JP4880495B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
処理室と、
前記処理室内に配置された基板ステージ及びカソード電極と、
前記基板ステージに対向する位置に配置されたイオン源と、
前記イオン源の放電容器内に設けられたガス導入口と、
イオンを300eV〜10000eVのイオンエネルギーに加速する電源と有し、
前記カソード電極が前記基板ステージに装着された基板に対して斜めに対向して配置されていること
を特徴としている。
図1には、イオンミリング装置及びSIS(自己イオン化スパッタリングSelf Ionized Sputtering)装置を含む成膜装置の一実施形態を成す配線形成用システムを示し、図示装置は搬送室1と、搬入室2と、三つのSIS室3、4、5と、三つのイオンミリング室6、7、8と、搬出室9とを備えている。搬入室2、SIS室3、4、5及びイオンミリング室6、7、8はそれぞれそれぞれゲートバルブを介して搬送室1に接続されている。
2:搬入室
3、4、5:SIS室
6、7、8:イオンミリング室
10:真空チャンバー
11:ターゲット
12:配線を形成すべき基板
13:DC電源
14:マグネトロン
15:回転駆動装置
16:磁気ヨーク部材
17:磁石
18:ガス導入口
19:流量調整弁
20:排気口
21:基板ステージ
22:バイアス電源
30:真空チャンバー
31:イオン源
32:放電容器
33:高周波コイル
34:RF電源
35:励磁コイル
36:加速及び引き出し電極
37:直流電源
38:ガス導入口
40:真空チャンバー
41:カソード電極
42:ターゲット
43:基板ステージ
44:基板
45:DC電源
46:電源
47:イオン源
48:放電容器
49:高周波コイル
50:RF電源
51:励磁コイル
52:加速及び引き出し電極
53:直流電源
54:ガス導入口
55:ガス導入口
Claims (1)
- 基板上の凹部に成膜し、前記成膜にイオンを照射するように構成された成膜装置であって、
処理室と、
前記処理室内に配置された基板ステージ及びカソード電極と、
前記基板ステージに対向する位置に配置されたイオン源と、
前記イオン源の放電容器内に設けられたガス導入口と、
イオンを300eV〜10000eVのイオンエネルギーに加速する電源と有し、
前記カソード電極が前記基板ステージに装着された基板に対して斜めに対向して配置されていること
を特徴とする成膜装置。
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JP2007044330A JP4880495B2 (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 成膜装置 |
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JP2007044330A JP4880495B2 (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 成膜装置 |
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