JP4845954B2 - リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路(IC)の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルと称されるパターニングデバイスが、集積回路の各層に対応した回路パターンを形成するために使用され得る。このパターンが基板(例えばシリコンウエーハ)の(例えばダイの一部、あるいは1つまたは複数のダイからなる)目標部分に転写されることになる。パターンの転写は典型的には、基板に塗布された放射感応性材料(レジスト)層への像形成により行われる。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的にパターン形成される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向(スキャン方向)に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。また、パターンを基板にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
リソグラフィ装置内の基板を比較的屈折率の高い例えば水などの液体に浸け、投影光学系の末端の要素と基板との間を当該液体で満たすようにすることが提案されている。この液体は蒸留水であってもよいし、その他の液体であってもよい。本発明の一実施形態は液体を例として説明されるが、濡れ性流体や非圧縮性流体、あるいは空気より高屈折率の流体(望ましくは水より高屈折率の流体)などの他の流体が適当である場合もありうる。この提案のポイントは、当該液体中で露光光の波長がより短くなって、より小さいパターンを結像させることができるということである(この液体の効果は光学系のNAを実効的に増大させるものとも、あるいは焦点深度を増大させるものともみなすこともできる)。他の液浸液も提案されており、例えば固体粒子(例えば石英)を浮遊状態で含む液体や、浮遊ナノ粒子(例えば最大寸法10nm以内の粒子)を有する液体などがある。浮遊粒子は周囲の液体と同一または類似の屈折率を有していてもよいし、有していなくてもよい。その他に適当となりうる液体には炭化水素やフッ化炭化水素、水溶液もある。これらも本発明の一実施形態に含まれる。
しかし、基板のみあるいは基板及び基板テーブルの双方を液体槽に浸ける場合には(例えば米国特許第4509852号明細書を参照)、スキャン露光中に大量の液体が加速されなければならないことになる。そのためにはモータを追加したり、あるいはより強力なモータに取り替えたりすることが必要になる。また、液体に生じる乱流が不都合あるいは不測の影響をもたらすおそれがある。
提案されている1つの方法は、液体を封じ込めるシステムを使用して投影光学系の末端の要素と基板との間において基板の局所的領域にしか液体を供給しない液体供給システムを用いることである(一般に投影系の末端要素よりも基板のほうが大面積である)。このような構成の一例が例えば国際公開第99/49504号に開示されている。図2及び図3に示されるように、液体が基板に少なくとも1つの供給口INによって好ましくは末端要素に対する基板の移動方向に沿って供給され、投影光学系の下を通過した後は少なくとも1つの排出口OUTによって取り除かれる。つまり基板が末端要素の下方で−X方向に走査される場合には、液体は末端要素の+X側から供給されて−X側で回収される。図2には、供給口INから液体が供給され、排出口OUTにより末端要素の他方の側で液体が回収されるという構成が模式的に示されている。排出口OUTは低圧源に接続されている。図2においては末端要素に対する基板移動方向に沿って液体が供給されているが、これは必須ではない。さまざまな向き及び数の供給口及び排出口を末端要素の周囲に配置することが可能である。一例としては図3に示されるように、隣接する供給口及び排出口が末端要素の周囲に規則的に4組配置されていてもよい。
局所的に液体を供給するシステムを有する液浸露光法の一例が図4に示されている。投影光学系PLの側部に設けられている2つの溝状のインレットINから液体が供給され、インレットINから放射方向外側に分散して配置されている複数のアウトレットOUTによって取り除かれる。インレットIN及びアウトレットOUTは中心部に開口を有するプレートに形成されており、この開口を通じて投影ビームが投影される。液体は、投影光学系PLの一方の側部の1つの溝状のインレットINから供給され、投影光学系PLの他方の側部に分散配置される複数のアウトレットOUTによって除去される。これにより、投影光学系PLと基板Wとの間に薄層状の液体の流れが形成される。どのインレットINとアウトレットOUTとを組み合わせて使用すべきかということは基板移動方向に依存する(インレットINとアウトレットOUTとの組み合わせによっては有効に機能しない)。
欧州特許出願公開第1420300号明細書及び米国特許出願公開第2004/0136494号明細書の全体をここに引用する。これらの文献にはツインステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置が開示されている。これらの装置には基板を支持するための2つのテーブルが設けられている。第1位置にあるテーブルで液浸液が無い状態でレベリング測定が実行され、第2位置にあるテーブルで液浸液が存在する状態で露光が実行される。これに代えて、リソグラフィ装置は、露光位置と測定位置とを移動する1つのテーブルしか有していなくてもよい。
国際公開第2005/064405号は完全湿式の方式を開示している。このシステムでは、基板上面全体が液体に覆われる。液体供給システムは、基板と投影系の末端素子との間に液体を供給する。この液体は基板の他の部位へと漏れ出す。基板テーブル端部の障壁が液体の漏れを防いでおり、基板テーブル上面からの液体の除去の制御も可能である。
例えば、液浸リソグラフィにおいて基板テーブル上面から液体を除去するシステムを提供することが望ましい。
本発明の一態様によれば、基板を保持する基板テーブルと、基板に液体を供給する液体供給システムと、を備える液浸リソグラフィ投影装置であって、該装置は、基板外へと流れて前記基板テーブルの上面の少なくとも2つの外側端部を越える液体流れを許容する液浸リソグラフィ投影装置が提供される。
本発明の一態様によれば、基板を保持する基板テーブルを備え、該基板テーブルの上端は5mmより大きい半径の部位を有する液浸リソグラフィ投影装置が提供される。
本発明の一態様によれば、基板を保持する基板テーブルを備え、該基板テーブルは基板外へと流れて基板テーブル端部領域を越える液体流れを流れさせ、前記端部領域は、前記端部領域を越える液体流れ方向に基板から離れるにつれて曲率半径が小さくなる液浸リソグラフィ投影装置が提供される。
本発明の一態様によれば、基板を保持する基板テーブルを備え、使用時に液体が流れる基板テーブルの端部は、上面から最も遠く、水平方向と80度乃至100度の角度をなす部位を有する液浸リソグラフィ投影装置が提供される。
本発明の一態様によれば、基板を保持する基板テーブルを備え、該基板テーブルは基板外へと流れて基板テーブル端部を越える液体流れを流れさせ、前記端部は、該液体流れを向ける複数の下向き突起を有する液浸リソグラフィ投影装置が提供される。
本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ装置において液体の流れを制御する方法であって、基板テーブルまたは該基板テーブルに保持される基板に、基板外へと液体が流れるように液体を供給し、前記基板テーブルの端部を越えて液体が流れるときに該端部に位置する複数の下向き突起により液体を向けることを含む方法が提供される。
本発明の一態様によれば、パターンが付与された放射ビームを液浸流体を通じて基板に投影し、基板外へと流れ、基板が保持されている基板テーブルの上面の少なくとも2つの端部を越えて流れる液浸流体流れを許容することを含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。 リソグラフィ投影装置で用いられる液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置で用いられる液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置で用いられる他の液体供給システムを示す図である。 本発明の一実施形態において液体供給システムとして使用されうる液体供給及び液体除去システムとして機能するバリア部材の断面図である。 本発明の一実施形態に係る液体供給システム及び液体除去システムの断面図である。 図6に示す基板テーブル及び液体除去システムの平面図である。 液体が流れる基板テーブル端部の詳細断面図である。 液体が流れる基板テーブル端部の詳細断面図である。 端部半径及び流速を変えたときの液体厚さの実験結果を示すグラフである。
図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は以下のものを備える。
放射ビームB(例えばUV放射またはDUV放射)を調整するよう構成されている照明光学系(イルミネータ)IL。
パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するよう構成され、所定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第1の位置決め装置PMに接続されている支持構造(例えばマスクテーブル)MT。
基板(例えばレジストでコーティングされたウエーハ)Wを保持するよう構成され、所定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル(例えばウエーハテーブル)WT。
パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つ以上のダイからなる)目標部分Cに投影するよう構成されている投影系(例えば屈折投影レンズ系)PS。
照明系は、放射の方向や形状の調整またはその他の制御用に、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
支持構造MTは、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造においてはパターニングデバイスを保持するために、機械的固定、真空固定、静電固定、または他の固定用技術が用いられる。支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスを例えば投影系に対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。
本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば仮に放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。
パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
本明細書では「投影系」という用語は、使用される露光光あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」と同義に用いられ得る。
ここに説明されるのは、(例えば透過型マスクを用いる)透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、(例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイや反射型マスクなどを用いる)反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。
リソグラフィ装置は2つ以上(2つの場合にはデュアルステージと呼ばれる)の基板テーブル(及び/または2つ以上のパターニングデバイステーブル)を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルで露光が行われている間に他の1以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。
図1に示されるようにイルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源SOからイルミネータILへとビーム搬送系BDを介して受け渡される。ビーム搬送系BDは例えば適当な方向変更用のミラー及び/またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源SOとイルミネータILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系または放射システムと総称される。
イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタADを備えてもよい。一般にはアジャスタADにより、イルミネータILの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び/または内径の大きさ(通常それぞれ「シグマ−アウタ(σ−outer)」、「シグマ−インナ(σ−inner)」と呼ばれる)が調整される。加えてイルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
放射ビームBは、支持構造(例えばマスクテーブル)MTに保持されるパターニングデバイス(例えばマスク)MAに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。マスクMAを通過した放射ビームBは投影系PSに進入する。投影系PSはビームを基板Wの目標部分Cに投影する。第2の位置決め装置PWと位置センサIF(例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど)により基板テーブルWTを正確に移動させることができる。基板テーブルWTは例えば放射ビームBの経路に異なる目標部分Cを順次位置決めするように移動される。同様に、第1の位置決め装置PMと他の位置センサ(図1には明示せず)とにより放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や露光走査中に行われる。一般に支持構造MTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を構成するロングストロークモジュール(粗い位置決め用)及びショートストロークモジュール(精細な位置決め用)により実現される。同様に基板テーブルWTの移動は、第2の位置決め装置PWの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは(スキャナとは逆に)、支持構造MTはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスMAと基板Wとは、パターニングデバイスのアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい(これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である)。同様に、パターニングデバイスMAに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスのアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
図示の装置は例えば次のうちの少なくとも1つのモードで使用され得る。
1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射(すなわち単一静的露光)で目標部分Cに投影される間、支持構造MT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルがX及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Cのサイズを制限することになる。
2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間(すなわち単一動的露光の間)、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期して走査される。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PSの拡大(縮小)特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、スキャン移動距離が目標部分の(走査方向の)長さを決定する。
3.別のモードにおいては、支持構造MTがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームPBに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、基板テーブルWTが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルWTの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。
基板と投影系PSの末端素子との間に液体を供給する従来の構成は2種類に分類される。1つは浴槽形式である。このタイプは、基板W全体(場合によっては基板テーブルWTの一部も)が液体槽に浸される。もう1つはいわゆる局所液浸システムである。これは、基板の局所領域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者のタイプでは、液体が占める空間は基板上面よりも平面視において小さく、液体が占める領域は基板Wがその領域に対して移動するときも投影系PSに対して静止したままである。
本発明の一実施形態が主として対象とする別の構成例は、液体を封じ込めない完全湿式法である。この構成は、基板上面全体及び基板テーブル全体(または基板テーブル一部)が液浸液に覆われる。これは、基板上面全体が同一条件に置かれるという点で有利である。これは基板温度制御及び基板処理に有利である。また、液浸液中の汚染物質を洗い流すことも可能である。
図2乃至図5のいずれに示される液体供給装置も完全湿式システムに使用可能であるが、シール構造は存在していないか、動作していないか、通常ほど有効ではないか、あるいは局所領域のみに液体を封止するには何らかの点で有効ではない。図2乃至図5には4種類の異なる局所液体供給システムが示されている。図2乃至図4の液体供給システムについては上で述べた。
図5は、液体を局所的に供給するシステムを模式的に示す。この液体供給システムは基板テーブルと投影系の末端素子との間の空間の辺縁部の少なくとも一部に沿って延在するバリア部材12を備える。バリア部材12はXY面内では投影系に対して実質的に静止しているが、Z軸方向(光軸方向)にはある程度相対移動が可能である。一実施例においては、バリア部材と基板表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールまたは流体シールのような非接触のシールである。
バリア部材12は、投影系PSの末端素子と基板Wとの間の空間11に液体を少なくとも部分的に収容する。基板に対する非接触シール16が投影系の結像領域の周囲に形成されていてもよい。その結果、投影系の末端素子と基板表面との間の空間に液体が封じ込められる。この空間の少なくとも一部は、投影系PSの末端素子の下方及び周囲に配置されるバリア部材12によって区切られて形成される。液体が、液体供給口13により投影系下方かつバリア部材12内部の空間に供給され、液体排出口13により除去されてもよい。バリア部材12は投影系末端素子の若干上方にまで延在していてもよい。これにより液位が末端素子よりも上方に上昇したときに液体のバッファーが形成される。一実施例ではバリア部材12は上端部において内周形状が投影系またはその末端素子の形状に近似していてもよく、例えば円周状であってもよい。底部においては内周形状が結像領域の形状例えば長方形に近似していてもよいが、これは必須ではない。
液体はガスシール16によって空間11に保持されている。このガスシール16は、使用時にバリア部材12の底部と基板Wの表面との間に形成される。ガスシールは例えば空気や合成空気などの気体により形成されるが、一実施例ではNや他の不活性ガスでもよい。ガスシールは、バリア部材12と基板との間隙に吸気口15から負圧を供給するとともに排気口14で吸引することにより形成される。ガス吸気口15での超過圧力、排気口14での真空レベル、及び間隙の幾何形状は、液体を封じ込める高速なガス流れ16を中心方向に生じさせるように構成される。バリア部材12と基板Wとの間で気体から液体に作用する力により空間11に液体が保持される。これらの吸気口及び排気口は空間11を取り囲む環状の溝であってもよい。環状溝は連続していても非連続であってもよい。ガス16の流れは空間11に液体を保持するのに有効なものとされる。このようなシステムは米国特許出願公開第2004−0207824号明細書に開示されている。
他の構成も可能であることは以下の説明からも明らかであろう。また、本発明の一実施形態は、液体供給システムとしてのいかなる形式の局所液体供給システムにも使用可能でありうる。
局所液体供給システムには、その液体供給システムの一部と基板Wとの間をシールするものがある。液体供給システムの該一部と基板Wとの相対運動により、そのシールが破れて液体が漏れるおそれがある。
局所領域液体供給システムの課題は、基板と投影系との相対移動に際して液浸液を完全に保持して基板上に残さないようにするのが難しいということである。液体が失われるのを避けるには、液体供給システムに対する基板の移動速度を制限すべきである。液浸リソグラフィ装置で高NA値を生成する液浸液については特にそうであり、水以外の液体についてはなおさらである。そのような液体は水よりも低表面張力かつ高粘性の傾向がある。表面張力及び粘性に対応するメニスカス破断速度を越えると、高NA液体を保持するのは非常に難しい。基板上の一部の領域に液体が残されると、液浸液の蒸発により基板の温度変動が生じ得る。そうすると、オーバレイエラーが生じ得る。
また、液浸液が蒸発するときに、(汚染物質またはパーティクルに由来する)乾燥ステインが基板Wに残されうる。また、基板上のレジストに液体が拡散することで、基板上面の光化学性に不一致が生じ得る。浴槽法(液槽に基板を浸す方式)によりこれらの問題を緩和することも可能であるが、浴槽法では液浸装置における基板交換が難しくなりうる。本発明の一実施形態においては、以下でこれらの課題の1つまたは複数に対処する。
本発明の一実施形態においては、投影系PS下方及び基板W上方に液体を供給するために局所液体供給システムLSSが使用される。その領域に液体流れが生成される。そのためにいかなる局所液体供給システム(例えば図2乃至図5に示されるいずれかの形式)が使用されてもよく、図5に示されるものでもよいしその変形例であってもよい。しかし、局所液体供給システムLSSと基板Wとの間に形成されるシールは特に良好に作られていなくてもよく、まったく設けられていなくてもよい。すなわち、液体供給システムにより液体が封止されていなくてもよい。例えば、バリア部材12の下側の構成要素すべてが図5の実施形態から省略されていてもよい。シール形式は本発明の一実施形態において重要ではないし、あるいはシールがまったく設けられていなくてもよい。図6に示されるように、液体17のフィルムまたは液体17の層が基板W上面全体を実質的に覆うよう設計されていてもよい。基板テーブルWTの上面が液体層17で完全にまたは部分的に覆われていてもよい。2006年6月22日出願の米国特許出願第11/472,566号は基板W上面全体が液体フィルム17で覆われる他の実施形態を複数開示している。本発明の一実施形態は米国特許出願第11/472,566号に開示される液体供給システムにも適用可能であると理解されたい。
本発明の一実施形態においては、基板テーブルWTの少なくとも2つの端部400から液体の排出が許容されている。これらの端部は、基板テーブル上面の端部である。各端部は端部前面407を有する。これらの端部は互いに基板テーブルWTの反対側の端部である。端部は、基板テーブルWT(または基板テーブルWT上面)の外側端または最外端である。一実施例では、端部400は、走査移動(スキャン移動ともいう)に実質的に垂直な基板テーブル端部である。この走査方向は、最長ストローク及び最大加速度の方向(つまり長ストローク方向)である。このストローク中に、基板テーブルWT端部のごく狭い部位ではなく、少なくとも半分の長さあるいは全体から液体の排出が許容される。端部を越えて放射方向外側に流れる基板テーブルからの液体流出に対する障壁(及び/または基板テーブルWT上面に取り付けられた障壁)が存在しないように構成されていてもよい。
図7に示されるように、走査方向に実質的に平行な端部に沿ってバリア401が設けられていてもよい。このバリアは基板テーブルWT上面から突出し、この端部から液体が流れ落ちるのを防ぐ。しかしこれは必須ではなく、基板テーブルWT上面のすべての端部から液体が排出されるよう構成されていてもよい。
端部400から流出した液体は、少なくとも1つの溝部(ガターともいう)500に捕らえられてから排出される。溝部500は、基板テーブルWTまたは少なくとも基板を保持する部位から機械的に動的に切り離されていてもよい。溝部500は、長ストローク位置決め機構に取り付けられていてもよいし、長ストローク位置決め機構から独立であってもよい。基板を保持する部位または基板テーブルWTと溝部500との相対位置は固定されていてもよいし、相対移動可能であってもよい。一実施例では溝部500は独自の独立した位置決め機構を有するが、これは必須ではない。端部400に対し溝部500を実質的に定位置に移動させるコントローラが設けられていてもよい。溝部500は、基板テーブルWTから独立して移動されてもよい。この独立移動は、基板テーブル端部の長手方向に実質的に垂直な方向であってもよい。
図6は、本発明の一実施形態に係り、走査方向に平行な平面による部分断面図である。図示されるように、走査方向に実質的に垂直に端部400から液体の排出が許容されている。液体は端部から流出して該端部下方に位置する溝部500へと流れ落ちている。図6の端部400及び溝部500はともに紙面に垂直方向に長手方向が延びている。これは図7に、よりはっきりと示されている。図7は基板テーブル及び溝部500の構成を示す平面図である。
図6に示されるように、投影系と基板Wとの間の領域に液体が供給されている。液体供給システムLSSの下方から基板Wの上面全域へと液体の漏れが許容されている。液体はさらに基板テーブルWTの上面へと漏れ流れる。そして液体は端部400を越えて端部前面407(すなわち基板テーブル上面に実質的に垂直な面)の少なくとも一部を下方に溝部500へと流れる。溝部500から液体は除去される。
基板テーブルWTの端部400の形状は、基板及び基板テーブルWTの上面で液体フィルムが途切れることのないよう基板テーブルWTから流れ出る液体の流速を良好なものとすることを保証するためには重要である。
基板テーブルが静止していると、基板W及び基板テーブルWT上面を覆う液体層17の厚さが増加していく。ある厚さに達すると(端部400の形状にも依存するが)、液体は端部400を越えて基板テーブルWTから流れ出す。基板テーブルWTが移動し始めると、この液浸液の厚層17が端部400を越えて溝部(ガターともいう)500に流出する。そうすると、液層17の厚さは薄くなる。基板W及び基板テーブルWTの上面における液浸液の静止状態での厚さが非常に大きい場合には、静止状態終了時に溝部500に流入する液量を収容するのが難しくなり、溝部500があふれてしまうおそれがある。よって、基板テーブルWT上の静止状態での液浸液層の厚さを低減または最小化する基板テーブル端部形状を提供することが好ましい。液体が厚さを有するのは、端部表面を越えて液体が流れるときに液浸液フィルム17を薄くするように重力が液体を加速するからである。重力と液浸液の表面張力とにより端部表面に液体が保持される。これには半径により減少する毛細管圧も関係している。そこで、基板テーブルWTは、基板テーブルWT上面の中心からの距離とともに半径が小さくなる端部を有する。これにより、基板テーブルの連続する複数回のストローク移動のそれぞれにおいて溝部500に液体を滑らかに落下させることが可能となる。液体が流れる端部の長さを短くしてもよい。ただし流速を大きくする必要がある場合には、液体が流れる端部の長さを長くしてもよい。一実施例では、端部の長さ全体から液体が流れ出してもよい。
端部400のうち基板テーブルWT上面中心に最も近い部分の曲率半径が重要である。図8は、端部400の詳細断面図である。図示されるように、端部400のうち基板テーブルWT上面中心に最も近い部分(言い換えれば、水平からの角度変位が最も近い部分)の半径は10mmである。基板テーブルWT上面中心から遠くなるほど半径は小さくなる。基板テーブルWT上面中心に最も近い半径が静止状態における基板テーブルWT上の液浸液層の厚さを決定しうる。よって、この半径初期値は、基板テーブルWT上の液体フィルムが所望の厚さを有して最適化されるように選択されてもよい。
図10は、240mmの端部長さを有する基板テーブルWTの静止状態での液浸液層厚さの実験結果を示す。実験結果のうち4つは端部半径10mmで4通りの異なる流速での結果を示し、他の4つの結果は端部半径5mmで4通りの異なる流速での結果を示す。それぞれの線には最初に(Rで示す)半径が表示され、その次に流速が毎分何リットルという単位で表示されている。これらの実験結果が示すことは、ある流速に対しては端部半径が大きいほうが基板テーブルWTの静止状態において薄い液浸液層厚さを得られるということである。もちろん実際にはこれらと異なる流速が使用され得る。半径が大きいほど、流れ抵抗が小さくなりかつ重力が作用する時間が長くなって、液層は薄くなり表面から離れにくくなる。10mmの半径は、5m/sまでの基板テーブルWT速度には十分でありうる。基板テーブル表面を非濡れ状態とすることなく基板テーブル上の液浸液層をできるだけ薄くすることが望ましい。
実験結果に基づくと、基板テーブル端部400は5mmより大きい半径、または少なくとも6mm、7mm、8mm、または9mmより大きい半径を有する。一実施例では、端部400は10mmより大きい半径を有する。端部半径を大きすぎる値に選択すると、装置内に要する空間が大きくなるので好ましくない。
必要空間を増加することなく大半径の端部の利点を得るには、基板テーブルWT上面中心の近いところでは端部半径を大きくし、基板テーブルWT上面中心から遠くなるにつれて端部半径を小さくしてもよい。言い換えれば、鉛直方向から水平方向への端部表面の角度変位につれて端部半径を増加させてもよい。よって、図8に示すように、端部400はまず10mmの半径とされ5mmの半径まで小さくされる。図示されるように端部の最下端では鉛直かつ直線(すなわち半径無限大)である。この態様は図9を参照して更に後述する。
端部400の半径を変化させる場合には、2つの半径の移行部分は滑らかな移行部分とすることが好ましい。図8では、端部の曲率半径が5mmから10mmの範囲で変化している。しかし、例えば6mmから9mmの範囲、8mmから10mmの範囲、または7mmから8mmの範囲というように他の上下限の範囲で半径を変化させても同様の効果を得られる。
これらの対策により、静止状態の基板テーブルWT上面に保持される液浸液量を少なくできるという効果を得られる。よって、溝部500に必要となる緩衝(バッファ)容積も小さくできる。さらに、溝部の負荷すなわち溝部を移動させるアクチュエータへの負荷も(そのようなアクチュエータが設けられている場合には)小さくすることができる。
端部半径を大半径から小半径へと変化させることにより、基板テーブル高さを小さくすることもできる。また、走査中に液浸液が離れる可能性も小さくすることができる。さらに、溝部500に落下する前に端部から液浸液が離れる可能性も小さくすることができる。溝部500が小さいため収容液浸液量も少なくなるので、溝内の乱流が低減されるからである。また、ある所与の半径についてより高速の液浸液流れを使用することができるので、基板W及び基板テーブルWTの温度安定性を高めることができる。これにより、結像精度を改善するとともに、オーバレイ誤差を低減することもできる。
言い換えれば、曲率半径を変化させることにより、基板テーブル端部を越えて溝部へと流れる液体の流れを滑らかにすることができる。流れは重力に支援されている。つまり、液体が端部を越えるときには自身の重さにより下方に加速される。曲率半径の増加は、液体が端部を越えるときに液体の垂直方向速度の増加をもたらす。液体が下方に加速されると表面張力により、液体流れ中の液体はその流れの後方の液体を引っ張る。同時に、表面張力は、流れ中の前方において液体を引っ張る。表面張力により、液体が端部曲面を移動するにつれて液体フィルムは薄くなる(つまり厚さが小さくなる)。また、表面張力は、液体が曲面から離れた後でも液体フィルム表面を安定に保つには十分な大きさである。このようにして、走査中の非濡れ状態の発生、及び基板テーブル表面からの液体の分離の発生の可能性を低減し、好ましくは最小化することができる。曲率半径を変化させることにより、基板テーブルから溝部への液体輸送を滑らかにすることができる。
基板テーブルのストローク移動により、液体流れは、最小量の最小速度での移動から最大量の最大速度での移動へと変動する。一実施例では、基板テーブルWTの移動を制御することにより流れ変化が管理される。例えば、溝部への液体流れが滑らかであることを保証するのに役立つように基板テーブル移動が管理されてもよい。その結果、最大速度における液浸液量が溝部500に滑らかに「落下」し滑らかに除去されてもよい。この加速がうまく管理されない場合には液体流れは液滴を形成し飛沫化し得る。
端部400のすべて(すなわち端部の前面または垂直部位407を含むすべての部分)が常に液体で覆われていることが好ましい。端部400のいずれかの部位が非濡れ状態となると、端部400を越えて流れる液体は端部400から分離する傾向を有する。そうすると、溝部500から外れてしまったり、溝部500へ流入するときに飛沫化したりしてしまう。このような状況は、装置の各部分が液浸液で汚染されないようにするために避けることが好ましい。端部の非濡れ化は通常、端部を越える流れが液滴へと途切れることにより生じる。これは特に走査時の加速中(例えば長ストローク移動中及び端ストローク移動中)に起こる。端部400のうち基板テーブルWT上面から最も遠い前面407の角度はこの点から重要である。
図9は、関連する角度αを示す。この角度αは、端部400のうち基板テーブルWT上面から最も遠い前面407の表面部位が水平方向となす角度である。角度αの適切な範囲は80度乃至100度である。一実施例では、この角度は85度乃至95度であり、端部400全体を濡れ状態に保つのに最も効果的なのは90度であると思われる。
端部400を濡れ状態に保つことにより、溝部500をより小さくすることができるという効果が得られる。液体飛沫をとらえるために溝部をあまり大きくする必要がなくなるからである(つまり薄くすることができる)。また、基板テーブルWT端部下方に溝部500を位置決めすることができるので、基板テーブルWTの実効フットプリントも小さくすることができる。さらに、非濡れ状態を防ぐことにより、基板テーブルWTに生じさせる力の再現性が良好となり基板テーブルWTの制御性も改善される。また、端部全体の濡れ状態が保たれると基板テーブルWTの熱安定性が改善される。一実施例では、基板テーブルからの流れを最大化するために、基板テーブル端部全体が基板テーブルからの液体流れに使用される。すなわち、基板テーブルから溝部への移行部分における液浸液の良好な流れ管理が望ましく、そのために基板テーブル端部の長さ全体が使用される。
端部400を下方に延在させて縁部600(図6参照)を設けることも有利である。これにより少なくとも部分的に端部下端よりも上方に溝部500の側壁を延在させて液体が逃げる可能性を低減することができるからである。縁部600は基板テーブルWTと一体でなくてもよい。基板テーブルWTの下面を液体が伝うのを防ぎ、基板テーブルWTの構成要素を濡らさないようにすることが好ましい。そのために、縁部600の内面を疎液体性としてもよい。内面というのは基板テーブルWTの中心に近いほうの表面である。縁部の外面(図9においては右側の面)を親液体性とすれば、端部400で液体フィルムが破れる可能性を小さくできる。端部400の他の部位も有利には親液体性とされてもよい。さらに、縁部600の端部または端部の下端409を尖らせた場合には(例えば、半径1mm未満、半径0.5mm未満、半径0.1mm未満、または半径0.01mm未満)、端部400の下方を液体が伝う可能性を小さくできる。縁部600を設けない場合であっても、このような形状を基板テーブル端部下端の角部に設けてもよい。
縁部600は、(溝部500及び端部400の細長方向と同方向である)紙面垂直方向に細長い。縁部600は、装置の他の部分と接触したときの損傷を避けるために弾性変形可能であってもよいし容易に破断されるようになっていてもよい。
非濡れ状態が生じるのは、液浸液フィルムのメニスカスの固定が悪いためである。固定が悪いというのは、基板テーブル端部長手方向の特定位置にメニスカスが固定されないという意味である。端部の残りに対して(固定がよい場合)、液浸流体流れは均一ではない。非濡れ状態により基板テーブル表面の特に非濡れ部位またはその近傍に汚染物質が集積されるおそれがある。堆積された汚染物質は滑らかな液体流れを阻害し、液浸液フィルムの表面張力も妨げる。そうするとさらに非濡れ化が進む。非濡れ状態は液浸液の滑らかな流れを妨げ得る。
基板テーブル端部を濡れ状態に保つために更なる対策がありうる。その1つは、液浸液に親液体性の表面特性を端部表面にもたせることである。これとともにまたはこれに代えて、縁部600は端部長手方向に沿って複数の縁部を有してもよい。各縁部の端部で液体が固定される。これらの対策について更に詳しく述べる。
電極が端部400の表面に埋め込まれるか設けられてもよい。液浸液に親液体性の表面とするために、エレクトロウェッティングの原理を使用することができる。例えば、複数電極がどの電極も表面及び他の電極から絶縁されるように表面上で直列に配置され、液体に接触するようなっていてもよい。そうすると、露出された電極さらには液体と非露出電極との間に電位差を与えることにより、露出電極の1つに接触している液体には電極の絶縁表面上でエレクトロウェッティング効果が作用する。よって、端部前面での液浸液の接触角を小さくすることができる。液体フィルムが液滴へと途切れにくくなる。フィルムが液滴に分かれたとしても、液滴は広がってフィルム状に再度形成されやすくなる。2007年12月3日出願の「リソグラフィ装置及びデバイス製造方法」なる出願(ASML整理番号P−2931.000−US、弁護士整理番号081468−0366796)は上記の内容について詳細に述べている。同出願に開示された技術は、基板テーブル端部でのエレクトロウェッティング効果にも使用しうる。電極はいかなるパターンであってもよく、例えば水平方向または垂直方向のストライプ、または格子状パターンであってもよい。
縁部600は連続リムであってもよいし、あるいは、反復的に配列された例えば1つまたは複数の縁部として非連続であってもよい。縁部600の配列を端部400周囲に設けることにより、濡れ状態を保ちやすくなる。各縁部600は、液体表面または液体メニスカスを固定する尖端を有する。液体表面が滑らかであると、液体表面張力は基板テーブルWT表面に液体を薄くのばすのに役立ち、基板テーブルWT表面は通常よりも広く液体に覆われる。端部400に沿って縁部600の配列間隔を調整することにより、基板テーブルWT表面をより広く覆うことが可能となる。縁部600間の距離を最適化することにより、基板テーブルWT表面全域が非濡れ状態とならないようにすることができる。
第1の態様においては、基板を保持する基板テーブルと、基板に液体を供給する液体供給システムと、を備える液浸リソグラフィ投影装置であって、該装置は、基板外へと流れて前記基板テーブルの上面の少なくとも2つの外側端部を越える液体流れを許容するよう構成されている液浸リソグラフィ投影装置が提供される。液浸リソグラフィ投影装置は、前記端部を越えて流れる液体を回収する溝をさらに備えてもよい。前記溝は前記上面から機械的に動的に切り離されていることが好ましい。前記端部は装置の走査方向に垂直であってもよい。前記液体は前記端部から離れる前に前記端部の各々の前面を下方へ少なくとも部分的に流れてもよい。前記端部の各々の内部または表面に設けられた電極と、該電極と他の電極との間にエレクトロウェッティング効果をもたらすよう電位差を与えるコントローラと、をさらに備えてもよい。前記端部の各々の内部または表面に複数の電極を備え、前記他の電極は前記複数の電極の少なくとも1つであることが好ましい。前記液体供給システムは基板を液体で覆うよう構成されていてもよい。
第2の態様においては、基板を保持する基板テーブルを備え、該基板テーブルの上端は5mmより大きい半径の部位を有する液浸リソグラフィ投影装置が提供される。前記半径は、鉛直方向からの端部表面上での角度変位につれて小さくなってもよい。前記半径は、少なくとも7mm乃至8mm、6mm乃至9mm、または5mm乃至10mmの範囲で変化することが好ましい。前記部位は6mm、7mm、または8mmより大きい半径を有してもよい。
第3の態様においては、基板を保持する基板テーブルを備え、該基板テーブルは基板外へと流れて基板テーブル端部領域を越える液体流れを流れさせ、前記端部領域は、前記端部領域を越える液体流れ方向に基板から離れるにつれて曲率半径が小さくなる液浸リソグラフィ投影装置が提供される。前記半径は滑らかに変化してもよい。
第4の態様においては、基板を保持する基板テーブルを備え、使用時に液体が流れる基板テーブル端部前面は、基板テーブル上面から最も遠い部位であって水平方向と80度乃至100度の角度をなす部位を有する液浸リソグラフィ投影装置が提供される。前記角度は、水平方向と85度乃至95度の角度をなしてもよい。前記部位は、1mm、0.5mm、または0.1mm未満の半径を有する下端を有してもよい。前記部位は内面が前記液体に疎液体性であってもよい。前記部位は弾性変形可能であってもよい。前記部位は垂直方向に細長くてもよい。前記部位は前記基板テーブルの上面と一体でなくてもよい。前記部位は下向きに細長くてもよい。前記部位は、互いに間隔を空けている複数の部位であることが好ましい。前記複数の部位は等間隔に間隔が空いていることが好ましい。前記複数の部位は、基板テーブルの上面の実質的全体及び/または端部前面が濡れ状態に保たれるように選択された距離だけ間隔を空けていることが好ましい。
第5の態様においては、基板を保持する基板テーブルを備え、該基板テーブルは基板外へと流れて基板テーブル端部を越える液体流れを流れさせ、前記端部は、該液体流れを向ける複数の下向き突起を有する液浸リソグラフィ投影装置が提供される。
第6の態様においては、液浸リソグラフィ装置において液体の流れを制御する方法であって、基板テーブルまたは該基板テーブルに保持される基板に、基板外へと液体が流れるように液体を供給し、前記基板テーブルの端部を越えて液体が流れるときに該端部に位置する複数の下向き突起により液体を向けることを含む方法が提供される。
第7の態様においては、パターンが付与された放射ビームを液浸流体を通じて基板に投影し、基板外へと流れ、基板が保持されている基板テーブルの上面の少なくとも2つの端部を越えて流れる液浸流体流れを許容することを含むデバイス製造方法が提供される。
本明細書ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウエーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック(典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置)、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ICを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外(UV)放射(例えば約365nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長を有する)を含むあらゆる種類の電磁放射を示す。
「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む1つまたは各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。
本発明の具体的な実施形態が上述のように説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば本発明は、上述の方法が記述された機械で読み取り可能な1以上の一連の指示を含むコンピュータプログラムの形式、またはこのような1以上のコンピュータプログラムが記録された(半導体メモリや磁気・光ディスクなどの)データ記録媒体の形式をとってもよい。本明細書で言及された1つまたは複数の異なるコントローラは、リソグラフィ装置の少なくとも1つの構成要素内部に位置する1つまたは複数のコンピュータプロセッサにより1つまたは複数のコンピュータプログラムが読み出されたときに動作可能であってもよい。1つまたは複数のプロセッサは少なくとも1つのコントローラに通信可能であって、1つまたは複数のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って当該コントローラが動作するように構成されていてもよい。
本発明の1つ以上の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置にも適用可能であり、特に上述の形式のものには限られない。液浸用の液体が液体槽の方式で供給されるものにも基板上の局所領域にだけ供給されるものにも適用可能である。あるいは、非封じ込め式であってもよい。非封じ込め方式の一例においては、液浸液は基板表面及び/または基板テーブル表面から流れ出して基板及び/または基板テーブルの露出面の事実上全域が濡れてもよい。このような非封じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは、液浸液を封じ込めなくてもよいし、液浸液を完全にではなく部分的に封じ込めてもよい。
本明細書にいう液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態では、液体供給システムは投影系と基板及び/または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する構造の組合せまたは機構であってもよい。液体供給システムは1つ以上の構造部材の組合せ、空間に液体を供給するための1つ以上の液体流入口、1つ以上の気体流入口、1つ以上の気体流出口、及び/または1つ以上の液体流出口を備えてもよい。一実施例では、液体が供給される空間の一表面が基板及び/または基板テーブルの一部分であってもよい。あるいはその空間の一表面が基板及び/または基板テーブルの表面を完全に覆ってもよい。またはその空間は基板及び/または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、質、形状、流速または他の特性を制御するための1つ以上の要素を更に含んでもよい。
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の請求項の範囲から逸脱することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。

Claims (10)

  1. 基板を保持する基板テーブルであって、該基板テーブルの上面の最外端でありかつ基板の走査移動に実質的に垂直である端部を備える基板テーブルと、
    前記基板テーブルまたは該基板テーブルに保持される基板に、基板外へと液体が流れるように液体を供給する液体供給システムと、を備え
    前記基板テーブルの前記端部は、該端部を越えて下方へと液体が流れる前面を備え、該前面の下端部は、水平方向と80度乃至100度の角度をなしており、
    前記基板テーブルの前記端部のうち基板に最も近い第1部分の曲率半径は、前記基板テーブルの前記端部のうち前記前面の下端部に隣接する第2部分の曲率半径よりも大きく、該第1部分から該第2部分へと曲率半径が滑らかに変化する移行部分が設けられていることを特徴とする液浸リソグラフィ投影装置。
  2. 前記第1部分の曲率半径は、前記基板テーブルの静止状態において前記液体が所望の厚さを有するよう選択されていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 前記第1部分の曲率半径は、10mmより大きく、前記第2部分の曲率半径は、5mmより大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の装置。
  4. 前記基板テーブルの前記端部を越えて下方へと流れる液体を回収するために、該端部の下方に位置する溝をさらに備え
    前記溝は前記基板テーブルの上面から機械的に動的に切り離されており、前記溝は前記基板テーブルに対し相対移動可能であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の装置。
  5. 基板テーブルの端部は、該液体流れを前記溝へと向ける縁部を有し、該縁部は、前記端部から下方に延在していることを特徴とする請求項4に記載の装置。
  6. 前記溝の側壁は、前記縁部の下端よりも上方まで延在していることを特徴とする請求項5に記載の装置。
  7. 前記端部の各々の内部または表面に設けられた電極と、該電極と他の電極との間にエレクトロウェッティング効果をもたらすよう電位差を与えるコントローラと、をさらに備えることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載の装置。
  8. 前記端部の各々の内部または表面に複数の電極を備え、前記他の電極は前記複数の電極の少なくとも1つであることを特徴とする請求項に記載の装置。
  9. 液浸リソグラフィ装置において液体の流れを制御する方法であって、
    基板テーブルまたは該基板テーブルに保持される基板に、基板外へと液体が流れるように液体を供給することと
    前記基板テーブルの端部を越えて液体が流れるときに、該端部により液体を下方へと向けることと、を含み、
    前記基板テーブルの前記端部は、前記基板テーブルの上面の最外端でありかつ基板の走査移動に実質的に垂直であり、
    前記基板テーブルの前記端部は、該端部を越えて下方へと液体が流れる前面を備え、該前面の下端部は、水平方向と80度乃至100度の角度をなしており、
    前記基板テーブルの前記端部のうち基板に最も近い第1部分の曲率半径は、前記基板テーブルの前記端部のうち前記前面の下端部に隣接する第2部分の曲率半径よりも大きく、該第1部分から該第2部分へと曲率半径が滑らかに変化する移行部分が設けられていることを特徴とする方法。
  10. パターンが付与された放射ビームを液浸流体を通じて基板に投影することと
    基板外へと流れ、基板が保持されている基板テーブルの上面の端部を越えて流れる液浸流体流れを許容することと、を含み、
    前記基板テーブルの前記端部は、前記基板テーブルの上面の最外端でありかつ基板の走査移動に実質的に垂直であり、
    前記基板テーブルの前記端部は、該端部を越えて下方へと液体が流れる前面を備え、該前面の下端部は、水平方向と80度乃至100度の角度をなしており、
    前記基板テーブルの前記端部のうち基板に最も近い第1部分の曲率半径は、前記基板テーブルの前記端部のうち前記前面の下端部に隣接する第2部分の曲率半径よりも大きく、該第1部分から該第2部分へと曲率半径が滑らかに変化する移行部分が設けられていることを特徴とするデバイス製造方法。
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EP2131242A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-09 ASML Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2004523A (en) * 2009-05-08 2010-11-09 Asml Netherlands Bv Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005120A (en) * 2009-09-21 2011-03-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method.
NL2005126A (en) * 2009-09-21 2011-03-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method.
US8760630B2 (en) 2011-01-01 2014-06-24 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method of manufacturing device
US20240192607A1 (en) 2019-09-13 2024-06-13 Asml Netherlands B.V. Fluid handling system and lithographic apparatus
US11275312B1 (en) 2020-11-30 2022-03-15 Waymo Llc Systems and methods for verifying photomask cleanliness

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS62121417A (ja) * 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
DE69621540T2 (de) * 1995-09-14 2003-01-09 Hitachi Ltd Elektronenmikroskop
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
WO2002007503A1 (en) * 2000-07-25 2002-01-31 The Regents Of The University Of California Electrowetting-driven micropumping
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
US7225819B2 (en) * 2000-12-08 2007-06-05 David P Jackson Apparatus process and method for mounting and treating a substrate
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
TWI232357B (en) * 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4529433B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR20120127755A (ko) * 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
DE60307322T2 (de) * 2002-12-19 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
JP2004312024A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Nikon Corp 液浸リソグラフィシステム
EP2921905B1 (en) * 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
DE10324477A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP4492239B2 (ja) * 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
KR101380989B1 (ko) * 2003-08-29 2014-04-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4515209B2 (ja) * 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005123258A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Canon Inc 液浸露光装置
JP2005123305A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Canon Inc 液浸型露光装置
JP2005166776A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Canon Inc 液浸露光装置
KR101547037B1 (ko) * 2003-12-15 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP2005189850A (ja) * 2003-12-15 2005-07-14 Carl Zeiss Smt Ag 液浸リソグラフィー用屈折性投影対物レンズ
JP4308638B2 (ja) * 2003-12-17 2009-08-05 パナソニック株式会社 パターン形成方法
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005071491A2 (en) * 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
JP2005243686A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Ebara Corp 露光装置および露光方法
JP2005302880A (ja) * 2004-04-08 2005-10-27 Canon Inc 液浸式露光装置
US7091502B2 (en) * 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
JP4487907B2 (ja) * 2004-11-19 2010-06-23 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
WO2006059636A1 (ja) * 2004-12-02 2006-06-08 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4551758B2 (ja) * 2004-12-27 2010-09-29 株式会社東芝 液浸露光方法および半導体装置の製造方法
JP2006210408A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Nikon Corp 投影光学系の検査装置、及び投影光学系の製造方法
US20060232753A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US7839483B2 (en) * 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7446859B2 (en) * 2006-01-27 2008-11-04 International Business Machines Corporation Apparatus and method for reducing contamination in immersion lithography
US7532309B2 (en) * 2006-06-06 2009-05-12 Nikon Corporation Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid
US7656502B2 (en) * 2006-06-22 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8208116B2 (en) * 2006-11-03 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US9013672B2 (en) * 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
JP4555853B2 (ja) * 2007-10-29 2010-10-06 株式会社ケンウッド オーダシステム
NL1036194A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.

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