JP2005317604A - Inductance component and electronic apparatus using same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、小型の電源回路に用いられるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器に関するものである。 The present invention relates to an inductance component used in a small power supply circuit and an electronic device using the same.
まず始めに、図7を用いて携帯電話等に用いられる小型の電源回路について説明する。 First, a small power supply circuit used for a mobile phone or the like will be described with reference to FIG.
例えば、図7に示すように入力電圧として4Vの電池101を用いると、2Vの出力電圧を得ることが可能である。ここで、コイル102はチョークコイルと呼ばれる。このコイル102を回路に入れることで安定した出力電圧を得ることができる。また、より出力電圧を安定化させるためにはコイル102のインダクタンスを大きくする必要がある。このようにして、図7に示す電源回路はより安定された直流の出力電圧を供給することができる。
For example, when a
一般に、前記コイル102のインダクタンスを大きくするためにはコイル102のコア断面積を大きくして、コイルの巻き数を多くする必要がある。そのため、コイル102の容積を大きくしなければならないという問題点がある。
Generally, in order to increase the inductance of the
一方、近年携帯電話に対する小型低背化要求に伴って、その電源回路に用いられるコイルの小型低背化がますます強く求められている。例えば、面積が5mm×5mm以下、厚さ1mm以下の形状を有するようなコイル102が必要とされている。さらに、この電源回路のスイッチング周波数も数百kHzから数十MHzへと高くなって来ており、このようなスイッチング周波数の高周波化に伴い、コイルを構成する磁性材料にはコア損失の低減が求められている。
On the other hand, in recent years, with the demand for small and low-profile mobile phones, there is an increasing demand for small and low-profile coils used in power supply circuits. For example, the
また、電子機器が低電圧、高電流化した状態で使用されるようになってきており、小型低背化したコイルにおいても0.1A以上の最大電流が流れる場合がある。そのための対策としてコイルの直流抵抗(Rdc)をより低減することが必要となる。 In addition, electronic devices are used in a state where the voltage and current are increased, and a maximum current of 0.1 A or more may flow even in a small and low-profile coil. As a countermeasure for this, it is necessary to further reduce the DC resistance (Rdc) of the coil.
そこで、上記問題点を解決するための従来の技術として図8に示すように、絶縁体115中に埋設されたコイル111を多層磁性膜112で絶縁しながら挟持させ、磁性体113を充填したスルホール114を前記コイル111の側面及び中央に設けるように構成したインダクタンス部品がある。このコイル111は銅などの高導電率材料を板状に巻くように形成していることからコイル111を薄くすることができる(例えば特許文献1参照)。
しかしながら、上記従来の構成のコイルではコイル111の上面、下面の磁性体113の面方向とスルホール114の円周方向に渦電流が生じることにより、スルホール114を垂直方向に貫く磁束を打ち消してしまい、高周波におけるインダクタンスを十分に大きくすることができないという課題があった。
However, in the coil having the conventional configuration, an eddy current is generated in the surface direction of the
本発明は上記課題を解決し、小型低背化しても高周波帯域において大きなインダクタンスを得ることができるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide an inductance component capable of obtaining a large inductance in a high-frequency band even if it is reduced in size and height and an electronic device using the same.
上記課題を解決するために本発明は、前記スルホール部の内壁と前記コイルの上面及び下面とに多層磁性層を配置し、前記スルホール部の内壁に形成した多層磁性層の少なくとも縦方向の一部と前記コイルの上面及び下面に配置する多層磁性層の面内方向の両方にスリットを構成するものである。 In order to solve the above problems, the present invention provides a multilayer magnetic layer disposed on the inner wall of the through hole portion and the upper and lower surfaces of the coil, and at least a part of the multilayer magnetic layer formed on the inner wall of the through hole portion in the longitudinal direction. And slits in both the in-plane directions of the multilayer magnetic layers disposed on the upper and lower surfaces of the coil.
本発明のインダクタンス部品およびそれを用いた電子機器は、小型低背化しても高周波帯域で大きなインダクタンスを得ることができるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器を提供することができる。 The inductance component of the present invention and an electronic device using the inductance component can provide an inductance component capable of obtaining a large inductance in a high frequency band even if the size and height of the device are reduced, and an electronic device using the inductance component.
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1におけるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器について、図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, an inductance component and an electronic device using the inductance component according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1(A)は本発明の実施の形態1におけるインダクタンス部品の透視斜視図である。図1(B)は、図1(A)のA−A部の断面図、図1(C)は図1(A)のB−B部における断面図を表している。 FIG. 1A is a see-through perspective view of the inductance component according to Embodiment 1 of the present invention. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1A, and FIG. 1C is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
図1(A)において、23、24は端子部であり、22はコイル内に設けられたスルホール部であり、表層は絶縁材27で覆われている。また、91は面内方向に設けたスリット、92はスルホール部22の縦方向に設けたスリットであり、それぞれ絶縁材27で充填されている。
In FIG. 1A,
次に、図1(B)においてコイル21とスルホール電極50は銅や銀などの高導電率材料をめっきして構成される。もちろん銅線等によりコイル21を形成してもよい。スルホール部22はコイル21の中心部に形成される。また、場合によってはコイル21の外側部分に形成してもよい。コイル21の厚みは、用いられる機器により異なるが、少なくとも大電流に対応するために10μm以上の厚みが必要となる。
Next, in FIG. 1B, the
また、コイル21の上段のコイルはインダクタンス部品の一方の側面にある端子部23からスルホール部22に向かって渦巻き状に巻かれている。そして、中央部で下段に移りスルホール電極50からインダクタンス部品の他方の側面にある端子部24に向かって渦巻き状に巻いて形成される。なお、このコイル21の上段及び下段のコイルの巻く方向は同じ向きである。これによって、端子部23から電流を入力した場合、電流はインダクタンス部品の側面から中央に向かってコイル21の上段を渦巻き状に流れる。さらに、上段から下段に流れ、インダクタンス部品の中央から側面に向かってコイル21の下段を渦巻き状に流れた後端子部24に出力される。
The upper coil of the
なお、コイル21は図1(B)のように二段ではなく、一段あるいは三段以上であってもよい。またコイル21はコイル絶縁材25内に埋設されている。このコイル絶縁材25はコイル21がショートするのを防ぐ。
Note that the
次に、多層磁性層30をコイル21の上面に配置するとともにスルホール部22の内壁も形成している。
Next, the multilayer
また、図1(C)は図1(A)のB−B部における断面図を表している。図1(C)においてコイル21の上面および下面に配置した多層磁性層30の一部に面内方向にスリット91を形成し、その空隙部分には絶縁材27で充填している。また、スルホール部22の内壁に配置した多層磁性層30の縦方向にもスリット92を形成し、その空隙部分にも絶縁材27を充填している。
FIG. 1C is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. In FIG. 1C,
以上のように、本実施の形態1におけるインダクタンス部品の構成は多層磁性層30の面内方向にスリット91を形成し、且つスルホール部22の内壁に形成した多層磁性層30の縦方向にも上部より下部にわたるスリット92を構成していることを特徴としている。また必ずしも必要ではないが、スルホール部22内の空間部にも絶縁材27が充填される。この絶縁材27は、多層磁性層30が露出した状態でインダクタンス部品を配線基板あるいはモジュール部品上に搭載した場合にショートするのを防ぐために設けている。従って、この絶縁材27は無くてもインダクタンス部品としての機能は発揮することができる。
As described above, the configuration of the inductance component in the first embodiment is such that the
また、図1(B)、図1(C)はスルホール部22内の多層磁性層30を形成した残りの空間部を絶縁材27にて完全に充填している状態を示している。この絶縁材27は必ずしも完全に充填する必要なないが、インダクタンス部品を吸引して基板上に実装する場合には絶縁材27でスルホール部22内の空間部を完全に充填していることがより好ましい。また、絶縁材27としてエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料が好ましい。
1B and 1C show a state in which the remaining space where the multilayer
なお、図1(B)においては、多層磁性層30どうしは一体になるよう形成されているが、必ずしも多層磁性層30どうしが一体になるように形成する必要はない。しかしながら、磁束が最も集中しやすいスルホール部22のコーナー部71においては磁気ギャップが生じないように連続的に多層磁性層30を形成することが好ましい。このような構成とすることにより、漏洩磁束も少なく、インダクタンスも大きくすることができる。
In FIG. 1B, the multilayer
なお、スルホール部22内の多層磁性層30の上に磁性体を配置させてもよい。その際、できるだけ磁気ギャップが生じないように密着させることがより好ましい。また、前記磁性体はフェライト磁性体、フェライト磁性粉末と絶縁性樹脂との複合体、あるいは金属磁性粉末と絶縁性樹脂との複合体からなる群のうちの少なくとも一つから構成されることが好ましい。このようにすることによって、絶縁材27がない場合において絶縁性が保たれ、且つ回路上でのショート等を低減することができるので優れた信頼性が得られる。
A magnetic material may be disposed on the multilayer
次に、図2は本発明の実施の形態1におけるコイル上面の拡大断面図であり、多層磁性層30は絶縁層29が各磁性層26を隔てることで構成されている。さらに、コイル21の下面にも多層磁性層30を配置する。従って、絶縁材27は多層磁性層30を覆うように形成している。即ち、コイル21の上面及び下面の多層磁性層30を覆い、さらにスルホール部22内の多層磁性層30を覆っている。また28はめっき下地層であり、無電解めっきによってめっき下地層28を形成した後磁性層26を電解めっきによって形成することが可能となる。
Next, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the upper surface of the coil according to the first embodiment of the present invention. The multilayer
また、多層磁性層30は以下のようにして形成される。
The multilayer
まず、めっき下地層28の上に電気めっきで磁性層26を形成させ、その上に電気めっきあるいは電着等で絶縁層29を形成する。さらに、磁性層26、絶縁層29、磁性層26の順で形成させることによって、薄い多層磁性層30を構成することができる。
First, the
なお、図2においては多層磁性層30を三層としたが、少なくとも二層以上の磁性層26であれば良い。また、コイル21の下面に配置する多層磁性層30の構成についても同様である。さらに、多層磁性層30の構成において、電気めっきで磁性層26を形成させ易くするために、絶縁層29と磁性層26の間にめっき下地層28と同様な下地層を設けても良い。なお磁性層26を無電解めっきで形成してもよい。
In FIG. 2, the multilayer
さらに、多層磁性層30を上記以外の方法で積層しても、構造が同じであれば効果が同じことはいうまでもない。
Furthermore, it goes without saying that even if the multilayer
ここで、多層磁性層30のうち少なくとも一層以上の主成分をFe、Ni、Coからなる群のうち少なくとも一つを有するように多層磁性層30を構成する。このような構成とすることにより、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率の磁気特性を有する磁性層26が得られ、その結果として高いインダクタンスを実現することができる。また、磁性層26の一層あたりの厚みはスイッチング周波数によっても異なるが、数百kHzから数十MHzを想定した場合には1μmから50μmが好ましい。また絶縁層29の一層あたりの厚みは比抵抗値にもよるが、0.01μmから5μmが好ましい。また、絶縁層29の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、磁性層26との比抵抗値の比が103以上であれば効果がある。
Here, the multilayer
また、絶縁層29として有機樹脂材料あるいは金属酸化物等の無機材料が好ましく、さらにこれらの混合物でもよい。
The insulating
次に、図3はスルホール部22の拡大断面図である。
Next, FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the through
図3において、めっき下地層28はコイル絶縁材25に多層磁性層30を構成するために設けている。つまり、電気めっきでめっき下地層28の上に磁性層26を形成させ易くするために設けられる。さらに、めっき下地層28は例えば無電解めっきで形成され、導電性の優れたCu、Niあるいは金属磁性層が好ましい。
In FIG. 3, the plating
また、図4はスルホール部22の内壁の拡大断面図である。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the inner wall of the through
図4に示すように、絶縁層29が各磁性層26を隔てることで、多層磁性層30を構成する。多層磁性層30は、以下のようにして形成される。
As shown in FIG. 4, the insulating
まず、めっき下地層28の上に電気めっきで磁性層26を形成させ、次に電気めっきあるいは電着等で絶縁層29を形成する。さらに、その上に磁性層26、絶縁層29、磁性層26の順で形成させることによって、多層磁性層30を構成する。このようにして、めっきプロセスにより多層磁性層30の一層あたりの磁性層26の断面積を十分に小さくしている。なお、磁性層を無電解めっきで形成してもよい。
First, the
また、図4においては多層磁性層30を三層構成としているが、二層以上の磁性層26であれば本発明の作用を発揮することができる。
In FIG. 4, the multilayer
さらに、多層磁性層30の構成において、電気めっきで磁性層26を形成させ易くするために、絶縁層29と磁性層26の間にめっき下地層28と同様な下地層を設けてもよい。
Further, in the configuration of the multilayer
さらに、多層磁性層30を上記以外の方法で積層しても、構造が同じであれば効果が同じであることはいうまでもない。多層磁性層30のうち少なくとも一層以上の主成分をFe、Ni、Coからなる群のうち少なくとも一つを有するように多層磁性層30を構成する。
Furthermore, it goes without saying that even if the multilayer
このようにして、大電流に対応可能な高飽和磁束密度と高透磁率の磁気特性を有する多層磁性層30を得ることができる。その結果、小型薄型構造であっても高いインダクタンスを実現するインダクタンス部品を実現することができる。
In this way, it is possible to obtain the multilayer
さらに、磁性層26の一層あたりの好ましい厚みはスイッチング周波数によっても異なるが、例えば数百kHzから数十MHzを想定した場合の最適な厚みは1μmから50μmが好ましい。また、絶縁層29の一層あたりの厚みは比抵抗値によっても異なるが0.01μm〜5μmが好ましい。
Furthermore, although the preferable thickness per layer of the
また、絶縁層29の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、磁性層26との比抵抗値の比が103以上であれば、効果がある。この絶縁層29としては有機材料あるいは金属酸化物等の無機材料が好ましい。さらに、これらの混合物でもよい。上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。
Further, the higher the specific resistance value of the insulating
コイル21は、規則正しく渦巻き状になっており、さらには二段構造を有しそれらの巻き方向も一致している。そのため、電流をコイル21に流すと、強い磁束を得ることができ、インダクタンス部品のインダクタンスを大きくすることができる。これによって、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きいインダクタンス部品を得ることができる。
The
また、コイル21は銅めっき等で形成され、その断面は円形ではなく四角形で構成される。その特徴は、コイル21の断面が円形である場合に比べ、四角形であるためコイル21の断面積を大きくできる点にある。その結果、電気抵抗の小さい、小型低背化したコイル21を得ることができる。このような高占積率のコイル21を用いることにより、コイル部に発生する損失(銅損)も低減できる。また、コイル21に電流を流すとインダクタンス部品には磁束が生じる。この磁束はスルホール部22の内壁に多層磁性層30に沿ってスルホール部22の垂直方向に貫く磁束が生じるため、コイル上下面の多層磁性層30の水平面と、スルホール部22の内壁に多層磁性層30の円周方向に渦電流が生じるが、コイル21の上面及び下面に配置する多層磁性層30の面内方向にスリット91および、スルホール部22の内壁に形成した多層磁性層30の縦方向にも上部より下部にわたるスリット92で渦電流経路が部分的に分断されるため、渦電流損失が低減される。
Further, the
また、コイル21の上面及び下面に配置する多層磁性層30の面内方向にも磁束が生じる。この磁束により、多層磁性層30の厚さ方向に渦電流が生じるが、多層磁性層30の一層あたりの厚さ方向の断面積は渦電流に対して十分に小さくすることで多層磁性層30の厚さ方向に生じる渦電流を抑制することができるので多層磁性層30の面内方向に生じる磁束を打ち消されるのを防ぐことができる。
Magnetic flux is also generated in the in-plane direction of the multilayer
ここで、高周波でのインダクタンスを高めるためには、(1)スルホール部22の垂直方向に貫く磁束を大きくしておくことが望ましく、そのために面内のスリット91、スルホール部のスリット92を設けることによってで磁束を妨げる渦電流を低減することができる。また、(2)多層磁性層30の面内を貫く磁束を大きくしておくことが望ましく、そのために厚みの薄い磁性層26を絶縁層29を介して積層した多層磁性層30を設けることにより渦電流を低減できる。この場合、スリット91、92にはその効果はない。
Here, in order to increase the inductance at high frequency, (1) it is desirable to increase the magnetic flux penetrating the through
そして、この(1)と(2)の両方の条件を満足して始めて高周波におけるインダクタンスを高めたインダクタンス部品を実現することができるものである。 Only after satisfying both of the conditions (1) and (2) can an inductance component with increased inductance at high frequencies be realized.
また、このときの磁性層26の厚みは周波数によっても異なるが、数百kHzから数十MHzを想定した場合には1μmから50μmが好ましい。
Further, the thickness of the
このようにして、面内のスリット91、スルホール部22のスリット92、および多層磁性層30を配置することでスルホール部22を貫く磁束、および多層磁性層30の面内を流れる磁束を高周波数帯域において妨げられることなくインダクタンス部品のインダクタンスを大きくすることができる。
In this way, by arranging the in-plane slit 91, the
また、面内のスリット91、スルホール部22のスリット92はそれぞれ1箇所でも2箇所以上でも効果があることは言うまでもない。また、スルホール部22のスリット92は必ずしもスルホール部22の多層磁性層30を縦に形成する必要性はなく、例えば斜めに形成しても渦電流の発生を防ぐことができる。
Further, it goes without saying that the in-plane slit 91 and the
なお、スリット91、92の巾は0.01〜100μmが好ましく、より好ましくは1〜10μmである。また、スリット91、92の形成はエッチング法、レーザーカット法、放電加工などの公知の方法によって行うことができる。
The width of the
一方、例えば直径が1mm以下、深さが0.1mm以上、1mm以下であるスルホール部22の内壁に多層磁性層30をスパッタ、蒸着法等で形成することは困難であり、このような形状のスルホール部22の内壁に多層磁性層30を形成するためにはめっき法で形成することがもっとも好ましい。このようにして、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きいインダクタンス部品を得ることができる。
On the other hand, for example, it is difficult to form the multilayer
以上述べてきたように、本実施の形態1のインダクタンス部品は小型低背化しても高周波帯域で大きなインダクタンスが得られるので、例えば携帯電話等の電源回路に塔載することによって小型低背型の電子機器を実現することができる。 As described above, since the inductance component of the first embodiment can provide a large inductance in a high frequency band even if it is reduced in size and height, for example, by mounting it on a power supply circuit such as a mobile phone, An electronic device can be realized.
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2におけるインダクタンス部品およびそれを用いた電子機器について、図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 2)
Hereinafter, an inductance component and an electronic device using the same according to
図5(A)は、実施の形態1の本発明のインダクタンス部品の透視斜視図である。 FIG. 5A is a perspective view of the inductance component according to the first embodiment of the present invention.
図5(B)は図5(A)のC−C部の断面図であり、図5(C)は図1(A)のD−D部の断面図を示している。ここでインダクタンス部品の基本的な構成は実施の形態1のインダクタンス部品と同様である。 5B is a cross-sectional view taken along a line CC in FIG. 5A, and FIG. 5C is a cross-sectional view taken along a line DD in FIG. Here, the basic configuration of the inductance component is the same as that of the inductance component of the first embodiment.
図5(A)、図5(B)、図5(C)において、23、24は端子部であり、22はコイル21内に設けられたスルホール部であり、表層は絶縁材27で覆われている。また91は面内方向に設けたスリットであり、92はスルホール部22の縦方向に設けたスリットであり、それぞれ絶縁材27で充填されている。また前記スルホール部22の内壁に形成した多層磁性層22の少なくとも縦方向の一部に構成されたスリット92と、前記コイル21の上面及び下面に配置する多層磁性層22の面内方向に構成されたスリット91が連続的に連なっている点と、スルホール部22の上面と下面のうち少なくともいずれか一方の絶縁材27に凹部31を設ける点が実施の形態1との相違である。
5A, 5B, and 5C, 23 and 24 are terminal portions, 22 is a through-hole portion provided in the
次に、図6は本実施の形態2のインダクタンス部品におけるスルホール部22の上面付近の拡大図である。
Next, FIG. 6 is an enlarged view of the vicinity of the upper surface of the through
図6において、絶縁材27はスルホール部22内の多層磁性層30からなる空間部に充填される。そして、スルホール部22の上面と下面のうち少なくともいずれか一方に凹部31を設ける。また絶縁材27としてはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料が好ましい。
In FIG. 6, the insulating
上記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。本実施の形態2のインダクタンス部品を携帯電話等の電子機器の電源回路の基板に設置する時は完成したインダクタンス部品を吸引して基板上などに実装する。この際、インダクタンス部品のスルホール部22の上面と下面のうち少なくともいずれか一方に凹部31を設けていると、より吸引しやすくなる。凹部31の深さは吸引が容易になる程度で十分であり、浅い方がより好ましい。特に薄型の部品であるため移動時の反り、変形等にかかわらず吸引を容易にするためには、多少平面より凹部31を設けた方が好ましい。これによってインダクタンス部品が吸引され移動する際の落下等を、防止することができる。
The operation of the inductance component having the above configuration will be described below. When the inductance component of the second embodiment is installed on the substrate of the power supply circuit of an electronic device such as a mobile phone, the completed inductance component is sucked and mounted on the substrate. At this time, if the
なお、上記実施の形態1および実施の形態2のインダクタンス部品をさらに磁性体層で覆っても良く、これに用いる材料としては磁性体であるフェライト、金属板などで覆ってもよい。これによって、漏れ磁束をさらに減少させることができる。 The inductance component of the first and second embodiments may be further covered with a magnetic layer, and the material used for this may be covered with ferrite, a metal plate, or the like that is a magnetic substance. As a result, the leakage magnetic flux can be further reduced.
なお、この場合にもこれらの磁性体に吸引を確実にするための凹部31を設けてもよい。
In this case, a
また、コイル21に電流を流すとインダクタンス部品には磁束が生じる。この磁束はスルホール部22の内壁に多層磁性層30に沿ってスルホール部22の垂直方向に貫く磁束が生じることから、コイル21の上下面の多層磁性層30とスルホール部22の内壁に多層磁性層30の円周方向に渦電流が生じるが、コイル21の上下面に配置する多層磁性層30の面内方向にスリット91およびスルホール部22の内壁に形成した多層磁性層30の縦方向のスリット92が連続的に連なっていることで渦電流経路が完全に分断されることより、スルホール部22に垂直方向に貫く磁束を妨げる渦電流を大幅に低減することができる。
Further, when a current is passed through the
また、コイル21の上下面に配置する多層磁性層30の面内方向にも磁束が生じる。この磁束により、多層磁性層30の厚さ方向に渦電流が生じるが、多層磁性層30の一層あたりの厚さ方向の断面積は渦電流に対して十分に小さくすることで多層磁性層30の厚さ方向に生じる渦電流を抑えることができることから多層磁性層30の面内方向に生じる磁束が打ち消されるのを防ぐことができる。
Magnetic flux is also generated in the in-plane direction of the multilayer
ここで、高周波でのインダクタンスを高めるためには、(1)スルホール部22の垂直方向に貫く磁束を大きくしておくために、本発明ではスリット91、スリット92が連続するように設けられていることから磁束を妨げる渦電流を完全に切断することができる。また、(2)多層磁性層30の面内を貫く磁束を大きくしておくために、厚みの薄い磁性層26を絶縁層29を介して積層した多層磁性層30を設けることにより渦電流を低減できる。この場合、スリット91、92にはその効果はない。従って、この(1)と(2)の両方の条件を満足して始めて高周波における高いインダクタンスを有したインダクタンス部品を実現することができるものである。このときの磁性層26の厚みは周波数によっても異なるが、数百kHzから数十MHzを想定した場合には1μmから50μmが好ましい。
Here, in order to increase the inductance at high frequency, (1) in order to increase the magnetic flux penetrating in the vertical direction of the through-
以上説明してきたように、多層磁性層30の上下面の面内に設けたスリット91、スルホール部22に設けたスリット92を連続的に配置し、且つ多層磁性層30を配置することでスルホール部22を貫く磁束および多層磁性層30の面内を流れる磁束を高周波数帯域において妨げられることが無くなることから高周波帯域におけるインダクタンスを大きくすることができる小型低背のインダクタンス部品を実現することができる。
As described above, the
また、多層磁性層30の面内に設けたスリット91、スルホール部22に設けたスリット92はそれぞれ少なくとも1箇所設けることによりその効果を発揮することができる。従って複数のスリット91、スリット92を設けても良いことは言うまでもない。
The effect can be exhibited by providing at least one slit 91 provided in the plane of the multilayer
また、スルホール部22のスリット92は必ずしもスルホール部22の多層磁性層30を縦に形成する必要性はなく、斜めに設けても同じ効果を得ることができる。なお、スリット91、92の巾は0.01〜100μmが好ましく、より好ましくは1〜10μmである。また、スリット91、92の形成はエッチング法、レーザーカット法、放電加工などの公知の方法によって行うことができる。
Further, the
このような構成とすることにより、小型低背化しても高周波帯域におけるインダクタンスの大きいインダクタンス部品を実現することができる。 By adopting such a configuration, it is possible to realize an inductance component having a large inductance in a high frequency band even if the size and height are reduced.
以上述べてきたように、本実施の形態2のインダクタンス部品は例えば携帯電話等電源回路に用いることにより、小型低背化が要求される電子機器に有用である。 As described above, the inductance component of the second embodiment is useful for an electronic device that is required to be small and low-profile by using it in a power supply circuit such as a mobile phone.
以上のように、本発明にかかるインダクタンス部品とそれを用いた電子機器は、小型低背化しても高周波帯域で大きなインダクタンスを実現することが可能になるので携帯電話等の電源回路に用いることにより、小型で高性能な電子機器に適用できる。 As described above, the inductance component according to the present invention and the electronic device using the inductance component can realize a large inductance in a high-frequency band even if the size and height are reduced. It can be applied to small, high-performance electronic devices.
21 コイル
22 スルホール部
23 端子部
24 端子部
25 コイル絶縁材
26 磁性層
27 絶縁材
28 めっき下地層
29 絶縁層
30 多層磁性層
31 凹部
50 スルホール電極
71 コーナー部
91 スリット
92 スリット
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