JP4854676B2 - 特に赤外線電磁放射を検出する構成部品 - Google Patents
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- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 3
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 210000001525 retina Anatomy 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/061—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling the temperature of the apparatus or parts thereof, e.g. using cooling means or thermostats
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
- G01J5/041—Mountings in enclosures or in a particular environment
- G01J5/045—Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/064—Ambient temperature sensor; Housing temperature sensor; Constructional details thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Description
このような構成部品は、具体的には、光学的撮像部品として、当分野で「電気赤外線撮像網膜」と呼ばれるものを構築するために、例えば周囲温度で作動する赤外線カメラに装着することを目的としたものである。
このような検出器を満足に動作させるために、10−2ミリバール未満の圧力が必要とされることが多い。従って、検出器は密封筐体内に封入され、その中で必要とされる真空又は低圧の雰囲気が形成される。
このような温度の安定化は従来、熱電モジュール、例えば、PID(比例積分微分)制御装置に接続されたペルチェ式熱電モジュールや、安定させる検出器の近く又は内部、つまり上述のハウジングによって画定される筐体内部に配置された熱センサを使用することによって達成されている。
このボロメトリック検出器の封止パッケージは、セラミック材料、金属又はこれら両種類の材料の組合せからなる基板(1)を備えている。この場合、基板(1)はパッケージの基部を構成している。パッケージは側壁部(2)を有し、その上面は蓋(3)により気密にシールされている。蓋(3)は、検出対象の放射に対して透過性の窓(4)を有し、この場合、この窓は、赤外線に対して、又は例えば一般的な検出波長である8〜12μm又は3〜5μmの波長を有する放射に対して透過性である。
このチャンバの内部において、基板(1)は、実質的な検出器、特に、窓(4)の下に配置された1つ以上のボロメトリック検出器を収容している。このボロメトリック検出器(6)はインターフェース回路(7)に接続されており、このアセンブリ又はチップは、基板(1)に装着された熱電モジュール(8)に、はんだ付け又はエポキシ接合等によって接続されている。上述のように、このモジュールは、チップの温度を確実に制御することを目的としており、従って、特に検出器(6)によって分析される変数の基準として作動し、これに基づいて、実施される測定にある程度の再現性が保証される。
熱電モジュール(8)によって生成される熱は、基板(1)の下面に設けられて、前記モジュールのほぼ真下に配置されているヒートシンク(12)によって散逸する。
このゲッタ(13)は、基板(1)を貫通する電力入力(14)に接続されており、この入力も相互接続回路(11)に接続されている。
しかし、このモジュールをハウジングの外部に配置することにより、ハウジングの製造及びその内部の真空化を容易にする可能性が考慮されている。しかしこれは、第一にボロメトリック検出器における熱制御の効率にとって、第二に前記熱電モジュールの電力消費にとって、不利である(例えば、熱電モジュールに代えて加熱モジュールを使用した同等の原理を記載した米国特許出願公開第591488号明細書を参照)。
実際、まずハウジングの高さを典型的には1.5〜4.5mm増大させる必要があり、従ってこの装置の全体の寸法も増大させる必要が生じる。
最後に、アセンブリ及び排気温度を、熱安定装置が耐え得る最大温度に制限しなくてはならない。
更に、温度制御装置の配置場所、つまりハウジングの内部か外部かに関係無く、温度制御装置をハウジングに組み込むことは、特に実際の制御装置を製造するコスト、ハウジング内にこの装置を装着することによって発生するコスト、並びにこのような制御装置を収容するためのハウジングの特別な配置構成に関連するコストにより、高価となる。
−真空又は低圧下に置かれたチャンバを画定するハウジングであって、前記ハウジングの面の1つが、検出対象の放射に対して透過性の窓を含み、前記チャンバの内に、対象の放射を検出するために使用され且つ透過性の窓にほぼ対向して配置される少なくとも1つの検出器を備えるハウジング、
−許容可能なレベルでチャンバ内を真空又は低圧に維持するため、残留気体をポンピングする手段又はゲッタ、及び
−温度に関し、検出器を確実に調整する熱安定化素子
を備えている。
本発明によれば、熱安定化素子は、ハウジングを画定する壁部の1つ、特にその基部の主要部に組み込まれる熱抵抗要素を含む。
−はんだ付け又はエポキシ接合によって検出器が装着されている上層、及び
−上層と接する面に、スクリーン印刷によって得られた電気抵抗装置を備え、焼成により前記上層に装着されている下層
の焼成によって互いに装着されている少なくとも2つの連続するセラミック層を備えている。
このように、唯一の抵抗要素が、本発明による検出構成部品の封止パッケージの壁部、具体的には基部の主要部に、熱安定化素子として組み込まれる。この抵抗要素は、ハウジングの外部のPID制御装置によって監視される。このために、制御装置は、構成部品による他の全てのトラックと同様の方式で、ハウジングの1つ以上の電気出力に電気的に接続されている。相互接続回路(11)とも呼ばれるハウジングのPCBへの接続を利用して、PID制御装置は確実に抵抗要素にリンクされる。
本発明の別の態様によれば、上述のように組み込まれた加熱装置と外部環境との間で熱抵抗を増大させる素子も、ハウジングの壁部、具体的には基部の主要部に組み込まれる。
本発明の別の実施形態では、第2の空洞がハウジングの基部に画定されて確実に熱を絶縁し、前記第2の空洞は、特に、検出器とそのインターフェース回路(6、7)とから構成されるアセンブリを収容する上部空洞に、熱安定化素子の抵抗要素を含む同時焼成セラミックの層に形成された貫通開口を介して連絡している。
以下の説明においては、従来技術を示す図と本発明を示す図とに共通な構成部品に同一の参照番号が付与されている。
このハウジングは、以下に詳細に説明する同時焼成セラミック(1)からなる基板を備え、この基板上に、インターフェース回路(7)に接続する1つ以上のマイクロボロメータ(6)が、はんだ付け又はエポキシ接合によって取り付けられる。有利には、インターフェース回路(7)自体に、公知の方式でアセンブリ(6、7)を含むチップの熱制御を連続的に最適化することを目的とする熱センサ(23)が装備される。
このハウジングの上面は蓋(3)によって閉じられ、この蓋(3)は、検出対象の放射に対して透過性の窓、この場合には赤外線に対して透過性の窓(4)を有している。
記載の実施例においては、基板(1)は三重層基板である。セラミックからなる中間層(16)は、上面、つまりチップ(6、7)の方を向く面の上に加熱抵抗要素(18)を収容する。
アセンブリ(16、17、18)は、ジュール効果によって確実にチップ(6、7)を均一に加熱することにより、空間的及び時間的に、チップの温度を周囲温度より数度高く維持することを目的としている。
よって、様々な導体パターン及び経路を有する複数のセラミックシートを上下に重ねて配置することにより、加熱抵抗要素に所望のプロファイルを得ることができ、その結果、上に重ねたチップの加熱が可能な限り均一に行われることが保証される。
未加工のスクリーン印刷されたセラミックシートを組み合わせ、整列させ、当業者に周知の道具を用いて圧縮した後、これを圧力下において高温で焼成し、シートを互いに接合させる。こうして得られたアセンブリは剛性で、例えば基板(1)の2層(16、17)の両方を構成する個々のモジュールに切断することができる。このアセンブリ(16、17)を1つ又は2つのセラミック層(15)に連結させることにより、加熱抵抗要素(18)がプリント相互接続回路(11)から絶縁される。
このようなセラミックを焼成するために、主に2種類の技術がある。
−約800℃で焼成を行い、銀を主成分とするインクを使用して製作される、いわゆるLTCC(低温同時焼成セラミック)技術
−焼成温度が1500℃のオーダーであり、導電体が、タングステンの種の耐火性金属を主成分としたインクを使用して製作される、いわゆるHTCC(高温同時焼成セラミック)技術
更に、HTCC技術により、15〜20W/m/Kという平均的熱伝導度を有する酸化アルミニウム型の基板、場合によっては更に良好な熱伝導度(180W/m/K)を提供するAlN(窒化アルミニウム)型の基板を用いて作業することが可能となり、これにより、チップの近傍で熱拡散が促進される。
スクリーン印刷を使用することによって、抵抗要素の形状又は設計に関して極めて大きな自由度が得られる。
通常、目標とする熱散逸は10mW〜5Wである。
上述の2つの同時焼成層(16、17)に、同じ材料からなる層(15)が追加され、この層(15)の中央領域は、同じ外部環境に連結された、特に平行六面体、円筒形等の任意のプロファイルを有する空洞(26)を有している。これにより、基板と相互接続回路(11)との接触面積が制限され、よって前記基板を形成する材料固有の伝導による熱損失が制限される。
上層(16)及び下層(17)も空洞(24、25)を有することができ、これにより、基板を構成するセラミックの側面のレベルでの伝導により損失を制限することができる。
この実施形態では、アセンブリ(16、17、18)は、図2に関連して説明したものと同じである。つまり、上部空洞(5)がハウジングの上部に画定されて、特にチップ(6、7)を収容しており、内部は約10−2ミリバールの真空に保たれている点で同じである。
上部空洞(5)及び下部空洞(27)は、アセンブリ(16、17)に形成された開口(32)によって互いに連通している。つまり、これら2つの空洞の各々の真空の圧力が常に同じである。
開口(32)は、チップ(6、7)の面における熱絶縁を増大させることができ、これにより、結合部(33)を介した伝導に固有の熱損失が低減する。
このような熱絶縁に加え、開口(32)に固有の熱絶縁によって、熱の損失が低減され、よって加熱抵抗要素の電力消費が著しく低減される。
第一の利点は全体の寸法に関する。多くの場合そうであるように、封止パッケージの基部が少なくとも2つのセラミックレベルを含む場合、スクリーン印刷パターンの追加は全体の寸法に大きな影響を与えない。
生じる余分なコストは、スクリーン印刷による基板のレベルでのセラミックの追加に限定される。このコストは、従来技術で必要とされる、ハウジングの基部に追加される外部熱制御装置のコストと比べると取るに足らないものである。
最後に、抵抗パターン又は加熱素子は、製品の製造中にハウジングの出力に直接接続されるので、ハウジングに制御装置を結合するための特別な段階は必要でない。
Claims (11)
- 電磁放射、特に赤外線放射を検出する構成部品であって、
−底部を形成する基板(1)と、前記基板(1)に接合した側壁部(2)と、蓋(3)とを含み、真空又は低圧下に置かれたチャンバ(5)を画定するハウジングであって、前記蓋(3)は検出対象の放射に対して透過性の窓(4)を含み、前記チャンバ(5)内に、対象の放射を検出するために使用され且つ透過性の窓(4)にほぼ対向して配置される少なくとも1つの検出器(6)を備えるハウジング、
−許容可能なレベルでチャンバ(5)内を真空又は低圧に維持するため、残留気体をポンピングする手段又はゲッタ(13)、及び
−前記少なくとも1つの検出器(6)の温度の調整を確保するための熱安定化素子(18)
を備え、
前記熱安定化素子が、前記ハウジングの底部を形成する前記基板(1)の主要部に埋め込まれた加熱抵抗要素(18)を含み、
前記検出器(6)は、前記基板(1)の前記主要部の面上に装着されることを特徴とする、構成部品。 - 前記基板(1)が前記加熱抵抗要素(18)を挟んだセラミック層(15、16、17)を含み、前記側壁部(2)が周縁セラミック層(21、22)を含み、前記基板(1)の前記セラミック層(15、16、17)と前記側壁部(2)の前記周縁セラミック層(21、22)とは同時焼成されて一体化されていることを特徴とする、請求項1に記載の電磁放射を検出する構成部品。
- 基板(1)が、セラミックから形成されていること、及び、
−はんだ付け又はエポキシ接合によって検出器(6、7)が装着される上層(17)、及び
−上層(17)と接触する面に、スクリーン印刷によって得られる加熱抵抗要素(18)を備え、焼成によって上層(17)に装着される下層(15、16)
を焼成することにより互いに装着された少なくとも2つの層を備えていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の電磁放射を検出する構成部品。 - 熱安定化素子の加熱抵抗要素(18)が、ハウジング外部の制御装置、特にPID式の制御装置によって監視されることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電磁放射を検出する構成部品。
- 熱安定化素子の加熱抵抗要素(18)が、様々な種類のパターン、特に直線状、コイル状又は螺旋状のパターンを有していることにより、検出器(6)のレベルの温度をできるだけ均一にすることが保証されることを特徴とする、請求項3又は4に記載の電磁放射を検出する構成部品。
- 熱安定化素子の加熱抵抗要素(18)と相互接続又は読出し回路(11)の間の熱抵抗を増大させる手段も前記ハウジング底部の基板(1)の前記主要部に組み込まれていることを特徴とする、請求項3ないし5のいずれか1項に記載の電磁放射を検出する構成部品。
- 前記熱抵抗を増大させる手段が、前記基板(1)とプリント相互接続回路(11)との接触面積を減らすための、任意のプロファイルを有する空洞(26)を基板(1)の下層(15)内に含むことを特徴とする、請求項6に記載の電磁放射を検出する構成部品。
- 前記熱抵抗を増大させる手段が、ハウジングの底部(1)に画定された第2の熱絶縁空洞(27)を含み、この熱絶縁空洞(27)が、熱安定化素子の加熱抵抗要素(18)を埋め込む同時焼成されたセラミック層(16、17)に形成された貫通開口(32)によって、特に検出器(6)及び該検出器のインターフェース回路(7)を含むアセンブリを収容する上部の空洞(5)に連通していることを特徴とする、請求項6に記載の電磁放射を検出する構成部品。
- 熱絶縁空洞(27)が、同時焼成セラミック層(28、29)によって画定されること、及び前記熱絶縁空洞(27)の基部が、「ゲッタ」型の装置を収容できる金属板(30)によって閉じられることを特徴とする、請求項8に記載の電磁放射を検出する構成部品。
- 熱安定化素子の加熱抵抗要素(18)を収容する同時焼成セラミック層(16、17)が、少なくとも1つの要素(33)によってハウジングの残りの部分に物理的に連続しており、該少なくとも1つの素子(33)が、第一に下部熱絶縁空洞(27)の上方に検出器(6)−インターフェース回路(7)アセンブリを物理的に支持し、第二に加熱抵抗要素(18)の電気コンタクトを、該抵抗要素(18)と同時にスクリーン印刷された導電体によってハウジングの適正な出力へ繋ぐことを可能にすることを特徴とする、請求項8又は9に記載の電磁放射を検出する構成部品。
- 同時焼成セラミック層(16、17)と、ハウジングの残りの部分との物理的な連続性を保証する要素が、実質的に前記層の4つの角に配置されたアーム又は結合部(33)であることを特徴とする、請求項10に記載の電磁放射を検出する構成部品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0413634 | 2004-12-21 | ||
FR0413634A FR2879819B1 (fr) | 2004-12-21 | 2004-12-21 | Composant de detection de rayonnements electromagnetiques notamment infrarouges |
PCT/FR2005/051073 WO2006067344A1 (fr) | 2004-12-21 | 2005-12-12 | Composant de detection de rayonnements electromagnetiques notamment infrarouges |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008524621A JP2008524621A (ja) | 2008-07-10 |
JP4854676B2 true JP4854676B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=34954276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007547587A Expired - Fee Related JP4854676B2 (ja) | 2004-12-21 | 2005-12-12 | 特に赤外線電磁放射を検出する構成部品 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7642515B2 (ja) |
EP (1) | EP1829097B1 (ja) |
JP (1) | JP4854676B2 (ja) |
CN (1) | CN101084575B (ja) |
AT (1) | ATE393964T1 (ja) |
CA (1) | CA2587774C (ja) |
DE (1) | DE602005006435T2 (ja) |
FR (1) | FR2879819B1 (ja) |
RU (1) | RU2391636C2 (ja) |
WO (1) | WO2006067344A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101517496B (zh) * | 2006-08-22 | 2013-06-05 | 丛林网络公司 | 封装外壳内印刷电路板上安装的电子元件的热稳定的设备和方法 |
US7890055B1 (en) * | 2007-07-09 | 2011-02-15 | Everlokt Corporation | Touch field compound field detector personal ID |
US9723229B2 (en) | 2010-08-27 | 2017-08-01 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Thermal detection systems, methods, and devices |
JP5500056B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2014-05-21 | 日本電気株式会社 | 赤外線センサパッケージおよび該赤外線センサパッケージを搭載した電子機器 |
US9883084B2 (en) | 2011-03-15 | 2018-01-30 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Thermal imager |
DE112012003908T5 (de) * | 2011-09-20 | 2014-07-03 | Drs Rsta, Inc. | Thermische Isolationsvorrichtung für eine Infrarot-Überwachungskamera |
CN102564595B (zh) * | 2011-12-14 | 2013-11-13 | 北京卫星环境工程研究所 | 用于真空低温环境的红外热波检测*** |
DE102012005546A1 (de) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikrospiegelanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Mikrospiegelanordnung |
US10794769B2 (en) | 2012-08-02 | 2020-10-06 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Thermal detection systems, methods, and devices |
EP2950525B1 (en) * | 2014-05-28 | 2020-08-12 | ams AG | Semiconductor image sensor with integrated pixel heating and method of operating a semiconductor image sensor |
FR3023974B1 (fr) * | 2014-07-18 | 2016-07-22 | Ulis | Procede de fabrication d'un dispositif comprenant un boitier hermetique sous vide et un getter |
CN105890699A (zh) * | 2015-01-26 | 2016-08-24 | 高准有限公司 | 能够自适应调节工作温度的流量计及其方法 |
FR3047842B1 (fr) * | 2016-02-12 | 2018-05-18 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Composant electronique a resistance metallique suspendue dans une cavite fermee |
FR3056292B1 (fr) * | 2016-09-22 | 2020-11-20 | Commissariat Energie Atomique | Structure de detection de rayonnements electromagnetiques de type bolometre et procede de fabrication d'une telle structure |
WO2018130436A1 (en) * | 2017-01-11 | 2018-07-19 | Koninklijke Philips N.V. | Integrated temperature sensor on lead selenide plate detector assembly |
CN106872372B (zh) * | 2017-03-17 | 2023-11-17 | 广西电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种用于气体分析的恒温积分球装置 |
CN107589463B (zh) * | 2017-08-28 | 2024-02-02 | 河南理工大学 | 一种测试煤自燃过程电磁辐射的*** |
WO2019068481A1 (en) * | 2017-10-02 | 2019-04-11 | Koninklijke Philips N.V. | INFRARED SENSOR ASSEMBLY WITH INTEGRATED TEMPERATURE SENSING, APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING GAS |
CN115843331A (zh) * | 2020-08-18 | 2023-03-24 | 三菱电机株式会社 | 红外线传感器装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6450918A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-27 | Philips Nv | Radiation detecting apparatus and method |
JPH05332841A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子の冷却温度補正回路 |
JP2000502449A (ja) * | 1995-12-19 | 2000-02-29 | ロッキード マーティン アイアール イメージング システムズ | マイクロボロメータ焦点面アレイの熱勾配安定化の方法および装置 |
JP2000295528A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Nissan Motor Co Ltd | 熱型赤外線撮像素子 |
JP2002185852A (ja) * | 1992-06-19 | 2002-06-28 | Honeywell Inc | ビデオ出力信号を発生するカメラ、こうしたカメラのための赤外線焦点面アレイ・パッケージ、及び、半導体基板の素子の受動焦点面アレイからビデオ信号を発生する方法及び装置 |
WO2004061983A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2004279103A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Fujitsu Ltd | 焦電型赤外線センサおよびそれを用いた赤外撮像装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4743762A (en) * | 1984-12-20 | 1988-05-10 | Hughes Aircraft Company | Noise immune infrared readout circuitry and technique |
JPH05206423A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2737518B2 (ja) * | 1992-03-16 | 1998-04-08 | 富士通株式会社 | 赤外線検知器の冷却構造 |
DE4338539A1 (de) * | 1993-11-11 | 1995-05-18 | Hoechst Ceram Tec Ag | Verfahren zum Herstellen von keramischen Heizelementen |
US5423119A (en) * | 1994-07-08 | 1995-06-13 | Hualon Microelectronics Corporation | Method for manufacturing a hybrid circuit charge-coupled device image sensor |
GB2310952B (en) | 1996-03-05 | 1998-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | Infrared detector |
SE515856C2 (sv) * | 1999-05-19 | 2001-10-22 | Ericsson Telefon Ab L M | Bärare för elektronikkomponenter |
EP1336994A4 (en) * | 2000-11-08 | 2004-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | BOLOMETER MATERIAL, BOLOMETER THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THE BOLOMETER THIN FILM AND INFRARED DETECTION ELEMENT THEREFOR |
FR2842022B1 (fr) * | 2002-07-03 | 2005-05-06 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de maintien d'un objet sous vide et procedes de fabrication de ce dispositif, application aux detecteurs intrarouges non refroidis |
US6960741B2 (en) * | 2002-08-26 | 2005-11-01 | Lexmark International, Inc. | Large area alumina ceramic heater |
US20040147056A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Mckinnell James C. | Micro-fabricated device and method of making |
-
2004
- 2004-12-21 FR FR0413634A patent/FR2879819B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-12 CA CA2587774A patent/CA2587774C/fr not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-12 JP JP2007547587A patent/JP4854676B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-12 RU RU2007123218/28A patent/RU2391636C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2005-12-12 AT AT05824700T patent/ATE393964T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-12-12 EP EP05824700A patent/EP1829097B1/fr not_active Not-in-force
- 2005-12-12 WO PCT/FR2005/051073 patent/WO2006067344A1/fr active IP Right Grant
- 2005-12-12 CN CN2005800438157A patent/CN101084575B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-12 DE DE602005006435T patent/DE602005006435T2/de active Active
- 2005-12-12 US US11/719,772 patent/US7642515B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6450918A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-27 | Philips Nv | Radiation detecting apparatus and method |
JPH05332841A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子の冷却温度補正回路 |
JP2002185852A (ja) * | 1992-06-19 | 2002-06-28 | Honeywell Inc | ビデオ出力信号を発生するカメラ、こうしたカメラのための赤外線焦点面アレイ・パッケージ、及び、半導体基板の素子の受動焦点面アレイからビデオ信号を発生する方法及び装置 |
JP2000502449A (ja) * | 1995-12-19 | 2000-02-29 | ロッキード マーティン アイアール イメージング システムズ | マイクロボロメータ焦点面アレイの熱勾配安定化の方法および装置 |
JP2000295528A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Nissan Motor Co Ltd | 熱型赤外線撮像素子 |
WO2004061983A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2004279103A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Fujitsu Ltd | 焦電型赤外線センサおよびそれを用いた赤外撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101084575A (zh) | 2007-12-05 |
DE602005006435T2 (de) | 2009-06-04 |
US7642515B2 (en) | 2010-01-05 |
WO2006067344A1 (fr) | 2006-06-29 |
FR2879819B1 (fr) | 2007-02-23 |
DE602005006435D1 (de) | 2008-06-12 |
EP1829097B1 (fr) | 2008-04-30 |
JP2008524621A (ja) | 2008-07-10 |
ATE393964T1 (de) | 2008-05-15 |
CN101084575B (zh) | 2011-06-22 |
EP1829097A1 (fr) | 2007-09-05 |
RU2007123218A (ru) | 2008-12-27 |
US20090140149A1 (en) | 2009-06-04 |
FR2879819A1 (fr) | 2006-06-23 |
RU2391636C2 (ru) | 2010-06-10 |
CA2587774A1 (fr) | 2006-06-29 |
CA2587774C (fr) | 2014-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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