JP4902250B2 - 可変利得増幅器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1における可変利得増幅器のブロック図を示す。図1において、図9と同じ構成については同じ符号を用い、説明を省略する。
可変利得増幅回路2の利得=可変利得増幅回路5の利得−減衰回路の減衰量
(まだ可変抵抗回路4の抵抗値は大きいため、可変抵抗回路4での損失は無い)のとき。
図3は、本発明の実施の形態2における可変利得増幅器のブロック図を示す。図3において、図1と同じ構成については同じ符号を用い、説明を省略する。
図6は、本発明の実施の形態3の可変利得増幅器に用いられる可変抵抗回路19の回路図である。可変抵抗回路19は、電界効果トランジスタ17のソースをRF信号周波数においてコンデンサ18により接地し、電圧入力端子15に入力する電圧と電圧入力端子16に入力する電圧との差であるVgsを制御してRF接続端子14からみたRF信号周波数における可変抵抗回路19の抵抗値を可変している。電圧入力端子15および電圧入力端子16のうちの一方の端子に可変抵抗回路基準電圧を入力し、他方の端子には利得制御電圧に応じて変化する可変抵抗回路制御電圧を入力する。
本実施の形態によれば、集積化に適した電界効果トランジスタを用いて可変抵抗回路を構成することにより、可変抵抗回路が集積化に適した構成を有する可変利得増幅器を提供することができる。
図7は、本発明の実施の形態4の可変利得増幅器に用いられる可変抵抗回路25の回路図である。図7において、図6と同じ構成については同じ符号を用い、説明を省略する。
図8は本発明の実施の形態5における可変利得増幅器の回路図を示す。図8において、図3と同じ構成については同じ符号を用い、説明を省略する。
2 可変利得増幅回路
3 減衰回路
4 可変抵抗回路
5 可変利得増幅回路
6 RF出力端子
7 利得制御電圧入力端子
8,12 利得制御部
9 13 可変利得増幅器
10 可変抵抗回路
14 RF接続端子
15,16 電圧入力端子
17,20,21,22,23 電界効果トランジスタ
18 コンデンサ
19,25 可変抵抗回路
24 制御電圧シフト手段
26 電源電圧入力端子
27 ベース接地トランジスタ
102 第1可変利得増幅回路
103 第1減衰回路
104 第2可変利得増幅回路
105 第2減衰回路
106 第3可変利得増幅回路
108 利得制御部
110 可変利得増幅器
111,112,113 可変利得増幅回路
114,115 電圧シフト回路
116 電流制御回路
117 可変利得増幅器
Claims (6)
- 入力を可変利得増幅器入力端子に接続し出力を可変利得増幅器出力端子に接続した第1の可変利得増幅回路と、
一方の端子を前記可変利得増幅器入力端子に接続した減衰回路と、
入力を前記減衰回路の他方の端子に接続し出力を前記可変利得増幅器出力端子に接続した第2の可変利得増幅回路と、
一方の端子を前記減衰回路と前記第2の可変利得増幅回路との接続点に接続し他方の端子を接地した第1の可変抵抗回路と、
利得制御電圧により前記第1の可変利得増幅回路の利得と前記第2の可変利得増幅回路の利得と前記第1の可変抵抗回路の抵抗値とを可変する利得制御部とを備え、
前記可変抵抗回路としてソース接地させた電界効果トランジスタを用い、前記電界効果トランジスタのドレイン端子を前記可変抵抗回路の一方の端子とし、前記電界効果トランジスタのソース端子を使用周波数において接地した構成とし、前記利得制御電圧に応じて前記利得制御部において生成される可変抵抗回路制御電圧と、前記利得制御部において内部生成する可変抵抗回路基準電圧のうち、一方の電圧は電界効果トランジスタのゲートに印加し、他方の電圧は電界効果トランジスタのソースに印加する可変利得増幅器。 - 可変利得増幅器利得を最大とするときは前記第1の可変利得増幅回路の利得を最大とし前記第2の可変利得増幅回路の利得を最小とし前記第1の可変抵抗回路の抵抗値を最大とし、
前記可変利得増幅器利得を最小とするときは前記第1の可変利得増幅回路の利得を最小とし前記第2の可変利得増幅回路の利得を最大とし前記第1の可変抵抗回路の抵抗値を最小とし、
前記可変利得増幅器利得を低下させていくときに前記第1の可変利得増幅回路の利得が前記第2の可変利得増幅回路の利得と比べて高い間は前記第1の可変抵抗回路の抵抗値を高い値に保ち、前記第1の可変利得増幅回路の利得が低下しかつ前記第2の可変利得増幅回路の利得が増加し前記第2の可変利得増幅回路の出力が可変利得増幅器出力に寄与する割合が前記第1の可変利得増幅回路が前記可変利得増幅器出力に寄与する割合と比べて大きくなった後で前記第1の可変抵抗回路の抵抗値が減少していくように前記利得制御部が動作する請求項1記載の可変利得増幅器。 - 一方の端子を可変利得増幅器入力端子に接続し他方の端子を接地した第2の可変抵抗回路をさらに備え、前記利得制御部は前記利得制御電圧により前記第2の可変抵抗回路の抵抗値を可変する請求項1記載の可変利得増幅器。
- 可変利得増幅器利得を最大とするときは前記第1の可変利得増幅回路の利得を最大とし前記第2の可変利得増幅回路の利得を最小とし前記第1の可変抵抗回路の抵抗値と前記第2の可変抵抗回路の抵抗値を最大とし、
前記可変利得増幅器利得を最小とするときは前記第1の可変利得増幅回路の利得を最小とし前記第2の可変利得増幅回路の利得を最大とし前記第1の可変抵抗回路の抵抗値と前記第2の可変抵抗回路の抵抗値とを最小とし、
前記可変利得増幅器利得を低下させていくときに前記第1の可変利得増幅回路の利得が低下し前記第2の可変利得増幅回路の利得が増加する状態において前記第2の可変抵抗回路の抵抗値が減少し、前記第1の可変利得増幅回路の利得が前記第2の可変利得増幅回路の利得と比べて高い間は前記第1の可変抵抗回路の抵抗値を高い値に保ち、前記第1の可変利得増幅回路の利得が低下しかつ前記第2の可変利得増幅回路の利得が増加し前記第2の可変利得増幅回路の出力が可変利得増幅器出力に寄与する割合が前記第1の可変利得増幅回路が前記可変利得増幅器出力に寄与する割合と比べて大きくなった後で前記第1の可変抵抗回路の抵抗値が減少していくように前記利得制御部が動作する請求項3記載の可変利得増幅器。 - 前記可変抵抗回路としてソース接地させた複数の電界効果トランジスタを用い、各々の電界効果トランジスタのドレイン端子を前記可変抵抗回路の一方の端子とし、各々の電界効果トランジスタのソース端子を使用周波数において接地した構成とし、入力された電圧を所定の電圧分だけそれぞれシフトさせた電圧を各々の電界効果トランジスタのゲートに対して供給する制御電圧シフト手段を備え、前記利得制御電圧に応じて前記利得制御部において生成される可変抵抗回路制御電圧と、前記利得制御部において内部生成する可変抵抗回路基準電圧のうち、一方の電圧を電界効果トランジスタのゲートに前記制御電圧シフト手段を介して印加し、他方の電圧を電界効果トランジスタのソースに印加することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の可変利得増幅器。
- 請求項1〜5のいずれか1項記載の可変利得増幅器をフロントエンドの低雑音アンプとして用いた受信装置。
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