JP4849788B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
22a ゲートバー 22b ゲートフィンガー
23 ドレイン配線 23a ドレインフィンガー
24 ソース配線 24a ブリッジ部
24b ソースフィンガー 24c ソースバー
26 バイアホール 27a、27b、27c 開口
Claims (5)
- 半導体基板上に複数のトランジスタを隣接して配置し、前記複数のトランジスタの複数のゲートフィンガーをゲートバーで共通に接続するとともに、前記複数のトランジスタの複数のソースフィンガーを共通に接続するソース配線を複数のドレインフィンガーおよび前記複数のゲートフィンガーを含む前記トランジスタ上に設け、前記ソース配線は前記ゲートバーの一部のみを跨ぐ互いに離間した複数のブリッジ部を有し、
前記ソース配線は、前記複数のドレインフィンガーおよび前記複数のゲートフィンガーを含む前記トランジスタ上であって、隣接する前記ソースフィンガーの間に位置する開口を有し、前記複数のドレインフィンガーおよび前記複数のゲートフィンガーを含む前記トランジスタ上で、前記隣接するソースフィンガーの間に電極部を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に複数のトランジスタを隣接して配置し、前記複数のトランジスタのゲートをゲートバーで共通に接続するとともに、前記複数のトランジスタのソースフィンガーを共通に接続するソース配線を前記複数のトランジスタ上に設け、前記ソース配線は前記ゲートバーの一部のみを跨ぐ互いに離間した複数のブリッジ部を有し、
前記ソース配線は、前記複数のトランジスタのソース及びドレイン上の全面を覆う電極部を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記ソースフィンガーと前記複数のブリッジ部とは直線状に配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記ソースフィンガーの延長線上から離間して前記ブリッジ部が形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、前記ゲートバーを挟んで前記複数のトランジスタと反対側に前記ソース配線と接続する少なくとも1つのバイアホールを有することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体装置。
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