JP4892684B2 - ナノスケール電気リソグラフィー法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 96
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 83
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 33
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 30
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 2
- 238000004574 scanning tunneling microscopy Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000010291 electrical method Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000000263 scanning probe lithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
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- G03G13/28—Planographic printing plates
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
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Description
(d)前記電場の印加によって形成されたパターンに従って、前記基板を選択的に処理するステップと、を有する方法が提供される。
インダクタンスの変化、電場の変化等、容量以外の特性を用いて、所望の位置合わせ精度を確保しても良いことは明らかである。
Claims (20)
- リソグラフィー加工の方法であって、
導電性マスクパターンを形成するステップと、
埋没導電層の上部に電場によって変化することが可能な層を有する基板を形成するステップと、
前記マスクパターンの導電性部分と前記埋没導電層の間に、電場を印加することによって、前記電場によって変化することが可能な層をパターン化するステップと、
前記電場の印加によって形成されたパターンにより、前記基板を選択的に処理するステップと、
を有する方法。 - リソグラフィー加工の方法であって、
導電性マスクを形成するステップと、
埋没導電層の上部に電場感応性レジスト層を有する基板を形成するステップと、
前記導電性マスクを、前記基板の電場感応性レジスト層の上に設置するステップと、
前記導電性マスクと前記基板の導電層の間に、電場を印加して、前記電場感応性レジスト層を変化させるステップと、
前記導電性マスクを前記基板から取り外すステップと、
マスクパターンに従って、前記電場によって選択的に露出された前記電場感応性レジスト層を選択的に除去するステップと、
を有する方法。 - 前記電場による露出に従って、前記電場感応性レジスト層内に、分子鎖、結合、相、または鎖、結合および相のいずれかの組み合わせの変化が生じ、
前記電場感応性レジスト層は、実質的に、自己組織化分子、高分子、モノマー、オリゴマーおよび無機材料で構成されるレジスト材料の群から選択されることを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記電場感応性レジスト層は、前記基板の導電層上で自己組織化され、
前記電場感応性自己組織化レジスト層と、前記埋没導電層の組み合わせは、チオール/Au、シラン/SiO2、カルボニル/Ti、アミン/Ptからなる反応基/物質の組み合わせの群から選択されることを特徴とする請求項3に記載の方法。 - 前記導電性マスクは、
電極と、
該電極の表面の絶縁体と、
前記電極から延伸する、または前記電極に接合された複数の導電性領域と、
を有することを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記導電性マスクは、
導電性基板上に導電性パターンを形成するステップと、
前記導電性基板、または前記導電性基板と導電性パターンの組み合わせの上部に、絶縁層を形成するステップと、
を有する方法で製作されることを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 当該リソグラフィー加工の方法は、ほぼ10ナノメートル(10nm)以下のマスクパターン形状寸法に利用することができることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- さらに、絶縁層を研磨するステップを有し、導電性パターンが露出し、基板の表面が平坦化されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記導電性マスクは、
導電層を有する基板上に、導電性パターンを形成するステップと、
前記導電性パターン上に、少なくとも2つの異なる金属を有する多層格子を成膜するステップと、
前記多層格子の表面の一部を除去するステップと、
異なる金属が別個に変化する選択処理において、前記多層格子の表面を処理するステップと、
を有する方法によって製作されることを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記多層格子の前記表面の一部は、研磨処理によって除去されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記多層格子の前記処理するステップは、金属が選択的に酸化される酸化処理ステップを有することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記多層格子の加工処理によって、1ナノメートル(1nm)未満の解像度が得られることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記電場感応性レジスト層は、前記電場に応じて、構造が変化するように構成され、前記レジストを選択的に除去する処理の際、溶解度が増大または低下することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記電場感応性レジスト層は、前記電場に露出された部分において、分子鎖、結合、または相に変化が生じる材料であり、これにより、溶媒系除去処理の際に、前記材料の溶解度が増大することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- さらに、前記基板を処理し、他の材料に前記レジスト層のパターンを転写するステップを有することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- さらに、前記導電性マスク、前記基板の前記埋没導電層、または両者の組み合わせを、別個にアドレス処理することが可能な導電性領域に分割するステップを有し、
前記別個にアドレス処理することが可能な導電性領域に印加される電場のパターンに従って、パターンが形成されることを特徴とする請求項2に記載の方法。 - さらに、
前記導電性マスクを、第1組の別個にアドレス処理することが可能な平行導電性ストリップに分割するステップと、
前記埋没導電層を、第2組の別個にアドレス処理することが可能な平行導電性ストリップであって、前記第1組と直交するように配向された平行導電性ストリップに分割するステップと、
を有し、
前記電場は、第1組および第2組の別個にアドレス処理することが可能な導電性素子内の、選択された導電性ストリップの間に印加され、パターン処理を行う前記電場感応性レジスト層が選定されることを特徴とする請求項2に記載の方法。 - さらに、導電性マスクと基板の埋没導電層の間の容量を検知することにより、前記基板に対する前記導電性マスクの位置を検知するステップを有することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- リソグラフィー加工の方法であって、
導電性マスクを形成するステップと、
埋没導電層の上部に電場感応性レジスト層を有する基板を形成するステップと、
前記基板の前記電場感応性レジスト層上に、前記導電性マスクを設置するステップと、
前記導電性マスクと前記基板の前記埋没導電層の間に電場を印加して、溶媒に対する前記レジスト層の溶解度を変化させるステップと、
前記導電性マスクを前記基板から取り外すステップと、
溶媒を用いて、マスクパターンに従って、電場によって選択的に露出された前記電場感応性レジスト層を選択的に除去するステップと、
前記電場感応性レジスト層のパターンを、他の材料に転写して、該材料をパターン化するステップと、
を有する方法。 - さらに、
前記導電性マスク、前記基板の前記埋没導電層、または両者を、別個にアドレス処理することが可能な導電性領域に分割するステップを有し、
前記別個にアドレス処理することが可能な導電性領域の間に印加される電場の露出範囲に従って、パターンが製作されることを特徴とする請求項19に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US53611504P | 2004-01-12 | 2004-01-12 | |
US60/536,115 | 2004-01-12 | ||
PCT/US2005/000901 WO2005070167A2 (en) | 2004-01-12 | 2005-01-12 | Nanoscale electric lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007525832A JP2007525832A (ja) | 2007-09-06 |
JP4892684B2 true JP4892684B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=34806986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006549548A Active JP4892684B2 (ja) | 2004-01-12 | 2005-01-12 | ナノスケール電気リソグラフィー法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7455788B2 (ja) |
EP (1) | EP1730591B1 (ja) |
JP (1) | JP4892684B2 (ja) |
KR (1) | KR100868887B1 (ja) |
CN (1) | CN101124089B (ja) |
WO (1) | WO2005070167A2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4892684B2 (ja) * | 2004-01-12 | 2012-03-07 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア | ナノスケール電気リソグラフィー法 |
JP4804028B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-10-26 | 東京応化工業株式会社 | ナノ構造体の製造方法 |
TWI345804B (en) * | 2005-08-17 | 2011-07-21 | Lg Chemical Ltd | Patterning method using coatings containing ionic components |
DE102010046730A1 (de) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh | Fotolithografisches Verfahren zum Ausbilden einer dreidimensionalen Struktur |
JP6178651B2 (ja) | 2013-07-19 | 2017-08-09 | 株式会社東芝 | パターン転写用モールド及びパターン形成方法 |
US9396958B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-07-19 | Tokyo Electron Limited | Self-aligned patterning using directed self-assembly of block copolymers |
DE102015213275A1 (de) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegelanordnung für eine Lithographiebelichtungsanlage und Spiegelanordnung umfassendes optisches System |
JP6846172B2 (ja) | 2016-11-21 | 2021-03-24 | 株式会社東芝 | モールド、製造装置および半導体装置の製造方法 |
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- 2005-01-12 WO PCT/US2005/000901 patent/WO2005070167A2/en not_active Application Discontinuation
- 2005-01-12 EP EP05705521A patent/EP1730591B1/en active Active
- 2005-01-12 KR KR1020067013526A patent/KR100868887B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 CN CN2005800021420A patent/CN101124089B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-29 US US11/480,256 patent/US7455788B2/en active Active
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- 2008-10-12 US US12/249,947 patent/US8562795B2/en not_active Expired - Fee Related
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CN101124089A (zh) | 2008-02-13 |
EP1730591A4 (en) | 2009-06-03 |
EP1730591B1 (en) | 2011-08-03 |
US7455788B2 (en) | 2008-11-25 |
EP1730591A2 (en) | 2006-12-13 |
WO2005070167A3 (en) | 2007-05-31 |
JP2007525832A (ja) | 2007-09-06 |
KR100868887B1 (ko) | 2008-11-17 |
WO2005070167A8 (en) | 2006-12-07 |
WO2005070167A2 (en) | 2005-08-04 |
KR20060128904A (ko) | 2006-12-14 |
US20070034599A1 (en) | 2007-02-15 |
CN101124089B (zh) | 2011-02-09 |
US20090104550A1 (en) | 2009-04-23 |
US8562795B2 (en) | 2013-10-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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