端が前記2以上のMOS
トランジスタのゲートそれぞれに接続されたオペアンプと
を具備し、
前記2以上のMOSトランジスタのそれぞれが、おのおののチャネルが形成される半導体
領域にそれぞれのソースの電位が供給されていることを特徴とするMOS抵抗制御装置。 - ソースドレインが直列に接続され、該直列に接続されたソースドレインのうち最も外側の
ソースが第1の基準電位に接続された2以上のMOSトランジスタと、
前記2以上のMOSトランジスタの前記直列に接続されたソースドレインのうち最も外側
のドレインと第2の基準電位との間に挿入・接続された電流源と、
第1、第2の入力端、および出力端を有し、該第1の入力端に第3の基準電位が供給され
、該第2の入力端が前記最も外側のドレインに接続され、該出力端が前記2以上のMOS
トランジスタのゲートそれぞれに接続された第1のオペアンプと、
入力端と出力端とを有し、かつ、該入力端から該出力端への間に複数の対地のMOSトラ
ンジスタと1以上の通過のMOSトランジスタとを有し、該複数の対地のMOSトランジ
スタのゲートそれぞれに前記第1のオペアンプの前記出力端が接続され、該1以上の通過
のMOSトランジスタのゲートに該入力端と該出力端との間の特性インピーダンスを所定
に設定するための制御電圧が供給された第1の減衰器と、
前記第1の減衰器の前記入力端と第4の基準電位との間に挿入・接続された、前記特性イ
ンピーダンスに相当するインピーダンスの第1の抵抗器と、
前記第1の減衰器の前記出力端と第5の基準電位との間に挿入・接続された、前記特性イ
ンピーダンスに相当するインピーダンスの第2の抵抗器と、
前記第1の減衰器の前記出力端の電圧を所定電圧と比較して増幅された出力信号を前記制
御電圧として出力する第2のオペアンプと、
入力端と出力端を有し、かつ、該入力端から該出力端への間に複数の対地のMOSトラン
ジスタと1以上の通過のMOSトランジスタとを有し、該複数の対地のMOSトランジス
タのゲートそれぞれに前記第1のオペアンプの前記出力端が接続され、該1以上の通過の
MOSトランジスタのゲートに前記制御電圧が供給された第2の減衰器と
を具備し、
前記2以上のMOSトランジスタのそれぞれが、おのおののチャネルが形成される半導体
領域に前記第1の基準電位が共通に供給されていることを特徴とするMOS減衰器。 - 前記2以上のMOSトランジスタのゲート長およびゲート幅が、前記第1の減衰器の前記
複数の対地のMOSトランジスタのうちのいずれかのゲート長およびゲート幅とそれぞれ
ほぼ同じであることを特徴とする請求項3記載のMOS減衰器。 - 前記2以上のMOSトランジスタのゲート長が、前記第1の減衰器の前記複数の対地のM
OSトランジスタのうちのいずれかのゲート長とほぼ同じであり、
前記2以上のMOSトランジスタのゲート幅が、前記第1の減衰器の前記複数の対地のM
OSトランジスタのうちのいずれかのゲート幅と所定比にあることを特徴とする請求項3
記載のMOS減衰器。
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