JP4877157B2 - ANTENNA WITH THIN FILM COIL, ANTENNA SYSTEM, AND ANTENNA MANUFACTURING METHOD - Google Patents
ANTENNA WITH THIN FILM COIL, ANTENNA SYSTEM, AND ANTENNA MANUFACTURING METHOD Download PDFInfo
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Description
本発明は、薄膜コイルを備えたアンテナ、このアンテナを用いたアンテナシステム及びアンテナの製造方法に関する。 The present invention relates to an antenna provided with a thin film coil, an antenna system using the antenna, and a method for manufacturing the antenna.
携帯電話機やこれより小型の電子機器内に搭載されるアンテナとして、薄膜コイルを用いた積層型平板アンテナコイルが知られている(例えば特許文献1)。 As an antenna mounted in a cellular phone or a smaller electronic device, a laminated flat antenna coil using a thin film coil is known (for example, Patent Document 1).
この特許文献1に開示されているアンテナは、積層方向に連続して周回する巻線形の平板状の積層コイルと、その内側部分に磁性体層を積層することによって形成されたコイル巻芯部を構成する磁性体層とから成っている。
The antenna disclosed in
特許文献1に開示されているアンテナによると、ある程度の小型化は可能であるが、コイル部分を通過する磁束量を大きくすることができないため、小型化するにつれて誘導起電力も大幅に低減してしまい、アンテナとしての機能を充分に発揮できない不都合が生じる。
According to the antenna disclosed in
従って本発明の目的は、小型化しつつも充分高い誘導起電力を得ることができる薄膜コイルを備えたアンテナ、アンテナシステム及びアンテナの製造方法を提供することにある。 Accordingly, it is an object of the present invention to provide an antenna, an antenna system, and an antenna manufacturing method including a thin film coil capable of obtaining a sufficiently high induced electromotive force while being reduced in size.
本発明によれば、磁性体材料によって形成された第1の磁性層と、磁性体材料によって形成された第2の磁性層と、第1の磁性層及び第2の磁性層間に挿設された導電体材料による薄膜コイルと、薄膜コイルの中心部を貫通して第1の磁性層及び第2の磁性層を磁気的に接続する磁性体材料によって形成された貫通磁性体とを備えた、薄膜コイルを備えたアンテナが提供される。 According to the present invention, the first magnetic layer formed of the magnetic material, the second magnetic layer formed of the magnetic material, and the first magnetic layer and the second magnetic layer are inserted. A thin film comprising: a thin film coil made of a conductive material; and a penetrating magnetic body formed of a magnetic material that penetrates the central portion of the thin film coil and magnetically connects the first magnetic layer and the second magnetic layer. An antenna with a coil is provided.
薄膜コイルの上下に第2及び第1の磁性層が配置されているため、薄膜コイル内を通過する磁束量を高めることができる。しかも、薄膜コイルの中心部を貫通する貫通磁性体がこれら第1及び第2の磁性層を磁気的に接続しているので、第1及び第2の磁性層に入力された磁束がこの貫通磁性体に集められるため、薄膜コイル内を通過する磁束量がさらに大幅に増大する。このため、サイズを増大することなく小型を保ったままで、高い誘導起電力を得ることができる。 Since the second and first magnetic layers are disposed above and below the thin film coil, the amount of magnetic flux passing through the thin film coil can be increased. In addition, since the penetrating magnetic material penetrating through the central portion of the thin film coil magnetically connects the first and second magnetic layers, the magnetic flux input to the first and second magnetic layers is passed through the penetrating magnetic material. Since it is collected by the body, the amount of magnetic flux passing through the thin film coil is further greatly increased. For this reason, a high induced electromotive force can be obtained while maintaining a small size without increasing the size.
第1の磁性層が、非磁性体材料によって形成された基板上に積層された軟磁性材料による磁性層であるか、又は磁性体材料によって形成された基板であることが好ましい。 It is preferable that the first magnetic layer is a magnetic layer made of a soft magnetic material laminated on a substrate made of a nonmagnetic material, or a substrate made of a magnetic material.
貫通磁性体を形成する磁性体材料の透磁率が、第1の磁性層及び第2の磁性層を形成する磁性体材料の透磁率より高いことが好ましい。 The magnetic permeability of the magnetic material forming the penetrating magnetic body is preferably higher than the magnetic permeability of the magnetic material forming the first magnetic layer and the second magnetic layer.
第1の磁性層の全面上又は一部上に形成された絶縁体材料による絶縁層をさらに備えており、この絶縁層上に薄膜コイルが形成されていることも好ましい。この場合、薄膜コイルが、絶縁層上に貫通磁性体を取り囲むようにスパイラル状に形成された少なくとも1層の導電体材料によるコイルであることがより好ましい。 It is also preferable that an insulating layer made of an insulating material formed on the entire surface or part of the first magnetic layer is further provided, and a thin film coil is formed on the insulating layer. In this case, it is more preferable that the thin film coil is a coil made of at least one layer of conductive material formed in a spiral shape so as to surround the penetrating magnetic body on the insulating layer.
薄膜コイル上及び薄膜コイル間に形成された絶縁体材料によるコイル絶縁層と、第2の磁性層上に積層された絶縁体材料による保護層をさらに備えたことも好ましい。 It is also preferable to further include a coil insulating layer made of an insulating material formed on the thin film coil and between the thin film coils, and a protective layer made of an insulating material laminated on the second magnetic layer.
薄膜コイルの両端に電気的に接続された導電体材料による1対の接続パッドと、1対の接続パッドにそれぞれ電気的に接続されておりアンテナの側面にそれぞれ設けられた導電体材料による1対の側面電極とをさらに備えたことも好ましい。 A pair of connection pads made of a conductive material electrically connected to both ends of the thin-film coil, and a pair of conductive materials electrically connected to the pair of connection pads and provided on the side surfaces of the antenna. It is also preferable to further include the side electrode.
貫通磁性体が、薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホールの内壁面上のみに形成されているか、又は薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホールの内部に空間無しに充填されていることも好ましい。 It is also preferable that the penetrating magnetic body is formed only on the inner wall surface of the through hole penetrating the center portion of the thin film coil, or the through hole penetrating the center portion of the thin film coil is filled without a space. .
本発明によれば、さらに、上述したアンテナと、このアンテナの少なくとも1つの面に磁気的に接合された磁性体材料による磁性シート又は2つの面に磁気的に接合された磁性体材料による2つの磁性シートとを備えたアンテナシステムが提供される。 According to the present invention, the antenna and the magnetic sheet magnetically bonded to at least one surface of the antenna, or the magnetic material magnetically bonded to the two surfaces, An antenna system including a magnetic sheet is provided.
本発明によれば、さらにまた、磁性体材料によって形成された第1の磁性層の全面上又は一部上に絶縁層を絶縁体材料によって形成する工程と、この絶縁層上に所定パターンの薄膜コイルを導電体材料によって形成する工程と、薄膜コイルの中心部を貫通する貫通磁性体を磁性体材料によって形成する工程と、貫通磁性体によって第1の磁性層と磁気的に接続された第2の磁性層を磁性体材料によって形成する工程とを備えたアンテナの製造方法が提供される。 According to the present invention, furthermore, the step of forming the insulating layer with the insulating material on the entire surface or part of the first magnetic layer formed with the magnetic material, and the thin film with a predetermined pattern on the insulating layer A step of forming the coil with a conductive material, a step of forming a penetrating magnetic body that penetrates the center of the thin film coil with a magnetic material, and a second magnetically connected to the first magnetic layer by the penetrating magnetic body. And a step of forming the magnetic layer with a magnetic material.
非導電体材料によって形成された基板上に第1の磁性層を積層する工程か、又は第1の磁性層として磁性体材料によって形成された基板を用意する工程をさらに備えたことが好ましい。 Preferably, the method further includes a step of laminating a first magnetic layer on a substrate formed of a non-conductive material, or a step of preparing a substrate formed of a magnetic material as the first magnetic layer.
薄膜コイルを形成する工程が、絶縁層上にスパイラル状に形成された少なくとも1層のコイルを導電体材料によって形成する工程であることも好ましい。 It is also preferred that the step of forming the thin film coil is a step of forming at least one coil formed in a spiral shape on the insulating layer with a conductive material.
薄膜コイルを形成する工程が、絶縁層上に第1層のコイルを導電体材料によって形成し、第1層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成し、形成したコイル絶縁層上に第2層のコイルを導電体材料によって形成し、第2層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成することを含んでいることも好ましい。 The step of forming the thin film coil includes forming a first layer coil on the insulating layer with a conductive material, forming a coil insulating layer between the first layer coils and on the coil with an insulating material, and forming the coil insulation. It is also preferable to include forming a second layer coil on the layers with a conductive material and forming a coil insulating layer between and on the second layer coils with an insulating material.
薄膜コイルを形成する工程が、絶縁層上に第1層のコイルを導電体材料によって形成し、第1層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成し、形成したコイル絶縁層の表面を平坦化し、その上に第2層のコイルを導電体材料によって形成し、第2層のコイル間及びコイル上にコイル絶縁層を絶縁体材料によって形成することを含んでいることも好ましい。 The step of forming the thin film coil includes forming a first layer coil on the insulating layer with a conductive material, forming a coil insulating layer between the first layer coils and on the coil with an insulating material, and forming the coil insulation. And planarizing the surface of the layer, forming a coil of the second layer on the conductor material thereon, and forming a coil insulating layer between and on the coils of the second layer of the insulator material. preferable.
薄膜コイルの両端に電気的に接続される1対の接続パッドを導電体材料によって形成する工程と、1対の接続パッドにそれぞれ電気的に接続されておりアンテナの側面に1対の側面電極を導電体材料によって形成する工程とをさらに備えたことも好ましい。 A step of forming a pair of connection pads electrically connected to both ends of the thin film coil by using a conductive material, and a pair of side electrodes that are electrically connected to the pair of connection pads, respectively, on the side surface of the antenna It is also preferable to further include a step of forming the conductive material.
第2の磁性層上に保護層を絶縁体材料によって形成する工程をさらに備えたことも好ましい。 It is also preferable to further include a step of forming a protective layer with an insulator material on the second magnetic layer.
貫通磁性体を形成する工程が、第2の磁性層を形成する工程において、薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホール内においてその内壁面上のみに磁性体を形成する工程であることも好ましい。 It is also preferable that the step of forming the penetrating magnetic body is a step of forming the magnetic body only on the inner wall surface in the through hole penetrating the central portion of the thin film coil in the step of forming the second magnetic layer.
貫通磁性体を形成する工程が、第2の磁性層を形成する工程において、薄膜コイルの中心部を貫通するスルーホール内においてその内壁面に磁性体を形成する工程と、スルーホールの内部に空間無しに磁性体を充填する工程であることも好ましい。 The step of forming the penetrating magnetic body is the step of forming the second magnetic layer, the step of forming the magnetic body on the inner wall surface in the through hole penetrating the central portion of the thin film coil, and the space inside the through hole. It is also preferable that the step is a step of filling the magnetic material without any.
本発明によれば、サイズを増大することなく小型を保ったままで、高い誘導起電力を得ることができる。 According to the present invention, a high induced electromotive force can be obtained while maintaining a small size without increasing the size.
図1は本発明の小型アンテナの基本的構成の一例を概略的に示す斜視図であり、図2は図1のA−A線断面図である。 FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of a basic configuration of a small antenna of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
これらの図からも分かるように、本発明の小型アンテナは、この例では基板上に薄膜を積層した直方体形状に形成されており、その積層面は一辺が10mm以下の矩形形状となっている。 As can be seen from these drawings, the small antenna of the present invention is formed in a rectangular parallelepiped shape in which thin films are laminated on a substrate in this example, and the laminated surface has a rectangular shape with a side of 10 mm or less.
両図において、10は例えばアルミナ(Al2O3)又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板、11は非磁性体基板10上に積層された例えばニッケル鉄(NiFe)等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第1の磁性層に対応する)、12は磁性層11と平行に積層された例えばNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層に対応する)、13は磁性層11及び12間にスパイラル状に2層に設けられた例えば銅(Cu)等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、14は薄膜コイル13の上下及び間に形成された例えばAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、15は薄膜コイル13の中心部を貫通して磁性層11及び12に磁気的に結合している磁性体材料、望ましくは例えば高透磁率のNiFe等の磁性体材料、による貫通磁性体をそれぞれ示している。
In both figures, 10 is a nonmagnetic substrate having a thickness of about 0.2 to 2 mm formed of a nonmagnetic material such as alumina (Al 2 O 3 ) or silicon, and 11 is laminated on the
このように、本発明の小型アンテナは、薄膜コイル13の上下に磁性層12及び11が配置されているため、薄膜コイル13内を通過する磁束量を高めることができる。しかも、薄膜コイル13の中心部を貫通する貫通磁性体15がこれら磁性層11及び12を磁気的に接続しているので、磁性層11及び12に入った磁束がこの貫通磁性体15に集められるため、薄膜コイル13内を通過する磁束量がさらに増大する。このため、サイズを増大することなく小型を保ったままで、高い誘導起電力を得ることができる。
Thus, since the
貫通磁性体15に磁性層11及び12の磁性体材料より高透磁率の磁性体材料を用いることにより、磁束を磁性層11及び12から貫通磁性体15に導き易くなり、薄膜コイル13を通過する磁束をより増大させることが可能となる。
By using a magnetic material having a higher permeability than the magnetic material of the
図3は図1の小型アンテナを磁性シートに取付けたアンテナシステムの一例を示す斜視図である。 FIG. 3 is a perspective view showing an example of an antenna system in which the small antenna of FIG. 1 is attached to a magnetic sheet.
同図に示すように、このアンテナシステムは、小型アンテナ30と、この小型アンテナ30の磁性層12側の面が磁気的に接合された磁性シート31とから構成されている。磁性シート31は、磁性材料と樹脂とから成る柔軟性に富んだ軟磁性材料シートであり、ノイズ抑制シート、RFID(Radio Frequency IDentification)用磁性シート、フレキシート等として市販されている厚さが0.4〜2mm程度の可撓性磁性体シートである。
As shown in the figure, this antenna system includes a
小型アンテナ30の一面をこのような大面積の磁性シート31に磁気的に接合することにより、誘導起電力が大きくなりアンテナの感度を大幅に高めることができる。
By magnetically joining one surface of the
小型アンテナ30の透磁率が磁性シート31の透磁率より大きくなるように構成することにより、さらに、小型アンテナ30の内部においても、前述のように貫通磁性体15の透磁率が磁性層11及び12の透磁率より大きくなるように構成することによって、磁束をコイル中心により効果的に導くことが可能となる。磁性シート31自体においても透磁率を変化させる、即ち、小型アンテナ30の接合部の透磁率が高くなるように構成することも有効である。
By configuring so that the magnetic permeability of the
磁性シート31として透明なシートを用いることも小型アンテナの用途によっては望ましい場合がある。
It may be desirable to use a transparent sheet as the
また、磁性シートに代えて、磁性材料を蒸着するか塗布した面に小型アンテナ30を磁気的に接合することも有効である。
It is also effective to magnetically bond the
図4は、本発明の小型アンテナの第1の実施形態の構成を示す断面図である。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the first embodiment of the small antenna of the present invention.
同図において、40はAl2O3又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板、41は非磁性体基板40上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第1の磁性層に対応する)、42は磁性層41上に積層された厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、43は絶縁層42上にスパイラル状に2層に設けられたCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、44は薄膜コイル43の上及び間に形成された例えばAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、45はコイル絶縁層44上及び薄膜コイル43の中心部においては絶縁層42上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、46は磁性層45上に積層されたAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、47は薄膜コイル43の両端に電気的に接続された金(Au)等の導電体材料による1対の接続パッドをそれぞれ示している。
In the figure,
本実施形態では、磁性層45が、コイル絶縁層44上のみならず、薄膜コイル43の中心部を貫通するスルーホール48の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層45自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層45と磁性層41とが磁気的に接続される。実際には、磁性層45の底面と磁性層41との間に絶縁層42が存在しているが、絶縁層42の膜厚が薄いため、磁気的には磁性層41と磁性層45とが結合することとなる。
In the present embodiment, the
図5A及び5Bはこの第1の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。 5A and 5B are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the small antenna according to the first embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the small antenna in this embodiment is demonstrated using these figures.
まず、図5A(a)に示すように、Al2O3又はシリコンによって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板40上に、NiFe膜をスパッタリングで形成し、その上にNiFeをめっきして厚さ0.1〜10μm程度の磁性層41を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層41を積層しても良い。
First, as shown in FIG. 5A (a), a NiFe film is formed by sputtering on a
次いで、図5A(b)に示すように、その上に厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層42を積層する。例えば、Al2O3はスパッタリングにより、ポリイミド樹脂はスピンコートにより塗布しベークすることで形成する。
Next, as shown in FIG. 5A (b), an insulating
次いで、図5A(c)に示すように、その上にクロム(Cr)膜/Cu膜の2層構造(Cr膜の上にCu膜を積層した構造)の電極膜49をスパッタリングで積層する。
Next, as shown in FIG. 5A (c), an
次いで、図5A(d)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン50を形成し、Cu等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル43を形成した後、フォトレジストパターン50を剥離する。この状態が図5A(e)に示されている。
Next, as shown in FIG. 5A (d), a
次いで、図5A(f)に示すように、薄膜コイル43の上及び間にAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層44を形成する。Al2O3の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 5A (f), a
以上の図5A(c)〜(f)の製造工程を繰返すことによって、図5A(g)に示すように、2層のスパイラル状の薄膜コイル43を形成する。
By repeating the manufacturing steps shown in FIGS. 5A (c) to 5 (f), a two-layer spiral
次いで、図5A(h)に示すように、コイル絶縁層44上にNiFe膜45aをスパッタリングで形成し、図5A(i)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン51を形成し、NiFe等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ0.1〜10μm程度の磁性層45を形成した後、フォトレジストパターン51を剥離する。この状態が図5A(j)に示されている。なお、磁性層45を、めっきを行うことなく、NiFeのスパッタリングのみで形成しても良い。
Next, as shown in FIG. 5A (h), a
次いで、図5B(a)に示すように、その上にAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層46を積層する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 5B (a), a
次いで、図5B(b)に示すように、薄膜コイル43の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Au等の導電体材料による1対の接続パッド47を形成する。これは、Auをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Auをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
Next, as shown in FIG. 5B (b), a pair of
図6は、本発明の小型アンテナの第2の実施形態の構成を示す断面図である。なお、本実施形態において、図4の第1の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を用いている。 FIG. 6 is a sectional view showing the configuration of the second embodiment of the small antenna of the present invention. In the present embodiment, the same reference numerals are used for the same components as those in the first embodiment of FIG.
図6において、40はAl2O3又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板、41は非磁性体基板40上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第1の磁性層に対応する)、42は磁性層41上に積層された厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、43は絶縁層42上にスパイラル状に2層に設けられたCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、44は薄膜コイル43の上及び間に形成された例えばAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、45はコイル絶縁層44上及び薄膜コイル43の中心部においては絶縁層42上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層に対応する)、52は磁性層45の中心部を貫通するスルーホール48の内壁面上及び底面上に形成されている磁性層45の内側に空間無しに充填されている複合フェライト等による充填磁性体(磁性層45と共に本発明の貫通磁性体に対応する)、46は磁性層45上に積層されたAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、47は薄膜コイル43の両端に電気的に接続されたAu等の導電体材料による1対の接続パッドをそれぞれ示している。
In FIG. 6,
本実施形態では、磁性層45が、コイル絶縁層44上のみならず、薄膜コイル43の中心部を貫通するスルーホール48の内壁面上及び底面上にも形成されており、さらにそのスルーホール48内の磁性層45の内側に充填磁性体52が空間無しに充填されている。これにより、この磁性層45及び充填磁性体52が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層45と磁性層41とが磁気的に接続される。実際には、磁性層45の底面と磁性層41との間に絶縁層42が存在しているが、絶縁層42の膜厚が薄いため、磁気的には磁性層41と磁性層45とが結合することとなる。
In the present embodiment, the
図7A及び7Bはこの第2の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。 7A and 7B are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the small antenna according to the second embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the small antenna in this embodiment is demonstrated using these figures.
まず、図7A(a)に示すように、Al2O3又はシリコンによって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板40上に、NiFe膜をスパッタリングで形成し、その上にNiFeをめっきして厚さ0.1〜10μm程度の磁性層41を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層41を積層しても良い。
First, as shown in FIG. 7A (a), a NiFe film is formed by sputtering on a
次いで、図7A(b)に示すように、その上に厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層42を積層する。例えば、Al2O3はスパッタリングにより、ポリイミド樹脂はスピンコートにより塗布しベークすることで形成する。
Next, as shown in FIG. 7A (b), an insulating
次いで、図7A(c)に示すように、その上にCr膜/Cu膜の2層構造(Cr膜の上にCu膜を積層した構造)の電極膜49をスパッタリングで積層する。
Next, as shown in FIG. 7A (c), an
次いで、図7A(d)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン50を形成し、Cu等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル43を形成した後、フォトレジストパターン50を剥離する。この状態が図7A(e)に示されている。
Next, as shown in FIG. 7A (d), a
次いで、図7A(f)に示すように、薄膜コイル43の上及び間にAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層44を形成する。Al2O3の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 7A (f), a
以上の図7A(c)〜(f)の製造工程を繰返すことによって、図7A(g)に示すように、2層のスパイラル状の薄膜コイル43を形成する。
By repeating the manufacturing steps of FIGS. 7A (c) to 7 (f), a two-layer spiral
次いで、図7A(h)に示すように、コイル絶縁層44上にNiFe膜45aをスパッタリングで形成し、図7A(i)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン51を形成し、NiFe等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ0.1〜10μm程度の磁性層45を形成した後、フォトレジストパターン51を剥離する。この状態が図7A(j)に示されている。なお、磁性層45を、めっきを行うことなく、NiFeのスパッタリングのみで形成しても良い。
Next, as shown in FIG. 7A (h), a
次いで、図7B(a)に示すように、スルーホール48内の磁性層45の内側に3〜60μm程度の径を有するフェライト粒からなる複合フェライトをスクリーン印刷することによって、充填磁性体52を空間無しに充填する。
Next, as shown in FIG. 7B (a), the composite
次いで、図7B(b)に示すように、その上にAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層46を積層する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 7B (b), a
次いで、図7B(c)に示すように、薄膜コイル43の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Au等の導電体材料による1対の接続パッド47を形成する。これは、Auをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Auをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
Next, as shown in FIG. 7B (c), a pair of
図8は本発明の小型アンテナの基本的構成の他の例を概略的に示す断面図であり、図1のA−A線断面に対応する図である。 FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing another example of the basic configuration of the small antenna of the present invention, and corresponds to a cross section taken along line AA of FIG.
本発明の小型アンテナは、この例においても、基板上に薄膜を積層した直方体形状に形成されており、その積層面は一辺が10mm以下の矩形形状となっている。 Also in this example, the small antenna of the present invention is formed in a rectangular parallelepiped shape in which thin films are laminated on a substrate, and the laminated surface has a rectangular shape with a side of 10 mm or less.
図8において、80は例えばフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の磁性体基板(本発明の第1の磁性層に対応する)、82は磁性体基板80と平行に積層された例えばNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層に対応する)、83は磁性体基板80及び磁性層82間にスパイラル状に2層に設けられた例えばCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、84は薄膜コイル83の上下及び間に形成された例えばAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、85は薄膜コイル83の中心部を貫通して磁性体基板80及び磁性層82に磁気的に結合している磁性体材料、望ましくは例えば高透磁率のNiFe等の磁性体材料、による貫通磁性体をそれぞれ示している。
In FIG. 8, 80 is a magnetic substrate (corresponding to the first magnetic layer of the present invention) having a thickness of about 0.2 to 2 mm made of a magnetic material such as ferrite, and 82 is a
このように、本発明の小型アンテナは、薄膜コイル83の上下に磁性体基板80及び磁性層82が配置されているため、薄膜コイル83内を通過する磁束量を高めることができる。しかも、薄膜コイル83の中心部を貫通する貫通磁性体85がこれら磁性体基板80及び磁性層82を磁気的に接続しているので、磁性体基板80及び磁性層82に入力された磁束がこの貫通磁性体85に集められるため、薄膜コイル83内を通過する磁束量がさらに大幅に増大する。このため、サイズを増大することなく小型を保ったままで、高い誘導起電力を得ることができる。
As described above, since the
貫通磁性体85に磁性体基板80及び磁性層82の磁性体材料より高透磁率の磁性体材料を用いることにより、磁束を磁性体基板80及び磁性層82から貫通磁性体85に導き易くなり、薄膜コイル83を通過する磁束をより増大させることが可能となる。
By using a magnetic material having a higher magnetic permeability than the magnetic material of the
図8の小型アンテナについても、図3に示したように、磁性シートに取付けてアンテナシステムとしても良い。また、図8の小型アンテナの両方の面を2枚の磁性シートにそれぞれ取付けて磁気的に結合させても良い。 The small antenna of FIG. 8 may also be attached to a magnetic sheet as shown in FIG. 3 to form an antenna system. Further, both surfaces of the small antenna of FIG. 8 may be attached to two magnetic sheets and magnetically coupled.
小型アンテナの一面又は両面をこのような大面積の磁性シートに磁気的に接合することにより、誘導起電力が大きくなりアンテナの感度を大幅に高めることができる。 By magnetically joining one or both sides of the small antenna to such a large area magnetic sheet, the induced electromotive force is increased, and the sensitivity of the antenna can be greatly increased.
小型アンテナの透磁率が磁性シートの透磁率より大きくなるように構成することにより、さらに、小型アンテナの内部においても、前述のように貫通磁性体85の透磁率が磁性体基板80及び磁性層82の透磁率より大きくなるように構成することによって、磁束をコイル中心により効果的に導くことが可能となる。磁性シート自体においても透磁率を変化させる、即ち、小型アンテナの接合部の透磁率が高くなるように構成することも有効である。
By configuring the small antenna so that the magnetic permeability of the small antenna is larger than that of the magnetic sheet, the magnetic permeability of the penetrating
磁性シートとして透明なシートを用いることも小型アンテナの用途によっては望ましい場合がある。 It may be desirable to use a transparent sheet as the magnetic sheet depending on the use of the small antenna.
また、磁性シートに代えて、磁性材料を蒸着するか塗布した面に小型アンテナを磁気的に接合することも有効である。 It is also effective to magnetically bond a small antenna to a surface on which a magnetic material is deposited or applied instead of the magnetic sheet.
図9は、本発明の小型アンテナの第3の実施形態の構成を示す断面図である。 FIG. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of the third embodiment of the small antenna of the present invention.
同図において、90はフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の磁性体基板 (本発明の第1の磁性層に対応する)、92は磁性体基板90上に積層された厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、93は絶縁層92上にスパイラル状に2層に設けられたCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、94は薄膜コイル93の上及び間に形成された例えばAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、95はコイル絶縁層94上及び薄膜コイル93の中心部においては絶縁層92上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、96は磁性層95上に積層されたAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、97は薄膜コイル93の両端に電気的に接続されたAu等の導電体材料による1対の接続パッドをそれぞれ示している。
In the figure, 90 is a magnetic substrate having a thickness of about 0.2 to 2 mm formed of a magnetic material such as ferrite (corresponding to the first magnetic layer of the present invention), and 92 is on the
本実施形態では、磁性層95が、コイル絶縁層94上のみならず、薄膜コイル93の中心部を貫通するスルーホール98の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層95自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層95と磁性体基板90とが磁気的に接続される。実際には、磁性層95の底面と磁性体基板90との間に絶縁層92が存在しているが、絶縁層92の膜厚が薄いため、磁気的には磁性体基板90と磁性層95とが結合することとなる。
In the present embodiment, the
図10A及び10Bはこの第3の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。 10A and 10B are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the small antenna according to the third embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the small antenna in this embodiment is demonstrated using these figures.
まず、図10A(a)に示すように、フェライトによって形成された厚さ0.2〜2mm程度の磁性体基板90上に、厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層92を積層し、さらに、その上にCr膜/Cu膜の2層構造(Cr膜の上にCu膜を積層した構造)の電極膜99をスパッタリングで積層する。
First, as shown in FIG. 10A (a), Al 2 O 3 with a thickness of about 0.3 to 3 μm or a thickness of 1 is formed on a
次いで、図10A(b)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン100を形成し、Cu等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル93を形成した後、フォトレジストパターン100を剥離する。この状態が図10A(c)に示されている。
Next, as shown in FIG. 10A (b), a
次いで、図10A(d)に示すように、薄膜コイル93の上及び間にAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層94を形成する。Al2O3の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 10A (d), a
以上の図10A(a)〜(d)の製造工程を繰返すことによって、図10A(e)に示すように、2層のスパイラル状の薄膜コイル93を形成する。
By repeating the manufacturing steps shown in FIGS. 10A (a) to 10 (d), a two-layer spiral
次いで、図10A(f)に示すように、コイル絶縁層94上にNiFe膜95aをスパッタリングで形成し、図10A(g)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン101を形成し、NiFe等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ0.1〜10μm程度の磁性層95を形成した後、フォトレジストパターン101を剥離する。この状態が図10A(h)に示されている。なお、磁性層95を、めっきを行うことなく、NiFeのスパッタリングのみで形成しても良い。
Next, as shown in FIG. 10A (f), a
次いで、図10A(i)に示すように、その上にAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層96を積層する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 10A (i), a
次いで、図10B(a)に示すように、薄膜コイル93の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Au等の導電体材料による1対の接続パッド97を形成する。これは、Auをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Auをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
Next, as shown in FIG. 10B (a), a pair of
図11は、本発明の小型アンテナの第4の実施形態の構成を示す断面図である。なお、本実施形態において、図9の第3の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を用いている。 FIG. 11 is a sectional view showing the configuration of the fourth embodiment of the small antenna of the present invention. In the present embodiment, the same reference numerals are used for the same components as in the third embodiment of FIG.
図11において、90はフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の磁性体基板 (本発明の第1の磁性層に対応する)、92は磁性体基板90上に積層された厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、93は絶縁層92上にスパイラル状に2層に設けられたCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、94は薄膜コイル93の上及び間に形成された例えばAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、95はコイル絶縁層94上及び薄膜コイル93の中心部においては絶縁層92上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層に対応する)、102は磁性層95の中心部を貫通するスルーホール98の内壁面上及び底面上に形成されている磁性層95の内側に空間無しに充填されている複合フェライト等による充填磁性体(磁性層95と共に本発明の貫通磁性体に対応する)、96は磁性層95上に積層されたAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、97は薄膜コイル93の両端に電気的に接続されたAu等の導電体材料による1対の接続パッドをそれぞれ示している。
In FIG. 11, 90 is a magnetic substrate formed of a magnetic material such as ferrite and has a thickness of about 0.2 to 2 mm (corresponding to the first magnetic layer of the present invention), and 92 is on the
本実施形態では、磁性層95が、コイル絶縁層94上のみならず、薄膜コイル93の中心部を貫通するスルーホール98の内壁面上及び底面上にも形成されており、さらにそのスルーホール98内の磁性層95の内側に充填磁性体102が空間無しに充填されている。これにより、この磁性層95及び充填磁性体102が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層95と磁性体基板90とが磁気的に接続される。実際には、磁性層95の底面と磁性体基板90との間に絶縁層92が存在しているが、絶縁層92の膜厚が薄いため、磁気的には磁性体基板90と磁性層95とが結合することとなる。
In the present embodiment, the
図12A及び12Bはこの第4の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。 12A and 12B are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the small antenna according to the fourth embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the small antenna in this embodiment is demonstrated using these figures.
まず、図12A(a)に示すように、フェライトによって形成された厚さ0.2〜2mm程度の磁性体基板90上に、厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層92を積層し、さらに、その上にCr膜/Cu膜の2層構造(Cr膜の上にCu膜を積層した構造)の電極膜99をスパッタリングで積層する。
First, as shown in FIG. 12A (a), Al 2 O 3 having a thickness of about 0.3 to 3 μm or a thickness of 1 is formed on a
次いで、図12A(b)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン100を形成し、Cu等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル93を形成した後、フォトレジストパターン100を剥離する。この状態が図12A(c)に示されている。
Next, as shown in FIG. 12A (b), a
次いで、図12A(d)に示すように、薄膜コイル93の上及び間にAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層94を形成する。Al2O3の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 12A (d), a
以上の図12A(a)〜(d)の製造工程を繰返すことによって、図12A(e)に示すように、2層のスパイラル状の薄膜コイル93を形成する。
By repeating the manufacturing steps shown in FIGS. 12A (a) to 12 (d), a two-layer spiral
次いで、図12A(f)に示すように、コイル絶縁層94上にNiFe膜95aをスパッタリングで形成し、図12A(g)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン101を形成し、NiFe等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ0.1〜10μm程度の磁性層9を形成した後、フォトレジストパターン101を剥離する。この状態が図12A(h)に示されている。なお、磁性層95を、めっきを行うことなく、NiFeのスパッタリングのみで形成しても良い。
Next, as shown in FIG. 12A (f), a
次いで、図12B(a)に示すように、スルーホール98内の磁性層95の内側に3〜60μm程度の径を有するフェライト粒からなる複合フェライトをスクリーン印刷することによって、充填磁性体102を空間無しに充填する。
Next, as shown in FIG. 12B (a), the composite
次いで、図12B(b)に示すように、その上にAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層96を積層する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 12B (b), a
次いで、図12B(c)に示すように、薄膜コイル93の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Au等の導電体材料による1対の接続パッド97を形成する。これは、Auをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Auをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
Next, as shown in FIG. 12B (c), a pair of
図13は、本発明の小型アンテナの第5の実施形態の構成を示す断面図である。 FIG. 13: is sectional drawing which shows the structure of 5th Embodiment of the small antenna of this invention.
同図において、130はAl2O3又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板、131は非磁性体基板130上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第1の磁性層に対応する)、132は薄膜コイルが形成される領域のみの磁性層131上に積層されたAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、133は絶縁層132上にスパイラル状に2層に設けられたCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、134は薄膜コイル133の上及び間に形成された例えばAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、135はコイル絶縁層134上及び薄膜コイル133の中心部においては磁性層131上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、136は磁性層135上に積層されたAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、137は薄膜コイル133の両端に電気的に接続されたAu等の導電体材料による1対の接続パッドをそれぞれ示している。
In the figure,
本実施形態では、磁性層135が、コイル絶縁層134上のみならず、薄膜コイル133の中心部を貫通するスルーホール138の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層135自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層135と磁性層131とが磁気的に接続される。
In the present embodiment, the
図14A及び14Bはこの第5の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。 14A and 14B are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the small antenna according to the fifth embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the small antenna in this embodiment is demonstrated using these figures.
まず、図14A(a)に示すように、Al2O3又はシリコンによって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板130上に、NiFe膜をスパッタリングで形成し、その上にNiFeをめっきして厚さ0.1〜10μm程度の磁性層131を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層131を積層しても良い。
First, as shown in FIG. 14A (a), a NiFe film is formed by sputtering on a
次いで、図14A(b)に示すように、その上の薄膜コイルが形成される領域のみにAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層132を積層する。例えば、Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングするか、又はフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂の場合はスピンコートにより塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 14A (b), an insulating
次いで、図14A(c)に示すように、その上にCr膜/Cu膜の2層構造(Cr膜の上にCu膜を積層した構造)の電極膜139をスパッタリングで積層する。
Next, as shown in FIG. 14A (c), an
次いで、図14A(d)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン140を形成し、Cu等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル133を形成した後、フォトレジストパターン140を剥離する。この状態が図14A(e)に示されている。
Next, as shown in FIG. 14A (d), a thin film coil forming
次いで、図14A(f)に示すように、薄膜コイル133の上及び間にAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層134を形成する。Al2O3の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 14A (f), a
以上の図14A(c)〜(f)の製造工程を繰返すことによって、図14A(g)に示すように、2層のスパイラル状の薄膜コイル133を形成する。
14A (c) to 14 (f) are repeated to form a two-layer spiral
次いで、図14A(h)に示すように、コイル絶縁層134上にNiFe膜135aをスパッタリングで形成し、図14A(i)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン141を形成し、NiFe等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ0.1〜10μm程度の磁性層135を形成した後、フォトレジストパターン141を剥離する。この状態が図14A(j)に示されている。なお、磁性層135を、めっきを行うことなく、NiFeのスパッタリングのみで形成しても良い。
Next, as shown in FIG. 14A (h), a
次いで、図14B(a)に示すように、その上にAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層136を積層する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 14B (a), a
次いで、図14B(b)に示すように、薄膜コイル133の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Au等の導電体材料による1対の接続パッド137を形成する。これは、Auをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Auをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
Next, as shown in FIG. 14B (b), a pair of
図15は、本発明の小型アンテナの第6の実施形態の構成を示す断面図である。なお、本実施形態において、図13の第5の実施形態の場合と同様の構成要素については、同じ参照番号を用いている。 FIG. 15 is a cross-sectional view showing the configuration of the sixth embodiment of the small antenna of the present invention. In the present embodiment, the same reference numerals are used for the same components as in the fifth embodiment of FIG.
図15において、130はAl2O3又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板、131は非磁性体基板130上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第1の磁性層に対応する)、132は薄膜コイルが形成される領域のみの磁性層131上に積層されたAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、133は絶縁層132上にスパイラル状に2層に設けられたCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、134は薄膜コイル133の上及び間に形成された例えばAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、135はコイル絶縁層134上及び薄膜コイル133の中心部においては磁性層131上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、136は磁性層135上に積層されたAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、137は薄膜コイル133の両端に電気的に接続されたAu等の導電体材料による1対の接続パッド、143はこの小型アンテナの側面に設けられており、1対の接続パッド137にそれぞれ電気的に接続された導電体材料による1対の側面電極をそれぞれ示している。このように、側面電極を形成することによって、実装が容易になる。また、実装時の方向性をなくすことができる。例えば、実装する相手の基板が上側にあっても下側にあっても容易に設置することができる。
In FIG. 15,
本実施形態では、磁性層135が、コイル絶縁層134上のみならず、薄膜コイル133の中心部を貫通するスルーホール138の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層135自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層135と磁性層131とが磁気的に接続される。
In the present embodiment, the
図16A及び16Bはこの第6の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。 16A and 16B are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of a small antenna according to the sixth embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the small antenna in this embodiment is demonstrated using these figures.
まず、図16A(a)に示すように、Al2O3又はシリコンによって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板130上に、NiFe膜をスパッタリングで形成し、その上にNiFeをめっきして厚さ0.1〜10μm程度の磁性層131を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層131を積層しても良い。
First, as shown in FIG. 16A (a), a NiFe film is formed by sputtering on a
次いで、図16A(b)に示すように、その上の薄膜コイルが形成される領域のみにAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層132を積層する。例えば、Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングするか、又はフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂の場合はスピンコートにより塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 16A (b), an insulating
次いで、図16A(c)に示すように、その上にCr膜/Cu膜の2層構造(Cr膜の上にCu膜を積層した構造)の電極膜139をスパッタリングで積層する。
Next, as shown in FIG. 16A (c), an
次いで、図16A(d)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン140を形成し、Cu等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル133を形成した後、フォトレジストパターン140を剥離する。この状態が図16A(e)に示されている。
Next, as shown in FIG. 16A (d), a
次いで、図16A(f)に示すように、薄膜コイル133の上及び間にAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層134を形成する。Al2O3の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 16A (f), a
以上の図16A(c)〜(f)の製造工程を繰返すことによって、図16A(g)に示すように、2層のスパイラル状の薄膜コイル133を形成する。
16A (c) to 16 (f) are repeated to form a two-layer spiral
次いで、図16A(h)に示すように、コイル絶縁層134上にNiFe膜135aをスパッタリングで形成し、図16A(i)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン141を形成し、NiFe等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ0.1〜10μm程度の磁性層135を形成した後、フォトレジストパターン141を剥離する。この状態が図16A(j)に示されている。なお、磁性層135を、めっきを行うことなく、NiFeのスパッタリングのみで形成しても良い。
Next, as shown in FIG. 16A (h), a
次いで、図16B(a)に示すように、その上にAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層136を積層する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 16B (a), a
次いで、図16B(b)に示すように、薄膜コイル133の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Au等の導電体材料による1対の接続パッド137を形成する。これは、Auをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Auをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
Next, as shown in FIG. 16B (b), a pair of
その後、図16B(c)に示すように、この小型アンテナの側面に、1対の接続パッド137にそれぞれ電気的に接続された1対の側面電極143を形成する。具体的は、接続パッド137が露出している側面に、Cu、Au等の導電体材料をスパッタリングした後、その上にフォトレジストパターンを形成し、同じ導電体材料をめっきした後、フォトレジストパターンを剥離することによって形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 16B (c), a pair of
図17は、本発明の小型アンテナの第7の実施形態の構成を示す断面図である。 FIG. 17 is a sectional view showing the configuration of the seventh embodiment of the small antenna of the present invention.
同図において、170はフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の磁性体基板 (本発明の第1の磁性層に対応する)、172は薄膜コイルが形成される領域のみの磁性体基板170上に積層されたAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、173は絶縁層172上にスパイラル状に2層に設けられたCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、174は薄膜コイル173の上及び間に形成された例えばAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による又はレジスト材料によるコイル絶縁層、175はコイル絶縁層174上及び薄膜コイル173の中心部においては磁性体基板170上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層及び貫通磁性体に対応する)、176は磁性層175上に積層されたAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、177は薄膜コイル173の両端に電気的に接続されたAu等の導電体材料による1対の接続パッドをそれぞれ示している。
In the figure, 170 is a magnetic substrate (corresponding to the first magnetic layer of the present invention) having a thickness of about 0.2 to 2 mm formed of a magnetic material such as ferrite, and 172 is a thin film coil. An insulating layer made of an insulating material such as Al 2 O 3 or polyimide resin laminated on the
本実施形態では、磁性層175が、コイル絶縁層174上のみならず、薄膜コイル173の中心部を貫通するスルーホール178の内壁面上及び底面上にも形成されている。これにより、この磁性層175自体が本発明の貫通磁性体の役目を果たすこととなり、磁性層17と磁性体基板170とが磁気的に接続される。
In the present embodiment, the
図18A及び18Bはこの第7の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。 18A and 18B are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of a small antenna according to the seventh embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the small antenna in this embodiment is demonstrated using these figures.
まず、図18A(a)に示すように、フェライトによって形成された厚さ0.2〜2mm程度の磁性体基板170を用意する。
First, as shown in FIG. 18A (a), a
次いで、図18A(b)に示すように、その上の薄膜コイルが形成される領域のみにAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層172を積層する。例えば、Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングするか、又はフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂の場合はスピンコートにより塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 18A (b), an insulating
次いで、図18A(c)に示すように、その上にCr膜/Cu膜の2層構造(Cr膜の上にCu膜を積層した構造)の電極膜179をスパッタリングで積層する。
Next, as shown in FIG. 18A (c), an
次いで、図18A(d)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン180を形成し、Cu等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル173を形成した後、フォトレジストパターン180を剥離する。この状態が図18A(e)に示されている。
Next, as shown in FIG. 18A (d), a
次いで、図18A(f)に示すように、薄膜コイル173の上及び間にAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料又はレジスト材料によるコイル絶縁層174を形成する。Al2O3の場合はその上にフォトレジストパターンを形成してスパッタリングした後、リフトオフを行って形成する。ポリイミド樹脂及びレジスト材料の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 18A (f), a
以上の図18A(c)〜(f)の製造工程を繰返すことによって、図18A(g)に示すように、2層のスパイラル状の薄膜コイル173を形成する。
18A (c) to 18 (f) are repeated to form a two-layer spiral
次いで、図18A(h)に示すように、コイル絶縁層174上にNiFe膜175aをスパッタリングで形成し、図18A(i)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン181を形成し、NiFe等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ0.1〜10μm程度の磁性層175を形成した後、フォトレジストパターン181を剥離する。この状態が図18A(j)に示されている。なお、磁性層175を、めっきを行うことなく、NiFeのスパッタリングのみで形成しても良い。
Next, as shown in FIG. 18A (h), a
次いで、図18B(a)に示すように、その上にAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層176を積層する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 18B (a), a
次いで、図18B(b)に示すように、薄膜コイル173の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Au等の導電体材料による1対の接続パッド177を形成する。これは、Auをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Auをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
Next, as shown in FIG. 18B (b), a pair of
図19は、本発明の小型アンテナの第8の実施形態の構成を示す断面図である。 FIG. 19 is a cross-sectional view showing the configuration of the eighth embodiment of the small antenna of the present invention.
同図において、190はAl2O3又はシリコン等の非磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板、191は非磁性体基板190上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第1の磁性層に対応する)、192は磁性層191上に積層された厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、193は絶縁層192上にスパイラル状に2層に設けられたCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、194は薄膜コイル193の上及び間に形成された例えばAl2O3等の絶縁体材料による、又はレジスト材料及び絶縁体材料によるコイル絶縁層、202は薄膜コイル193の中心部を貫通するスルーホール198の内側に空間無しに充填されている高透磁率の磁性体材料による貫通磁性体(本発明の貫通磁性体に対応する)、195はコイル絶縁層194上及び薄膜コイル193の中心部においては貫通磁性体202上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層に対応する)、196は磁性層195上に積層されたAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、197は薄膜コイル193の両端に電気的に接続されたAu等の導電体材料による1対の接続パッドをそれぞれ示している。
In the figure, 190 is a nonmagnetic substrate having a thickness of about 0.2 to 2 mm formed of a nonmagnetic material such as Al 2 O 3 or silicon, 191 is NiFe laminated on the
本実施形態では、貫通磁性体202が、薄膜コイル193の中心部を貫通するスルーホール198の内側に空間無しに充填されている。この貫通磁性体202によって、磁性層195と磁性層191とが磁気的に接続される。実際には、貫通磁性体202の底面と磁性層191との間に絶縁層192が存在しているが、絶縁層192の膜厚が薄いため、磁気的にはこの貫通磁性体202と磁性層191とが結合することとなる。
In the present embodiment, the penetrating
図20A及び20Bはこの第8の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。 20A and 20B are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the small antenna according to the eighth embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the small antenna in this embodiment is demonstrated using these figures.
まず、図20A(a)に示すように、Al2O3又はシリコンによって形成された厚さ0.2〜2mm程度の非磁性体基板190上に、NiFe膜をスパッタリングで形成し、その上にNiFeをめっきして厚さ0.1〜10μm程度の磁性層191を積層する。なお、めっきを行うことなくスパッタリングのみでこの磁性層191を積層しても良い。
First, as shown in FIG. 20A (a), a NiFe film is formed by sputtering on a
次いで、この磁性層191の上表面を化学機械研磨(CMP)により平坦化した後、その上に厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層192を積層する。例えば、Al2O3はスパッタリングにより、ポリイミド樹脂はスピンコートにより塗布しベークすることで形成する。図20A(b)はこの状態を示している。
Next, after planarizing the upper surface of the
次いで、図20A(c)に示すように、その上にCr膜/Cu膜の2層構造(Cr膜の上にCu膜を積層した構造)の電極膜199をスパッタリングで積層する。
Next, as shown in FIG. 20A (c), an
次いで、図20A(d)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン200を形成し、Cu等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル193を形成した後、フォトレジストパターン200を剥離する。この状態が図20A(e)に示されている。
Next, as shown in FIG. 20A (d), a
次いで、図20A(f)に示すように、その上にNiFe膜202aをスパッタリングで形成し、図20A(g)に示すように、その上に貫通磁性体形成用のフォトレジストパターン204を形成し、高透磁率磁性体材料をめっきすることにより、貫通磁性体202を形成した後、フォトレジストパターン204を剥離する。この状態が図20A(h)に示されている。
Next, as shown in FIG. 20A (f), a
次いで、図20A(i)に示すように、薄膜コイル193の上及び間にAl2O3等の絶縁体材料によるコイル絶縁層194を形成する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、表面をCMPによって平坦化する。
Next, as shown in FIG. 20A (i), a
以上の図20A(c)〜(i)の製造工程を繰返すことによって、図20A(j)に示すように、2層のスパイラル状の薄膜コイル193及びその中心部を貫通する貫通磁性体202を形成する。
20A (c) to 20 (i) are repeated, the two layers of spiral
なお、図20A(i)の工程に代えて、図21に示すように、レジスト材料層194a及びAl2O3層194bによるコイル絶縁層を形成しても良い。具体的には、まず、薄膜コイル193の上及び間にレジスト材料を塗布しベークした後、その上にフォトレジストパターンを形成してパターニングしてレジスト材料層194aを形成する。次いで、その上にAl2O3をスパッタリングした後、表面をCMPによって平坦化してAl2O3層194bを形成する。
In place of the step of FIG. 20A (i), a coil insulating layer made of a resist
次いで、コイル絶縁層194上にNiFe膜195aをスパッタリングで形成し、図20B(a)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン201を形成し、NiFe等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ0.1〜10μm程度の磁性層195を形成した後、フォトレジストパターン201を剥離する。この状態が図20B(b)に示されている。なお、磁性層195を、めっきを行うことなく、NiFeのスパッタリングのみで形成しても良い。
Next, a
次いで、図20B(c)に示すように、その上にAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層196を積層する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 20B (c), a
次いで、図20B(d)に示すように、薄膜コイル193の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Au等の導電体材料による1対の接続パッド197を形成する。これは、Auをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Auをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
Next, as shown in FIG. 20B (d), a pair of
図22は、本発明の小型アンテナの第9の実施形態の構成を示す断面図である。 FIG. 22 is a sectional view showing the configuration of the ninth embodiment of the small antenna of the present invention.
同図において、220はフェライト等の磁性体材料によって形成された厚さ0.2〜2mm程度の磁性体基板 (本発明の第1の磁性層に対応する)、222は磁性体基板220上に積層された厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層、223は絶縁層222上にスパイラル状に2層に設けられたCu等の導電体材料による厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル、224は薄膜コイル223の上及び間に形成された例えばAl2O3等の絶縁体材料による、又はレジスト材料及び絶縁体材料によるコイル絶縁層、232は薄膜コイル223の中心部を貫通するスルーホール228の内側に空間無しに充填されている高透磁率の磁性体材料による貫通磁性体(本発明の貫通磁性体に対応する)、225はコイル絶縁層224上及び薄膜コイル223の中心部においては貫通磁性体232上に積層されたNiFe等の軟磁性材料による厚さ0.1〜10μm程度の磁性層(本発明の第2の磁性層に対応する)、226は磁性層225上に積層されたAl2O3、ポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層、227は薄膜コイル223の両端に電気的に接続されたAu等の導電体材料による1対の接続パッドをそれぞれ示している。
In the figure,
本実施形態では、貫通磁性体232が、薄膜コイル223の中心部を貫通するスルーホール228の内側に空間無しに充填されている。この貫通磁性体232によって、磁性層225と磁性体基板220とが磁気的に接続される。実際には、貫通磁性体232の底面と磁性体基板220との間に絶縁層222が存在しているが、絶縁層222の膜厚が薄いため、磁気的にはこの貫通磁性体232と磁性体基板220とが結合することとなる。
In the present embodiment, the penetrating
図23A及び23Bはこの第9の実施形態における小型アンテナの製造工程を説明する断面図である。以下、これらの図を用いて本実施形態における小型アンテナの製造方法を説明する。 23A and 23B are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of a small antenna according to the ninth embodiment. Hereinafter, the manufacturing method of the small antenna in this embodiment is demonstrated using these figures.
まず、図23A(a)に示すように、フェライトによって形成された厚さ0.2〜2mm程度の磁性体基板220上に、厚さ0.3〜3μm程度のAl2O3又は厚さ1〜10μm程度のポリイミド樹脂等の絶縁体材料による絶縁層222を積層し、さらに、その上にCr膜/Cu膜の2層構造(Cr膜の上にCu膜を積層した構造)の電極膜229をスパッタリングで積層する。
First, as shown in FIG. 23A (a), Al 2 O 3 having a thickness of about 0.3 to 3 μm or a thickness of 1 is formed on a
次いで、図23A(b)に示すように、その上に薄膜コイル形成用のフォトレジストパターン230を形成し、Cu等の導電体材料をめっきすることにより、厚さ1〜20μm程度の薄膜コイル223を形成した後、フォトレジストパターン230を剥離する。この状態が図23A(c)に示されている。
Next, as shown in FIG. 23A (b), a
次いで、図23A(d)に示すように、その上にNiFe膜232aをスパッタリングで形成し、図23A(e)に示すように、その上に貫通磁性体形成用のフォトレジストパターン234を形成し、高透磁率磁性体材料をめっきすることにより、貫通磁性体232を形成した後、フォトレジストパターン234を剥離する。この状態が図23A(f)に示されている。
Next, as shown in FIG. 23A (d), a
次いで、図23A(g)に示すように、薄膜コイル223の上及び間にAl2O3等の絶縁体材料によるコイル絶縁層224を形成する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、表面をCMPによって平坦化する。
Next, as shown in FIG. 23A (g), a
以上の図23A(a)〜(g)の製造工程を繰返すことによって、図23A(h)に示すように、2層のスパイラル状の薄膜コイル223及びその中心部を貫通する貫通磁性体232を形成する。
By repeating the manufacturing steps shown in FIGS. 23A (a) to 23 (g), as shown in FIG. 23A (h), a two-layer spiral
なお、図23A(g)の工程に代えて、図24に示すように、レジスト材料層224a及びAl2O3層224bによるコイル絶縁層を形成しても良い。具体的には、まず、薄膜コイル223の上及び間にレジスト材料を塗布しベークした後、その上にフォトレジストパターンを形成してパターニングしてレジスト材料層224aを形成する。次いで、その上にAl2O3をスパッタリングした後、表面をCMPによって平坦化してAl2O3層224bを形成する。
Instead of the step of FIG. 23A (g), as shown in FIG. 24, a coil insulating layer made of a resist
次いで、コイル絶縁層224上にNiFe膜225aをスパッタリングで形成し、図23A(i)に示すように、その上に磁性層形成用のフォトレジストパターン231を形成し、NiFe等の磁性体材料をめっきすることにより、厚さ0.1〜10μm程度の磁性層225を形成した後、フォトレジストパターン231を剥離する。この状態が図23A(j)に示されている。なお、磁性層225を、めっきを行うことなく、NiFeのスパッタリングのみで形成しても良い。
Next, a
次いで、図23B(a)に示すように、その上にAl2O3又はポリイミド樹脂等の絶縁体材料による保護層226を積層する。Al2O3の場合はスパッタリングした後、フォトレジストパターンを形成してミリングすることにより形成する。ポリイミド樹脂の場合は塗布しベークした後、露光、現像しパターニングする。
Next, as shown in FIG. 23B (a), a
次いで、図23B(b)に示すように、薄膜コイル223の両端にそれぞれ電気的に接続されるように、Au等の導電体材料による1対の接続パッド227を形成する。これは、Auをスパッタリングした後、接続パッド用のフォトレジストパターンを形成し、Auをめっきした後フォトレジストパターンを剥離することにより、形成する。
Next, as shown in FIG. 23B (b), a pair of
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。 All the embodiments described above are illustrative of the present invention and are not intended to be limiting, and the present invention can be implemented in other various modifications and changes. Therefore, the scope of the present invention is defined only by the claims and their equivalents.
10、40、130、190 非磁性体基板
11、12、41、45、82、95、131、135、175、191、195、225 磁性層
13、43、83、93、133、173、193、223 薄膜コイル
14、44、84、94、134、174、194、224 コイル絶縁層
15、85、202、232 貫通磁性体
30 小型アンテナ
31 磁性シート
42、92、132、172、192、222 絶縁層
45a、95a、135a、175a、195a、202a、232a NiFe膜
46、96、136、176、196、226 保護層
47、97、137、177、197、227 接続パッド
48、98、138、178、198、228 スルーホール
49、99、139、179、199、229 電極膜
50、51、100、101、140、141、180、181、200、201、204、230、231、234 フォトレジストパターン
52、102 充填磁性体
80、90、170、220 磁性体基板
145 側面電極
194a、224a レジスト材料層
194b、224b Al2O3層
10, 40, 130, 190
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