JP4896828B2 - 形状検出方法及び形状検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、形状検出方法に関するものであって、特に、圧延材等の形状プロファイルを検出するために用いる形状検出方法に関するものである。また本発明は、前記抽出方法により光切断線を抽出することで圧延材の形状プロファイルを検出する形状検出装置に関する。

従来より、金属材料などの素材を帯状の圧延材に加工するプロセスが広く行なわれている。例えば、鉄鋼やアルミ、銅などの金属材料では、圧延プロセスを経て厚板や薄板に加工される。このとき、圧延プロセスを通過する前後の帯状の材料（以下、単に圧延材という）の品質を左右する指標の一つに形状プロファイルがある。たとえば圧延材の形状プロファイルが異常、すなわち、圧延材が大きく波うっていたり、その中央部又は端部に不均一な凹凸を生じていたりすれば、その後の圧延や搬送、加工などのプロセスに支障を生じたり、製品表面に傷や歪み、厚み異常などの品質低下を生み出す可能性がある。そこでこうした形状プロファイルの異常を計測し、圧延プロセスにその計測情報をフィードバックすることで圧延材の形状異常を軽減することが求められている。

このような圧延材は、通常長辺方向に沿ってライン上を搬送されて加工される。そこで長辺方向を「送り方向」、それと直角方向の短辺方向を「幅方向」と呼ぶことにする。帯状体は前述のように送り方向に沿って搬送されるが、こうした帯状体の形状を非接触かつ高速で計測する手法として、光切断法が用いられている。
例えば特許文献１では、帯状体の上方に板状光線投光部及び画像撮像用の特殊カメラを設置している。板状光線投光部が板状光線を帯状体の幅方向に照射し、特殊カメラが、この板状光線が帯状体の表面で反射されてできた像である光切断線を撮像する。板状光源とカメラとの位置関係及び画像上の光切断線の位置から、圧延材の形状プロファイルが検出される。

もし、板状光線投光部および特殊カメラが帯状体に対して相対的に静止していれば、光切断線上の座標についてしか帯状体表面のプロファイルを知ることができない。しかし、板状光線投光部と特殊カメラを静止させ、帯状体を矢印の方向に搬送することで、帯状体の表面を光切断線が走査する効果が得られる。この結果、送り方向に沿った圧延材の３次元形状を計測することができる。
光切断法を用いた表面形状の検出方法における重要な技術ポイントの一つとして、光切断線の画像から光切断線の位置を正確に抽出することが挙げられる。特許文献１では、以下のような手法を用いている。まず、板状光源としてレーザを使用し、カメラレンズの手前に光学フィルタを設置して光源レーザの反射光だけを撮像する。光切断線像以外の光成分をカットすることで明瞭な光切断線像を得て、撮像精度の向上を図っている。続いて２値化処理により画像を明暗に分け、明点の連続を光切断線であると判断して画像上での光切断線位置の座標を抽出している。

また特許文献２では、特許文献１と同じくレーザスリット光を用い、カメラレンズに光学フィルタを組み合わせて外乱光成分を除去している。光切断線の抽出においては、まず光切断線を直角に横切る方向にスキャンして、輝度最大点（ピーク点）を求め、ピーク点近傍のデータを用いて近似曲線を求めている。これら近似曲線のピーク位置の連続を光切断線の位置としている。
特許文献３においても、扇状のビームを用いて特殊カメラで光切断線を撮像し、帯状体の形状を測定する方法を示している。ここでは特に、生産ラインの振動による帯状体の高さ変動が生じても帯状体の形状が測定できる方法を示している。
特許第２９１３９０３号公報 特開平７−３２４９１５号公報 特開２００６−１８９３１５号公報

上記の特許文献ではいずれも、板状あるいは扇状のビームを帯状体に照射し、反射したビームをカメラで撮像し光切断線としている。通常、こうした板状あるいは扇状のビームはレーザ点光源から照射したスポット光をシリンドリカルレンズ等で一方向にのみ拡張して生成する。しかし、通常入手できるレーザ点光源からの光は、光線断面での光量分布が均一でないため、帯状体に照射されるビームの輝度はその中央部と側縁部とでは異なる。また、照明光のような環境光の中にも照射したビームと同じ波長の光が含まれるため、カメラにフィルタを設置した場合でも光切断線と環境光である外乱光とが混在した画像を撮像することになる。

さらに、圧延材表面にスケールや冷却水などが付着することで光の反射率が局所的に変化するため、光切断線の輝度が場所によって異なったり、低下したりする。このことにより、画像上で光切断線を幅方向に対して安定して得ることができなくなる。特に、光切断線の輝度の低い部分では、その輝度が外乱光成分の輝度と同等のレベルまで低下するケースもあり光切断線が外乱光成分にまぎれてしまい、特許文献にあげたような従来の方法では安定して光切断線を抽出することはできない。
帯状体の正確な形状を得るためには、このような画像からできるだけ正確に光切断線を検出しなければならないという課題がある。本発明は以上のような課題に鑑みてなされたものであって、光切断線を正確に検出する方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明は、次の手段を講じた。即ち、本発明における課題解決のための技術的手段は、圧延材上に投影されたスリット光の反射光から光切断線を抽出し、圧延材の形状プロファイルを光切断法により検出する形状検出方法であって、圧延材上に投影されたスリット光の反射光を含む画像を撮像し、前記撮像した画像内の輝度分布を検出し、前記画像内で輝度が最も高い部分を含む所定の領域を、前記画像内において光切断線を探索する範囲を限定する探索小領域であって光切断線の探索を開始する最初の探索小領域（探索開始領域という）として設定し、前記探索小領域に含まれる光切断線の座標を抽出し、光切断線を抽出した当該探索小領域における前記座標の平均値および分散値を求め、求めた平均値および分散値をもとに当該探索小領域に隣接する次の探索小領域を設定し、前記次の探索小領域に含まれる光切断線の座標を抽出して、抽出された全ての光切断線の座標から圧延材の形状プロファイルを検出するものである。

ここで、前記当該探索小領域での光切断線の座標の分散値に応じて、次の探索小領域の大きさを変化させてもよい。
また、前記当該探索小領域での光切断線の座標の平均値に応じて、次の探索小領域の位置を変化させてもよい。
ここで前記光切断線の抽出は、前記探索小領域を複数の探索ラインに分割し、前記複数の探索ラインごとに輝度パターンを作成し、前記輝度パターンのピーク位置を光切断線の位置であると判断することで行なわれてもよい。

ここで前記光切断線の抽出は、前記探索小領域を複数の探索ラインに分割し、前記複数の探索ラインごとに輝度パターンを作成し、前記輝度パターンの重心位置を光切断線の位置であると判断することで行なわれてもよい。
さらに本発明における課題解決のための技術的手段は、圧延材の形状プロファイルを光切断法により計測する形状検出装置であって、圧延材にスリット光を照射する照射部と、圧延材上に投影されたスリット光の反射光を含む画像を撮像する撮像部と、前記撮像部によって撮像された画像内の輝度分布を検出し、前記画像内で輝度が最も高い部分を含む所定の領域を、前記画像内において光切断線を探索する範囲を限定する探索小領域であって光切断線の探索を開始する最初の探索小領域（探索開始領域という）として設定し、前記探索小領域に含まれる光切断線の座標を抽出し、光切断線を抽出した当該探索小領域における前記座標の平均値および分散値を求め、求めた平均値および分散値をもとに当該探索小領域に隣接する次の探索小領域を設定し、前記次の探索小領域に含まれる光切断線の座標を抽出して、抽出された全ての光切断線の座標から圧延材の形状プロファイルを検出する画像認識部と、を具備するものである。

ここで前記画像認識部は、前記撮像した画像内の輝度分布を検出し、前記画像内で輝度が最も高い部分を含む探索小領域を光切断線の探索を開始する探索開始領域として設定してもよい。
ここで前記画像認識部は、当該探索小領域での光切断線の座標の分散値に応じて、次の探索小領域の大きさを変化させてもよい。
また、前記画像認識部は、当該探索小領域での光切断線の座標の平均値に応じて、次の探索小領域の位置を変化させてもよい。

ここで前記画像認識部は、前記探索小領域を複数の探索ラインに分割し、前記複数の探索ラインごとに輝度パターンを作成し、前記輝度パターンのピーク位置を光切断線の位置であると判断してもよい。
ここで前記画像認識部は、前記探索小領域を複数の探索ラインに分割し、前記複数の探索ラインごとに輝度パターンを作成し、前記輝度パターンの重心位置を光切断線の位置であると判断してもよい。

このような特徴を有する本発明によれば、光切断線の輝度が高く明確に抽出できる領域から光切断線の抽出処理を始め、その結果を次々と周辺領域に反映させることができるため、光切断線の輝度が低い領域でも、外乱光成分の影響を受けることなく正確に光切断線を抽出することができる。

以下、本発明にかかる形状検出方法及び形状検出装置について説明する。ここでは、熱間圧延ラインへの適用を一例として述べる。
図１は熱間圧延ラインを示したものであり、圧延機１から形状検出装置２、冷却装置３、巻き取り装置４に至るまでの装置構成を開示している。なお、圧延材の移送方向において、移送されていく側（巻き取り装置４側）を下流側、その反対側（圧延機１側）を上流側と呼ぶ。
圧延機１は、圧延材５を圧延するもので最上流側に配置され、一対のワークロール６，６と、このワークロール６，６をバックアップする一対のバックアップロール７，７と、当該圧延機１の圧延荷重や圧延材５の通板速度を制御する圧延制御装置８とを備えている。冷却装置３は、圧延された圧延材５を冷却するもので連続的に連なる複数の冷却バンク９、９を備えており、各冷却バンク９、９に設けられた冷却ノズル９ａから冷却水を放出することで圧延材５は冷却される。巻き取り装置４は冷却装置３によって冷却された圧延材５を巻き取るものである。

図１、２に示すように、形状検出装置２は、圧延機１によって圧延された圧延材５の形状プロファイルを計測して、計測により得られた形状プロファイルに対して、耳波、中伸び、複合伸び、クオータ伸び等の平坦度パターンがどの程度含まれているか解析することによって、圧延材５の形状プロファイルの特性を検出できるようにしたものである。
形状検出装置２は、圧延機１と冷却装置３との間に配置され、スリット光を照射する照射部１０と、照射されたスリット光からの反射光を撮像する撮像部１１と、形状検出制御装置１２とを備えている。

照射部１０は、点レーザ光をシリンドリカルレンズに通してスリット光を発生させ、当該スリット光を圧延材５の幅方向に向くように表面へ向けて照射するものである。撮像部１１は、スリット光を照射した際に圧延材５の表面から反射された反射光を撮像するもので、例えば、２次元ＣＣＤカメラ等で構成されている。また、撮像部１１のレンズには照射部１０からのスリット光の波長のみを透過するフィルタ１３が設けられている。撮像された画像は形状検出制御装置１２に送信される。照射部１０のレーザ投射軸と、撮像部１１の光軸とのなす角（抱き角）は、およそ３０°〜１５０°の範囲で設定されている。

形状検出制御装置１２は、撮像部１１から送信された画像を解析して当該画像から圧延材５の形状プロファイルを検出したり撮像部１１を制御するもので、撮像部１１を制御する制御用コンピュータ１４と、画像を解析する解析用コンピュータ１５と、撮像された画像等を表示するモニタ１６とを有している。
制御用コンピュータ１４は、撮像部１１の輝度を調整したりレンズの絞り等制御を行う撮像制御部１７と、撮像された画像を保存する画像記憶部１８とを有している。画像記憶部１８は、例えば、フレームメモリで構成されていて、撮像された画像を６４０×４８０の画素で記憶する。

解析用コンピュータ１５は、画像認識部１９と、解析部２０とを有している。画像認識部１９は、画像記憶部１８に記憶された画像内の反射光（スリット光）から光切断線であるラインを抽出して、当該ラインの座標を２次元（ｘ軸、ｙ軸）の画像座標データとして記憶する。画像座標データでのｘ軸は圧延材５の幅方向に対応させ、画像座標データでのｙ軸は圧延材５の移送方向に対応させている。さらに、画像認識部１９は、画像座標データを基に三角測量法の原理を用いて形状プロファイルを求め、求めた形状プロファイルを正規化して、２次元（ｘ軸、ｚ軸）の正規化座標データとして記憶する。

なお、画像認識部１９に記憶されている正規化座標データでの横軸（ｘ軸）は、圧延材５の幅方向に対応させ、正規化座標データでの縦軸（ｚ軸）は、圧延材５の厚み方向に対応させている。このようにして、図３に示すような正規化された形状プロファイルが得られる。
以上のような、形状プロファイルを検出する過程において、画像認識部１９及び解析部２０が、画像記憶部１８に記憶された画像から光切断線を抽出する方法を、以下に詳しく説明する。

図４は、図１における圧延材５、照射部１０、撮像部１１、及び形状検出制御装置１２の構成を特に示した図である。撮像部１１は、圧延材５において斜線で示した部分の画像を撮像し、その画像を形状検出制御装置１２に送る。尚、図４の矢印は圧延材５の送り方向を示す。
図５は、撮像部１１が撮像した画像２１ａを示す図である。画像２１ａは、前述のとおりｘ軸方向に６４０画素、ｙ軸方向に４８０画素で構成されており、それぞれの画素に座標が割り当てられている。光切断線２２は、圧延材５で反射されたものであり、光切断線２３、２４は、圧延材５の背景で反射されたものである。光切断線２３、２４は画面内の一定の座標位置に現れるものであって、圧延材５の形状プロファイルとは無関係であるので、画像認識部１９は、予め光切断線２３、２４の位置や圧延材５の位置を検出しておき、画像２１ａから差し引く。こうすることで画像認識部１９は図６に示すような画像２１ｂを得る。得られた画像２１ｂをｘ軸方向に１０画素、ｙ軸方向に４８０画素の複数の探索領域に分割し、さらに各探索領域内の一部に光切断線を抽出するための探索小領域を設定する。以下に、光切断線を抽出するための一連の処理を図７のフローチャートを用いて説明する。

図７は、画像認識部１９が光切断線２２を検出する際の処理の手順を示したフローチャートである。画像認識部１９はまず、画像２１ｂにおいて同一のｘ座標を持ちｙ軸方向に一直線に並ぶ４８０個の画素を１つの探索ラインとして設定し、６４０本の全ての探索ラインごとに、画素１つ１つの輝度を検出する（Ｓ１）。探索ラインごとに最も高い輝度の画素である最大輝度画素を検出し、検出された６４０個の画素の最大輝度を並べて図８に示す輝度パターンを作成する（Ｓ２）。
次に、探索小領域であって最初に探索を行う「探索開始領域」を設定する（Ｓ３）。この探索開始領域は、Ｓ２で作成した図８に示す輝度パターンにおいて最も輝度が高い画素を含む探索領域に設定される。探索開始領域のｘ軸方向の幅は探索領域の幅（ｘ＝１０）と一致しており、ｙ軸方向の幅はその最も輝度が高い画素のｙ座標を基準にしてｙ軸方向に±５画素の幅（ｙ＝１０）である。

設定した探索開始領域（２回目以降の処理では当該探索領域）内に限って、１０本の探索ラインそれぞれにおける最大輝度画素を検出し、検出した１０個の最大輝度画素の座標を光切断線２２上の点であると決定する（Ｓ４）。
Ｓ４で検出した１０個の最大輝度画素のｙ座標の平均値と、ｙ座標の分散値（以下、単に分散値という）を求める（Ｓ５）。
Ｓ５で求めたｙ座標の平均値と分散値を用いて、探索小領域（当該探索小領域）に隣接する位置に、次に光切断線位置を求める探索小領域（次の探索小領域）を設定する（Ｓ６）。この隣接する探索小領域のｘ軸方向の幅は探索領域の幅と一致している（ｘ＝１０）。またｙ軸方向の幅は、Ｓ５で求めたｙ座標の平均値を中心にして、なおかつＳ５で求めた分散値を用いてｙ軸方向に±（５画素＋分散値）の幅となるように設定される。

尚、Ｓ６で設定する探索小領域内のｙ軸方向の幅を±（５画素＋分散値）としたが、分散値に任意の係数をかけたものを用いて、ｙ軸方向の範囲を±（Ａ画素＋α×分散値）又はβ×分散値（Ａ，α，βは任意の値）として決定してもよい。
Ｓ６で設定する探索小領域内に限って、１０本の探索ラインそれぞれに対し以下の処理を実行する。すなわち、探索小領域内の１本の探索ラインを選択し、そのライン上で最も輝度の高い画素を検出する（Ｓ７）。
次に、検出した画素の輝度が閾値以上であるかどうかを判定する（Ｓ８）。Ｓ８で閾値未満であれば光切断線２２の終端を検出し終えたと判断して、一連の処理を終了する。輝度が閾値以上であればＳ７で検出した画素の座標を光切断線２２に含まれる点であると判断する（Ｓ９）。探索小領域における全ての探索ラインでの画素の検出を終えたかどうかを判断する（Ｓ１０）。検出を終えていなければＳ７に戻って次の探索ラインで最も輝度の高い画素を検出し、検出を終えていればＳ５に戻って、探索小領域において検出した１０個の画素のｙ座標の平均値と分散値を求める。

光切断線２２を検出する一連の処理において、Ｓ６では、図９に示すように探索小領域の大きさを分散値によって変化させている。図９は、図６の画像２１ｂに探索小領域を太線で示したものである。通常光切断線２２は、圧延材５の端の部分で反射したものほど輝度が低く、同時にｙ座標の分散値も大きくなる。このことから、探索小領域の大きさは、図９に示すように光切断線２２の端になるほど大きくなっていく。しかし、光切断線２２の端の部分においても分散値が変化しなければ、探索小領域の大きさも変化しない。また光切断線２２の端になるにつれ大きくなった分散値が、さらに端に行くにしたがって小さくなるときは、次の探索小領域の大きさは当該探索領域の大きさよりも小さくなる。

図１０に示すように、Ｓ６は、次の探索小領域の大きさを分散値によって変化させると共に、当該探索小領域での光切断線の座標の平均値を次の探索小領域の中心位置として採用し、次の探索小領域の範囲を決定するものとなっている。
また、Ｓ７において最も輝度が高い画素を検出し、Ｓ９においてその座標を光切断線２２に含まれる点であるとした。これに関しＳ７あるいはＳ９において、図１１に示すような探索ラインの輝度パターンを作成し、最大輝度を持つＡ点の座標ではなく、輝度パターンの重心点Ｂの座標を光切断線２２に含まれる点とすることもできる。

この重心点Ｂのｙ座標の求め方を、図１２を用いて説明する。まずＳ７あるいはＳ９において図１２に示す輝度パターンが得られたとする。ここで、ｙ座標値Ｙｉの点での輝度値をＩｉとする。輝度パターンの開始点ｉ＝ｓ、終了点をｉ＝ｅとすると、輝度パターンの重心位置Ｙｇは次の式で求められる。

ここでは輝度パターンを抽出する探索ラインを１本の細い梁とみなし、梁の位置にｙ座標を割り当てて、輝度をその位置での梁の密度とみなしている。こうすると、梁の全重量はΣ（Ｉｉ）、また梁の１次モーメントはΣ（Ｙｉ×Ｉｉ）と夫々計算されるので、重心Ｙｇ＝（１次モーメント）／（全質量）で、重心位置Ｙｇが計算される。
このように輝度パターンの重心点を求めることで、撮像部１１のＣＣＤのノイズによって最大輝度の位置がずれた場合でも高い精度で最大輝度の位置を決定することができる。また、最大輝度付近の近似曲線を求めて最大輝度の位置を決定することもできる。

以上のような光切断線抽出方法及び形状検出装置によると、撮像した画像に探索小領域を設定して光切断線を抽出するので、光切断線の抽出に必要なデータの処理量が少なくてすむ。また、撮像した画像において、圧延材表面でのスケール等の付着や冷却水による鏡面反射によって光切断線の輝度が場所によって異なったり、光切断線と自然光である外乱光とが混在したりする場合でも、探索小領域の大きさが輝度の分散値により可変となるため、光切断線を安定して得ることができる。
尚、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。

例えば、実施形態において熱間圧延ラインを例示したが、同様の圧延プロセスである冷間圧延ラインや線材圧延ラインへの適用も可能である。
また、本発明にかかる形状検出装置を圧延機の上流側に設置すると、圧延機に入る前の圧延材の形状プロファイルを検出することができる。よって、本実施の形態でいう圧延材とは、圧延後の厚板や薄板に限らず、例えば圧延前のスラブ、ブルーム、ビレットなどの部材も含む。

形状検出装置を設けた圧延ラインの模式図である。 形状検出装置の構成図である。 座標データを正規化した図である。 本発明の実施の形態における圧延材、照射部、撮像部、及び形状検出制御装置の構成を示した図である。 本発明の実施の形態における撮像部が撮像した画像を示す図である 本発明の実施の形態における撮像部が撮像した画像を探索領域に分けた状態を示す図である。 本発明の実施の形態における光切断線検出の動作を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態における最大輝度の輝度パターンを示す図である。 本発明の実施の形態における撮像部が撮像した画像に探索小領域を示した図である。 本発明の実施の形態における撮像部が撮像した画像に探索小領域を示した図である。 本発明の実施の形態における探索ラインの輝度パターンの一例を示す図である。 輝度パターンの一例を示す図である。

符号の説明

１ 圧延機
２ 形状検出装置
３ 冷却装置
４ 巻き取り装置
５ 圧延材
６ ワークロール
７ バックアップロール
８ 圧延制御装置
９ 冷却バンク
１０ 照射部
１１ 撮像部
１２ 形状検出制御装置
１３ フィルタ
１４ 制御用コンピュータ
１５ 解析用コンピュータ
１６ モニタ
１７ 撮像制御部
１８ 画像記憶部
１９ 画像認識部
２０ 解析部
２１ａ、２１ｂ 画像
２２、２３、２４ 光切断線

Claims (10)

1. 圧延材上に投影されたスリット光の反射光から光切断線を抽出し、圧延材の形状プロファイルを光切断法により検出する形状検出方法であって、
   圧延材上に投影されたスリット光の反射光を含む画像を撮像し、
   前記撮像した画像内の輝度分布を検出し、
   前記画像内で輝度が最も高い部分を含む所定の領域を、前記画像内において光切断線を探索する範囲を限定する探索小領域であって光切断線の探索を開始する最初の探索小領域として設定し、
   前記探索小領域に含まれる光切断線の座標を抽出し、
   光切断線を抽出した当該探索小領域における前記座標の平均値および分散値を求め、
   求めた平均値および分散値をもとに当該探索小領域に隣接する次の探索小領域を設定し、
   前記次の探索小領域に含まれる光切断線の座標を抽出して、
   抽出された全ての光切断線の座標から圧延材の形状プロファイルを検出することを特徴とする形状検出方法。
2. 前記当該探索小領域での光切断線の座標の分散値に応じて、次の探索小領域の大きさを変化させることを特徴とする請求項１に記載の形状検出方法。
3. 前記当該探索小領域での光切断線の座標の平均値に応じて、次の探索小領域の位置を変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載の形状検出方法。
4. 前記光切断線の抽出は、
   前記探索小領域を複数の探索ラインに分割し、
   前記複数の探索ラインごとに輝度パターンを作成し、
   前記輝度パターンのピーク位置を光切断線の位置であると判断することで行なわれることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の形状検出方法。
5. 前記光切断線の抽出は、
   前記探索小領域を複数の探索ラインに分割し、
   前記複数の探索ラインごとに輝度パターンを作成し、
   前記輝度パターンの重心位置を光切断線の位置であると判断することで行なわれることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の形状検出方法。
6. 圧延材の形状プロファイルを光切断法により計測する形状検出装置であって、
   圧延材にスリット光を照射する照射部と、
   圧延材上に投影されたスリット光の反射光を含む画像を撮像する撮像部と、
   前記撮像部によって撮像された画像内の輝度分布を検出し、前記画像内で輝度が最も高い部分を含む所定の領域を、前記画像内において光切断線を探索する範囲を限定する探索小領域であって光切断線の探索を開始する最初の探索小領域として設定し、前記探索小領域に含まれる光切断線の座標を抽出し、光切断線を抽出した当該探索小領域における前記座標の平均値および分散値を求め、求めた平均値および分散値をもとに当該探索小領域に隣接する次の探索小領域を設定し、前記次の探索小領域に含まれる光切断線の座標を抽出して、抽出された全ての光切断線の座標から圧延材の形状プロファイルを検出する画像認識部と、を具備することを特徴とする形状検出装置。
7. 前記画像認識部は、当該探索小領域での光切断線の座標の分散値に応じて、次の探索小領域の大きさを変化させることを特徴とする請求項６に記載の形状検出装置。
8. 前記画像認識部は、当該探索小領域での光切断線の座標の平均値に応じて、次の探索小領域の位置を変化させることを特徴とする請求項６又は７に記載の形状検出装置。
9. 前記画像認識部は、前記探索小領域を複数の探索ラインに分割し、前記複数の探索ラインごとに輝度パターンを作成し、前記輝度パターンのピーク位置を光切断線の位置であると判断することを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の形状検出装置。
10. 前記画像認識部は、前記探索小領域を複数の探索ラインに分割し、前記複数の探索ラインごとに輝度パターンを作成し、前記輝度パターンの重心位置を光切断線の位置であると判断することを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の形状検出装置。

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