JP4876934B2 - 電気回路装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電源端子が放熱板を兼ねるパワー素子が半田付けにより実装された電気回路装置に関する。
従来、特許文献1に記載された電気回路装置が知られている。この電気回路装置は、図11(A)に示すように、配線パターン81、82、83が表面に形成された回路基板80と、この回路基板80上に半田付けにより実装され、ドレイン電極端子91が放熱板を兼ねるMOSFET90とを有している。MOSFET90のドレイン電極端子91、ソース電極端子92、ゲート電極端子93は、各々配線パターン81、82、83に半田付けされ、MOSFET90のドレイン電極端子91が下方を向くように実装されている。また、図11(B)に示すように、回路基板80はベース85に所定角度だけ(30°〜60°が適切)傾斜した状態で固定され、MOSFET90の下方にはストッパ86が設けられている。この電気回路装置の電気回路においては、図11(C)に示すように、MOSFET90のゲート電極端子93にはMOSFET駆動回路95が接続され、ドレイン電極端子91には電源97が接続され、ソース電極端子92にはモータ96が接続されている。
この電気回路装置では、MOSFET90が異常発熱してMOSFET90のドレイン電極端子91、ソース電極端子92、ゲート電極端子93と配線パターン81、82、83との間の半田が融解すると、図12(A)、(B)に示すように、MOSFET90は自重で下方に移動してストッパ86により停止される。この場合、図12(C)に示すように、MOSFET90のゲート電極端子93とMOSFET駆動回路95とが断線するとともに、ソース電極端子92とモータ96とが断線する。これにより、負荷電流が遮断されて発熱が停止し、発火を防止することができる。
特開2001−60750号公報
しかし、上記従来の電気回路装置では、MOSFET90のドレイン電極端子91と配線パターン81との接触面積が大きく、異常発熱によりMOSFET90が自重で下方に移動しても、ドレイン電極端子91と電源97とは接続されたままである。そのため、MOSFET90のドレイン電極端子91が他の回路素子や配線パターンと接触すると、電源97から他の回路素子に電源電流が流れて、新たな故障を引き起こしてしまう。これを避けようとすれば、MOSFET90の下方を中心とした付近には他の回路素子や配線パターンを配置することができず、設計の自由度が低下することになる。
また、この電気回路装置では、MOSFET90のドレイン電極端子91が上方を向くように実装すると、MOSFET90が異常発熱した場合、図13(A)、(B)に示すように、配線パターン81と配線パターン82、83とがショートしてしまい電源電流を遮断できない上、上記と同様に、MOSFET90のドレイン電極端子91が他の回路素子や配線パターンと接触することも考えられる。
さらに、この電気回路装置では、MOSFET90のドレイン電極端子91が横を向くように実装すると、MOSFET90が異常発熱した場合、図14(A)、(B)に示すように、MOSFET90のドレイン電極端子91が下方を向くように実装されている場合と同様の不具合が発生し得る。
本発明は係る従来の問題点に鑑みてなされたものであり、パワー素子の異常発熱時に確実に電源電流を遮断することができるとともに、設計の自由度を向上させることのできる電気回路装置を提供するものである。
上記の課題を解決するために、請求項1に係る電気回路装置の特徴は、配線パターンが表面に形成され、水平面に対して角度を有して配置された回路基板と、電源端子が放熱板を兼ね、該回路基板上に半田付けにより実装されるパワー素子と、を有する電気回路装置において、前記電源端子が半田付けにより固定される前記配線パターンは、前記パワー素子に電源を供給する電源部と、該電源部より下方に位置し、前記パワー素子の放熱をする放熱部)と、に分割されていることである。
請求項2に係る電気回路装置の特徴は、請求項1において、前記パワー素子の落下を防止するストッパが備えられていることである。
請求項3に係る電気回路装置の特徴は、請求項2において、前記回路基板はケース本体とカバーとからなるケースに収納され、前記回路基板は該ケース本体に取り付けられ、前記ストッパは前記カバーに設けられていることである。
請求項4に係る電気回路装置の特徴は、請求項1乃至3のいずれか1項において、前記回路基板は鉛直方向に配置されることである。
請求項5に係る電気回路装置の特徴は、請求項1乃至4のいずれか1項において、前記パワー素子は、ソースパッドを有するFETチップと、ソース電極端子を有するパッケージと、該ソースパッドと該ソース電極端子とを接続する接続部材と、を備え、前記ソース電極端子の溶断電流は、前記ソース電極端子が半田付けにより固定される前記配線パターンの溶断電流、前記電源端子の溶断電流、前記FETチップの溶断電流、前記ソースパッドの溶断電流及び前記接続部材の溶断電流のいずれよりも小さいことである。
請求項1に係る電気回路装置においては、電源端子が固定される配線パターンがパワー素子に電源を供給する電源部と、電源部より下方に位置し、パワー素子の放熱をする放熱部とに分割されている。そのため、パワー素子の電源端子が上方になるように実装すれば、パワー素子が異常発熱して半田が融解した場合、パワー素子が自重で下方に移動してパワー素子の電源端子と配線パターンの電源部とが容易に離れてしまう。これにより、例えパワー素子の電源端子が他の回路素子や配線パターンと接触したとしても、電源電流がこれらの回路素子や配線パターンに流れることはない。また、パワー素子の電源端子が横向きになるように実装した場合でも同様である。したがって、この電気回路装置によれば、パワー素子の異常発熱時に確実に電源電流を遮断することができるとともに、設計の自由度を向上させることができる。
請求項2に係る電気回路装置においては、パワー素子の落下を防止するストッパが備えられているため、パワー素子の落下による新たな故障を防止することができる。
請求項3に係る電気回路装置においては、ストッパがカバーに設けられているため、ストッパを回路基板に設ける必要がなく、組み付けが容易になる。
請求項4に係る電気回路装置においては、回路基板が鉛直方向に配置されるため、省スペースを実現することができる。
請求項5に係る電気回路装置においては、ソース電極端子の溶断電流が、ソース電極端子が半田付けにより固定される配線パターンの溶断電流、電源端子の溶断電流、FETチップの溶断電流、ソースパッドの溶断電流及び接続部材の溶断電流のいずれよりも小さくなっているため、パワー素子に過電流が流れた場合、ソース電極端子が溶断する。そのため、この電気回路装置によれば、パワー素子に過電流が流れた場合、確実に電源電流を遮断することができるとともに、小型化かつ低廉化が可能である。すなわち、従来、パワー素子に過電流が流れた場合の対策として、例えば、特開2001−189650号公報、及び特開2003−68967号公報に記載されたパワー素子が知られている。特開2001−189650号公報に記載されたパワー素子は、加熱検出手段、遮断手段等を有する制御回路を備える、いわゆるインテリジェントパワーICであり、チップサイズが大型化するとともに、製造コストが高騰化するという欠点を有している。また、特開2003−68967号公報に記載されたパワー素子は、ソース電極端子等にヒューズ部を設けたものであり、パワー素子の使われ方に応じて、ヒューズ部の溶断電流や溶断時間を変えるためにヒューズ部の形状を変更する等の設計が必要であるという欠点を有している。しかし、請求項5に係る電気回路装置においては、パワー素子に過電流が流れた場合、ソース電極端子自体が溶断するようになっているため、ヒューズ部を設ける必要がないのみならず、通常のパワー素子にインテリジェントパワーICと同等の保護機能をもたせることができる。
本発明に係る電気回路装置を具体化した実施形態を図面に基づいて以下に説明する。図1は実施形態の電気回路装置の正面図であり、図2は実施形態の電気回路装置の断面図である。図1に示すように、この電気回路装置は、パワー素子10、パワー素子としてのインテリジェントパワーIC15、電解コンデンサ40、抵抗41等が半田付けにより実装された回路基板3を有している。この回路基板3は、図2に示すように、樹脂製のケース本体2aと樹脂製のカバー2bとからなるケース2に収納されている。回路基板3はケース本体2aに取り付けられ、カバー2bにはパワー素子10の落下を防止する樹脂製のストッパ21、22、23が設けられている。そして、この電気回路装置は、回路基板3が鉛直方向を向く状態で使用される。
まず、図3(A)、(B)に示すように、パワー素子10のドレイン電極端子11が上方を向くように実装されている場合について説明する。パワー素子10の電源端子としてのドレイン電極端子11、ソース電極端子12、ゲート電極端子13は、各々配線パターン31、32、33に半田付けされ、パワー素子10のドレイン電極端子11が上方を向くように実装されている。配線パターン31は、スリット31cにより、パワー素子10に電源を供給する電源部31aと、電源部31aより下方に位置し、パワー素子10の放熱をする放熱部31bとに分割されている。また、パワー素子10のドレイン電極端子11は放熱板を兼ねており、ドレイン電極端子11の一部分が電源部31aに半田付けされ、ドレイン電極端子11の大部分が放熱部31bに半田付けされている。この電気回路装置の電気回路においては、図3(C)に示すように、パワー素子10のゲート電極端子13にはパワー素子駆動回路5が接続され、ドレイン電極端子11には電源7が接続され、ソース電極端子12にはモータ6が接続されている。
この電気回路装置では、パワー素子10が異常発熱してパワー素子10のドレイン電極端子11、ソース電極端子12、ゲート電極端子13と配線パターン31、32、33との間の半田が融解すると、図4(A)、(B)に示すように、パワー素子10は自重で下方に移動する。この際、ドレイン電極端子11が配線パターン31の電源部31aから離れると、図4(C)に示すように、パワー素子10のドレイン電極端子11と電源7とが断線される。これにより、直ちに電源7からドレイン電極端子11への電流が遮断され、パワー素子10の発熱が停止して、半田はその融点以下に冷却されて凝固する。ここで、配線パターン31の放熱部31bは大きな面積を有するため、パワー素子10は凝固した半田により図4(A)、(B)に示す状態で固定される。
また、この電気回路装置では、図1、2に示すように、カバー2bにはパワー素子10の落下を防止するストッパ21、22、23が設けられている。そのため、例えばパワー素子10が重い場合等、パワー素子10が凝固した半田により図4(A)、(B)に示す状態で固定されない場合であっても、図5(A)、(B)、(C)に示すように、ストッパ21、22、23によりパワー素子10の落下が防止される。ここで、図5(A)は正面図、図5(B)は側面図、図5(C)は底面図である。
次に、パワー素子10のドレイン電極端子11が横方向を向くように実装されている場合について説明する。図6(A)および図7(A)に示すように、パワー素子10のドレイン電極端子11、ソース電極端子12、ゲート電極端子13は、各々配線パターン31、32、33に半田付けされ、パワー素子10のドレイン電極端子11が横方向を向くように実装されている。ただし、図6(A)と図7(A)とでは、パワー素子10の向きが逆になっている。配線パターン31は、スリット31cにより、パワー素子10に電源を供給する電源部31aと、電源部31aより下方に位置し、パワー素子10の放熱をする放熱部31bとに分割されている。また、パワー素子10のドレイン電極端子11は放熱板を兼ねており、ドレイン電極端子11の一部分が電源部31aに半田付けされ、ドレイン電極端子11の大部分が放熱部31bに半田付けされている。この電気回路装置の電気回路は図3(C)に示すものと同じである。また、図6(A)および図7(A)においては、ストッパ21、22、23を省略している。
この電気回路装置では、パワー素子10が異常発熱してパワー素子10のドレイン電極端子11、ソース電極端子12、ゲート電極端子13と配線パターン31、32、33との間の半田が融解すると、図6(B)および図7(B)に示すように、パワー素子10は自重で下方に移動する。この際、ドレイン電極端子11が配線パターン31の電源部31aから離れると、パワー素子10のドレイン電極端子11と電源7とが断線される。これにより、直ちに電源7からドレイン電極端子11への電流が遮断され、パワー素子10の発熱が停止して、半田はその融点以下に冷却されて凝固する。ここで、配線パターン31の放熱部31bは大きな面積を有するため、パワー素子10は凝固した半田により図6(B)および図7(B)に示す状態で固定される。なお、例えばパワー素子10が重い場合等、パワー素子10が凝固した半田により図6(B)および図7(B)に示す状態で固定されない場合であっても、図示しないストッパ21、22、23によりパワー素子10の落下が防止される。
次に、図8(A)に示すように、パワー素子としてインテリジェントパワーIC15が実装されている場合について説明する。インテリジェントパワーIC15の電源端子としてのドレイン電極端子16、ソース電極端子17、ゲート電極端子18は、各々配線パターン36、37、38に半田付けされている。配線パターン36は、スリット36cにより、インテリジェントパワーIC15に電源を供給する電源部36aと、電源部36aより下方に位置し、インテリジェントパワーIC15の放熱をする放熱部36bとに分割されている。また、インテリジェントパワーIC15のドレイン電極端子16は放熱板を兼ねており、ドレイン電極端子16の一部分が電源部36aに半田付けされ、ドレイン電極端子16の大部分が放熱部36bに半田付けされている。図8(A)(B)においては、ストッパ21、22、23を省略している。
この電気回路装置では、インテリジェントパワーIC15が異常発熱してインテリジェントパワーIC15のドレイン電極端子16、ソース電極端子17、ゲート電極端子18と配線パターン36、37、38との間の半田が融解すると、図8(B)に示すように、インテリジェントパワーIC15は自重で下方に移動する。この際、ドレイン電極端子16が配線パターン36の電源部36aから離れると、インテリジェントパワーIC15のドレイン電極端子16と電源7とが断線される。これにより、直ちに電源7からドレイン電極端子16への電流が遮断され、インテリジェントパワーIC15の発熱が停止して、半田はその融点以下に冷却されて凝固する。ここで、配線パターン36の放熱部36bは大きな面積を有するため、インテリジェントパワーIC15は凝固した半田により図8(B)に示す状態で固定される。なお、例えばインテリジェントパワーIC15が重い場合等、インテリジェントパワーIC15が凝固した半田により図8(B)に示す状態で固定されない場合であっても、図示しないストッパ21、22、23によりインテリジェントパワーIC15の落下が防止される。
次に、過電流の対策について説明する。図9(A)に示すように、図3(A)、(B)と同様、パワー素子10のドレイン電極端子11、ソース電極端子12、ゲート電極端子13は、各々配線パターン31、32、33に半田付けされ、パワー素子10のドレイン電極端子11が上方を向くように実装されている。パワー素子10の実装方法は図3(A)、(B)と同様である。また、この電気回路装置の回路図は、図3(C)に示すものと同様である。
図9(B)に示すように、パワー素子10は、FETチップ40とパッケージ45とを備えている。FETチップ40は、ドレイン電極端子11、ソースパッド42及びゲートパッド43を有している。また、パッケージ45は、ソース電極端子12、ゲート電極端子13及び樹脂部46を有している。そして、ゲートパッド43とゲート電極端子13とがワイヤ48により接続され、ソースパッド42とソース電極端子12とが接続銅板47により接続されている。このソース電極端子12の溶断電流は、配線パターン32の溶断電流、電源端子11の溶断電流、FETチップ40の溶断電流、ソースパッド42の溶断電流及び接続銅板47の溶断電流のいずれよりも小さくなっている。ここで、接続銅板47が接続部材である。なお、ソースパッド42とソース電極端子12との接続は、接続部分の溶断電流がソース電極端子12の溶断電流よりも大きくなっていればよく、例えば、ワイヤボンディングによることも可能である。
この電気回路装置では、パワー素子10に過電流が流れると、ソース電極端子12の溶断電流が配線パターン32の溶断電流、電源端子11の溶断電流、FETチップ40の溶断電流、ソースパッド42の溶断電流及び接続銅板47の溶断電流のいずれよりも小さくなっているため、図10(A)のF部に示すように、ソース電極端子12が溶断する。このソース電極端子12の溶断により、図10(B)に示すように、パワー素子10のソース電極端子12とモータ6とが断線される。このため、通常のパワー素子10にインテリジェントパワーICと同等の保護機能をもたせることができる。なお、この電気回路装置をインテリジェントパワーICに適用すれば、インテリジェントパワーICの過電流検出回路等の保護回路の故障に対応することができる。
本実施形態の電気回路装置においては、ドレイン電極端子11、16が固定される配線パターン31、36が、スリット31c、36cにより、パワー素子10、インテリジェントパワーIC15に電源を供給する電源部31a、36aと、電源部31a、36aより下方に位置し、パワー素子10、インテリジェントパワーIC15の放熱をする放熱部31b、36bとに分割されている。そのため、パワー素子10、インテリジェントパワーIC15が異常発熱して半田が融解した場合、パワー素子10、インテリジェントパワーIC15が自重で下方に移動してパワー素子10、インテリジェントパワーIC15のドレイン電極端子11、16と配線パターン31、36の電源部31a、36aとが容易に離れてしまう。これにより、例えパワー素子10、インテリジェントパワーIC15のドレイン電極端子11、16が他の回路素子や配線パターンと接触したとしても、電源電流がこれらの回路素子や配線パターンに流れることはない。
また、この電気回路装置においては、パワー素子10、インテリジェントパワーIC15の落下を防止するストッパ21、22、23が備えられているため、パワー素子10、インテリジェントパワーIC15の落下による新たな故障を防止することができる。このストッパ21、22、23は樹脂製であり、ストッパ21、22、23を通じて電源電流が流れることもない。
さらに、この電気回路装置においては、ストッパ21、22、23がカバー2に設けられているため、ストッパ21、22、23を回路基板3に設ける必要がなく、組み付けが容易になる。なお、ストッパ21、22、23はカバー2と一体成形してもよく、またカバー2に取り付けてもよい。
また、この電気回路装置においては、回路基板3が鉛直方向に配置されるため、省スペースを実現することができる。
したがって、実施形態の電気回路装置によれば、パワー素子10、インテリジェントパワーIC15の異常発熱時に確実に電源電流を遮断することができるとともに、設計の自由度を向上させることができる。
また、この電気回路装置においては、ソース電極端子12の溶断電流が、ソース電極端子12が半田付けにより固定される配線パターン32の溶断電流、電源端子11の溶断電流、FETチップ40の溶断電流、ソースパッド42の溶断電流及び接続銅板47の溶断電流のいずれよりも小さくなっているため、パワー素子10に過電流が流れた場合、ソース電極端子12が溶断する。したがって、この電気回路装置によれば、パワー素子10に過電流が流れた場合、確実に電源電流を遮断することができるとともに、小型化かつ低廉化が可能である。
なお、実施形態の電気回路装置においては、回路基板3を鉛直方向に配置したが、水平面に対して角度を有して配置すればよく、必ずしも鉛直方向に配置しなくてもよい。
以上、本発明の電気回路装置を実施形態に即して説明したが、本発明はこれらに制限されるものではなく、本発明の技術的思想に反しない限り、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
実施形態の電気回路装置の正面図。 実施形態の電気回路装置の断面図。 実施形態の電気回路装置に係り、実装時のパワー素子の正面図、側面図および回路図。 実施形態の電気回路装置に係り、異常発熱時のパワー素子の正面図、側面図および回路図。 実施形態の電気回路装置に係り、異常発熱時のパワー素子の正面図、側面図および底面図。 実施形態の電気回路装置に係り、実装時および異常発熱時のパワー素子の正面図。 実施形態の電気回路装置に係り、実装時および異常発熱時のパワー素子の正面図。 実施形態の電気回路装置に係り、実装時および異常発熱時のインテリジェントパワーICの正面図。 実施形態の電気回路装置に係り、実装時のパワー素子の正面図および断面図。 実施形態の電気回路装置に係り、過電流時のパワー素子の正面図および回路図。 従来の電気回路装置に係り、実装時のMOSFETの正面図、側面図および回路図。 従来の電気回路装置に係り、異常発熱時のMOSFETの正面図、側面図および回路図。 従来の電気回路装置に係り、異常発熱時のMOSFETの正面図および側面図。 従来の電気回路装置に係り、異常発熱時のMOSFETの正面図。
符号の説明
2…ケース、2a…ケース本体、2b…カバー、3…回路基板、31、32、33、36、37、38…配線パターン、31a、36a…電源部、31b、36b…放熱部、10、15…パワー素子(15…インテリジェントパワーIC)、11、16…電源端子(ドレイン電極端子)、12…ソース電極端子、21、22、23…ストッパ、40…FETチップ、42…ソースパッド、45…パッケージ、47…接続部材(接続銅板)。

Claims (5)

  1. 配線パターン(31、32、33、36、37、38)が表面に形成され、水平面に対して角度を有して配置された回路基板(3)と、電源端子(11、16)が放熱板を兼ね、該回路基板(3)上に半田付けにより実装されるパワー素子(10、15)と、を有する電気回路装置において、
    前記電源端子(11、16)が半田付けにより固定される前記配線パターン(31、36)は、前記パワー素子(10、15)に電源を供給する電源部(31a、36a)と、
    該電源部(31a、36a)より下方に位置し、前記パワー素子(10、15)の放熱をする放熱部(31b、36b)と、に分割されていることを特徴とする電気回路装置。
  2. 請求項1において、前記パワー素子(10、15)の落下を防止するストッパ(21、22、23)が備えられていることを特徴とする電気回路装置。
  3. 請求項2において、前記回路基板(3)はケース本体(2a)とカバー(2b)とからなるケース(2)に収納され、前記回路基板(3)は該ケース本体(2a)に取り付けられ、前記ストッパ(21、22、23)は前記カバー(2b)に設けられていることを特徴とする電気回路装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか1項において、前記回路基板(3)は鉛直方向に配置されることを特徴とする電気回路装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項において、
    前記パワー素子(10)は、ソースパッド(42)を有するFETチップ(40)と、ソース電極端子(12)を有するパッケージ(45)と、該ソースパッド(42)と該ソース電極端子(12)とを接続する接続部材(47)と、を備え、
    前記ソース電極端子(12)の溶断電流は、前記ソース電極端子(12)が半田付けにより固定される前記配線パターン(32)の溶断電流、前記電源端子(11)の溶断電流、前記FETチップ(40)の溶断電流、前記ソースパッド(42)の溶断電流及び前記接続部材(47)の溶断電流のいずれよりも小さいことを特徴とする電気回路装置。
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