JP4902572B2 - 粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム - Google Patents
粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4902572B2 JP4902572B2 JP2008042716A JP2008042716A JP4902572B2 JP 4902572 B2 JP4902572 B2 JP 4902572B2 JP 2008042716 A JP2008042716 A JP 2008042716A JP 2008042716 A JP2008042716 A JP 2008042716A JP 4902572 B2 JP4902572 B2 JP 4902572B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- particles
- gas supply
- particle detection
- inorganic particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 196
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 192
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 74
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 201
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 claims description 201
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 127
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 83
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 69
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 48
- 239000011242 organic-inorganic particle Substances 0.000 claims description 38
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 30
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 30
- 238000005187 foaming Methods 0.000 claims description 26
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 21
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/40—Concentrating samples
- G01N1/4044—Concentrating samples by chemical techniques; Digestion; Chemical decomposition
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
- G01N15/075—Investigating concentration of particle suspensions by optical means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
- G01N2015/0681—Purposely modifying particles, e.g. humidifying for growing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
特に第10発明に係る粒子検出補助装置にあっては、制御部は、有機系ガス供給弁及び加熱ガス供給弁の開閉を制御することで上述の粒子検出補助方法を実施する。制御部は、まず有機系ガス供給弁を開放することで処理室に有機系ガスを導入し、処理室内の被検体が有する有機系粒子に有機系ガスを接触させる。次いで、制御部は、有機系ガス供給弁を閉止し、加熱ガス供給弁を開放することで処理室に加熱ガスを導入し、有機系粒子を更に発泡膨張させる。
また、第13発明に係る粒子検出補助装置にあっては、制御部は、有機系ガス供給弁の開閉、加熱ランプの点灯を制御することで上述の粒子検出補助方法を実施する。制御部は、まず有機系ガス供給弁を開放することで処理室に有機系ガスを導入し、処理室内の被検体が有する有機系粒子に有機系ガスを接触させる。次いで、制御部は、有機系ガス供給弁を閉止し、加熱ランプを点灯させることで有機系粒子を加熱し、有機系粒子を更に発泡膨張させる。
更に、第4、5、18発明に係る粒子検出方法、粒子検出システムにあっては、発泡膨張した有機系粒子に光を照射し、該有機系粒子からの散乱光を受光することで前記有機系粒子を検出する。上述のように、光を照射しても有機系粒子は収縮しないため、有機系粒子を効果的に検出することができる。
なお、被検体には、半導体ウエハのような固体のみならず、有機系粒子及び無機系粒子を有する気体も含まれる。
また、第7、18発明に係る粒子検出方法、粒子検出システムにあっては、膨張した無機系粒子に光を照射し、該無機系粒子からの散乱光を受光することで前記無機系粒子を検出する。上述のように、光を照射しても無機系粒子は収縮しないため、無機系粒子を効果的に検出することができる。
また第8、18発明にあっては、膨張した無機系粒子に光を照射し、該無機系粒子からの散乱光を受光することで前記無機系粒子を検出する。上述のように、光を照射しても無機系粒子は収縮しないため、無機系粒子を効果的に検出することができる。
このように、従来光散乱法では検出できなかった30nm以下の有機系粒子及び無機系粒子共に検出可能となり、半導体の量産の歩留まりを上げることが容易になる。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る粒子検出システムを模式的に示す平面図、図2は、粒子検出システムの構成を示すブロック図である。本発明に係る粒子検出システムは、被検体W、例えば半導体ウエハに付着した微小な有機系粒子P1及び無機系粒子P2(直径30nm以下)を検出する装置であり、本発明の実施の形態1に係る粒子検出補助方法及び粒子検出方法を実施するものである。粒子検出システムは、被検体Wを搬送する搬送機2が配された搬送室1を備えている。搬送室1の周りには被検体収納室3、吸着浸透処理室4、発泡処理室5、酸化処理室6、及び粒子検出処理室7が配されている。
また、制御部81には図示しないインタフェースを介して有機系ガス供給弁44、加熱ガス供給弁54、エキシマランプ65、酸素ガス供給弁64、光照射部72、受光部73及び搬送機2が接続されており、制御部81は制御信号を送出することにより、各部の動作を制御するように構成されている。
好ましくは、被検体Wの温度が、有機系ガスの沸点よりも低温になるように、有機系ガスを選択し、又は被検体Wの温度を制御すると良い。被検体Wの温度が有機系ガスの沸点未満である場合、有機系ガスが効果的に有機系粒子P1に吸着及び浸透し、該有機系粒子P1が膨張する。
なお、処理室61に供給する好適な酸素濃度は数パーセントである。酸素濃度が高すぎる場合、紫外線が酸素に吸収されてしまい、有機系粒子P1及び無機系粒子P2を効果的に酸化させることができなくなるためである。
また、発泡膨張した有機系粒子P1及び酸化膨張した無機系粒子P2は自身の形状が変形しているため、粒子検出用の光を照射した場合であっても、有機系粒子P1及び無機系粒子P2は収縮することが無く、各粒子P1,P2の正確な検出を補助することができる。
図6は、本発明の実施の形態2に係る粒子検出システムを模式的に示す平面図である。実施の形態2に係る粒子検出システムは、実施の形態1に係る粒子検出システムと同様の搬送室1、搬送機2、被検体収納室3、吸着浸透処理室4、発泡処理室5、酸化処理室206、粒子検出処理室7及び制御部81等を備えており、酸化処理室206の構造及び制御部81の処理手順のみが実施の形態1と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。
制御部81には、実施の形態1と同様、図示しないインタフェースを介してROM82、RAM83、入力装置84、出力装置85、有機系ガス供給弁44、加熱ガス供給弁54、光照射部72、受光部73及び搬送機2が接続され、また実施の形態1に係るエキシマランプ65及び酸素ガス供給弁64に代えて、酸化ガス供給弁264が接続されている。
図8は、本発明の実施の形態3に係る粒子検出システムを模式的に示す平面図である。実施の形態3に係る粒子検出システムは、実施の形態1に係る粒子検出システムと同様の搬送室1、搬送機2、被検体収納室3、吸着浸透処理室4、発泡処理室305、酸化処理室6、粒子検出処理室7及び制御部81等を備えており、発泡処理室305の構造及び制御部81の処理手順のみが実施の形態1と異なるため、以下では主に上記相異点について説明する。
制御部81には、実施の形態1と同様、図示しないインタフェースを介してROM82、RAM83、入力装置84、出力装置85、有機系ガス供給弁44、エキシマランプ65、酸素ガス供給弁64、光照射部72、受光部73及び搬送機2が接続され、また実施の形態1に係る加熱ガス供給弁54に代えて、窒素ガス供給弁354及び加熱ランプ355が接続されている。
なお、本発明の加熱ランプに係る構成を実施の形態2に適用しても良く、実施の形態1と同様の効果を奏する。
2 搬送機
3 被検体収納室
4 吸着浸透処理室
5,305 発泡処理室
6,206 酸化処理室
7 粒子検出処理室
42 有機系ガス供給部
43 有機系ガス供給管
44 有機系ガス供給弁
52 加熱ガス供給部
53 加熱ガス供給管
54 加熱ガス供給弁
65 エキシマランプ(紫外線ランプ)
72 光照射部
73 受光部
81 制御部
262 酸化ガス供給部
263 酸化ガス供給管
264 酸化ガス供給弁
352 窒素ガス供給部
353 窒素ガス供給管
354 窒素ガス供給弁
355 加熱ランプ
P1 有機系粒子
P2 無機系粒子
W 被検体
Claims (18)
- 半導体製造工程で半導体の不具合を招く有機系粒子及び無機系粒子の内、有機系粒子を選択的に膨張させることで、該有機系粒子の検出を補助する粒子検出補助方法であって、
有機系粒子に有機系ガスを接触させることで、該有機系粒子に有機系ガス成分を吸着及び浸透させる吸着浸透工程と、
有機系ガスに接触させた有機系粒子を加熱することで、該有機系粒子を発泡膨張させる発泡工程と
を有することを特徴とする粒子検出補助方法。 - 前記発泡工程の後、
無機系粒子及び有機系粒子を酸化させることで、該有機系粒子を分解すると共に、前記無機系粒子を膨張させる酸化工程を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の粒子検出補助方法。 - 半導体製造工程で半導体の不具合を招く有機系粒子及び無機系粒子の内、無機系粒子を選択的に膨張させることで、該無機系粒子の検出を補助する粒子検出補助方法であって、
無機系粒子及び有機系粒子を酸化させることで、該有機系粒子を分解すると共に、前記無機系粒子を膨張させる酸化工程を有する
ことを特徴とする粒子検出補助方法。 - 半導体製造工程で半導体の不具合を招く有機系粒子及び無機系粒子の内、有機系粒子を選択的に膨張させて検出する粒子検出方法であって、
有機系粒子に有機系ガスを接触させることで、該有機系粒子に有機系ガス成分を吸着及び浸透させる吸着浸透工程と、
有機系ガスに接触させた有機系粒子を加熱することで、該有機系粒子を発泡膨張させる発泡工程と、
発泡膨張した有機系粒子に光を照射し、該有機系粒子からの散乱光を受光することで前記有機系粒子を検出する有機系粒子検出工程と
を有することを特徴とする粒子検出方法。 - 前記発泡工程は、
有機系ガスに接触させた有機系粒子に加熱ガスを接触させ、又は窒素ガス雰囲気中で該有機系粒子に加熱光を照射することにより、前記有機系粒子を加熱する
ことを特徴とする請求項4に記載の粒子検出方法。 - 前記吸着浸透工程における有機系粒子の温度は有機系ガスの沸点よりも低温である
ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の粒子検出方法。 - 前記有機系粒子検出工程の後、
無機系粒子及び有機系粒子を酸化させることで、該有機系粒子を分解すると共に、前記無機系粒子を膨張させる酸化工程と、
膨張した無機系粒子に光を照射し、該無機系粒子からの散乱光を受光することで、前記無機系粒子を検出する無機系粒子検出工程と
を有することを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれか一つに記載の粒子検出方法。 - 半導体製造工程で半導体の不具合を招く有機系粒子及び無機系粒子の内、無機系粒子を選択的に膨張させて検出する粒子検出方法であって、
無機系粒子及び有機系粒子を酸化させることで、該有機系粒子を分解すると共に、前記無機系粒子を膨張させる酸化工程と、
膨張した無機系粒子に光を照射し、該無機系粒子からの散乱光を受光することで、前記無機系粒子を検出する無機系粒子検出工程と
を有することを特徴とする粒子検出方法。 - 前記酸化工程は、
エキシマランプの紫外線を、酸素及び窒素の混合ガス雰囲気中で有機系粒子及び無機系粒子に照射することで、該有機系粒子及び無機系粒子を酸化させる
ことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の粒子検出方法。 - 半導体製造工程で半導体の不具合を招く有機系粒子及び無機系粒子の内、有機系粒子を選択的に膨張させることで、該有機系粒子の検出を補助する粒子検出補助装置であって、
有機系粒子及び無機系粒子を有する被検体が収容される処理室と、
処理室に有機系ガスを供給する有機系ガス供給管と、
該有機系ガス供給管を開閉する有機系ガス供給弁と、
処理室に加熱ガスを供給する加熱ガス供給管と、
該加熱ガス供給管を開閉する加熱ガス供給弁と、
前記有機系ガス供給弁を開放し、開放後に前記有機系ガス供給弁を閉止し、前記有機系ガス供給弁の閉止後に前記加熱ガス供給弁を開放させるように開閉を制御する制御部と
を備えることを特徴とする粒子検出補助装置。 - 被検体に紫外線を照射する紫外線ランプを備え、
前記制御部は、
前記加熱ガス供給弁の閉止後に前記紫外線ランプを点灯させるようにしてある
ことを特徴とする請求項10に記載の粒子検出補助装置。 - 処理室に有機系粒子及び無機系粒子を酸化させる酸化ガスを供給する酸化ガス供給管と、
該酸化ガス供給管を開閉する酸化ガス供給弁と
を備え、
前記制御部は、
前記加熱ガス供給弁の閉止後に前記酸化ガス供給弁を開放させるようにしてある
ことを特徴とする請求項10に記載の粒子検出補助装置。 - 半導体製造工程で半導体の不具合を招く有機系粒子及び無機系粒子の内、有機系粒子を選択的に膨張させることで、該有機系粒子の検出を補助する粒子検出補助装置であって、
有機系粒子及び無機系粒子を有する被検体が収容される処理室と、
処理室に有機系ガスを供給する有機系ガス供給管と、
該有機系ガス供給管を開閉する有機系ガス供給弁と、
被検体に加熱光を照射する加熱ランプと、
前記有機系ガス供給弁を開放し、開放後に前記有機系ガス供給弁を閉止し、前記有機系ガス供給弁の閉止後に前記加熱ランプを点灯させるように開閉及び点灯を制御する制御部と
を備えることを特徴とする粒子検出補助装置。 - 被検体に紫外線を照射する紫外線ランプを備え、
前記制御部は、
前記加熱ランプの消灯後に前記紫外線ランプを点灯させるようにしてある
ことを特徴とする請求項13に記載の粒子検出補助装置。 - 処理室に有機系粒子及び無機系粒子を酸化させる酸化ガスを供給する酸化ガス供給管と、
該酸化ガス供給管を開閉する酸化ガス供給弁と
を備え、
前記制御部は、
前記加熱ランプの消灯後に前記酸化ガス供給弁を開放させるようにしてある
ことを特徴とする請求項13に記載の粒子検出補助装置。 - 半導体製造工程で半導体の不具合を招く有機系粒子及び無機系粒子の内、無機系粒子を選択的に膨張させることで、該無機系粒子の検出を補助する粒子検出補助装置であって、
有機系粒子及び無機系粒子を有する被検体が収容される処理室と、
処理室に収容された被検体に紫外線を照射する紫外線ランプと
を備えることを特徴とする粒子検出補助装置。 - 半導体製造工程で半導体の不具合を招く有機系粒子及び無機系粒子の内、無機系粒子を選択的に膨張させることで、該無機系粒子の検出を補助する粒子検出補助装置であって、
有機系粒子及び無機系粒子を有する被検体が収容される処理室と、
処理室に有機系粒子及び無機系粒子を酸化させる酸化ガスを供給する酸化ガス供給管と、
該酸化ガス供給管を開閉する酸化ガス供給弁と
を備えることを特徴とする粒子検出補助装置。 - 請求項10乃至請求項17のいずれか一つに記載の粒子検出補助装置と、
有機系粒子及び無機系粒子に光を照射し、該有機系粒子及び無機系粒子からの散乱光を受光することで前記有機系粒子又は無機系粒子を検出する粒子検出装置と
を備えることを特徴とする粒子検出システム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008042716A JP4902572B2 (ja) | 2008-02-25 | 2008-02-25 | 粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム |
US12/919,090 US20110058157A1 (en) | 2008-02-25 | 2009-01-20 | Method of helping particle detection, method of particle detection,apparatus for helping particle detection,and system for particle detection |
KR1020107018825A KR101213817B1 (ko) | 2008-02-25 | 2009-01-20 | 입자 검출 보조 방법, 입자 검출 방법, 입자 검출 보조 장치 및 입자 검출 시스템 |
CN2009801009335A CN101855535B (zh) | 2008-02-25 | 2009-01-20 | 粒子检测辅助方法、粒子检测方法、粒子检测辅助装置和粒子检测*** |
PCT/JP2009/050759 WO2009107423A1 (ja) | 2008-02-25 | 2009-01-20 | 粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008042716A JP4902572B2 (ja) | 2008-02-25 | 2008-02-25 | 粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009198432A JP2009198432A (ja) | 2009-09-03 |
JP4902572B2 true JP4902572B2 (ja) | 2012-03-21 |
Family
ID=41015829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008042716A Expired - Fee Related JP4902572B2 (ja) | 2008-02-25 | 2008-02-25 | 粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110058157A1 (ja) |
JP (1) | JP4902572B2 (ja) |
KR (1) | KR101213817B1 (ja) |
CN (1) | CN101855535B (ja) |
WO (1) | WO2009107423A1 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07110991B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1995-11-29 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2973598B2 (ja) * | 1991-06-26 | 1999-11-08 | 松下電器産業株式会社 | ウエハ上異物検出方法および異物検出装置 |
JPH05340885A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パーティクル検査方法 |
JP3225623B2 (ja) * | 1992-09-21 | 2001-11-05 | ソニー株式会社 | 微細粒子検出方法及び微細粒子除去方法 |
EP0622627A1 (en) * | 1993-04-30 | 1994-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for detecting particles on a substrate |
JPH07260698A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Sony Corp | 異物検査装置及び異物検査方法 |
JP3652058B2 (ja) * | 1997-04-04 | 2005-05-25 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100897771B1 (ko) * | 2001-03-13 | 2009-05-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 막형성방법 및 막형성장치 |
TWI325150B (en) * | 2004-11-04 | 2010-05-21 | Nec Corp | Method of processing substrate and chemical used in the same (2) |
JP4878291B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2012-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板表面処理装置、基板表面検査装置、基板表面検査方法及び記憶媒体 |
US7976637B2 (en) * | 2006-03-08 | 2011-07-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate surface processing apparatus, substrate surface inspecting apparatus, substrate surface inspecting method, and storage medium storing program for implementing the method |
-
2008
- 2008-02-25 JP JP2008042716A patent/JP4902572B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-20 WO PCT/JP2009/050759 patent/WO2009107423A1/ja active Application Filing
- 2009-01-20 KR KR1020107018825A patent/KR101213817B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-01-20 US US12/919,090 patent/US20110058157A1/en not_active Abandoned
- 2009-01-20 CN CN2009801009335A patent/CN101855535B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009107423A1 (ja) | 2009-09-03 |
CN101855535B (zh) | 2012-11-21 |
CN101855535A (zh) | 2010-10-06 |
JP2009198432A (ja) | 2009-09-03 |
KR101213817B1 (ko) | 2012-12-18 |
US20110058157A1 (en) | 2011-03-10 |
KR20100117622A (ko) | 2010-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI497577B (zh) | A substrate processing method and a substrate processing apparatus | |
JP4481592B2 (ja) | 集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いた材料表面のエッチング方法 | |
US8465661B2 (en) | Method of processing graphene sheet material and method of manufacturing electronic device | |
JP2010046923A (ja) | テンプレートの洗浄方法及びパターン形成方法 | |
JP3142280U (ja) | 有機体炭素測定装置 | |
JP4902572B2 (ja) | 粒子検出補助方法、粒子検出方法、粒子検出補助装置及び粒子検出システム | |
JP2009234815A (ja) | グラフェンシート系材料の処理方法及び装置 | |
JP2005218548A (ja) | 除染装置及び除染方法 | |
JP5008618B2 (ja) | 基板の周辺端部に付着した異物検出方法、装置及び記憶媒体 | |
JP6037649B2 (ja) | 微細気泡発生装置、微細気泡発生方法、基板処理装置、および基板処理方法 | |
JP2002231608A5 (ja) | ||
JP2005019787A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
JP4772610B2 (ja) | 分析方法 | |
JPH04220546A (ja) | ガス状の微小粒子のモニタ方法および装置 | |
JP2004031852A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JPS63108722A (ja) | 基板表面処理装置 | |
Schröter et al. | Femtosecond-laser processing of nitrobiphenylthiol self-assembled monolayers | |
JP5057464B2 (ja) | 水中燃焼による表面清浄化方法及び装置 | |
JP2008026063A5 (ja) | ||
JP2021034537A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JPH042961A (ja) | 塩素量測定装置 | |
Baek et al. | Contact angle evaluation for laser cleaning efficiency | |
JPH02218128A (ja) | 半導体表面清浄化方法 | |
JP2020071173A (ja) | 試料調製方法、分析方法、品質管理方法及び装置 | |
JP2004134810A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111220 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |