JP2000021599A - プラズマ発生装置 - Google Patents

プラズマ発生装置

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JP2000021599A
JP2000021599A JP10199523A JP19952398A JP2000021599A JP 2000021599 A JP2000021599 A JP 2000021599A JP 10199523 A JP10199523 A JP 10199523A JP 19952398 A JP19952398 A JP 19952398A JP 2000021599 A JP2000021599 A JP 2000021599A
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JP
Japan
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discharge vessel
pressure
waveguide
plasma
window material
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JP10199523A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Hashimoto
清 橋本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】過負荷耐量を増大させることができ、運転自由
度を拡大できるプラズマ発生装置を提供する。 【解決手段】マイクロ波発生源から送出されたマイクロ
波電力を放電容器内に注入する導波管2,22,4と、
これら導波管の途中に介挿されて放電容器を封止する誘
電体製の窓材16を持つ封止機構3と、導波管の途中で
封止機構3と放電容器との間を誘電体製の窓材26で仕
切る防護用仕切り機構21とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波電力を
使って放電容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波電力を使ってプラズマを発生
させるプラズマ発生装置は、核融合炉における中性粒子
入射装置のイオン源や、プラズマエッチング装置、プラ
ズマ気相成長装置などのプロセシングプラズマ装置のプ
ラズマ源として用いられる。このようなプラズマ発生装
置のうち、数百W以上の大電力のマイクロ波を放電容器
内へ注入してプラズマを発生させる装置では、通常、マ
イクロ波源と放電容器とを導波管でつなぐ構成が採用さ
れる。
【0003】図6には導波管を用いた従来のプラズマ発
生装置の概略構成が示されている。マイクロ波源1で生
成されたマイクロ波は、導波管2、封止機構3、L字型
の導波管4、5、フランジ6を介して放電容器7へ注入
される。導波管内は、封止機構3を境にして大気雰囲気
(導波管2)と真空雰囲気(導波管3,4)とに分かれ
る。
【0004】放電容器7は図示しない排気装置に接続さ
れるとともに図示しないガス供給装置に接続されてい
る。放電容器7に導入されたマイクロ波は、放電容器7
の周囲に配された永久磁石8,9が発生する磁場と相互
作用し、放電容器7内のガスを電離してプラズマを発生
する。発生したプラズマ中のイオンは絶縁材10を介し
て電圧の印加されているイオン引き出し電極11,12
によって放電容器外へと引き出される。
【0005】図7には封止機構3の概略断面が示されて
いる。
【0006】封止機構3は、導波管2の端部に取り付け
られたフランジ13と導波管4の端部に形成されたフラ
ンジ14との間にゴムリング15を介してアルミナセラ
ミックス等で形成された窓材、つまり誘電体製の窓材1
6を介在させ、この状態でボルト17を使って締め付け
て気密に封止したものとなっている。なお、図では省略
されているが、通常、窓材16を冷却する機構が設けら
れている。この構成から判るように、窓材16を境にし
て導波管2内は大気圧であり、導波管4,5内は放電容
器7内の圧力と同じで、また窓材16は放電容器7内で
発生するプラズマを直視しない位置に設けられている。
【0007】このような構成のプラズマ発生装置では、
放電容器7の内部に磁場が存在しているため、この放電
容器7内は磁場が存在しない導波管4,5の内部に比べ
て放電し易い環境となっている。このため、通常の運転
条件では放電の発生する領域は放電容器7内に限定され
る。
【0008】ところで、大出力のイオンビームを引き出
そうとしたり、プラズマプロセシングでより高効率の反
応を行わせようとしたりするときには、より高密度のプ
ラズマが必要になる。このような場合には、導波管を介
して伝送するマイクロ波電力を増大させたり、放電容器
7内の動作圧力を上昇させたりする方式が採られる。
【0009】しかしながら、このような手段を講じる
と、導波管4,5内の圧力が、放電容器7内の圧力と略
同じであるため、導波管4,5内でも放電が発生する虞
がある。もしも、導波管4内で放電が発生すると、窓材
16であるアルミナセラミクスがプラズマの熱や粒子に
さらされることになる。窓材16の周囲には冷却用の水
冷管が配置されているが、窓材16を構成しているアル
ミナセラミクスは熱伝導率が小さく、熱や粒子の衝撃が
大きい場合には窓材16が破壊される。窓材16が破壊
されると、マイクロ波源1は勿論のこと、放電容器7
や、放電容器側を低圧状態に保持する真空排気装置も損
傷を受けることになり、大きな被害を被ることになる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、プラズマ
を発生させるためのエネルギ源としてマイクロ波電力を
用い、このマイクロ波電力を導波管を介して放電容器内
に注入するようにした従来のプラズマ発生装置にあって
は、過負荷状態にした場合に放電容器に接続されている
導波管内で放電が発生する虞がある。導波管内で放電が
発生すると、導波管の途中に設けられている封止機構の
窓材が破損し、大きな被害を被る虞があった。
【0011】そこで本発明は、過負荷耐量を増大させる
ことができ、運転自由度の拡大に寄与できるプラズマ発
生装置を提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るプラズマ発生装置は、放電容器と、こ
の放電容器内にプラズマ生成用のガスを導入するガス導
入手段と、マイクロ波発生源から送出されたマイクロ波
電力を前記放電容器内に注入する導波管と、この導波管
の途中に介挿されて前記放電容器を封止する誘電体製の
窓材を持つ封止機構と、前記導波管の途中で前記封止機
構と前記放電容器との間を誘電体製の窓材で仕切る少な
くとも1つの防護用仕切り機構とを具備してなることを
特徴としている。
【0013】なお、防護用仕切り機構は、導波管内を管
軸方向に気密に仕切っていてもよい。この場合、導波管
の管軸方向に隣り合う防護用仕切り機構間または防護用
仕切り機構と前記封止機構との間に存在する空間の圧力
を可変可能とする圧力可変機構を付加し、前記空間の圧
力を放電容器内の圧力より高いレベルまたは低いレベル
に保持することによって上記空間での放電発生を防止す
るようにしてもよい。勿論、前記防護用仕切り機構は、
誘電体製の窓材を前記封止機構における誘電体製の窓材
に近接配置することによって、窓材間での放電発生を防
止する構成であってもよい。
【0014】本発明に係るプラズマ発生装置では、導波
管内において放電容器側とマイクロ波発生源側とを気密
に遮断する誘電体製の窓材を持つ封止機構の位置を基準
にし、この封止機構と放電容器との間に誘電体製の窓材
を持つ防護用仕切り機構を設けている。このため、例え
ば過負荷運転の実行で放電容器に接続されている導波管
内で放電が生じた場合、防護用仕切り機構の窓材は上記
放電に伴うプラズマの熱や粒子に晒されるが、肝心の封
止機構における窓材はプラズマの熱や粒子に晒されるこ
とはない。したがって、例えば防護用仕切り機構の窓材
がプラズマの熱や粒子によって破壊される程度までプラ
ズマ密度を上げても、真空状態は封止機構の窓材によっ
て維持され、装置としての健全性は何ら損なわれること
はなく、結局、過負荷耐量を大幅に向上させることがで
きる。なお、導波管内を管軸方向に気密に仕切るように
防護用仕切り機構を設けた場合、この防護用仕切り機構
を構成している窓材が破壊すると、放電容器内の圧力や
マイクロ波の入射・反射の状態が変動するので、これら
の変動から窓材が破壊したことを容易に検知できる。し
たがって、防護用仕切り機構における窓材の破壊が検知
された時点で運転を停止したり、運転条件を変更したり
して装置の安全を保持することができる。窓材の破壊の
多くは微小なクラックの発生であり、この程度の破壊で
はマイクロ波の伝送に支障をきたすことはない。したが
って、動作条件の変更によって運転を続行することが可
能で、適当な時期を選んで防護用仕切り機構の破壊され
ている窓材を交換すればよい。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら発明の
実施形態を説明する。
【0016】図1には本発明の第1の実施形態に係るプ
ラズマ発生装置の要部斜視図が示されている。なお、こ
の図では図6と同一機能部分が同一符号で示されてい
る。したがって、重複部分の詳しい説明は省略する。
【0017】この例に係るプラズマ発生装置が従来の装
置と異なる点は、導波管の途中で封止機構3と放電容器
7との間に防護用仕切り機構21を介在させたことにあ
る。
【0018】防護用仕切り機構21は、図2に示すよう
に、導波管4の端部に形成されたフランジ14と繋ぎ用
の導波管22の一方の端部に形成されたフランジ23と
の間にゴムリング24,25を介してアルミナセラミッ
クス等で形成された、いわゆる誘電体製の窓材26を介
在させ、この状態でボルト27を使って締め付けて気密
に仕切ったものとなっている。なお、図では省略されて
いるが、窓材26を冷却するための冷却機構が設けられ
ている。また、封止機構3は、導波管22の他方の端部
に形成されたフランジ28とフランジ13との間に設け
られている。
【0019】そして、この例においては、防護用仕切り
機構21と封止機構3との間に形成された空間29が放
電容器7内の圧力に較べて十分に低い、高真空に保持さ
れている。
【0020】このような構成であると、過負荷運転の実
行等で、導波管4の内部で放電が起こると、防護用仕切
り機構21の窓材26は放電に伴うプラズマの熱や粒子
に晒される。しかし、気密封止の主役である封止機構3
における窓材16はプラズマの熱や粒子に晒されること
はない。したがって、例えば防護用仕切り機構21の窓
材26がプラズマの熱や粒子によって破壊される程度ま
でプラズマ密度を上げても、封止機構3の窓材16によ
って放電容器側の真空状態が維持され、装置としての健
全性が保持されるので、結局、過負荷耐量を大幅に向上
させることができる。
【0021】また、この例では防護用仕切り機構21と
封止機構3との間に形成された空間29が放電容器7内
の圧力に較べて十分に低い、高真空に保持されているの
で、この空間29において放電が起こるようなことはな
い。すなわち、ガスを閉じ込める容器の大きさを固定す
ると、ガスが放電するためには放電に適した圧力領域が
存在する。放電はエネルギを持った電子やイオンがガス
と衝突してガスを電離し、電離して生じた電子等がマイ
クロ波によって生成される高周波電場で加速され、更に
ガスを電離する。この過程を繰り返すことによって荷電
粒子が増大する。圧力が極端に低くガス粒子が少ないと
きには、荷電粒子はガスと衝突する前に容器壁に衝突す
る。一方、圧力が高過ぎると電子が十分に加速される前
にガスと衝突するため、電離に必要な高エネルギを得る
ことができない。したがって、圧力には電離し易い領域
がある。放電させるためには、この放電に適した圧力値
が選ばれる。放電容器7内では、さらに磁場を印加する
ことによって、より放電し易い環境を作ることができ
る。マイクロ波放電で用いる典型的な圧力領域は1〜
0.01Pa程度である。空間29の圧力を上記値より
低い0.001Pa以下に保持しておくと、空間29内
で放電が発生することはない。
【0022】なお、空間29の圧力を放電容器7内の圧
力とは異ならせておくと、防護用仕切り機構21を構成
している窓材26が破壊したとき、放電容器7内の圧力
やマイクロ波の入射・反射の状態が変動するので、これ
らの変動から窓材26が破壊したことを容易に検知でき
る。したがって、防護用仕切り機構21における窓材2
6の破壊が検知された時点で運転を停止したり、運転条
件を変更したりして装置の安全を保持することができ
る。窓材26の破壊の多くは微小なクラックの発生であ
り、この程度の破壊ではマイクロ波の伝送に支障をきた
すことはない。したがって、動作条件の変更によって運
転を続行することが可能で、適当な時期を選んで防護用
仕切り機構21の破壊されている窓材26を交換すれば
よいことになる。
【0023】上記例では、空間29の圧力を放電容器7
内の圧力より十分低くしているが、逆に放電容器7内の
圧力より十分高く、例えば大気圧程度に高くしてもよ
い。このように空間29の圧力を十分高くすると、前述
のように電子などが十分なエネルギを得る前にガスに衝
突してしまうために放電することはない。空間29内の
ガスを空気とし、圧力を大気圧とすると、封止機構3の
組み立てに当たって真空ポンプやガス導入系などの特別
な設備を必要としないので、作業の容易化を図ることが
できる。空間29の圧力を大気圧に比べ陽圧あるいは負
圧にしても、放電容器7内に比べ十分高い圧力であれば
略同じ効果を得ることができる。勿論、ガスの種類も空
気に限られるものではない。
【0024】図3には本発明の第2の実施形態に係るプ
ラズマ発生装置における要部が示されている。この図で
は図2と同一機能部分が同一符号で示されている。した
がって、重複する部分の詳しい説明は省略する。
【0025】この例が先の例と異なる点は、空間29
を、導管31,バルブ32を介して図示しない圧力可変
機構に接続し、圧力およびガスの種類を自由に可変でき
るようにしたことにある。
【0026】このように構成しても、先の例と同様の効
果を発揮させることができる。
【0027】上述した各例では、空間29の圧力を放電
容器7内の圧力より十分に高くしたり、あるいは逆に十
分に低くしたりすることによって空間29での放電発生
を防止しているが、空間29の形状、寸法を放電の起き
ない条件に設定してもよい。
【0028】図4にはこのような条件に設定したプラズ
マ発生装置、すなわち本発明の第3の実施形態に係るプ
ラズマ発生装置における要部が示されている。この図に
おいては図3と同一機能部分が同一符号で示されてい
る。したがって、重複する部分の詳しい説明は省略す
る。
【0029】この例においては、マイクロ波の進行方向
を基準にして、封止機構3における窓材16の後流側側
面に近接させて防護用仕切り機構21aを構成している
誘電体製の窓材26を配置し、窓材26と窓材16との
間に形成されている空間29aの圧力を放電容器内の圧
力と同じにしている。
【0030】具体的には、放電容器内で使用するガスが
圧力0.1Paの水素の場合で、窓材26と窓材16と
の間にスペーサ33を介在させて間隔を1mm程度と
し、空間29aで放電が起きないようにしている。
【0031】このように構成してもよい。なお、窓材2
6を気密封止形態に設け、空間29aのガスの種類や圧
カ条件を適宜設定してもよい。
【0032】また、生成されるプラズマ密度が低い等で
窓材への負担が少ない場合には、図5に示すように、防
護用仕切り機構21を、プラズマを直視する場所に設置
してもよい。
【0033】なお、本発明は上述した例に限られるもの
ではない。上述した例では矩形導波管を用いているが、
円形導波管を用いてもよい。また、上述した例では防護
用仕切り機構を1段だけ設けているが、複数段設けても
よい。この場合、導波管の管軸方向に隣り合う防護用仕
切り機構間に存在する空間の圧力を、放電条件を満たさ
ない値に可変可能とする圧力可変機構を付加してもよ
い。また、窓材としては、アルミナセラミックスに限ら
ず、窒化ボロン、サファイア等も使用できる。また、用
途としては、イオン源のほかに、マイクロ波プラズマを
用いる半導体製造設備や化学処理装置などのプラズマ発
生装置にで用いることができる。
【0034】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、過負荷
耐力を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るプラズマ発生装
置の要部斜視図
【図2】同装置に組み込まれた封止機構と防護用仕切り
機構とを示す断面図
【図3】本発明の第2の実施形態に係るプラズマ発生装
置における要部断面図
【図4】本発明の第3の実施形態に係るプラズマ発生装
置における要部断面図
【図5】本発明の第4の実施形態に係るプラズマ発生装
置における要部断面図
【図6】従来のプラズマ発生装置における要部斜視図
【図7】同装置に組み込まれた封止機構の断面図
【符号の説明】
1…マイクロ波源 2,4,5,22…導波管 3…封止機構 6…フランジ 7…放電容器 8,9…磁石 10…絶縁材 11,12…イオン引き出し電極 13,14,14a,23,28…フランジ 15…ゴムリング 16…誘電体製の窓材 17,27…ボルト 21,21a…防護用仕切り機構 24,25…ゴムリング 26…誘電体製の窓材 29,29a…空間 31…導管 32…バルブ 33…スペーサ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】放電容器と、この放電容器内にプラズマ生
    成用のガスを導入するガス導入手段と、マイクロ波発生
    源から送出されたマイクロ波電力を前記放電容器内に注
    入する導波管と、この導波管の途中に介挿されて前記放
    電容器を封止する誘電体製の窓材を持つ封止機構と、前
    記導波管の途中で前記封止機構と前記放電容器との間を
    誘電体製の窓材で仕切る少なくとも1つの防護用仕切り
    機構とを具備してなることを特徴とするプラズマ発生装
    置。
  2. 【請求項2】前記防護用仕切り機構は、前記導波管内を
    管軸方向に気密に仕切っていることを特徴とする請求項
    1に記載のプラズマ発生装置。
  3. 【請求項3】前記導波管の管軸方向に隣り合う前記防護
    用仕切り機構間または上記防護用仕切り機構と前記封止
    機構との間に存在する空間の圧力を可変可能とする圧力
    可変機構が付加されていることを特徴とする請求項2に
    記載のプラズマ発生装置。
  4. 【請求項4】前記圧力可変機構は、前記空間の圧力を前
    記放電容器内の圧力より高いレベルまたは低いレベルに
    保持していることを特徴とする請求項3に記載のプラズ
    マ発生装置。
  5. 【請求項5】前記防護用仕切り機構は、前記誘電体製の
    窓材を前記封止機構における前記誘電体製の窓材に近接
    配置していることを特徴とする請求項1に記載のプラズ
    マ発生装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007018771A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Hideo Sugai プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2008021465A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

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