JP4845786B2 - 真空排気装置、半導体製造装置及び真空処理方法 - Google Patents
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また、本発明の真空処理方法は、真空室の内部を、ターボ分子ポンプと該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとにより排気しながら、前記真空室内で基体の処理を行う真空処理方法であって、Arガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の5%以上17.5%未満であり、前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間でArガスを導入し、前記ターボ分子ポンプの排気側から前記真空室への不純物ガス、水分、又はパーティクルの逆拡散を防止することを特徴とする。
さらに、本発明の真空処理方法は、真空室の内部を、ターボ分子ポンプと該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとにより排気しながら、前記真空室内で基体の処理を行う真空処理方法であって、Arガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の5%以上17.5%未満であり、前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間でArガスを導入し、前記ターボ分子ポンプの排気側と前記補助ポンプとの間を分子流領域から粘性流領域とし、前記ターボ分子ポンプの排気側から前記真空室への不純物ガス、水分、またはパーティクルの逆拡散を防止することを特徴とする。
本発明の真空排気装置は、真空室の内部を排気するための排気装置であって、ターボ分子ポンプと、該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとから構成され、前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間にN 2 ガスを導入するためのガス導入部を設け、前記N 2 ガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の2%以上8%未満であって、該導入部からN 2 ガスを導入しながら、前記真空室の内部を排気して、前記ターボ分子ポンプの排気側に存在する不純物ガス、水分、又はパーティクルが前記真空室へ逆拡散するのを防止した構成としたことを特徴とする。
また、本発明の真空処理方法は、真空室の内部を、ターボ分子ポンプと該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとにより排気しながら、前記真空室内で基体の処理を行う真空処理方法であって、N 2 ガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の2%以上8%未満であり、前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間でN 2 ガスを導入し、前記ターボ分子ポンプの排気側から前記真空室への不純物ガス、水分、又はパーティクルの逆拡散を防止することを特徴とする。
さらに、本発明の真空処理方法は、真空室の内部を、ターボ分子ポンプと該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとにより排気しながら、前記真空室内で基体の処理を行う真空処理方法であって、N 2 ガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の2%以上8%未満であり、前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間でN 2 ガスを導入し、前記ターボ分子ポンプの排気側と前記補助ポンプとの間を分子流領域から粘性流領域とし、前記ターボ分子ポンプの排気側から前記真空室への不純物ガス、水分、またはパーティクルの逆拡散を防止することを特徴とする。
また、本発明の半導体製造装置は、真空室と、該真空室に接続された上記本発明の真空排気装置とを少なくとも有し、前記真空室内で基体の処理を行うことを特徴とする。
本発明の半導体処理装置は、真空室と、該真空室に接続された上記本発明の真空排気装置とを少なくとも有し、前記真空室内で金属、半導体、または絶縁体材料の成膜を行うことを特徴とする。
また、真空室と、該真空室に接続された上記本発明の真空排気装置とを少なくとも有し、前記真空室内で金属、半導体、または絶縁体材料の表面処理を行うことを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の真空処理方法を用いて、半導体素子を構成する薄膜を成膜することを特徴とする。
また、上記本発明の真空処理方法を用いて、半導体基板、ガラス基板、またはプラスチック基板上に半導体素子を形成することを特徴とする。
さらに、上記本発明の真空処理方法を用いて、基板を処理することを特徴とする。
図4に示す通り、10sccm(0.5/10=5%)以上から35sccm(1.75/10=17.5%)の範囲においては、それ以外の範囲に比べて水分濃度が著しく減少(0.1ppm以下)していることがわかる。特に15sccm(0.75/10=7.5%)以上30sccm(1.5/10=15%)の範囲においては0.01ppm以下であり、さらに優れていることがわかる。
102 配管、
103 ターボ分子ポンプ、
104 フレキシブル配管、
105 粗引きポンプ、
106 配管、
107 ニードルバルブ、
108 四重極質量分析計、
109 粗引きポンプ、
110、111 マスフローコントローラ、
112 高周波電源、
113 マッチングボックス、
114 所定のガス導入部。
Claims (16)
- 真空室の内部を排気するための排気装置であって、
ターボ分子ポンプと、該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとから構成され、
前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間にArガスを導入するためのガス導入部を設け、
前記Arガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の5%以上17.5%未満であって、
該導入部からArガスを導入しながら、前記真空室の内部を排気して、前記ターボ分子ポンプの排気側に存在する不純物ガス、水分、又はパーティクルが前記真空室へ逆拡散するのを防止した構成としたことを特徴とする真空排気装置。 - 真空室の内部を排気するための排気装置であって、
ターボ分子ポンプと、該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとから構成され、
前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間にN2ガスを導入するためのガス導入部を設け、
前記N2ガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の2%以上8%未満であって、
該導入部からN2ガスを導入しながら、前記真空室の内部を排気して、前記ターボ分子ポンプの排気側に存在する不純物ガス、水分、又はパーティクルが前記真空室へ逆拡散するのを防止した構成としたことを特徴とする真空排気装置。 - 前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの接続に用いる接続部材の内表面は、酸化クロム不動態膜もしくはフッ化不動態膜が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空排気装置。
- 前記真空室へプロセスガスを供給している際に逆拡散するのを防止した構成とした請求項1〜3のいずれか1項に記載の真空排気装置。
- 真空室と、該真空室に接続された請求項1〜4のいずれか1項に記載の真空排気装置とを少なくとも有し、前記真空室内で基体の処理を行うことを特徴とする半導体製造装置。
- 前記真空室は、内表面に酸化クロム不動態膜もしくはフッ化不動態膜が形成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体製造装置。
- 真空室と、該真空室に接続された請求項1〜4のいずれか1項に記載の真空排気装置とを少なくとも有し、前記真空室内で金属、半導体、または絶縁体材料の成膜を行うことを特徴とする処理装置。
- 真空室と、該真空室に接続された請求項1〜4のいずれか1項に記載の真空排気装置とを少なくとも有し、前記真空室内で金属、半導体、または絶縁体材料の表面処理を行うことを特徴とする処理装置。
- 真空室の内部を、ターボ分子ポンプと該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとにより排気しながら、前記真空室内で基体の処理を行う真空処理方法であって、
Arガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の5%以上17.5%未満であり、
前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間でArガスを導入し、前記ターボ分子ポンプの排気側から前記真空室への不純物ガス、水分、又はパーティクルの逆拡散を防止することを特徴とする真空処理方法。 - 真空室の内部を、ターボ分子ポンプと該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとにより排気しながら、前記真空室内で基体の処理を行う真空処理方法であって、
Arガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の5%以上17.5%未満であり、
前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間でArガスを導入し、前記ターボ分子ポンプの排気側と前記補助ポンプとの間を分子流領域から粘性流領域とし、
前記ターボ分子ポンプの排気側から前記真空室への不純物ガス、水分、またはパーティクルの逆拡散を防止することを特徴とする真空処理方法。 - 真空室の内部を、ターボ分子ポンプと該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとにより排気しながら、前記真空室内で基体の処理を行う真空処理方法であって、
N2ガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の2%以上8%未満であり、
前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間でN2ガスを導入し、前記ターボ分子ポンプの排気側から前記真空室への不純物ガス、水分、又はパーティクルの逆拡散を防止することを特徴とする真空処理方法。 - 真空室の内部を、ターボ分子ポンプと該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとにより排気しながら、前記真空室内で基体の処理を行う真空処理方法であって、
N2ガスの流量は前記真空室に供給するガスの流量の2%以上8%未満であり、
前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間でN2ガスを導入し、前記ターボ分子ポンプの排気側と前記補助ポンプとの間を分子流領域から粘性流領域とし、
前記ターボ分子ポンプの排気側から前記真空室への不純物ガス、水分、またはパーティクルの逆拡散を防止することを特徴とする真空処理方法。 - 前記真空室へプロセスガスを供給している際に逆拡散するのを防止する請求項9〜12のいずれか1項に記載の真空処理方法。
- 請求項9〜13のいずれか1項に記載の真空処理方法を用いて、半導体素子を構成する薄膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項9〜13のいずれか1項に記載の真空処理方法を用いて、半導体基板、ガラス基板、またはプラスチック基板上に半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項9〜13のいずれか1項に記載の真空処理方法を用いて、基板を処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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