JP4911404B2 - 光信号処理回路 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1では、制御光に対して非線形屈折率変化を示す半導体光導波路を、マッハツェンダー干渉計型の2つの光路に、対称に配置した構造の光ゲートスイッチ素子を提案している。半導体光導波路における非線形屈折率変化の緩和時間(スイッチオフ時間)は、キャリアの緩和時間により数ナノ秒に制限される。このため、特許文献1の素子では、ピコ秒オーダーの高速動作を実現するため、光の干渉を利用して、遅い緩和成分を打ち消し、高速ゲートスイッチ動作を実現している。しかしながら、2つの光路に配置した半導体光導波路の特性を一致させることが困難であり、特性の違いを補償する回路が必要になるなどの問題があった。
しかしながら、制御光による屈折率変化に起因する光の位相変化は数ナノ秒の緩和を伴うため、1つの半導体光導波路のみで光ゲートスイッチ素子を実現しても、位相変調・制御素子として高速動作させることは困難である。
いられる半導体光導波路の非線形屈折率変化に比べて、桁違いに小さい。このため、数100mから数kmの光ファイバを用いて、制御光と信号光の相互作用長を長くする必要があり、またスイッチングに必要な制御光のパワーも1桁以上大きい。光ファイバによりループを構成し、ループを時計回り、および反時計回りに伝搬する光との間の干渉を利用して、屈折率変化に起因する光の位相変化を強度変化に変換する。光ファイバのカー効果は、制御光による光ファイバの非線形屈折率変化であり、数100フェムト秒程度の高速応答を示すため、数100Gb/s以上のスイッチング動作を実現できる可能性があり、光の位相変調・制御素子として高速動作させることも原理的には可能である。しかしながら、長尺の光ファイバを用いる必要があるため、信号のタイミング調整が困難であり、信号の遅延を引き起こす可能性がある。このため、小型化・集積化には不向きである。
なお、この明細書中で用いる「光信号処理回路」は、「光位相変調回路と、この光位相変調回路を用いた、光強度変調を位相変調に変換する回路、強度変調を差動位相変調に変換する回路、差動位相変調信号を再生する光信号再生回路、干渉を利用する光ゲートスイッチ回路」を含む概念の回路を意味する。
(2)強度変調・位相変調変換回路は、上記(1)記載の光位相変調回路において、前記プローブ光をクロック信号光とし、強度変調された波長λCの制御光と、クロック信号光
である波長λPのプローブ光とを、前記光方向性結合器により結合して前記光位相変調素
子に入力し、透過するプローブ光を前記光バンドパスフィルタにより抽出して、前記制御光の強度変調をプローブ光の位相変調に変換することを特徴とする。
制御光を第1の光方向性結合器と1ビット遅延素子を介して遅延した制御光とし、前記第1の光方向性結合器の分岐光とプローブ光を第2の光方向性結合器で結合し、前記第2の光方向性結合器の結合出力のプローブ光を前記第1の光位相変調素子を介して制御信号で位相変調した変調信号とし、前記遅延した制御光を上記(1)記載の光位相変調回路の制御光とし、前記位相変調した変調信号を上記(1)記載の光位相変調回路のプローブ光とした強度変調・差動位相変調変換回路において、
前記制御光の強度変調をプローブ光の差動位相変調に変換することを特徴とする。
(4)光信号再生回路は、
差動位相復調回路と、上記(3)記載の強度変調・差動位相変調変換回路とからなり、差動位相変調されたデータ信号光である制御光を前記差動位相復調回路を介して強度変調データ信号光に変換し、前記強度変調データ信号光を制御光として、前記強度変調・差動位相変調変換回路により、クロック信号光を差動位相変調信号光に変換して、前記位相変調されたデータ信号光を再生することを特徴とする。
強度変調された波長λCの制御光を前記光位相変調素子に入力し、クロック信号光、また
は連続光である波長λPのプローブ光を前記非対称マッハツェンダー干渉計に入力し、透
過したプローブ光を前記光バンドパスフィルタにより抽出して、前記制御光により前記プローブ光をスイッチングすることを特徴とする。
(6)上記(1)乃至(5)のいずれか1項記載の回路において、前記光位相変調素子を井戸層と障壁層からなる半導体の単一または多重量子井戸構造の素子とし、前記制御光を量子井戸のサブバンド間遷移に共鳴するTM偏光とし、プローブ光をTE偏光としたことを特徴とする。
特許文献3の光ゲートスイッチ回路においては、制御光により光ファイバの非線形屈折率変化が高速に応答するものの、長さ数100mから数kmの光ファイバを必要とするため、信号遅延、タイミング調整が困難、小型化・集積化には不向きなどの問題がある。これに対して、本発明の光信号処理回路は、半導体素子により実現できるため、信号遅延やタイミング調整の問題は解消され、小型化と、他の半導体素子との集積化ができるようになる。
図1は本発明に係る光位相変調回路を示す図である。波長λCの制御光と、波長λPのプローブ光とを、光方向性結合器1により結合して、光位相変調素子2に入力する。制御光の波長λCは、中心波長λPの光バンドパスフィルタ3により、除去できるように設定する。制御光の強度に比例して、光位相変調素子2の屈折率が変調され、これに応じて光位相変調素子2を伝搬するプローブ光の位相が変調される。制御光としてパルス光を用いた場合、プローブ光には図1に示すようなパルス状の位相変化が与えられる。光位相変調素子2を透過したプローブ光は、光バンドパスフィルタ3により残留している制御光を除去して取り出す。プローブ光として連続光、または制御光に同期したクロックパルス光を用いることができる。
相変化がプローブ光に与えられるが、制御光の値が“1”の場合のプローブ光の位相変化がπになるように、制御光の強度を調整する。制御光の値が“0”と“1”に対応して、プローブ光は位相が“0”と“π”に変調された位相シフト変調(PSK:Phase Shift Keying)光に変換される。光位相変調素子2を透過したプローブ光は、光バンドパスフィルタ3により残留している制御光を除去して取り出す。
強度変調・差動位相変調変換回路6は、制御光を入力する光方向性結合器1aを基点として、光方向性結合器1cまでの光路を2光路設ける。一方は、1ビット遅延素子5を介する光路であり、他方は、光方向性結合器1b、光位相変調素子2aを介する光路である。光方向性結合器1cは、光位相変調素子2b、光バンドパスフィルタ3を介して出力される。光方向性結合器1cと、光位相変調素子2bと、光バンドパスフィルタ3とは図1記載の光位相変調回路4と同一のものである。
強度変調・差動位相変調変換回路6は、図3の強度変調・差動位相変調変換回路と同一のものである。波長λCの制御光は差動位相変調された光パルス信号とし、波長λPのプローブ光は制御光に同期し、制御光と同じビットレートを有するクロック信号とする。制御光を差動位相復調回路7に入力し、強度変調信号に変換する。
差動位相復調回路7は、例えば、制御光の1ビット分の遅延を有するマッハツェンダー干渉計等により実現できる。
光ゲートスイッチ回路は、非対称マッハツェンダー干渉計10の出力側に光バンドパスフィルタ3を接続した構造を有する。
非対称マッハツェンダー干渉計10は、プローブ光を入力する光方向性結合器1dを基点
として、光方向性結合器1e、光位相変調素子2を介して光方向性結合器1fに接続される光路と、可変光減衰器8、光位相シフタ9を介して光方向性結合器1fに接続される光路とを有し、光方向性結合器1eには制御光が入力される構成を有する。光方向性結合器1fは光バンドパスフィルタ3に接続される。
よる相互位相変調の実験結果を報告する。
実験に用いた光位相変調素子は、InGaAs/AlAs/AlAsSb結合量子井戸構造を有し、組成と構造は非特許文献1に記載されている。
図7の各波形は、アイパターン(Eye Pattern)を呈する。このアイパターンは、サンプリングデータを時間軸上で重ね合わせた特性を備え、中央の空白の部分が広いほうが良質であり、振幅が位相変化の大きさに対応している。特性上、9.93pJの強度レベルのプローブ光が最も良質である。
したものである。制御光を入力した場合は、制御光により引き起こされるプローブ光の位相変調により、キャリアの周囲に多数のサイドバンドが生じている。また、プローブ光のサイドバンドの振幅は、制御光のエネルギーとともに増大している。サイドバンドの間隔は9.95328GHzであり、制御光のビットレートに対応している。
2,2a、2b 光位相変調素子
3 光バンドパスフィルタ
4 光位相変調回路
5 1ビット遅延素子
6 強度変調・差動位相変調変換回路
7 差動位相復調回路
8 可変光減衰器
9 位相光位相シフタ
10 非対称マッハツェンダー干渉計
11 能動モード同期光ファイバレーザー
12 シンセサイザ
13 光強度変調器
14 符号発生器
15 光ファイバ増幅器
16a、16b、16c 偏光制御器
17 光サーキュレータ
18 波長可変レーザー
19 差動群遅延素子
20 偏光子
Claims (2)
- 波長λ c の強度変調されたパルス信号である制御光を2分岐して出力する第1の光方向性結合器と、
前記制御光に同期し、前記制御光と同じビットレートを有するクロック信号である波長λ p のプローブ光と、前記2分岐出力した制御光のうちの一方とを結合して、それぞれ前段のプローブ光と、前段の制御光として出力する第2の光方向性結合器と、
前記第1の光方向性結合器の2分岐出力した制御光のうちの他方を入力し、1ビット分の遅延を与えて出力する1ビット遅延素子と、
前記第2の光方向性結合器の前記結合した出力光を入力し、前記前段の制御光の光強度に比例した位相変調を前記前段のプローブ光に与えて出力する第1の光位相変調素子と、
前記1ビット分の遅延を与えた制御光と、前記第1の光位相変調素子から出力される前記位相変調を受けた前段のプローブ光を結合し、それぞれ後段の制御光と、後段のプローブ光として出力する第3の光方向性結合器と、
前記第3の光方向性結合器の前記結合した出力光を入力し、前記後段の制御光の光強度に比例した位相変調を前記後段のプローブ光に与えて出力する第2の光位相変調素子と、
前記第2の光位相変調素子の出力から残留している前記前段、および前記後段の制御光を除去し、前記位相変調を受けた後段のプローブ光を取り出す光バンドパスフィルタとからなる強度変調・差動位相変調変換回路であって、
前記第3の光方向性結合器と前記第2の光位相変調素子と前記光バンドパスフィルタで光位相変調回路を構成し、
前記第1および第2の光位相変調素子を単一または多重量子井戸構造の半導体素子であって、前記量子井戸のサブバンド間遷移に共鳴するTM偏光の光と、TE偏光の光を入力した場合に、該TM偏光の光を吸収し、該TM偏光の光の強度に比例した屈折率変化を該TE偏光の光に対して引き起こす素子とし、
前記第1の光位相変調素子と前記第2の光位相変調素子を直列接続して、前記プローブ光に前記制御光の引き続く2ビット間の論理値の差に対応した位相変調を与え、該プローブ光を差動位相変調光に変換する
ことを特徴とする強度変調・差動位相変調変換回路。
- 差動位相復調回路と、請求項1記載の強度変調・差動位相変調変換回路とからなり、差動位相変調されたデータ信号光である制御光を前記差動位相復調回路で強度変調信号の制御光に変換し、
前記強度変調信号の制御光を請求項1記載の制御光として前記強度変調・差動位相変調変換回路に入力するとともに、クロック信号であるプローブ光を請求項1記載のプローブ光として前記強度変調・差動位相変調変換回路に入力し、前記強度変調・差動位相変調変換回路で前記クロック信号光であるプローブ光を差動位相変調信号光に変換して、前記位相変調されたデータ信号光である制御光を再生することを特徴とする光信号再生回路。
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