JP4850410B2 - 窒化物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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15;ショットキ層、16;ゲート電極、17a;ソース電極、17b;ドレイン電極、
19;キャップ層
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- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、
基板上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、
該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない、不純物として鉄を含む絶縁性を有し、電流コラプスを抑制する第2の窒化物半導体層と、
前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間に積層した前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層と、
前記第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層に、ショットキ接触する制御電極と、
前記第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層に、オーミック接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、
前記第3の窒化物半導体層と前記第1の窒化物半導体層との間に形成されるチャネルを流れる電流を前記制御電極に印加する電圧により制御することを特徴とする窒化物半導体装置。 - ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層の上に、不純物として鉄をドーピングした、アルミニウムを含まない前記III−V族窒化物半導体層からなる絶縁性を有し、電流コラプスを抑制する第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第2の窒化物半導体層の一部を除去した後、露出する前記第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極を形成する工程と、
前記第2の窒化物半導体層の一部を除去した後、露出する前記第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層にオーミック接触するソース電極及びドレイン電極を形成する工程とを含み、
前記基板上に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を形成し、該第3の窒化物半導体層の上に、前記第1の窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層の上に、アルミニウムを含まない前記III−V族窒化物半導体層からなる第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第2の窒化物半導体層に、鉄を不純物としてドーピングし、前記第2の窒化物半導体層を絶縁化し、電流コラプスを抑制する工程と、
該第2の窒化物半導体層の一部を除去した後、露出する前記第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極を形成する工程と、
該第2の窒化物半導体層の一部を除去した後、露出する前記第1の窒化物半導体層の上に、該第1の窒化物半導体層にオーミック接触するソース電極及びドレイン電極を形成する工程とを含み、
前記基板上に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を形成し、該第3の窒化物半導体層の上に、前記第1の窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
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