JP4857458B2 - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、プレーナ構造の高耐圧半導体装置で、主に、抵抗性フィールドプレート構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
パワーMOSFETやIGBTあるいはダイオードなどのプレーナ型半導体素子の耐圧構造の一つに抵抗性フィールドプレートがある。この方法では一般的に耐圧構造部に位置する高抵抗導電膜は環状の単純パターンをしており、設計が容易であり、また、耐圧構造部の占有面積も小さくできるなどの利点がある。また、縦形素子のでも横形素子でも効果は同じである。特開平7−326775号公報では、単純パターンを改良した例である。単純パターンでは、高温環境下で、漏れ電流の増大が著しく、熱暴走を引き起こすおそれがあり、実用化を妨げると記している。そこで特開平7−326775号公報では、抵抗性フィールドプレートの抵抗値を増大させ漏れ電流を抑える為、抵抗性フィールドプレートとして帯状高抵抗導電膜73を渦巻き状にすることが開示されている(図6)。
【0003】
図7は、従来の半導体装置の耐圧構造の概略平面図である。p拡散層52とn- 層51で形成される露出するpn接合を覆うように耐圧構造60が設けられる。この耐圧構造60はn- 層51内に形成される空乏層を横方向に広げて、n- 層51内の電界強度を低下させる働きがある。
図8は、図7のE部の拡大詳細図で、同図(a)は平面図、同図(b)はA−A線およびB−B線で切断した断面図である。図8の構造は、抵抗性フィールドプレートの耐圧構造である。一方の半導体基板(n- 層51)の表面層にはp拡散層52と電気的に良好に接するフィールドプレート電極54が、また、それと一定の間隔を隔てて対向するエンドプレート電極55が配置されn- 層51と電気的に接している。p拡散層52上とn- 層51上にはフィールド酸化膜53が形成され、前記の電極54、55はこのフィールド酸化膜53上にはみ出すように形成される。両電極54、55と接してフィールド酸化膜53上に高抵抗導電膜56が形成される。同図(a)のa〜iの箇所は同図(b)のa〜iの箇所と一致する。aはフィールドプレート電極内端、bは高抵抗導電膜内端、cはフィールド酸化膜内端、dはpn接合部、eはフィールドプレート電極外端、fはエンドプレート電極内端、gはフィールド酸化膜外端、hは高抵抗導電膜外端、iはエンドプレート電極外端である。
【0004】
縦型MOSFETの場合、p拡散層52の図示しない別の領域にはソース電極やゲート電極が配置され、n- 層51の裏面には、つまり半導体基板の裏面には、図示しないドレイン電極が配置される。また、横型IGBTの場合では、エンドプレート電極55は、別に形成される図示しないp拡散層と接しコレクタ電極となる。
【0005】
フィールドプレート電極54とエンドプレート電極55間には微弱な電流を流すことができる高抵抗導電膜56があり、その下層にはフィールド酸化膜53が配置されている。オフ状態で、フィールドプレート電極54を基準にエンドプレート電極55の電位を高い電位すると、半導体基板中のp拡散層52とn- 層51の間に電圧がかかり、主にn- 層内に空乏層がひろがり、半導体基板内部に電位分布ができる。この電位分布は半導体基板表面の耐圧構造にも及び、高抵抗導電膜56と相互に影響し合い、結果的にフィールドプレート電極54とエンドプレート電極55間の高抵抗導電膜56に微弱な電流が流れて、電位分布を均一化して、耐圧を安定化させることができる。
【0006】
上記に示すように、抵抗性フィールドプレートである高抵抗導電膜56は、半絶縁性膜に微弱な電流を流すことで生じる電位分布が半導体基板表面部の電位と作用し、結果として耐圧構造に広がる電位分布を均一化(電界強度を均一化)する働きがある。この為、高抵抗導電膜56を採用することで、容易に、高耐圧の半導体装置を得ることが可能となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の単純パターンの高抵抗導電膜を用いた耐圧構造では、湾曲部で電位分布が不均一となり、この電位分布の不均一により、漏れ電流の増大が著しくなり、熱暴走を引き起こすおそれがある。
図9は、従来の単純パターンの高抵抗導電膜で、フィールドプレート電極外端とエンドプレート電極内端の間の電位分布を計算した例である。III はフィールドプレート電極とエンドプレート電極の直線部(図8のA−A線)で、IIは湾曲部(図8のB−B線)である。直線部では電位分布は一定で理想的であるのに対し、湾曲部では、フィールドプレート電極よりの電位分布が急激に変化している。この為、半導体基板内部の電位分布を広げる働きは、その分弱められ、設計上のマージンが小さく、わずかな寸法の変動に対しても、耐圧に大きな変動を引き起こす。また、湾曲部の高抵抗導電膜は電流が集中する上に電圧降下も大きい為、比較的電力消費が多くなる。その結果として湾曲部が破壊しやすくなる。
【0008】
また、この弊害を防止した、特開平7−326775号公報で開示された帯状高抵抗導電膜を渦巻き状にしたパターンでは、耐圧構造の占有面積が多くなるという問題がある。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、単純なパターンの抵抗性フィールドプレートの耐圧構造で、湾曲部での電位分布を均一化し、安定した耐圧を確保できる半導体装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、半導体基板の表面に形成される抵抗性フィールドプレートの耐圧構造で、pn接合上方に形成されるフィールドプレート電極である第1電極と、第1電極と対向して配置されるエンドプレート電極である第2電極と、該第1電極および該第2電極に接し、該第1電極と第2電極の間に形成される抵抗性導電膜とを有す高耐圧半導体装置において、
対向する前記第1電極端と第2電極端の周辺長さが異なる湾曲部で、周辺長が長い第2電極および該第2電極端と前記抵抗性導電膜とが選択的に接触しない箇所を設ける構成とする。
【0010】
また、前記第2電極および該第2電極端と、前記抵抗性導電膜との間に絶縁膜を備えることで前記接触しない箇所を設けるとよい。
また、前記第2電極上および該第2電極端上の前記抵抗性導電膜に開口部を備えることで前記接触しない箇所を設けるとよい。
また、半導体基板の表面に形成される抵抗性フィールドプレートの耐圧構造で、pn接合上方に形成されるフィールドプレート電極である第1電極と、第1電極と対向して配置されるエンドプレート電極である第2電極と、該第1電極および該第2電極に接し、該第1電極と第2電極の間に形成される抵抗性導電膜とを有す高耐圧半導体装置において、
対向する前記第1電極と第2電極の周辺長さが異なる湾曲部で、前記第1電極と第2電極に挟まれた領域の前記抵抗性導電膜に複数の開口部を備える構成とするとよい。
【0011】
また、前記開口部で挟まれた前記抵抗性導電膜の幅が第1電極側と第2電極側で等しい構成とするとよい。
また、前記開口部が前記第2電極に達してもよい。
また、前記開口部が前記第1電極および第2電極に達してもよい。
また、前記開口部で挟まれた抵抗性導電膜の形状がストライプ状であると効果的である。
【0012】
前記のように、湾曲部の曲率半径の大きいエンドプレート電極と抵抗性導電膜との接触を妨げたり、抵抗性導電膜を一部除去することで、湾曲部での抵抗性導電膜を流れる電流の密度を、曲率の大きい側と曲率の小さい側で均一化を図り、電位勾配の一定化を図る。電流密度の均一化により、湾曲部での熱暴走を防止することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明の第1実施例の高耐圧半導体装置であり、同図(a)は要部平面図、同図(b)は同図(a)のA−A線で切断した要部断面図、同図(c)はB−B線で切断した要部断面図である。図8と異なる点は、エンドプレート電極5と高抵抗導電膜6の間に一部絶縁膜7が配置されていることである。
【0014】
図1において、n- 層1(半導体基板)の表面層にp拡散層2を形成し、p拡散層2上とn- 層1上にフィールド酸化膜3を形成する。p拡散層2上とフィールド酸化膜3上にフィールドプレート電極4を形成し、n- 層1上とフィールド酸化膜3上にエンドプレート電極5を形成する。フィールドプレート電極4とエンドプレート電極5とはそれぞれ対向し、その間隔は一定である。フィールドプレート電極4上とエンドプレート電極5上およびこれらの電極4、5に挟まれたフィールド酸化膜3上に高抵抗導電膜6を形成する。この高抵抗導電膜6の形成に当たっては、両電極4、5が湾曲する箇所(湾曲部D)では、エンドプレート電極5上と、フィールド酸化膜3上に選択的に絶縁膜7を形成し、この絶縁膜7を介して前記高抵抗導電膜6を形成する(同図(c))。尚、図中のa〜iは図8と同じである。また、jは扇状のエンドプレート電極内端f側の端部、kはエンドプレート電極外端h側の端部を示す。
【0015】
さらに詳細に説明する。湾曲部Dは、角度が90°(円の4分の1)で、フィールドプレート電極外端eの内径50μm、エンドプレート電極内端fの内径が110μmの曲率半径である。半導体基板(n- 層1)の不純物濃度は5×1016cm-3(比抵抗=60Ω・cm)である。耐圧構造のフィールド酸化膜3の厚さは、0.7μmである。フィールドプレート電極外端eと半導体基板内部のpn接合部分dの距離は、15μmである。フィールドプレート電極4とフィールド酸化膜3およびエンドプレート電極5を覆う様に絶縁膜であるSiN膜を0.3μmの厚さで成膜し、その後で、湾曲部Dに位置するエンドプレート電極5上の一部とその近傍のフィールド酸化膜3上にのみ絶縁膜7を残し、その他の箇所の絶縁膜は除去する。この絶縁膜7の形状は、エンドプレート電極内端fに沿った幅Wが12μmで、同電極5からフィールドプレート酸化膜3上にはみ出した長さL1は10μmであり、また、後工程で形成する高抵抗導電膜外周端hからのはみ出した長さL2も10μmである扇状をしている。この扇状の絶縁膜7はエンドプレート電極5を選択的に覆っている。また、ここでは絶縁膜7を3個均等に配置した。次に、図に示すように、これら電極4、5やフィールド酸化膜3および絶縁膜7を被うように、高抵抗導電膜6をa−SiをプラズマCVDで約0.06μm厚の膜で形成した。
【0016】
この実施例の場合では、湾曲部Dのフィールドプレート電極4と接する高抵抗導電膜内端bの長さを約78μmに対し、エンドプレート電極5と接する高抵抗導電膜外端hの長さを約121μmとした。これら長さにすることで、絶縁膜7が無い従来の場合と比べて、湾曲部Dでの電位分布が均一化される。尚、ここで示した絶縁膜7の形状、数、配置は変えても構わない。
【0017】
また、フィールドプレート電極4とエンドプレート電極5の間隔を従来素子と同じにした場合は、素子耐圧の最大値は650Vと従来素子耐圧と同じであったが、最小値が従来素子では550Vであったものが610Vに上昇し、その結果ばらつきが従来素子では約15%あったものが、6%に改善した。
また、信頼性試験として150℃下で500V印加して放置したところ、従来品は600時間までに50個中3個耐圧に異常が見られたが、本発明品では、1000時間経過しても問題の発生が無いことが分った。
【0018】
図2は、高抵抗導電膜の電位分布を計算した例である。I は本発明の場合の湾曲部Dでの計算結果である。エンドプレート電極5と直接接していないを為、IIの従来素子における湾曲部Dの電位分布に比べ、電位勾配が均一化されて、III のフィールドプレート電極4とエンドプレート電極5が直線部Cの電位分布に近づいている。これにより半導体基板(n- 層1)内の空乏層を広げる効果が高くなり、また、電流集中が緩和されることから電力消費も押さえられ、さらに、素子破壊も防止できる。
【0019】
図3は、この発明の第2実施例の高耐圧半導体装置であり、同図(a)は要部平面図、同図(b)は同図(a)のA−A線で切断した要部断面図、同図(c)はB−B線で切断した要部断面図である。
図3において、n- 層1の表面層にp拡散層2を形成し、p拡散層2上とn- 層1上にフィールド酸化膜3を形成する。p拡散層2上とフィールド酸化膜3上にフィールドプレート電極4を形成し、n- 層1上とフィールド酸化膜3上にエンドプレート電極5を形成する。フィールドプレート電極4とエンドプレート電極5とはそれぞれ対向し、その間隔は一定である。フィールドプレート電極4上とエンドプレート電極5上およびこれらの電極4、5に挟まれたフィールド酸化膜3上に高抵抗導電膜6を形成する。この高抵抗導電膜6は、両電極4、5が湾曲する湾曲部Dでは、エンドプレート電極5上とフィールド酸化膜3上に選択的に開口部8が形成される(同図(c))。
【0020】
第1実施例では、エンドプレート電極5と高抵抗導電膜6の間に絶縁膜7がありこれを形成するために工数が増える。第2実施例では絶縁膜7にかえて同部分の高抵抗導電膜6に開口部8を形成して、選択的にエンドプレート電極5と高抵抗導電膜6が接しないようにする。開口部8の形状は、エンドプレート電極内端fに沿った長さが12μmで、同電極内端fからフィールドプレート酸化膜3上にはみ出した長さL1が10μmで、また、高抵抗導電膜外周端hから数μm内側にくるような扇状である。開口部8は3個均等に配置した。この開口部8は高抵抗導電膜6のパターニング工程およびエッチング工程で同時に形成できるので図1のように、工数を増やすことなく実施することができる。また、効果としては、第1実施例と同様である。尚、図中のmは扇状のエンドプレート電極内端f側の端部、nはエンドプレート電極外端h側の端部を示す。
【0021】
図4は、この発明の第3実施例の高耐圧半導体装置であり、同図(a)は要部平面図、同図(b)は同図(a)のA−A線で切断した要部断面図、同図(c)はB−B線で切断した要部断面図である。この実施例は、耐圧構造の湾曲部Dの高抵抗導電膜6の一部を除去した構造で、第2実施例と違いは、エンドプレート電極5と接せず、この電極5近傍のフィールド酸化膜3に開口部9を設けた点である。この場合、フィールドプレート電極4とエンドプレート電極5の間隔が比較的離れている場合に効果的である。
【0022】
この第3実施例では、開口部9に挟まれた高抵抗導電膜6の幅Lが、フィールドプレート電極4側に向かってほぼ等しいために、この箇所を流れる電流の密度はエンドプレート電極5側とフィールドプレート電極4側とでほぼ等しくなり、湾曲部Dでの電位分布が均一化される。
また、図4では、湾曲部Dでのフィールドプレート電極4の長さよりエンドプレート電極5の長さが長い場合を示したが、逆にフィールドプレート電極の長さがエンドプレート電極の長さより長い場合、つまり、図4のフィールドプレート電極4とエンドプレート電極5が入れ代わった場合でも図4のように開口部9を設けると有効である。尚、その場合は、図4のフィールドプレート電極外端eの位置は、入れ代わった場合のエンドプレート電極外端の位置となり、また、図4のエンドプレート電極内端fの位置は、入れ代わった場合のフィールドプレート電極内端の位置となる。当然、pn接合は、入れ代わった場合のフィールドプレート電極下にくる。
【0023】
図5は、この発明の第4実施例の高耐圧半導体装置であり、同図(a)は要部平面図、同図(b)は同図(a)のA−A線で切断した要部断面図、同図(c)はB−B線で切断した要部断面図である。この実施例は、第3実施例の方法をさらに進めて、湾曲部Dでの高抵抗導電膜6の形状を多数のストライプ状にして、各ストライプ状の高抵抗導電膜6の幅wをエンドプレート電極5側と、フィールドプレート電極4側で等しくする。こうすることで、このストライプ状の高抵抗導電膜11を流れる電流の密度はエンドプレート電極5側からフィールドプレート電極4側に向かって一定となり、電位分布は直線部C並に均一化される。さらに、隣接するストライプ状の高抵抗導電膜11との電位分布の均一化を図るために、点線で示すように、隣同士のストライプ状の高抵抗導電膜11をブリッジ12(橋)で接続するとよい。
【0024】
また、フィールドプレート電極外端eと接触しないように開口部10を設けることで、この箇所でのn- 層1内に広がる空乏層の伸びをよくする。また、開口部10をフィールドプレート電極外端eと接触させる場合でも、できるだけ接触長さを短くするとよい(図では、矢印Fの先端で示すように、点線で示す三角形の頂点がフィールドプレート電極外端eと接している)。
【0025】
また、図5のフィールドプレート電極4とエンドプレート電極5が入れ代わった場合は、開口部10が、入れ代わった場合のフィールドプレート電極内端に接触しないようにするか、できるだけ接触長さを短くする。そうすることで、空乏層の伸びをよくする。
【0026】
【発明の効果】
この発明では、選択的にフィールドプレート電極と高抵抗導電膜の間に絶縁膜を挟む方法、高抵抗導電膜に開口部を設ける方法、湾曲部の高抵抗導電膜を多数のストライプ状の帯にする方法を用いることで、単純パターンで、湾曲部での抵抗性フィールドプレートを流れる電流密度を均一化し、この湾曲部での電位分布の均一化を図ることができる。その結果、高耐圧半導体装置の耐圧構造の占有面積を縮小化し、湾曲部での耐圧破壊を防止できる。また、耐圧特性の信頼性の向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施例の高耐圧半導体装置であり、(a)は要部平面図、(b)は(a)のA−A線で切断した要部断面図、(c)はB−B線で切断した要部断面図
【図2】高抵抗導電膜の電位分布図
【図3】この発明の第2実施例の高耐圧半導体装置であり、(a)は要部平面図、同図(b)は(a)のA−A線で切断した要部断面図、(c)はB−B線で切断した要部断面図
【図4】この発明の第3実施例の高耐圧半導体装置であり、(a)は要部平面図、同図(b)は(a)のA−A線で切断した要部断面図、(c)はB−B線で切断した要部断面図
【図5】この発明の第4実施例の高耐圧半導体装置であり、(a)は要部平面図、(b)は(a)のA−A線で切断した要部断面図、(c)はB−B線で切断した要部断面図
【図6】従来の帯状高抵抗導電膜を有する耐圧構造を示す図
【図7】従来の半導体装置の耐圧構造の概略平面図
【図8】図7のE部の拡大詳細図で、(a)は平面図、(b)はA−A線およびB−B線で切断した断面図
【図9】従来の単純パターンの高抵抗導電膜で、フィールドプレート電極外端とエンドプレート電極内端の間の電位分布図
【符号の説明】
1 n- 層
2 p拡散層
3 フィールド酸化膜
4 フィールドプレート電極
5 エンドプレート電極
6 高抵抗導電膜
7 絶縁膜
8、9、10 開口部
11 ストライプ状の高抵抗導電膜
C 直線部
D 湾曲部
Claims (8)
- 半導体基板の表面に形成される抵抗性フィールドプレートの耐圧構造で、該半導体基板の表面と交わるpn接合の上方に形成されるフィールドプレート電極である第1電極と、第1電極と対向して配置されるエンドプレート電極である第2電極と、該第1電極および該第2電極に接し、該第1電極と第2電極の間にされる抵抗性導電膜とを有す高耐圧半導体装置において、
対向する前記第1電極端と第2電極端の周辺長さが異なる湾曲部で、周辺長が長い第2電極および該第2電極端と前記抵抗性導電膜とが選択的に接触しない箇所を設けることを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 前記第2電極および該第2電極端と、前記抵抗性導電膜との間に絶縁膜を備えることで前記接触しない箇所を設けることを特徴とする請求項1に記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第2電極上および該第2電極端上の前記抵抗性導電膜に開口部を備えることで前記接触しない箇所を設けることを特徴とする請求項1に記載の高耐圧半導体装置。
- 半導体基板の表面に形成される抵抗性フィールドプレートの耐圧構造で、該半導体基板の表面と交わるpn接合の上方に形成されるフィールドプレート電極である第1電極と、第1電極と対向して配置されるエンドプレート電極である第2電極と、該第1電極および該第2電極に接し、該第1電極と第2電極の間に形成される抵抗性導電膜とを有す高耐圧半導体装置において、
対向する前記第1電極と第2電極の周辺長さが異なる湾曲部で、前記第1電極と第2電極に挟まれた領域の前記抵抗性導電膜に複数の開口部を備えたことを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 前記開口部で挟まれた前記抵抗性導電膜の幅が第1電極側と第2電極側で等しいことを特徴とする請求項4に記載の高耐圧半導体装置。
- 前記開口部が前記第2電極に達することを特徴とする請求項4または5に記載の高耐圧半導体装置。
- 前記開口部が前記第1電極および第2電極に達することを特徴とする請求項4または5に記載の高耐圧半導体装置。
- 前記開口部で挟まれた抵抗性導電膜の形状がストライプ状であることを特徴とする請求項4ないし7のいずれかに記載の高耐圧半導体装置。
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