JP4872870B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および投射型表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置などの電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。

各種の電気光学装置のうち、液晶装置では、素子基板と対向基板との間に液晶層が保持され、対向基板側から入射した光を液晶層によって変調し、素子基板側から出射する。素子基板は、透光性基板上に、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数形成された画素領域と、画素領域より外周側で配線や駆動回路用トランジスタが複数形成された周辺回路領域とを有している。かかる電気光学装置は、例えば、投射型表示装置においてライトバルブとして用いられ、変調した光を投射光学系によりスクリーンなどの被投射面に拡大投射して画像を表示する。

このような投射型表示装置では、変調された光が、素子基板の出射側の面や電気光学装置に対して出射側に配置された光学系などで反射すると、反射光が戻り光として電気光学装置の素子基板側から入射することがあり、このような戻り光が画素トランジスタに入射すると、光リーク電流の原因となる。そこで、素子基板において、画素トランジスタの下層側に遮光層を形成して光リーク電流の発生などを防止することが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
特開２００４−３４２９２３号公報 特開２０００−１３１７１６号公報 特開２０００−２９８２９０号公報

しかしながら、電気光学装置の素子基板では、周辺回路領域に金属配線や金属電極が高密度に配置されているため、戻り光が周辺回路領域に入射すると、周辺回路領域で正反射した戻り光が素子基板から出射され、スクリーン上では、図１１に示すように、投射画像３１０の外縁に沿って、周辺回路の写り込み３２０が発生してしまうという問題点があり、かかる問題点については、従来、十分な対策が施されていない。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、素子基板に対して戻り光が入射した場合に、戻り光が周辺回路領域で正反射して再び、素子基板側から出射されることを防止することができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、透光性基板の第１面側に、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数形成された画素領域と、該画素領域の外側に、配線および駆動回路用トランジスタが複数形成された周辺回路とを有する素子基板を備え、前記透光性基板の前記第１面とは反対側の第２面側から変調した光を出射する電気光学装置において、前記透光性基板の前記周辺回路と重なる領域には、前記透光性基板の前記第２面側から入射した光を散乱させる複数の光散乱用凹凸が形成されており、前記複数の光散乱用凹凸を構成する凹部は、内面が遮光層で覆われていることを特徴とする。

本発明では、素子基板に用いた透光性基板において周辺回路領域に対して重なる領域に複数の光散乱用凹凸が形成されているため、変調された光が、素子基板の出射側の面や電気光学装置に対して出射側に配置された光学系などで反射して戻り光として素子基板側から入射した場合でも、戻り光は複数の光散乱用凹凸によって散乱する。このため、戻り光が周辺回路領域で正反射して素子基板から出射されることがないので、スクリーンなどの被投射面に表示された画像の外縁に沿って周辺回路領域が写り込むことを防止することができる。また、素子基板に用いた透光性基板において周辺回路領域に対して重なる領域にベタの遮光膜を形成すると、かかる遮光膜の存在がスクリーンなどの被投射面に表示された画像の外縁に沿って写り込むことになるが、本発明では、光散乱用凹凸で戻り光を散乱させるので、かかる問題が発生することもない。

本発明において、前記複数の光散乱用凹凸を構成する凹部は、内面が遮光層で覆われている構成を採用することができる。このように構成すると、戻り光の一部が遮光層で反射した場合でも、散乱しながら反射するため、不要な写り込みを防止することができる。

本発明において、前記複数の光散乱用凹凸を構成する凹部は、内面が遮光層で覆われているとともに、前記複数の凹部は、前記遮光層を覆うように形成された充填材料により内部が埋められ、当該充填材料によって、前記透光性基板において前記複数の凹部の形成領域は平坦化されていることが好ましい。このように構成すると、戻り光の一部が遮光層で反射した場合でも、散乱しながら反射するため、不要な写り込みを防止することができる。また、素子基板において光散乱用凹凸が形成されている領域上に周辺回路を形成する場合でも、光散乱用凹凸に起因する段差のない領域に周辺回路を形成でき、段差によって周辺回路の信頼性などが低下することを確実に防止することができる。

本発明において、前記遮光層は、光を一部透過可能な半透過性遮光膜であってもよい。このように構成すると、光散乱用凹凸での反射光量を減少させることができる。

本発明において、前記複数の光散乱用凹凸を構成する複数の凹部の内面は、前記透光性基板と異なる屈折率を有する透光性材料で覆われている構成を採用することができる。このように構成すると、光散乱用凹凸での屈折作用で戻り光を散乱させることができる。

この場合、前記凹部は、内部が前記透光性材料により埋められ、当該透光性材料によって、前記透光性基板において前記複数の凹部の形成領域は平坦化されていることが好ましい。このように構成すると、素子基板において光散乱用凹凸が形成されている領域上に周辺回路を形成する場合でも、光散乱用凹凸に起因する段差のない領域に周辺回路を形成でき、段差によって周辺回路の信頼性などが低下することを確実に防止することができる。

本発明において、前記複数の光散乱用凹凸は、例えば、前記透光性基板において球面状に凹む複数の凹部により構成されている。このように構成すると、戻り光を効率よく散乱させることができる。

本発明において、前記複数の光散乱用凹凸が、前記透光性基板において断面円弧状の複数の溝状凹部により形成されている構成を採用してもよい。このように構成すると、戻り光を効率よく散乱させることができる。

本発明に係る電気光学装置は、例えば液晶装置であり、液晶装置は、前記素子基板に対して対向配置された対向基板を備え、当該対向基板と前記素子基板との間に液晶層が保持されている。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は、透光性基板の第１面側に、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数形成された画素領域と、該画素領域の外側に、配線および駆動回路用トランジスタが複数形成された周辺回路とを有する素子基板を備え、前記透光性基板において前記第１面とは反対側の第２面側から変調した光を出射する電気光学装置の製造方法において、前記透光性基板の前記周辺回路と重なる領域に、前記透光性基板の前記第２面側から入射した光を散乱させる複数の光散乱用凹凸を形成するにあたって、前記透光性基板に対して、前記複数の光散乱用凹凸の凹部とすべき領域に開孔部を備えたマスクを形成するマスク形成工程と、前記開孔部から前記透光性基板にウエットエッチングを行なう凹部形成工程と、を行なうことを特徴とする。

かかる製造方法によれば、凹部形成工程において、エッチングが等方的に進行する結果、球面状の凹部や断面円弧状の溝状凹部を形成することができる。

本発明を適用した電気光学装置は、例えば、投射型表示装置に用いられ、かかる投射型表示装置は、前記電気光学装置により光変調した光を投射する投射光学系を備えている。

図面を参照して、本発明を適用した電気光学装置（液晶装置）を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

［投射型表示装置の構成］
図１を参照して、本発明を適用した電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を説明する。図１は、本発明を適用した投射型表示装置の概略構成図である。

図１に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１（被投射面）に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する。投射型表示装置１１０は、光源１１２、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０などを備えた光源部１４０と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、投射光学系１１８とを備えている。

光源１１２は、赤色光、緑色光および青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光および青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光および青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。

ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレータ１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレータ１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置（液晶装置）である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃおよび第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置（液晶装置）である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃおよび第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置（液晶装置）である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃおよび第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａおよび第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光および青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

以下、図１に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブ１１５〜１１７（電気光学装置／液晶装置）に用いた液晶パネルの構成を詳述する。なお、図１に示す液晶ライトバルブ１１５〜１１７および液晶パネル１１５ｃ〜１１７ｃは、変調する光の波長領域が異なるだけであり、基本的構成が共通するので、液晶ライトバルブ１１５〜１１７を電気光学装置１００とし、液晶パネル１１５ｃ〜１１７ｃを液晶パネル１００ｐとして説明する。

［実施の形態１］
（液晶パネルの全体構成）
図２は、図１に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブ（電気光学装置／液晶装置）に用いた液晶パネルの電気的構成を示すブロック図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、そのＨ−Ｈ′断面図、およびＩ−Ｉ′断面図である。

図２に示すように、電気光学装置１００は、液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素トランジスタとしての電界効果型トランジスタ３０、および画素電極９ａが形成されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のドレインには画素電極９ａが電気的に接続されている。

素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域は、走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１などが形成された周辺回路領域１０ｄになっている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路２０２から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号がリークするのを防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、走査線３ａと並列するように容量線３ｂが形成されており、かかる容量線３ｂは共通電位線ＣＯＭに接続され、所定の電位に保持されている。なお、保持容量６０は前段の走査線３ａとの間に形成される場合もある。

図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。

素子基板１０において、シール材１０７と重なる領域およびその外側領域では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。また、２つの走査線駆動回路１０４は配線１０５で電気的に接続されている。

詳しくは後述するが、素子基板１０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。また、対向基板２０では、素子基板１０の画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる共通電極２１が形成されている。

画素領域１０ｂには、額縁１０８と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。いずれの場合も、画素領域１０ｂの外側（画像表示領域１０ａの外側）は、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、複数の端子１０２、配線１０５が形成された周辺回路領域１０ｄとして利用される。

（液晶パネルおよび素子基板の詳細構成）
図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。

図４（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材（図示せず）によって貼り合わされている。素子基板１０には、石英基板やガラス基板などからなる透光性基板１０ｓの表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜１２が形成されているとともに、その表面側において、画素電極９ａと重なる位置にｎチャネル型の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、ポリシリコン層あるいは単結晶シリコン層からなる島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。また、半導体層１ａの表面側にはゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面にゲート電極３ｃ（走査線３ａ）が形成されている。

電界効果型トランジスタ３０の上層側には、層間絶縁層７、８が形成されている。層間絶縁層７の表面にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁層７に形成されたコンタクトホール７ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。また、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁層７に形成されたコンタクトホール７ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。層間絶縁層８の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁層８に形成されたコンタクトホール８ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１６が形成されている。また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁層２と同時形成された絶縁層（誘電体膜）を介して、走査線３ｃと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、保持容量６０が構成されている。

対向基板２０は、石英基板やガラス基板からなる透光性基板２０ｓに対して遮光層２３、共通電極２１、および配向膜２６などが形成されている。

このように構成した素子基板１０と対向基板２０とは、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように配置され、かつ、これらの基板間には、シール材（図示せず）により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６、２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種または数種のネマティック液晶を混合したものなどからなる。

（駆動回路の構成）
図５（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板に形成した相補型電界効果型トランジスタの平面図、およびそのＢ−Ｂ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。

図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の表面側のうち、画素領域１０ｂの外側（画像表示領域１０ａの外側）は、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、複数の端子１０２、配線１０５が形成された周辺回路領域１０ｄとして利用される。このようなデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４は、例えば、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｐチャネル型の電界効果型トランジスタ８０とＮチャネル型の電界効果型トランジスタ９０とを備えた相補回路などを有している。

図５（ａ）、（ｂ）において、電界効果型トランジスタ８０、９０は、画素スイッチング用の電界効果型トランジスタ３０の製造工程の一部を利用して形成されたものであり、電界効果型トランジスタ８０、９０を構成する半導体層１ｐ、１ｎは、電界効果型トランジスタ３０を構成する半導体層１ａと同じくポリシリコン層や単結晶シリコン層である。

Ｎチャネル型の電界効果型トランジスタ９０は、チャネル領域１ｏの両側にＮ型のソース領域（高濃度ソース領域１ｓおよび低濃度ソース領域１ｑ）、およびドレイン領域（高濃度ドレイン領域１ｒおよび低濃度ドレイン領域１ｔ）を備えており、Ｐチャネル型の電界効果型トランジスタ８０は、チャネル領域１ｉの両側にＰ型のソース領域（高濃度ソース領域１ｌおよび低濃度ソース領域１ｊ）、およびドレイン領域（高濃度ドレイン領域１ｍおよび低濃度ドレイン領域１ｋ）を備えている。半導体層１ｐ、１ｎの表面側にはゲート絶縁層２が形成されている。

電界効果型トランジスタ８０、９０では、高電位線６ｅと低電位線６ｇが層間絶縁層７およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ｅ、７ｇを介して、半導体層１ｐ、１ｎの高濃度ソース領域１ｌ、１ｓに電気的に接続されている。また、出力配線６ｆは、層間絶縁層７およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ｆ、７ｋを介して半導体層１ｐ、１ｎの高濃度ドレイン領域１ｍ、１ｒに電気的にそれぞれ接続されている。また、入力配線６ｈは、層間絶縁層７を貫通するコンタクトホール７ｈを介して共通のゲート電極３ｅに接続されている。

このような構成の周辺回路領域１０ｄでは、アルミニウム配線などといった多数の金属配線が形成されているため、強い反射性を備えている。

（戻り光対策）
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明を適用した電気光学装置１００の素子基板１０に形成した光散乱用凹凸の平面的な構成を模式的に示す平面図、その断面図、およびその変形例の断面図である。

図２〜図５を参照して説明した電気光学装置１００および液晶パネル１００ｐを、図１を参照して説明した投射型表示装置１１０の液晶ライトバルブ１１５〜１１７および液晶パネル１１５ｃ〜１１７ｃとして用いると、光源部１４０から出射された光は、対向基板２０の側から入射した後、液晶層５０によって光変調されて、矢印Ｌ１で示すように、素子基板１０において、透光性基板１０ｓの第１面１０ｘ側から入射し、第２面１０ｙから出射される。その際、素子基板２０から出射された変調光の一部は、例えばクロスダイクロイックプリズム１１９の入射面などで反射して、矢印Ｌ２、Ｌ３で示すように、液晶パネル１００ｐに戻り光として入射することがある。このような戻り光のうち、矢印Ｌ２で示す戻り光は、画素領域１０ｂ（画像表示領域１０ａ）に入射して電界効果型トランジスタ３０に光リーク電流を発生させる原因となる。また、矢印Ｌ３で示す戻り光は、周辺回路領域１０ｄに入射しようとする光であり、かかる光は、周辺回路領域１０ｄで正反射すると、投射画像に周辺回路が写り込む原因となる。

そこで、本形態では、図３（ｂ）、図４（ｂ）、および図６ａ（ａ）、（ｂ）に示すように、画素領域１０ｂ（画像表示領域１０ａ）では、透光性基板１０ｓと下地保護膜１２との層間において電界効果型トランジスタ３０と重なる領域には、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜、チタン窒化膜などからなる遮光層１１ａが形成されている。

また、図３（ｃ）、図５（ｂ）、および図６（ａ）、（ｂ）に示すように、透光性基板１０ｓと下地保護膜１２との層間において周辺回路領域１０ｄと重なる領域には、透光性基板１０ｓの第２面側から入射した光を散乱させる複数の光散乱用凹凸１０ｔが形成されている。

本形態において、複数の光散乱用凹凸１０ｔは各々、球面状に凹む球面状凹部１０ｖを備えており、かかる球面状凹部１０ｖは、例えば、直径が数μｍ〜数１００μｍであり、深さは数１００ｎｍである。ここで、球面状凹部１０ｖは、内面が遮光層１１ｂで覆われており、かかる遮光層１１ｂは、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜、チタン窒化膜などからなり、光を一部透過可能な半透過性遮光膜である。本形態において、遮光層１１ｂは、遮光層１１ａと同時形成された膜である。

また、複数の球面状凹部１０ｖは、遮光層１１ｂを覆うように形成されたシリコン酸化膜などからなる下地保護膜１２により内部が埋められている。ここで、下地保護膜１２は、透光性基板１０ｓの第１面１０ｘの全面にわたって形成されており、かつ、その表面全体が平坦面になっている。従って、透光性基板１０ｓでは、複数の光散乱用凹凸１０ｔ（球面状凹部１０ｖ）の形成領域が平坦面になっている。

（素子基板１０の製造方法）
図７を参照して、素子基板１０に光散乱用凹凸１０ｔを形成する工程を中心に、本形態の電気光学装置１００の製造を説明する。図７は、本発明を適用した電気光学装置１００の製造工程のうち、素子基板１０に光散乱用凹凸１０ｔを形成する工程を示す工程断面図である。

本形態の電気光学装置１００に用いた素子基板１０を製造するには、まず、図７（ａ）に示すように、石英基板やガラス基板からなる透光性基板１０ｓを準備した後、マスク形成工程において、フォトリソグラフィ技術を用い、第１面１０ｘにレジストマスク６１を形成する。ここで、レジストマスク６１は、図６（ｂ）に示す球面状凹部１０ｖに対応する箇所に開孔部６１０を備えている。

次に、図７（ｂ）に凹部形成工程では、レジストマスク６１の開孔部６１０を介して、透光性基板１０ｓの第１面１０ｘにウエットエッチングを行ない、球面状凹部１０ｖを形成する。すなわち、ウエットエッチングによれば、開孔部６１０から等方的にエッチングが進行するため、球面状凹部１０ｖを形成することができる。

次に、レジストマスク６１を除去した後、図７（ｃ）に示すように、透光性基板１０ｓの第１面１０ｘに遮光層１１ａ、１１ｂを形成するためのポリシリコン膜、シリコン窒化膜、チタン窒化膜などからなり、遮光膜１１を形成する。

次に、図７（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、遮光膜１１の表面にレジストマスク６２を形成する。ここで、レジストマスク６２は、遮光層１１ａ、１１ｂを形成すべき領域を覆っており、他の領域に開孔部６２０を備えている。

次に、図７（ｅ）に示すように、レジストマスク６２の開孔部６２０を介して、遮光膜１１にウエットエッチングあるいはドライエッチングを行なった後、レジストマスク６２を除去すると、図７（ｆ）に示すように、遮光層１１ａ、１１ｂが形成される。

次に、遮光層１１ａ、１１ｂを覆うように、透光性基板１０ｓの第１面１０ｘの全面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜１２を形成した後、下地保護膜１２の表面を平坦化する。かかる平坦化を行なうにあたっては、例えば、化学機械研磨を行なう。この化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と透光性基板２０ｓとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などからなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、透光性基板２０ｆｓ保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と透光性基板２０ｓとの間に供給する。このようにして、球面状凹部１０ｖが遮光層１１ｂを覆うように形成されたシリコン酸化膜（下地保護膜１２／充填材料）により内部が埋められ、かかる下地保護膜１２によって、透光性基板１０ｓにおいて複数の球面状凹部１０ｖが形成されている領域を平坦化することができる。

しかる後には、単結晶シリコン基板と透光性基板１０ｓとの貼り合わせ技術による単結晶シリコン層の形成工程、あるいはアモルファスシリコン膜を形成した後のレーザアニールや急速加熱法などの結晶化処理によるポリシリコン層の形成工程を行なった後、かかるシリコン層を利用して電界効果型トランジスタ３０、８０、９０などを形成する。以降の工程については周知の方法を適用できるので、それらの説明を省略する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０に用いた透光性基板１０ｓにおいて、下地保護膜１２との層間には、電界効果型トランジスタ３０と重なる領域に遮光層１１ａが形成されているため、変調された光が、素子基板１０の出射側の面や、図１に示すクロスダイクロイックプリズム１１９の入射面で反射して、矢印Ｌ２で示す戻り光として素子基板１０側から入射した場合でも、戻り光は電界効果型トランジスタ３０に到達しないので、電界効果型トランジシタ３０に光リーク電流が発生しない。

また、変調された光が、矢印Ｌ３で示す戻り光として、素子基板１０の周辺回路領域１０ｄに向けて入射した場合でも、素子基板１０に用いた透光性基板１０ｓにおいて周辺回路領域１０ｄに対して重なる領域に複数の光散乱用凹凸１０ｔ（球面状凹部１０ｖ）が形成され、かかる光散乱用凹凸１０ｔでは、球面状凹部１０ｖの内面が遮光層１１ｂで覆われている。このため、戻り光は、矢印Ｌ５で示すように、球面状凹部１０ｖの外面で反射した際、散乱する。従って、戻り光が周辺回路領域１０ｄで正反射することがないので、投射画像の外縁部分に周辺回路領域１０ｄが写り込むのを防止することができる。

また、素子基板１０に用いた透光性基板１０ｓにおいて周辺回路領域１０ｄに対して重なる領域にベタの遮光膜を形成すると、かかる遮光膜の存在がスクリーンなどの被投射面に表示された画像の外縁に沿って写り込むことになるが、本形態では、光散乱用凹凸１０ｔで戻り光を散乱させるので、かかる問題が発生することもない。

また、球面状凹部１０ｖであるため、反射方向が分散しているので、特定の方向に向けて強い光が反射するということがない。それ故、光散乱用凹凸１０ｔで反射した光が投射画像の品位を低下させることがない。

しかも、遮光層１１ｂは、光を一部透過可能な半透過性遮光膜であるため、矢印Ｌ３で示す光の一部のみが球面状凹部１０ｖの内面で反射し、他の一部は、矢印Ｌ４で示すように、遮光層１１ｂを透過する。このため、戻り光が素子基板１０の側から再び、出射される量が少ない。ここで、矢印Ｌ４で示すように、戻り光の一部は、遮光層１１ｂを透過して周辺回路領域１０ｄに到達するが、かかる戻り光が透光性基板１０ｓの第２面１０ｙから出射する際、球面状凹部１０ｖの内面で反射して散乱するので、投射画像の外縁部分に周辺回路領域１０ｄが写り込むことはない。

さらに、複数の球面状凹部１０ｖは下地保護膜１２により内部が埋められ、光散乱用凹凸１０ｔ（球面状凹部１０ｖ）の形成領域が平坦面になっている。このため、透光性基板１０ｓにおいて光散乱用凹凸１０ｔが形成されている領域上に周辺回路を形成する場合でも、光散乱用凹凸１０ｔに起因する段差のない領域に周辺回路を形成でき、段差によって周辺回路の信頼性などが低下することを確実に防止することができる。

［実施の形態１の変形例］
上記実施の形態１では、透光性基板１０ｓの第１面１０ｘに球面状凹部１０ｖを形成したので、光散乱用凹凸１０ｔ（球面状凹部１０ｖ）は、透光性戻り光の入射側に球状突起を向けた構造になっていたが、図６（ｃ）に示すように、透光性基板１０ｓの第２面１０ｙに球面状凹部１０ｖを形成するとともに、球面状凹部１０ｖの内面に遮光層１１ａを形成し、かつ、シリコン酸化膜１２ａ（充填材料）により球面状凹部１０ｖの内部を埋め込んだ構成を採用してもよい。この場合には、必要に応じて、透光性基板１０ｓの第１面１０ｘに別途、下地保護膜を形成すればよい。

［実施の形態２］
図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の素子基板１０に形成した光散乱用凹凸の平面的な構成を模式的に示す平面図、その断面図、およびその変形例の断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

実施の形態１では、素子基板１０に用いた透光性基板１０ｓにおいて周辺回路領域１０ｄに対して重なる領域に球面状凹部１０ｖを利用して光散乱用凹凸１０ｔを形成したが、本形態では、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、透光性基板１０ｓにおいて周辺回路領域１０ｄに対して重なる領域に断面円弧状の複数の溝状凹部１０ｗが形成されており、かかる溝状凹部１０ｗは、透光性基板１０ｓの辺に沿って並列して延びている。

また、溝状凹部１０ｗは、内面が遮光層１１ｂで覆われており、かかる遮光層１１ｂは、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜、チタン窒化膜などからなり、光を一部透過可能な半透過性遮光膜である。本形態において、遮光層１１ｂは、遮光層１１ａと同時形成された膜である。

また、溝状凹部１０ｗは、遮光層１１ｂを覆うように形成されたシリコン酸化膜からなる下地保護膜１２により内部が埋められている。ここで、下地保護膜１２は、透光性基板１０ｓの第１面１０ｘの全面にわたって形成されており、かつ、その表面全体が平坦面になっている。従って、透光性基板１０ｓでは、複数の光散乱用凹凸１０ｔ（溝状凹部１０ｗ）の形成領域が平坦面になっている。

かかる構成の光散乱用凹凸１０ｔの製造方法については、図７を参照して説明した方法で製造できるので、説明を省略するが、本形態でも、矢印Ｌ３で示す戻り光が、素子基板１０の周辺回路領域１０ｄに向けて入射した場合でも、投射画像の外縁部分に周辺回路領域１０ｄが写り込むのを防止することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。

なお、本形態では、透光性基板１０ｓの第１面１０ｘに溝状凹部１０ｗを形成したので、光散乱用凹凸１０ｔ（溝状凹部１０ｗ）は、透光性戻り光の入射側に突起を向けた構造になっていたが、図８（ｃ）に示すように、透光性基板１０ｓの第２面１０ｙに溝状凹部１０ｗを形成するとともに、溝状凹部１０ｗの内面に遮光層１１ａを形成し、かつ、シリコン酸化膜１２ａ（充填材料）により溝状凹部１０ｗの内部を埋め込んだ構成を採用してもよい。

［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の素子基板１０に形成した光散乱用凹凸の断面構成を模式的に示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

上記実施の形態１、２では、光散乱用凹凸１０ｔを構成する球面状凹部１０ｖや溝状凹部１０ｗの内面を覆うように遮光層１１ｂを形成したが、図９（ｄ）に示すように、球面状凹部１０ｖや溝状凹部１０ｗの内面を覆うように、透光性基板１０ｂと異なる屈折率の透光性材料１２ｂを形成してもよい。かかる構成によれば、光散乱用凹凸１０ｔでの屈折作用で戻り光を散乱させることができる。

ここで、透光性材料１２ｂとしては、透光性基板１０ｓと異なる屈折率であればよく、透光性基板１０ｓが石英基板あるいはガラス基板であれば、屈性率が１．４５程度であるので、透光性材料としては、チタン酸化物（屈折率＝２．５）、シリコン窒化物（屈折率＝２．０）、ポリシリコン（屈折率＝３．５）を用いることができる。

かかる構成を採用した場合にも、透光性材料１２ｂによって球面状凹部１０ｖや溝状凹部１０ｗの内部を埋めれば、光散乱用凹凸１０ｔの形成領域を平坦面とすることができる。このため、透光性基板１０ｓにおいて光散乱用凹凸１０ｔが形成されている領域上に周辺回路を形成する場合でも、光散乱用凹凸１０ｔに起因する段差のない領域に周辺回路を形成でき、段差によって周辺回路の信頼性などが低下することを確実に防止することができる。

なお、本形態でも、透光性材料１２ｂの透過率によっては、透光性材料１２ｂをそのまま下地保護膜として形成してもよく、その場合、透光性材料１２ｂを透光性基板１０ｓの全面に残せばよい。また、透光性材料１２ｂの透過率が低い場合には、図９（ｄ）に示すように、透光性材料１２ｂを球面状凹部１０ｖや溝状凹部１０ｗの内部のみに形成すればよい。また、本形態でも、透光性基板１０ｓの第１面および第２面のいずれに光散乱用凹凸１０ｔを形成してもよく、いずれの場合も、光散乱用凹凸１０ｔは正のパワーあるいは負のパワーを有するレンズとして機能するため、戻り光を散乱させることができる。

かかる構成の素子基板１０Ｗを製造するには、実施の形態１と同様、図９（ａ）に示すマスク形成工程において、石英基板やガラス基板からなる透光性基板１０ｓに対してレジストマスク６１を形成した後、図９（ｂ）に凹部形成工程において、レジストマスク６１の開孔部６１０を介して、透光性基板１０ｓにウエットエッチングを行ない、球面状凹部１０ｖあるいは溝状凹部１０ｗを形成する。次に、レジストマスク６１を除去した後、図９（ｃ）に示すように、透光性基板１０ｓに対して透光性材料層１２ｃを形成し、しかる後に、透光性材料層１２ｃを表面側から研磨して、図９（ｄ）に示すように、透光性材料１２ｂ（透光性材料層１２ｃ）を球面状凹部１０ｖや溝状凹部１０ｗの内部のみに残せばよい。

［他の実施の形態］
図１には、ライトバルブを３枚用いた投射型表示装置を例示したが、電気光学装置１００がカラーフィルタを内蔵している場合、図１０に示す投射型表示装置において、本発明を適用した１枚の電気光学装置１００をライトバルブとして用いて、カラー画像をスクリーン２１１に投射表示するように構成してもよい。すなわち、図１０に示す投射型表示装置２１０は、白色光源２１２、インテグレータ２２１および偏光変換素子２２２を備えた光源部２４０と、電気光学装置１００と、投射光学系２１８とを備えている。また、電気光学装置１００では、カラーフィルタ内蔵の液晶パネル１００ｘの両側に第１偏光板２１６ａおよび第２偏光板２１６ｂが配置されている。

さらに、上記形態では、電気光学装置として液晶装置を例に説明したが、自発光素子から出射された変調光によって投射型表示装置を構成する場合にも、戻り光対策として本発明を適用してもよい。

本発明を適用した投射型表示装置の概略構成図である。 図１に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブに用いた液晶パネルの電気的構成を示すブロック図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、そのＨ−Ｈ′断面図、およびＩ−Ｉ′断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で電気光学装置を切断したときの断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板に形成した相補型電界効果型トランジスタの平面図、およびそのＢ−Ｂ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板に形成した光散乱用凹凸の平面的な構成を模式的に示す平面図、その断面図、およびその変形例の断面図である。 本発明を適用した電気光学装置の製造工程のうち、素子基板に光散乱用凹凸を形成する工程を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の素子基板に形成した光散乱用凹凸の平面的な構成を模式的に示す平面図、その断面図、およびその変形例の断面図である。 本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の素子基板に形成した光散乱用凹凸の断面構成を模式的に示す説明図である。 本発明を適用した別の投射型表示装置の概略構成図である。 従来の電気光学装置および投射型表示装置の問題点を示す説明図である。

符号の説明

１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｂ・・画素領域、１０ｄ・・周辺回路領域、１０ｔ・・光散乱用凹凸、１０ｖ・・球面状凹部、１０ｗ・・溝状凹部、１０ｘ・・透光性基板の第１面、１０ｙ・・透光性基板の第２面、２０・・対向基板、１００・・電気手光学装置（液晶装置／液晶ライトバルブ）、１００ｐ・・液晶パネル、１１０、２１０・・投射型表示装置

Claims (10)

1. 透光性基板の第１面側に、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数形成された画素領域と、該画素領域の外側に、配線および駆動回路用トランジスタが複数形成された周辺回路とを有する素子基板を備え、前記透光性基板の前記第１面とは反対側の第２面側から変調した光を出射する電気光学装置において、
   前記透光性基板の前記周辺回路と重なる領域には、前記透光性基板の前記第２面側から入射した光を散乱させる複数の光散乱用凹凸が形成されており、
   前記複数の光散乱用凹凸を構成する凹部は、内面が遮光層で覆われていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記複数の凹部は、前記遮光層を覆うように形成された充填材料により内部が埋められ、
   当該充填材料によって、前記透光性基板の前記複数の凹部の形成領域は平坦化されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記遮光層は、光を一部透過可能な半透過性遮光膜であることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 透光性基板の第１面側に、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数形成された画素領域と、該画素領域の外側に、配線および駆動回路用トランジスタが複数形成された周辺回路とを有する素子基板を備え、前記透光性基板の前記第１面とは反対側の第２面側から変調した光を出射する電気光学装置において、
   前記透光性基板の前記周辺回路と重なる領域には、前記透光性基板の前記第２面側から入射した光を散乱させる複数の光散乱用凹凸が形成されており、
   前記複数の光散乱用凹凸を構成する複数の凹部の内面は、前記透光性基板と異なる屈折率を有する透光性材料で覆われていることを特徴とする電気光学装置。
5. 前記凹部は、内部が前記透光性材料により埋められ、
   当該透光性材料によって、前記透光性基板の前記複数の凹部の形成領域は平坦化されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 透光性基板の第１面側に、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数形成された画素領域と、該画素領域の外側に、配線および駆動回路用トランジスタが複数形成された周辺回路とを有する素子基板を備え、前記透光性基板の前記第１面とは反対側の第２面側から変調した光を出射する電気光学装置において、
   前記透光性基板の前記周辺回路と重なる領域には、前記透光性基板の前記第２面側から入射した光を散乱させる複数の光散乱用凹凸が形成されており、
   前記複数の光散乱用凹凸は、前記透光性基板の球面状に凹む複数の凹部により構成されていることを特徴とする電気光学装置。
7. 透光性基板の第１面側に、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数形成された画素領域と、該画素領域の外側に、配線および駆動回路用トランジスタが複数形成された周辺回路とを有する素子基板を備え、前記透光性基板の前記第１面とは反対側の第２面側から変調した光を出射する電気光学装置において、
   前記透光性基板の前記周辺回路と重なる領域には、前記透光性基板の前記第２面側から入射した光を散乱させる複数の光散乱用凹凸が形成されており、
   前記複数の光散乱用凹凸は、前記透光性基板の断面円弧状の複数の溝状凹部により構成されていることを特徴とする電気光学装置。
8. 前記素子基板に対して対向配置された対向基板を備え、
   当該対向基板と前記素子基板との間に液晶層が保持されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
9. 透光性基板の第１面側に、画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数形成された画素領域と、該画素領域の外側に、配線および駆動回路用トランジスタが複数形成された周辺回路とを有する素子基板を備え、前記透光性基板において前記第１面とは反対側の第２面側から変調した光を出射する電気光学装置の製造方法において、
   前記透光性基板の前記周辺回路と重なる領域に、前記透光性基板の前記第２面側から入射した光を散乱させる複数の光散乱用凹凸を形成するにあたって、
   前記透光性基板に対して、前記複数の光散乱用凹凸の凹部とすべき領域に開孔部を備えたマスクを形成するマスク形成工程と、
   前記開孔部から前記透光性基板にウエットエッチングを行なう凹部形成工程と、を行なうことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置を用いた投射型表示装置であって、
    前記電気光学装置により光変調した光を投射する投射光学系を備えていることを特徴とする投射型表示装置。

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