JP4873007B2 - コンデンサ - Google Patents
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Description
22,122,222 誘電体層
23,123,223 コンデンサ本体
24 アース用電極
25,127,128,227,228 直流バイアス印加用電極
26,124,125,224,225 容量取得用電極
27,129,229 第1の側面
28,130,230 第2の側面
29,131,231 第3の側面
30,132,232 第4の側面
31 アース用端子導体膜
32,133,134,233,234 直流バイアス印加用端子導体膜
33,135,235 第1の容量取得用端子導体膜
34,136,236 第2の容量取得用端子導体膜
37,137,237 直流バイアス
238,239 電極指
図1および図2は、この発明の第1の実施形態によるコンデンサ21を説明するためのものである。図1において、(a)は、前述した図24または図26に対応する図であって、コンデンサ21を、誘電体層22の積層方向に向く断面をもって示す正面図であり、(b)〜(d)は、前述した図25に対応する図であって、コンデンサ21を、誘電体層22の主面方向に延びる断面をもって示す平面図である。また、図2は、コンデンサ21に直流バイアスを印加している状態の等価回路図である。
(第2の局面に係る実施の形態)
図10および図11は、この発明の第4の実施形態によるコンデンサ121を説明するためのものである。図10において、(a)は、前述した図24または図26に対応する図であって、コンデンサ121を、誘電体層122の積層方向に向く断面をもって示す正面図であり、(b)および(c)は、前述した図25に対応する図であって、コンデンサ121を、誘電体層122の主面方向に延びる断面をもって示す平面図である。また、図11は、コンデンサ121に直流バイアスを印加している状態の等価回路図である。
(第3の局面に係る実施の形態)
図15および図16は、この発明の第7の実施形態によるコンデンサ221を説明するためのものである。図15において、(a)は、前述した図24または図26に対応する図であって、コンデンサ221を、誘電体層222の積層方向に向く断面をもって示す正面図であり、(b)ないし(d)は、前述した図25に対応する図であって、コンデンサ221を、誘電体層222の主面方向に延びる断面をもって示す平面図である。また、図16は、コンデンサ221に直流バイアスを印加している状態の等価回路図である。
図15(c)には、第1および第2の直流バイアス印加用電極227および228が通る断面が示されている。第1の直流バイアス印加用電極227は、第1の側面229にまで引き出され、ここで、第1の直流バイアス印加用端子導体膜233に電気的に接続される。第2の直流バイアス印加用電極228は、第2の側面230にまで引き出され、ここで、第2の直流バイアス印加用端子導体膜234に電気的に接続される。
Claims (17)
- 複数の誘電体層をもって構成される積層構造を有する、コンデンサ本体を備え、
前記コンデンサ本体は、特定の前記誘電体層に沿って設けられるアース用電極と、特定の前記誘電体層を介して前記アース用電極と対向しかつ前記アース用電極との間で直流バイアスを印加するために用いられる直流バイアス印加用電極と、特定の前記誘電体層を介して前記アース用電極と対向することによって静電容量を形成するように設けられる容量取得用電極とを含み、
前記直流バイアス印加用電極が、前記アース用電極と前記容量取得用電極との間に位置され、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記アース用電極に電気的に接続される、アース用端子導体膜と、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記直流バイアス印加用電極に電気的に接続される、直流バイアス印加用端子導体膜と、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記容量取得用電極に電気的に接続される、第1の容量取得用端子導体膜と
をさらに備える、コンデンサ。 - 複数の誘電体層をもって構成される積層構造を有する、コンデンサ本体を備え、
前記コンデンサ本体は、特定の前記誘電体層に沿って設けられるアース用電極と、特定の前記誘電体層を介して前記アース用電極と対向しかつ前記アース用電極との間で直流バイアスを印加するために用いられる直流バイアス印加用電極と、特定の前記誘電体層を介して前記アース用電極と対向することによって静電容量を形成するように設けられる容量取得用電極とを含み、
前記容量取得用電極が、前記アース用電極と前記直流バイアス印加用電極との間に位置され、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記アース用電極に電気的に接続される、アース用端子導体膜と、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記直流バイアス印加用電極に電気的に接続される、直流バイアス印加用端子導体膜と、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記容量取得用電極に電気的に接続される、第1の容量取得用端子導体膜と
をさらに備える、コンデンサ。 - 前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記アース用電極に電気的に接続される、第2の容量取得用端子導体膜をさらに備え、前記コンデンサ本体は、積層方向に延びる4つの側面を有する直方体状であり、前記アース用端子導体膜は、第1の前記側面上に設けられ、前記直流バイアス印加用端子導体膜は、前記第1の側面に対向する第2の前記側面上に設けられ、前記第1の容量取得用端子導体膜は、前記第1および第2の側面に隣接する第3の前記側面上に設けられ、前記第2の容量取得用端子導体膜は、前記第3の側面に対向する第4の前記側面上に設けられる、請求項1または2に記載のコンデンサ。
- 少なくとも前記アース用電極と前記直流バイアス印加用電極との間に位置する前記誘電体層は、誘電特性の直流バイアス依存性の大きい材料から構成される、請求項1ないし3のいずれかに記載のコンデンサ。
- 前記コンデンサ本体は、複数組の前記アース用電極、前記直流バイアス印加用電極および前記容量取得用電極を含む、請求項1ないし4のいずれかに記載のコンデンサ。
- 複数の誘電体層をもって構成される積層構造を有する、コンデンサ本体を備え、
前記コンデンサ本体は、特定の前記誘電体層を介して互いに対向することによって静電容量を形成するように設けられる第1および第2の容量取得用電極と、前記第1および第2の容量取得用電極間に位置する前記誘電体層の容量形成領域に直流バイアスを印加するために用いられる第1および第2の直流バイアス印加用電極とを含み、
前記第1の直流バイアス印加用電極は、前記第1の容量取得用電極が設けられた前記誘電体層の主面と同一の主面上に設けられ、
前記第2の直流バイアス印加用電極は、前記第2の容量取得用電極が設けられた前記誘電体層の主面と同一の主面上に設けられ、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記第1および第2の直流バイアス印加用電極にそれぞれ電気的に接続される、第1および第2の直流バイアス印加用端子導体膜と、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記第1および第2の容量取得用電極にそれぞれ電気的に接続される、第1および第2の容量取得用端子導体膜と
をさらに備える、コンデンサ。 - 前記第1の容量取得用電極に対して、前記第1の直流バイアス印加用電極が位置する側は、前記第2の容量取得用電極に対して、前記第2の直流バイアス印加用電極が位置する側とは逆側とされる、請求項6に記載のコンデンサ。
- 前記コンデンサ本体は、積層方向に延びる4つの側面を有する直方体状であり、前記第1の直流バイアス印加用端子導体膜は、第1の前記側面上に設けられ、前記第2の直流バイアス印加用端子導体膜は、前記第1の側面に対向する第2の前記側面上に設けられ、前記第1の容量取得用端子導体膜は、前記第1および第2の側面に隣接する第3の前記側面上に設けられ、前記第2の容量取得用端子導体膜は、前記第3の側面に対向する第4の前記側面上に設けられる、請求項6または7に記載のコンデンサ。
- 少なくとも前記容量形成領域を構成する前記誘電体層は、誘電特性の直流バイアス依存性の大きい材料から構成される、請求項6ないし8のいずれかに記載のコンデンサ。
- 前記コンデンサ本体は、複数組の前記第1の容量取得用電極、前記第2の容量取得用電極、前記第1の直流バイアス印加用電極および前記第2の直流バイアス印加用電極を含む、請求項6ないし9のいずれかに記載のコンデンサ。
- 複数の誘電体層をもって構成される積層構造を有する、コンデンサ本体を備え、
前記コンデンサ本体は、特定の前記誘電体層を介して互いに対向することによって静電容量を形成するように設けられる第1および第2の容量取得用電極と、前記第1および第2の容量取得用電極間に位置する前記誘電体層の容量形成領域に直流バイアスを印加するために用いられる第1および第2の直流バイアス印加用電極とを含み、
前記第1および第2の直流バイアス印加用電極は、前記第1および第2の容量取得用電極の間に挟まれた同じ前記誘電体層の同じ主面上に設けられ、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記第1および第2の直流バイアス印加用電極にそれぞれ電気的に接続される、第1および第2の直流バイアス印加用端子導体膜と、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記第1および第2の容量取得用電極にそれぞれ電気的に接続される、第1および第2の容量取得用端子導体膜と
をさらに備える、コンデンサ。 - 前記誘電体層の主面方向での位置に関して、前記第1および第2の直流バイアス印加用電極は、前記容量形成領域に重ならないように設けられる、請求項11に記載のコンデンサ。
- 前記誘電体層の主面方向での位置に関して、前記第1および第2の直流バイアス印加用電極は、前記容量形成領域に重なるように設けられる、請求項11に記載のコンデンサ。
- 前記第1および第2の直流バイアス印加用電極は、ともに、並列した複数の電極指を形成する櫛歯状をなしており、前記第1の直流バイアス印加用電極に備える各前記電極指は、前記第2の直流バイアス印加用電極に備える前記電極指の各間に入り込むように位置している、請求項11または13に記載のコンデンサ。
- 前記コンデンサ本体は、積層方向に延びる4つの側面を有する直方体状であり、前記第1の直流バイアス印加用端子導体膜は、第1の前記側面上に設けられ、前記第2の直流バイアス印加用端子導体膜は、前記第1の側面に対向する第2の前記側面上に設けられ、前記第1の容量取得用端子導体膜は、前記第1および第2の側面に隣接する第3の前記側面上に設けられ、前記第2の容量取得用端子導体膜は、前記第3の側面に対向する第4の前記側面上に設けられる、請求項11ないし14のいずれかに記載のコンデンサ。
- 少なくとも前記容量形成領域を構成する前記誘電体層は、誘電特性の直流バイアス依存性の大きい材料から構成される、請求項11ないし15のいずれかに記載のコンデンサ。
- 前記コンデンサ本体は、複数組の前記第1の容量取得用電極、前記第2の容量取得用電極、前記第1の直流バイアス印加用電極および前記第2の直流バイアス印加用電極を含む、請求項11ないし16のいずれかに記載のコンデンサ。
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