JP4914272B2 - 投影露光用のレチクル、該投影露光用のレチクルの製造方法及び該レチクルを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
第2の領域>第4の領域>第3の領域>第1の領域
としている。
(実施例1)
本実施例は通常の遮光体と周辺領域の透過率制御によるパターン形成に関する。
領域2>領域4>領域3>領域1
となっている。
(実施例2)
本実施例はハーフトーン位相シフト遮光体と周辺領域の透過率制御によるパターン形成に関する。
領域12>領域14>領域13>領域11
となっている。
(実施例3)
本実施例は位相シフト遮光体と周辺領域の透過率制御によるパターン形成に関する。
領域22>領域24>領域23>領域21
となっている。
(補助パターン)
次に、実施例1ないし3で説明した領域3、13、23及び領域4、14、24に形成される補助パターン7,17、27について説明する。なお、以下の説明では、領域3及び領域4に形成される補助パターン7を例に説明する。
(レチクルの製造方法)
次に、図9(a)〜図9(e)を参照して本発明のレチクル製造方法を説明する。
5、15、25 基板
6、16、26a 主パターン
6c 凸部
7、17、27 補助パターン
8 微細遮光体
26b 位相シフター
50、50a、50b、210、210a、210b 密集パターン
51、220 孤立パターン
100 遮光層
101 中間マスク層
102 レジストマスク
103 中間マスクパターン
200 半導体基板
201 層間絶縁膜
202 被加工膜
203 レジストパターン
211、212、213 パターン
Claims (12)
- 半導体基板上に形成された被加工膜にレジストパターンを形成する投影露光用のレチクルであって、
遮光体が形成された第1の領域と、
前記第1の領域の周辺に形成された第2の領域と、
前記第2の領域の周辺に形成された第3の領域と、
前記第3の領域の周辺に形成された第4の領域と、を基板上に有し、
透過率の関係が
第2の領域>第4の領域>第3の領域>第1の領域
であるレチクル。 - 互いに隣接して形成された複数の前記第1の領域からなる密集パターンと、一つの前記第1の領域からなる孤立パターンとを有し、前記密集パターンと前記孤立パターンとは互いに離れた位置に独立して形成されている請求項1に記載のレチクル。
- 前記第3の領域及び前記第4の領域には解像しない複数の微細遮光体が配置されている請求項1または2に記載のレチクル。
- 前記複数の微細遮光体は周期性を乱して配置されている請求項3に記載のレチクル。
- 前記複数の微細遮光体は、前記基板の主面の法線方向から投影した場合の各形状が、合同又は相似となるものを含む請求項3または4に記載のレチクル。
- 前記複数の微細遮光体の高さは前記第1の遮光体の高さよりも低い、請求項3ないし4のいずれか1項に記載のレチクル。
- 前記第1の領域には透過率が3%以上12%以下のハーフトーンの前記遮光体が形成されており、前記ハーフトーンの前記遮光体を通過する光と、前記第2の領域を通過する光との間には位相差がある請求項1ないし6のいずれか1項に記載のレチクル。
- 前記第1の領域には透過率の異なる複数の前記遮光体が形成されており、複数の前記遮光体は、前記第2の領域に近づくにつれ、透過率が高くなるように配置されている請求項1ないし7のいずれか1項に記載のレチクル。
- 前記レチクルをスキャンして得られる前記半導体基板上のレジストパターンのスキャン方向のパターン比と、前記第1の領域、前記第2の領域、前記第3の領域及び前記第4の領域の前記スキャン方向のパターン比とが異なる請求項1ないし8のいずれか1項に記載のレチクル。
- 請求項1ないし9のいずれか1項に記載のレチクルを製造する投影露光用のレチクルの製造方法であって、
前記基板上に遮光体層を形成する工程と、
前記遮光体層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に、前記第1の領域、前記第3の領域及び前記第4の領域を形成するパターンのレジストマスクを形成する工程と、
前記遮光体層に、前記レジストマスクによる前記パターンを転写した後、前記レジスト層を除去する工程と、を含むレチクルの製造方法。 - 請求項1ないし9のいずれか1項に記載のレチクルを製造する投影露光用のレチクルの製造方法であって、
前記基板上に遮光体層を形成する工程と、
前記遮光体層上に中間マスク層を形成する工程と、
前記中間マスク層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に、前記第1の領域、前記第3の領域及び前記第4の領域を形成するパターンのレジストマスクを形成する工程と、
前記中間マスク層に、前記レジストマスクによる前記パターンを転写した後、前記レジスト層を除去する工程と、
前記遮光体層に、前記中間マスク層に転写された前記パターンを、さらに転写した後、前記中間マスク層を除去する工程と、を含むレチクルの製造方法。 - 請求項1ないし9のいずれか1項に記載のレチクルを用いた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記レチクルの投影露光により前記被加工膜に前記レジストパターンを形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
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