JPH05206423A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH05206423A JPH05206423A JP4012284A JP1228492A JPH05206423A JP H05206423 A JPH05206423 A JP H05206423A JP 4012284 A JP4012284 A JP 4012284A JP 1228492 A JP1228492 A JP 1228492A JP H05206423 A JPH05206423 A JP H05206423A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 経時変化に伴う例えば金属イオン等の侵入に
よる結晶欠陥を、固体撮像装置を分解することなく、修
復できるようにして、手軽に再生画面上の白傷の発生を
低減できるようにする。 【構成】 シリコン基板の裏面にゲッター層が形成さ
れ、シリコン基板の表面に受光部及びＣＣＤレジスタが
形成されたＣＣＤ固体撮像素子１と、このＣＣＤ固体撮
像素子１の下面に設置される板状の基板電極３とがパッ
ケージ２内に収容されて構成されたＣＣＤイメージセン
サにおいて、基板電極３の下面に板状の絶縁物４を介し
て発熱器５を設置して構成する。この発熱器５は、例え
ば板状の絶縁体６の表面に既知の厚膜形成技術により形
成された抵抗パターン７にて構成される。
よる結晶欠陥を、固体撮像装置を分解することなく、修
復できるようにして、手軽に再生画面上の白傷の発生を
低減できるようにする。 【構成】 シリコン基板の裏面にゲッター層が形成さ
れ、シリコン基板の表面に受光部及びＣＣＤレジスタが
形成されたＣＣＤ固体撮像素子１と、このＣＣＤ固体撮
像素子１の下面に設置される板状の基板電極３とがパッ
ケージ２内に収容されて構成されたＣＣＤイメージセン
サにおいて、基板電極３の下面に板状の絶縁物４を介し
て発熱器５を設置して構成する。この発熱器５は、例え
ば板状の絶縁体６の表面に既知の厚膜形成技術により形
成された抵抗パターン７にて構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＣＣＤによる固
体撮像素子とこの固体撮像素子を収容するパッケージと
を有する固体撮像装置に関し、特に経時変化に伴う固体
撮像素子の白傷を低減することができる固体撮像装置に
関する。
体撮像素子とこの固体撮像素子を収容するパッケージと
を有する固体撮像装置に関し、特に経時変化に伴う固体
撮像素子の白傷を低減することができる固体撮像装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、固体撮像装置、例えばＣＣＤイ
メージセンサは、光電変換にＣＣＤ転送段のＭＯＳキャ
パシタ、又はｐｎ接合のフォトダイオードを用い、垂直
走査及び水平走査にＣＣＤシフトレジスタを用いたＣＣ
Ｄ固体撮像素子を有する。
メージセンサは、光電変換にＣＣＤ転送段のＭＯＳキャ
パシタ、又はｐｎ接合のフォトダイオードを用い、垂直
走査及び水平走査にＣＣＤシフトレジスタを用いたＣＣ
Ｄ固体撮像素子を有する。
【０００３】このＣＣＤ固体撮像素子におけるＣＣＤレ
ジスタの容量は小さく、しかも全ての信号電荷を単一の
小容量の出力ダイオードで検出可能なため、出力電圧が
大きくとれ、ランダムノイズが小さい。そのため、Ｓ／
Ｎの点で優れ、感度が高いという利点がある。
ジスタの容量は小さく、しかも全ての信号電荷を単一の
小容量の出力ダイオードで検出可能なため、出力電圧が
大きくとれ、ランダムノイズが小さい。そのため、Ｓ／
Ｎの点で優れ、感度が高いという利点がある。
【０００４】ところで、ＣＣＤ固体撮像素子を作製する
プロセス段階においては、種々の処理装置（エピタキシ
ャル成長装置等）に固体撮像素子のベースとなる例えば
シリコン基板を投入するわけだが、これら処理装置は、
装置内の金属露出部分が皆無でなく、しかも高温で処理
が行われることから、装置内の金属露出部分が起因と考
えられる金属イオンがシリコン基板中に取り込まれ、こ
の金属イオンによってシリコン基板内に結晶欠陥が発生
するという問題がある。
プロセス段階においては、種々の処理装置（エピタキシ
ャル成長装置等）に固体撮像素子のベースとなる例えば
シリコン基板を投入するわけだが、これら処理装置は、
装置内の金属露出部分が皆無でなく、しかも高温で処理
が行われることから、装置内の金属露出部分が起因と考
えられる金属イオンがシリコン基板中に取り込まれ、こ
の金属イオンによってシリコン基板内に結晶欠陥が発生
するという問題がある。
【０００５】この結晶欠陥は、結果的にデバイスのライ
フタイムの低下、リーク電流及び暗電流の増加を招き、
特に、ＣＣＤ固体撮像素子の場合、暗電流の増加によっ
て、白い雑音成分が増え、再生画面上での所謂白傷を発
生させるという問題があった。
フタイムの低下、リーク電流及び暗電流の増加を招き、
特に、ＣＣＤ固体撮像素子の場合、暗電流の増加によっ
て、白い雑音成分が増え、再生画面上での所謂白傷を発
生させるという問題があった。
【０００６】そこで、従来では、シリコン基板の裏面に
多結晶シリコン層を形成し、この多結晶シリコン層を金
属イオンのゲッター層として用いるという方式が提案さ
れている。即ち、多結晶シリコン層中の結晶粒界を欠陥
の吸収源として利用し、シリコン基板内部の金属、それ
による結晶欠陥をシリコン基板の裏面でゲッタリングす
るというものである。
多結晶シリコン層を形成し、この多結晶シリコン層を金
属イオンのゲッター層として用いるという方式が提案さ
れている。即ち、多結晶シリコン層中の結晶粒界を欠陥
の吸収源として利用し、シリコン基板内部の金属、それ
による結晶欠陥をシリコン基板の裏面でゲッタリングす
るというものである。
【０００７】これによれば、ＣＣＤプロセス中に発生す
る処理装置等からの金属イオンによる結晶欠陥の発生を
防止することができ、暗電流の低減につながる。
る処理装置等からの金属イオンによる結晶欠陥の発生を
防止することができ、暗電流の低減につながる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＣＤ固体
撮像素子においては、その受光部（例えばｐｎフォトダ
イオード）上にマイクロレンズやカラーフィルタ等が形
成される。従来、これらレンズやカラーフィルタから、
時間の経過にともなって、徐々に金属イオンが流出し、
特に、ＣＣＤ固体撮像装置を製品として市場供給した後
において、上記流出した金属イオンが、シリコン基板に
侵入して再び結晶欠陥を発生させ、暗電流の増加を引き
起こすということが知られている。
撮像素子においては、その受光部（例えばｐｎフォトダ
イオード）上にマイクロレンズやカラーフィルタ等が形
成される。従来、これらレンズやカラーフィルタから、
時間の経過にともなって、徐々に金属イオンが流出し、
特に、ＣＣＤ固体撮像装置を製品として市場供給した後
において、上記流出した金属イオンが、シリコン基板に
侵入して再び結晶欠陥を発生させ、暗電流の増加を引き
起こすということが知られている。
【０００９】暗電流の増加は、上述したように、再生画
面上に白傷として表示されるため、従来は、白傷が表示
された場合、ＣＣＤ固体撮像装置を工場において分解
し、中からＣＣＤ固体撮像素子を取り出し、取り出した
ＣＣＤ固体撮像素子に一定温度を長時間かけて上記白傷
を除去するようにしている。
面上に白傷として表示されるため、従来は、白傷が表示
された場合、ＣＣＤ固体撮像装置を工場において分解
し、中からＣＣＤ固体撮像素子を取り出し、取り出した
ＣＣＤ固体撮像素子に一定温度を長時間かけて上記白傷
を除去するようにしている。
【００１０】この方法は、ＣＣＤ固体撮像素子、特にベ
ースとなるシリコン基板に一定の温度をかけることによ
り、シリコン基板内に侵入した金属イオンを移動し易い
状態にして、シリコン基板の裏面に形成されている多結
晶シリコン層に金属イオン、それによる結晶欠陥を吸収
させるというものである。
ースとなるシリコン基板に一定の温度をかけることによ
り、シリコン基板内に侵入した金属イオンを移動し易い
状態にして、シリコン基板の裏面に形成されている多結
晶シリコン層に金属イオン、それによる結晶欠陥を吸収
させるというものである。
【００１１】しかし、この方法では、ＣＣＤ固体撮像装
置をいちいち分解する必要があり、労力の点及びＣＣＤ
固体撮像装置自体の精度維持の点で問題がある。また、
ＣＣＤ固体撮像素子（チップ）自体の発熱では、温度が
不十分であり、しかもその熱源がチップ表面の局所的な
ところにあるため、温度分布に均一性がなく、白傷の原
因である受光部近くの結晶欠陥を修復するのに効果がな
いという不都合があった。
置をいちいち分解する必要があり、労力の点及びＣＣＤ
固体撮像装置自体の精度維持の点で問題がある。また、
ＣＣＤ固体撮像素子（チップ）自体の発熱では、温度が
不十分であり、しかもその熱源がチップ表面の局所的な
ところにあるため、温度分布に均一性がなく、白傷の原
因である受光部近くの結晶欠陥を修復するのに効果がな
いという不都合があった。
【００１２】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、経時変化に伴う例え
ば金属イオン等の侵入による結晶欠陥を、固体撮像装置
を分解することなく、修復することができ、再生画面上
の白傷の発生を低減することができる固体撮像装置を提
供することにある。
もので、その目的とするところは、経時変化に伴う例え
ば金属イオン等の侵入による結晶欠陥を、固体撮像装置
を分解することなく、修復することができ、再生画面上
の白傷の発生を低減することができる固体撮像装置を提
供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、光電変換を行
う固体撮像素子１と、該固体撮像素子１を収容するパッ
ケージ２とを有する固体撮像装置において、パッケージ
２に発熱器５を設けて構成する。
う固体撮像素子１と、該固体撮像素子１を収容するパッ
ケージ２とを有する固体撮像装置において、パッケージ
２に発熱器５を設けて構成する。
【００１４】この場合、発熱器５は、パッケージ２内に
おいて、固体撮像素子１の下面に絶縁物４を介して設置
された板状の絶縁体６上に設けられた抵抗配線（抵抗パ
ターン７）で構成するようにしてもよいし、固体撮像素
子１下に設置された絶縁物４の下面に設けられた抵抗配
線（抵抗パターン７）で構成するようにしてもよい。
おいて、固体撮像素子１の下面に絶縁物４を介して設置
された板状の絶縁体６上に設けられた抵抗配線（抵抗パ
ターン７）で構成するようにしてもよいし、固体撮像素
子１下に設置された絶縁物４の下面に設けられた抵抗配
線（抵抗パターン７）で構成するようにしてもよい。
【００１５】
【作用】上述の本発明の構成によれば、パッケージ２内
に設けられた発熱器５によって、例えば固体撮像素子１
の特性劣化を引き起こさない程度の温度下に固体撮像素
子１を長時間さらすことが可能となるため、時間の経過
に伴って、レンズやカラーフィルタ等から流出した金属
イオンが固体撮像素子１内に侵入したとしても、上記温
度によって金属イオンが移動し易くなり、例えば固体撮
像素子１のベースとなるシリコン基板の裏面に形成され
てある多結晶シリコン層等のゲッター層に上記金属イオ
ン、それによる結晶欠陥を吸収させることができる。
に設けられた発熱器５によって、例えば固体撮像素子１
の特性劣化を引き起こさない程度の温度下に固体撮像素
子１を長時間さらすことが可能となるため、時間の経過
に伴って、レンズやカラーフィルタ等から流出した金属
イオンが固体撮像素子１内に侵入したとしても、上記温
度によって金属イオンが移動し易くなり、例えば固体撮
像素子１のベースとなるシリコン基板の裏面に形成され
てある多結晶シリコン層等のゲッター層に上記金属イオ
ン、それによる結晶欠陥を吸収させることができる。
【００１６】従って、本発明の固体撮像装置によれば、
経時変化に伴う例えば金属イオン等の侵入による結晶欠
陥を、固体撮像装置を分解することなく、修復すること
ができ、再生画面上の白傷の発生を低減することができ
る。
経時変化に伴う例えば金属イオン等の侵入による結晶欠
陥を、固体撮像装置を分解することなく、修復すること
ができ、再生画面上の白傷の発生を低減することができ
る。
【００１７】特に、上記発熱器５を、板状の絶縁体６上
に設けられた抵抗配線７で構成し、この絶縁体６を固体
撮像素子１の下面に絶縁物４を介して設けるようにす
る、あるいは、上記発熱器５を固体撮像素子１下に設置
された絶縁物４の下面に設けられた抵抗配線７で構成す
るようにすれば、固体撮像素子１を裏面から均一に温め
ることができ、しかもその温度分布を均一にすることが
できるため、白傷の低減効果を更に向上させることがで
きる。
に設けられた抵抗配線７で構成し、この絶縁体６を固体
撮像素子１の下面に絶縁物４を介して設けるようにす
る、あるいは、上記発熱器５を固体撮像素子１下に設置
された絶縁物４の下面に設けられた抵抗配線７で構成す
るようにすれば、固体撮像素子１を裏面から均一に温め
ることができ、しかもその温度分布を均一にすることが
できるため、白傷の低減効果を更に向上させることがで
きる。
【００１８】
【実施例】以下、図１〜図４を参照しながら本発明の実
施例を説明する。図１は、本実施例に係る固体撮像装
置、例えばＣＣＤイメージセンサを示す分解斜視図であ
る。
施例を説明する。図１は、本実施例に係る固体撮像装
置、例えばＣＣＤイメージセンサを示す分解斜視図であ
る。
【００１９】このＣＣＤイメージセンサは、図示するよ
うに、ＣＣＤ固体撮像素子（チップ）１とパッケージ２
とを有する。ＣＣＤ固体撮像素子１は、そのベースとな
る例えばシリコン基板の表面にｐｎフォトダイオードか
らなる受光部（画素）がマトリクス状に配列・形成され
て構成されたイメージ部１ａを有し、更に同一基板に各
受光部からの信号電荷を出力側に転送するＣＣＤシフト
レジスタ（垂直レジスタ及び水平レジスタ）が形成され
て構成されている。尚、イメージ部１ａ上には、カラー
フィルタやマイクロレンズが形成される。
うに、ＣＣＤ固体撮像素子（チップ）１とパッケージ２
とを有する。ＣＣＤ固体撮像素子１は、そのベースとな
る例えばシリコン基板の表面にｐｎフォトダイオードか
らなる受光部（画素）がマトリクス状に配列・形成され
て構成されたイメージ部１ａを有し、更に同一基板に各
受光部からの信号電荷を出力側に転送するＣＣＤシフト
レジスタ（垂直レジスタ及び水平レジスタ）が形成され
て構成されている。尚、イメージ部１ａ上には、カラー
フィルタやマイクロレンズが形成される。
【００２０】シリコン基板の裏面には、例えばＣＣＤプ
ロセス中において、処理装置の金属露出部分等から侵入
する金属イオン、それによる結晶欠陥を吸収するゲッタ
ー層（多結晶シリコン層）が形成されている。尚、この
ＣＣＤ固体撮像素子１の下面には、板状の基板電極３が
設置される。
ロセス中において、処理装置の金属露出部分等から侵入
する金属イオン、それによる結晶欠陥を吸収するゲッタ
ー層（多結晶シリコン層）が形成されている。尚、この
ＣＣＤ固体撮像素子１の下面には、板状の基板電極３が
設置される。
【００２１】しかして、本例においては、基板電極３の
下面に板状の絶縁物４を介して発熱器５を設置して構成
する。絶縁物４は、基板電極３と発熱器５を絶縁するた
めのものである。従って、本例の場合、ＣＣＤ固体撮像
素子１、基板電極３、絶縁物４及び発熱器５を一組にし
た状態で、パッケージ２に収容することによりＣＣＤイ
メージセンサが構成される。
下面に板状の絶縁物４を介して発熱器５を設置して構成
する。絶縁物４は、基板電極３と発熱器５を絶縁するた
めのものである。従って、本例の場合、ＣＣＤ固体撮像
素子１、基板電極３、絶縁物４及び発熱器５を一組にし
た状態で、パッケージ２に収容することによりＣＣＤイ
メージセンサが構成される。
【００２２】発熱器５は、図に示すように、板状の絶縁
体６の上面に形成された抵抗配線７によって構成され
る。本例では、図２に示すように、既知の厚膜形成技術
により、絶縁体６の上面に、抵抗パターン７を形成して
発熱器５を構成する。この抵抗パターン７の両端には、
夫々電源取り出し用のＡｌパッド８ａ及び８ｂが形成さ
れる。
体６の上面に形成された抵抗配線７によって構成され
る。本例では、図２に示すように、既知の厚膜形成技術
により、絶縁体６の上面に、抵抗パターン７を形成して
発熱器５を構成する。この抵抗パターン７の両端には、
夫々電源取り出し用のＡｌパッド８ａ及び８ｂが形成さ
れる。
【００２３】この発熱器５をＣＣＤ固体撮像素子と共に
パッケージ２内に収容した場合は、図３に示すように、
パッケージ２の外部ピン中、使用していない外部ピン９
ａ及び９ｂを発熱器５のＡｌパッド８ａ及び８ｂに電気
的に接続する。尚、９ｃは基板電極用の外部ピンであ
る。
パッケージ２内に収容した場合は、図３に示すように、
パッケージ２の外部ピン中、使用していない外部ピン９
ａ及び９ｂを発熱器５のＡｌパッド８ａ及び８ｂに電気
的に接続する。尚、９ｃは基板電極用の外部ピンであ
る。
【００２４】各Ａｌパッド８ａ及び８ｂに接続された２
つの外部ピン９ａ及び９ｂは、発熱用電源１０の両極
（＋極及び−極）に夫々接続され、特に、一方の外部ピ
ン９ｂと発熱用電源１０との間には、スイッチ１１が接
続される。
つの外部ピン９ａ及び９ｂは、発熱用電源１０の両極
（＋極及び−極）に夫々接続され、特に、一方の外部ピ
ン９ｂと発熱用電源１０との間には、スイッチ１１が接
続される。
【００２５】そして、経時変化に伴って、ＣＣＤイメー
ジセンサの再生画面に表示された白傷を低減したいとき
には、スイッチ１１をオンにして、発熱用電源１０から
発熱器５に、その消費電力が数ＷとなるようにＤＣ、Ａ
Ｃ又はパルスで数十Ｖの電圧をかけ、数百ｍＡの電流を
流す。この通電により、絶縁体６上の抵抗パターン７が
発熱し、ＣＣＤ固体撮像素子１を裏面側から温める。
ジセンサの再生画面に表示された白傷を低減したいとき
には、スイッチ１１をオンにして、発熱用電源１０から
発熱器５に、その消費電力が数ＷとなるようにＤＣ、Ａ
Ｃ又はパルスで数十Ｖの電圧をかけ、数百ｍＡの電流を
流す。この通電により、絶縁体６上の抵抗パターン７が
発熱し、ＣＣＤ固体撮像素子１を裏面側から温める。
【００２６】この発熱温度は、ＣＣＤ固体撮像素子１の
デバイス特性を劣化させない程度の温度にする。例えば
ＣＣＤ固体撮像素子１のイメージ部１ａ上にマイクロレ
ンズを有する場合は、上記発熱温度を１００℃前後に
し、マイクロレンズがない場合は、４００℃前後に設定
する。また、この発熱温度が一定時間維持できるよう
に、温度センサ等を設け、このセンサからの信号を発熱
用電源１０にフィードバックして電圧及び電流を制御す
ることが好ましい。
デバイス特性を劣化させない程度の温度にする。例えば
ＣＣＤ固体撮像素子１のイメージ部１ａ上にマイクロレ
ンズを有する場合は、上記発熱温度を１００℃前後に
し、マイクロレンズがない場合は、４００℃前後に設定
する。また、この発熱温度が一定時間維持できるよう
に、温度センサ等を設け、このセンサからの信号を発熱
用電源１０にフィードバックして電圧及び電流を制御す
ることが好ましい。
【００２７】この発熱を数十分〜数百時間行うことで、
上記白傷の原因である金属イオンによる結晶欠陥を修復
することができ、白傷を有効に低減させることができ
る。尚、発熱温度と発熱時間の最適値は、ＣＣＤ固体撮
像素子１及び白傷の状態に依存するため、その場に応じ
て、発熱用電源１０の電圧（電流）レベル及び通電時間
を決めることが好ましい。
上記白傷の原因である金属イオンによる結晶欠陥を修復
することができ、白傷を有効に低減させることができ
る。尚、発熱温度と発熱時間の最適値は、ＣＣＤ固体撮
像素子１及び白傷の状態に依存するため、その場に応じ
て、発熱用電源１０の電圧（電流）レベル及び通電時間
を決めることが好ましい。
【００２８】上記実施例では、絶縁体６の上面に抵抗パ
ターン７とＡｌパッド８ａ及び８ｂを形成して発熱器５
を構成するようにしたが、その他、図４に示すように、
絶縁物４の下面に抵抗パターン７とＡｌパッド８ａ及び
８ｂを形成して発熱器５を構成するようにしてもよい。
この場合、図１の例よりも部品点数が少なくなるため、
小型化に有利となる。
ターン７とＡｌパッド８ａ及び８ｂを形成して発熱器５
を構成するようにしたが、その他、図４に示すように、
絶縁物４の下面に抵抗パターン７とＡｌパッド８ａ及び
８ｂを形成して発熱器５を構成するようにしてもよい。
この場合、図１の例よりも部品点数が少なくなるため、
小型化に有利となる。
【００２９】上述のように、本例によれば、パッケージ
２内に設けられた発熱器５によって、例えばＣＣＤ固体
撮像素子１の特性劣化を引き起こさない程度の発熱温度
下にＣＣＤ固体撮像素子１を長時間さらすことが可能と
なるため、時間の経過に伴って、レンズやカラーフィル
タ等から流出した金属イオンがＣＣＤ固体撮像素子１内
に侵入したとしても、上記発熱温度によって金属イオン
が移動し易くなり、ＣＣＤ固体撮像素子１のベースとな
るシリコン基板の裏面に形成されてあるゲッター層に金
属イオン、それによる結晶欠陥を吸収させることができ
る。
２内に設けられた発熱器５によって、例えばＣＣＤ固体
撮像素子１の特性劣化を引き起こさない程度の発熱温度
下にＣＣＤ固体撮像素子１を長時間さらすことが可能と
なるため、時間の経過に伴って、レンズやカラーフィル
タ等から流出した金属イオンがＣＣＤ固体撮像素子１内
に侵入したとしても、上記発熱温度によって金属イオン
が移動し易くなり、ＣＣＤ固体撮像素子１のベースとな
るシリコン基板の裏面に形成されてあるゲッター層に金
属イオン、それによる結晶欠陥を吸収させることができ
る。
【００３０】従って、本例のＣＣＤイメージセンサによ
れば、経時変化に伴う例えば金属イオン等の侵入による
結晶欠陥を、ＣＣＤイメージセンサを分解することな
く、修復することができ、再生画面上の白傷の発生を低
減することができる。
れば、経時変化に伴う例えば金属イオン等の侵入による
結晶欠陥を、ＣＣＤイメージセンサを分解することな
く、修復することができ、再生画面上の白傷の発生を低
減することができる。
【００３１】特に、図１に示すように、上記発熱器５
を、絶縁体６の上面に形成された抵抗パターン７で構成
し、この絶縁体６をＣＣＤ固体撮像素子１の下面に絶縁
物４を介して設けるようにする（図１参照）、あるい
は、図４に示すように、上記発熱器５をＣＣＤ固体撮像
素子１下に設けられた絶縁物４の下面に形成された抵抗
パターン７で構成するようにすれば、ＣＣＤ固体撮像素
子１を裏面から均一に温めることができ、しかもその温
度分布を均一にすることができるため、白傷の低減効果
を更に向上させることができる。
を、絶縁体６の上面に形成された抵抗パターン７で構成
し、この絶縁体６をＣＣＤ固体撮像素子１の下面に絶縁
物４を介して設けるようにする（図１参照）、あるい
は、図４に示すように、上記発熱器５をＣＣＤ固体撮像
素子１下に設けられた絶縁物４の下面に形成された抵抗
パターン７で構成するようにすれば、ＣＣＤ固体撮像素
子１を裏面から均一に温めることができ、しかもその温
度分布を均一にすることができるため、白傷の低減効果
を更に向上させることができる。
【００３２】尚、上記実施例においては、金属イオンの
侵入による結晶欠陥を修復して白傷を低減させることに
ついて説明してきたが、上記金属イオンのほか、放射線
の侵入による結晶欠陥も修復することができる。
侵入による結晶欠陥を修復して白傷を低減させることに
ついて説明してきたが、上記金属イオンのほか、放射線
の侵入による結晶欠陥も修復することができる。
【００３３】また、上記実施例では、発熱器５を、絶縁
体６の上面に形成された抵抗パターン７で構成するか、
又は絶縁物４の下面に形成された抵抗パターン７で構成
するようにしたが、もちろん一般の抵抗線（ニクロム
線）を用いてもよい。この場合、例えば図１において、
絶縁体６の周りに上記抵抗線を巻き付けるようにして構
成することができる。
体６の上面に形成された抵抗パターン７で構成するか、
又は絶縁物４の下面に形成された抵抗パターン７で構成
するようにしたが、もちろん一般の抵抗線（ニクロム
線）を用いてもよい。この場合、例えば図１において、
絶縁体６の周りに上記抵抗線を巻き付けるようにして構
成することができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明に係る固体撮像装置によれば、経
時変化に伴う例えば金属イオン等の侵入による結晶欠陥
を、固体撮像装置を分解することなく、修復することが
でき、再生画面上の白傷の発生を低減することができ
る。
時変化に伴う例えば金属イオン等の侵入による結晶欠陥
を、固体撮像装置を分解することなく、修復することが
でき、再生画面上の白傷の発生を低減することができ
る。
【図１】本実施例に係るＣＣＤイメージセンサの構成を
示す分解斜視図。
示す分解斜視図。
【図２】本実施例に係る発熱器を示す平面図。
【図３】本実施例に係るＣＣＤイメージセンサの使用状
態を示す説明図。
態を示す説明図。
【図４】他の実施例に係るＣＣＤイメージセンサの構成
を示す分解斜視図。
を示す分解斜視図。
１ ＣＣＤ固体撮像素子 ２ パッケージ ３ 基板電極 ４ 絶縁物 ５ 発熱器 ６ 絶縁体 ７ 抵抗パターン ８ａ，８ｂ Ａｌパッド ９ａ，９ｂ，９ｃ 外部ピン
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】ところで、ＣＣＤ固体撮像素子を作製する
プロセス段階においては、種々の処理装置（エピタキシ
ャル成長装置等）に固体撮像素子のベースとなる例えば
シリコン基板を投入するわけだが、これら処理装置は、
装置内の金属露出部分が皆無でなく、しかも高温で処理
が行われることから、装置内の金属露出部分が起因と考
えられる金属イオンがシリコン基板中に取り込まれ、こ
の金属イオンによってシリコン基板内に結晶欠陥が発生
するという問題がある。また、半導体基体にα線等の放
射線が入射すると、基板内に結晶欠陥が発生する。この
放射線起因の結晶欠陥は永久損傷であり、半導体メモリ
等で知られるソフトエラーの様な瞬時ノイズとは本質的
に異なる。
プロセス段階においては、種々の処理装置（エピタキシ
ャル成長装置等）に固体撮像素子のベースとなる例えば
シリコン基板を投入するわけだが、これら処理装置は、
装置内の金属露出部分が皆無でなく、しかも高温で処理
が行われることから、装置内の金属露出部分が起因と考
えられる金属イオンがシリコン基板中に取り込まれ、こ
の金属イオンによってシリコン基板内に結晶欠陥が発生
するという問題がある。また、半導体基体にα線等の放
射線が入射すると、基板内に結晶欠陥が発生する。この
放射線起因の結晶欠陥は永久損傷であり、半導体メモリ
等で知られるソフトエラーの様な瞬時ノイズとは本質的
に異なる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】これらの結晶欠陥が暗電流発生の原因とな
る。固体撮像素子においては蓄積電荷−出力信号電圧変
換効率ηをη＝１０μＶ／ｅとすると、フィールド蓄積
の場合発生電荷が１０2 ｅ程度から画面上に確認され
る。これに対し、メモリの誤動作には１０6 ｅ以上の電
荷が必要である。このように、固体撮像素子は暗電流に
対して非常に敏感であり、暗電流の増加によって、白い
雑音成分が増え、再生画面上での所謂白傷を発生させる
という問題があった。この他に、結晶欠陥によってデバ
イスのライフタイムの低下、リーク電流の増加を招く等
の問題もあった。
る。固体撮像素子においては蓄積電荷−出力信号電圧変
換効率ηをη＝１０μＶ／ｅとすると、フィールド蓄積
の場合発生電荷が１０2 ｅ程度から画面上に確認され
る。これに対し、メモリの誤動作には１０6 ｅ以上の電
荷が必要である。このように、固体撮像素子は暗電流に
対して非常に敏感であり、暗電流の増加によって、白い
雑音成分が増え、再生画面上での所謂白傷を発生させる
という問題があった。この他に、結晶欠陥によってデバ
イスのライフタイムの低下、リーク電流の増加を招く等
の問題もあった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】そこで、金属イオンに対しては、シリコン
基板の裏面に多結晶シリコン層を形成し、この多結晶シ
リコン層を金属イオンのゲッター層として用いるという
方式が提案されている。即ち、多結晶シリコン層中の結
晶粒界を欠陥の吸収源として利用し、シリコン基板内部
の金属、それによる結晶欠陥をシリコン基板の裏面でゲ
ッタリングするというものである。
基板の裏面に多結晶シリコン層を形成し、この多結晶シ
リコン層を金属イオンのゲッター層として用いるという
方式が提案されている。即ち、多結晶シリコン層中の結
晶粒界を欠陥の吸収源として利用し、シリコン基板内部
の金属、それによる結晶欠陥をシリコン基板の裏面でゲ
ッタリングするというものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、経時変化に伴う例え
ば金属イオン等の侵入や放射線照射による結晶欠陥を、
固体撮像装置を分解することなく、修復することがで
き、再生画面上の白傷の発生を低減することができる固
体撮像装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、経時変化に伴う例え
ば金属イオン等の侵入や放射線照射による結晶欠陥を、
固体撮像装置を分解することなく、修復することがで
き、再生画面上の白傷の発生を低減することができる固
体撮像装置を提供することにある。
Claims (3)
- 【請求項１】 光電変換を行う固体撮像素子と、該固体
撮像素子を収容するパッケージとを有する固体撮像装置
において、 上記パッケージに発熱器が設けられていることを特徴と
する固体撮像装置。 - 【請求項２】 上記発熱器は、上記パッケージ内におい
て、上記固体撮像素子の下面に絶縁物を介して設置され
た板状の絶縁体上に設けられた抵抗配線で構成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 上記発熱器は、上記パッケージ内におい
て、上記固体撮像素子下に設置された絶縁物の下面に設
けられた抵抗配線で構成されていることを特徴とする請
求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012284A JPH05206423A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 固体撮像装置 |
| US08/005,796 US5334829A (en) | 1992-01-27 | 1993-01-19 | Package for solid state imager with heating means to repair imager lattice defect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012284A JPH05206423A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206423A true JPH05206423A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11801063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4012284A Pending JPH05206423A (ja) | 1992-01-27 | 1992-01-27 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5334829A (ja) |
| JP (1) | JPH05206423A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7195948B2 (en) | 2001-12-10 | 2007-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating semiconductor device |
| CN102956661A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-03-06 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种芯片封装方法及其封装结构 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543612A (en) * | 1994-05-13 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Image pickup device with attached interference stripe noise prevention mechanism |
| JP3360504B2 (ja) * | 1995-11-10 | 2002-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の後処理方法及び製造方法 |
| JP3729353B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2005-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7480006B1 (en) * | 2004-04-13 | 2009-01-20 | Pixim, Inc. | Optical package for image sensor with integrated heater |
| FR2879819B1 (fr) * | 2004-12-21 | 2007-02-23 | Ulis Soc Par Actions Simplifie | Composant de detection de rayonnements electromagnetiques notamment infrarouges |
| US7704847B2 (en) * | 2006-05-19 | 2010-04-27 | International Business Machines Corporation | On-chip heater and methods for fabrication thereof and use thereof |
| US8687085B2 (en) * | 2011-07-25 | 2014-04-01 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for verification of imaging systems |
| KR102605618B1 (ko) | 2016-11-14 | 2023-11-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지 |
| KR102380823B1 (ko) | 2017-08-16 | 2022-04-01 | 삼성전자주식회사 | 발열체를 포함하는 칩 구조체 |
| US11243550B2 (en) * | 2020-05-29 | 2022-02-08 | Juniper Networks, Inc. | Optical-electrical device using hybrid automated testing equipment |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5235184A (en) * | 1991-11-14 | 1993-08-10 | Spex Industries, Inc. | Highly stable low noise CCD spectrograph |
-
1992
- 1992-01-27 JP JP4012284A patent/JPH05206423A/ja active Pending
-
1993
- 1993-01-19 US US08/005,796 patent/US5334829A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7195948B2 (en) | 2001-12-10 | 2007-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating semiconductor device |
| CN102956661A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-03-06 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种芯片封装方法及其封装结构 |
| CN102956661B (zh) * | 2012-11-21 | 2016-01-20 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种芯片封装方法及其封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5334829A (en) | 1994-08-02 |
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