JP5491170B2 - エッチング方法 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 152
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 140
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 140
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 138
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 138
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 134
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 81
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 62
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 42
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- YPDSOAPSWYHANB-UHFFFAOYSA-N [N].[F] Chemical compound [N].[F] YPDSOAPSWYHANB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical class C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 9
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 5
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 1-[6-[4-(5-chloro-6-methyl-1H-indazol-4-yl)-5-methyl-3-(1-methylindazol-5-yl)pyrazol-1-yl]-2-azaspiro[3.3]heptan-2-yl]prop-2-en-1-one Chemical compound ClC=1C(=C2C=NNC2=CC=1C)C=1C(=NN(C=1C)C1CC2(CN(C2)C(C=C)=O)C1)C=1C=C2C=NN(C2=CC=1)C AZUYLZMQTIKGSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYNPRNNJJLRHTI-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethyl)butane-1,4-diol Chemical compound OCCC(CO)CO SYNPRNNJJLRHTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000013401 experimental design Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- -1 respectively Substances 0.000 description 1
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical class FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
- C23F4/04—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00 by physical dissolution
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
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Description
[実施例]
実験は、遠隔アストロン・アステックス(Astron Astex)プラズマ源(MKS・アストロン(MKS Astron)製、13.56MHzで運転、サンプル上32cmに配置)を取り付けた、特注のステンレス鋼真空チャンバー(容積26リットル)の中で実施した。ターボ式分子ポンプとBOC・エドワーズ(BOC Edwards)ドライポンプを使用して、チャンバーを真空にした。質量分析法を用いて排気ガスの分析を行ったが、差分的にポンプ引きをした(differentially pumped)レイボルド−インフィコン・トランスペクター(Leybold−Inficon Transpector)200amu単位を使用した。サンプルは、反応器チャンバーの中央のチャックの上に置いた。チャンバーの中の温度を調節して、室温(約20℃)から300℃の間で変化させることが可能とした。
エッチング速度は、サンプルに直射させた645nmのレーザーを使用した反射率法(reflectrometry)により、インサイチュで測定した。エッチング速度は、除去終点が検出された場合には、膜の厚みを時間で除算することによって計算した。
アルゴンとフッ素とを、容積比20:80で、2リットルの耐圧びんの中で凝縮させて、10バールの圧力まで充填し、それによって両方の化合物の均質な混合物を形成させた。
サンプルのサイズは20×20mm2であった。検討する材料を150nmのサーマルSiO2層の上に析出させて、干渉計による測定を可能とした。SiONおよびSiO2のサンプルは、バルクのシリコンの上に析出させたが、それは、それらの光学的な性質が干渉計による測定を可能としているからである。
a)バルクのシリコン上1000nmのSiOxNy(SiONと呼ばれているもの)、従来のTEOS/オゾンCVDプロセスにより析出させたもの。
b)1000nmのSiO2、バルクのシリコンの上に熱的に成長させたもの。
c)300nmのタングステン、従来のPVDプロセスにより析出させたもの。
d)300nmのTiN、従来のPVDプロセスにより析出させたもの。
e)200nmのTaN、従来のPVDプロセスにより析出させたもの。
a)反応器内の温度を150℃に設定し、アルゴンを用いてプラズマを点火させ、プラズマ点火の直後にF2/N2混合物を、100sccmの流量で反応器の中に導入した。追加として、アルゴンを640sccmの流量で導入した。100Pa、200Pa、400Pa、および800Paの圧力で、相対的なエッチング速度を測定した。400Paでエッチング速度が最適となることが判った。
b)アルゴンガス流量900sccm、F2/N2ガス流量100sccmで、その実験を繰り返した。この場合もまた、400Paが最適であることが判ったが、フッ素の濃度が低いために相対的なエッチング速度が低くなった。
アルゴンとNF3をそれぞれ350sccmと20sccmの流量で導入して、実施例1を繰り返した。この場合もまた、最適なエッチング速度は400Paで観察された。
アルゴンとフッ素との混合物(容積比80:20)を、各種の圧力および温度で、100sccmの流量で反応器の中に導入した。温度とは無関係に、400Paの圧力のときに最適な相対エッチング速度が得られることが判った。最高のエッチング速度は、300℃のところで観察された。
実施例1および2ならびに比較例1と同様にして、SiO2、TiN、TaN、およびWを、アルゴン/フッ素、窒素/フッ素(プラズマ安定化のために追加のアルゴンを供給)の混合物を用い、さらに比較のためにNF3を用いてエッチングした。
a)150℃で実施したエッチング:
フッ素含量について正規化した相対的なエッチング速度を図1/2にまとめた。WおよびSiONの場合には、フッ素と窒素との混合物は、NF3(100%に設定、点線で表してある)に比較して同等またはさらには明らかに高いことが認められる。SiON、TiNおよびSiO2の場合には、フッ素とアルゴンとの混合物は、NF3に比較して、同等またはさらには明らかに高い。TaNは、NF3に比較して競合できる範囲で、フッ素およびアルゴンによってエッチングすることができ、フッ素とアルゴンとの混合物を用いたタングステンのエッチングは可能ではあるものの、そのエッチング速度は比較的に低い。
b)300℃で実施したエッチング:
結果を図2/2にまとめた。アルゴン/フッ素混合物を用いると、TaNでは極めて高いエッチング速度が得られ、窒素/フッ素の混合物を用いると、SiONのエッチングに極めて有効である。TiNおよびSiONをエッチングする場合には、アルゴン/フッ素はNF3と競合的であり、窒素とフッ素との混合物(上述したように、プラズマ安定化のために追加のアルゴンを供給)を用いたWおよびSiONのエッチングでも同様である。アルゴン/フッ素を用いてWをエッチングすることも可能ではあるが、そのエッチング速度は比較的に低い。
a)SiO2、SiON、TiN、TaN、およびWのような無機材料で汚染されたプラズマチャンバーを、アルゴンとフッ素の混合物、または窒素とフッ素との混合物(この場合もまた、その反応器がNF3/Ar用に調整されている場合には、追加のアルゴンを供給するのが有利である)を使用して、クリーニングすることが可能である。アルゴンを用いてプラズマを開始させ、次いで、エッチングガス混合物(この場合には、クリーニングガス混合物である)を反応器の中に導入する。圧力は100〜800Paの範囲とするのが好ましいが、最適なのは400Paである。温度は150〜300℃の範囲とするのが好ましい。所望のレベルのクリーニングが達成されるまで処理を続ける。汚染物から生成するガス状の反応生成物(例えばSiF4)は、クリーニングされる反応器チャンバーに真空をかけることによって除去することができる。
b)プラズマチャンバーが、有機材料、例えば、部分的または全面的にフッ素化されていてもよい重合体炭素材料によって汚染されていることもあり得る。半導体またはフラットパネルを、エッチングガスとしてフルオロカーボンまたはヒドロフルオロカーボン、例えば、CF4、C2F6またはCHF3を使用するプラズマ条件下でエッチングしたような場合に、この汚染が起こりうる。そのような有機材料によって汚染されたチャンバーは、それぞれ実施例4a)に記載したようなアルゴンとフッ素との混合物、または窒素とフッ素との混合物を用い、温度250℃でクリーニングする。この場合もまた、アルゴンを用いてプラズマを開始させ、次いでクリーニングガスをチャンバーの中に導入する。クリーニングするチャンバーの中に酸素を導入することも極めて好ましい。有機汚染物から生成する反応生成物、例えばCO2、(ヒドロ)フルオロカーボン反応生成物、またはフッ化カルボニルは、クリーニングされるチャンバーに真空をかけることによって除去することができる。そのようなクリーニング操作が望ましい場合には、このチャンバーのクリーニングは定期的に実施することができる。
半導体、フラットパネルなどは、多くの場合、フルオロカーボンまたはヒドロフルオロカーボンエッチングガス、例えばCF4、C2F6またはCHF3を用いてエッチングされる。プラズマ条件下においては、有機材料が、反応器チャンバーの内部だけではなく、エッチングされた半導体またはフラットパネルの表面上にも形成される。そのような表面汚染物は、アルゴンとフッ素との混合物または窒素とフッ素との混合物、それぞれを使用して除去することができる。圧力と温度に関しては、実施例4aに好ましい範囲を挙げている。実施例4bと同様にして、その反応生成物は、半導体またはフラットパネルを入れたチャンバーから、真空をかけることによって除去することができる。
エッチング、チャンバーのクリーニング、および半導体、フラットパネルなどの表面クリーニングは、プラズマの不存在条件下で実施することも可能である。その場合には、温度を少なくとも400℃に設定するのが好ましいが、かなり高く、650℃まで、800℃まで、さらにはもっと高く設定することも可能である。所望により、そのエッチングまたはクリーニング操作を、UV光によって支援することも可能である。
A)ガス混合物の調製:
フッ素、窒素およびアルゴンを、下記の表(データは容積%で表示)に示された容積比で耐圧びんの中で凝縮させる。
完全に均質である実施例7.1〜7.3の混合物は、実施例1〜6と同様にして、半導体のエッチングまたはチャンバーのクリーニングのために使用することができる。それらの三元混合物が、反応器チャンバーの中に導入する前に、すでに均質な形態になっているということが有利な点である。
アモルファスSiは、プラズマの不存在下またはプラズマ使用のCVD装置における半導体、ソーラーパネルまたはフラットパネルの製造のフレームにおいて生成する可能性がある。チャンバーの中、多くの場合はシリコン前駆体源の近くで、望ましくない析出が起きる。
望ましくないアモルファスSiの析出物があるプラズマチャンバーを、フッ素/アルゴンの混合物、フッ素/窒素の混合物(容積比20:80)を用いるか、または90容積%のArと、100容積%とするための残量のフッ素と窒素との混合物(容積比20:80)とを含む三元混合物を用いて、圧力400Pa、温度250℃で処理する。
望ましくないアモルファスSiの析出物がある反応器チャンバーを、フッ素と窒素との混合物(容積比20:80)を用い、温度700℃で処理して、Si析出物を除去する。
Claims (13)
- 半導体材料、ソーラーパネル、もしくはフラットパネル(TFTおよびLCD)の表面をエッチングもしくはクリーニングするか、または半導体製造のために使用された装置のチャンバーをクリーニングするための方法であって、フッ素、窒素及びアルゴンのみからなる三元混合物を使用し、当該混合物におけるフッ素含量は1〜22容積%であり、フッ素の窒素に対する容積比は15:85〜25:75であることを特徴とする、方法。
- 圧力が、100〜2000Paの間の範囲であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記方法がプラズマ使用のものであり、温度が100〜350℃の間の範囲であることを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
- 無機材料をエッチングするか、または無機材料によって汚染されたチャンバーをクリーニングする方法であって、前記無機材料が、アモルファスSi、SiOxNy、SiO2、TaN、TiN、またはWであることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 有機材料が半導体、ソーラーパネルまたはフラットパネル(TFTおよびLCD)の表面から除去されるか、または有機材料によって汚染されたチャンバーがクリーニングされることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記有機材料が、エッチングガスとして、場合によっては水素の存在下に、フッ素化された炭素化合物を用いて半導体、ソーラーパネルまたはフラットパネル(TFTおよびLCD)をエッチングすることに由来するフッ素化されたポリマーであることを特徴とする、請求項5記載の方法。
- フッ素、窒素及びアルゴンのみからなる三元混合物を、NF3と1種または複数の不活性ガスとを含むガス混合物に対する、同一の条件下での、ドロップイン代替物として使用することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- CVD、PVDまたはALDプラズマ装置において、フッ素、窒素及びアルゴンのみからなる三元混合物を、NF3および不活性ガスに対するドロップイン代替物として使用することを特徴とする、請求項7記載の方法。
- 前記フッ素、窒素及びアルゴンのみからなる三元混合物の不活性ガスが、前記NF3/不活性ガスの混合物の不活性ガスに相当する、請求項7又は8記載の方法。
- 前記フッ素、窒素及びアルゴンのみからなる三元混合物の不活性ガスが、前記NF3/不活性ガスの混合物の不活性ガスには相当せず、そして前記NF3/不活性ガスの混合物の不活性ガスが、前記プラズマ装置の中にさらに導入されることを特徴とする、請求項7又は8記載の方法。
- フッ素、窒素及びアルゴンのみからなり、フッ素含量は1〜22容積%であり、フッ素の窒素に対する容積比は15:85〜25:75である、半導体材料、ソーラーパネル、もしくはフラットパネルの表面をエッチングもしくはクリーニングするか、またはチャンバーをクリーニングするためのガス混合物。
- 前記フッ素含量が1〜5容積%の範囲であり、フッ素対窒素の容積比が15:85〜25:75の範囲であり、アルゴンが100容積%とするための残量である、請求項11記載のガス混合物。
- 請求項11又は12記載のガス混合物が使用される、チャンバーのクリーニング方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06007540.5 | 2006-04-10 | ||
EP06007540 | 2006-04-10 | ||
EP06008238 | 2006-04-21 | ||
EP06008238.5 | 2006-04-21 | ||
PCT/EP2007/053421 WO2007116033A1 (en) | 2006-04-10 | 2007-04-06 | Etching process |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009533853A JP2009533853A (ja) | 2009-09-17 |
JP2009533853A5 JP2009533853A5 (ja) | 2010-05-20 |
JP5491170B2 true JP5491170B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=38164383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009504707A Active JP5491170B2 (ja) | 2006-04-10 | 2007-04-06 | エッチング方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090068844A1 (ja) |
EP (2) | EP3269843A1 (ja) |
JP (1) | JP5491170B2 (ja) |
KR (3) | KR20160062181A (ja) |
TW (1) | TW200809008A (ja) |
WO (1) | WO2007116033A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2010130570A (ru) * | 2007-12-21 | 2012-01-27 | Солвей Флуор Гмбх (De) | Способ получения микроэлектромеханических систем |
US10453986B2 (en) | 2008-01-23 | 2019-10-22 | Solvay Fluor Gmbh | Process for the manufacture of solar cells |
KR20110139201A (ko) * | 2009-01-27 | 2011-12-28 | 린데 악티엔게젤샤프트 | 광기전력 및 기타 저온 화학적 증착 공정을 위한 규소 박막의 불소 분자 에칭 |
US9627180B2 (en) * | 2009-10-01 | 2017-04-18 | Praxair Technology, Inc. | Method for ion source component cleaning |
TW201123293A (en) * | 2009-10-26 | 2011-07-01 | Solvay Fluor Gmbh | Etching process for producing a TFT matrix |
WO2011051409A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Solvay Sa | Method of plasma etching and plasma chamber cleaning using f2 and cof2 |
EP2552828A2 (en) | 2010-03-26 | 2013-02-06 | Solvay Sa | Method for the supply of fluorine |
GB2486883A (en) * | 2010-12-22 | 2012-07-04 | Ultra High Vacuum Solutions Ltd | Method and apparatus for surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices |
KR101842303B1 (ko) | 2010-08-05 | 2018-03-26 | 솔베이(소시에떼아노님) | 불소의 정제 방법 |
JP2013539717A (ja) | 2010-09-15 | 2013-10-28 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | ガスからのf2および/またはof2の除去方法 |
TWI586842B (zh) | 2010-09-15 | 2017-06-11 | 首威公司 | 氟之製造工廠及使用彼之方法 |
US20130017644A1 (en) * | 2011-02-18 | 2013-01-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Fluorine Based Chamber Clean With Nitrogen Trifluoride Backup |
JP2012216718A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Kaneka Corp | Cvd装置のクリーニング方法 |
WO2013024041A1 (en) | 2011-08-17 | 2013-02-21 | Solvay Sa | Electrolytic process for the manufacture of fluorine and an apparatus therefor |
WO2013092777A1 (en) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Solvay Sa | Plasma chamber apparatus and a method for cleaning a chamber |
KR102030797B1 (ko) | 2012-03-30 | 2019-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법 |
JP6138653B2 (ja) * | 2013-10-08 | 2017-05-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
EP2860288A1 (en) | 2013-10-11 | 2015-04-15 | Solvay SA | Improved electrolytic cell |
EP2860287A1 (en) | 2013-10-11 | 2015-04-15 | Solvay SA | Improved electrolytic cell |
EP2944385A1 (en) | 2014-05-12 | 2015-11-18 | Solvay SA | A process for etching and chamber cleaning and a gas therefor |
EP3095893A1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-11-23 | Solvay SA | A process for etching and chamber cleaning and a gas therefor |
US10161034B2 (en) | 2017-04-21 | 2018-12-25 | Lam Research Corporation | Rapid chamber clean using concurrent in-situ and remote plasma sources |
JPWO2021210368A1 (ja) | 2020-04-14 | 2021-10-21 | ||
WO2021260869A1 (ja) * | 2020-06-25 | 2021-12-30 | 株式会社日立ハイテク | 真空処理方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3518132A (en) * | 1966-07-12 | 1970-06-30 | Us Army | Corrosive vapor etching process for semiconductors using combined vapors of hydrogen fluoride and nitrous oxide |
JP2626913B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1997-07-02 | 三菱電機株式会社 | シリコン表面の処理方法 |
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FR2872505B1 (fr) * | 2004-06-30 | 2007-02-02 | Air Liquide | Generateur de gaz fluore |
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TWI319204B (en) * | 2004-10-12 | 2010-01-01 | Hynix Semiconductor Inc | Method for fabricating semiconductor device using tungsten as sacrificial hard mask |
US7238624B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-07-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for manufacturing semiconductor devices using a vacuum chamber |
-
2007
- 2007-04-06 JP JP2009504707A patent/JP5491170B2/ja active Active
- 2007-04-06 EP EP17180963.5A patent/EP3269843A1/en not_active Withdrawn
- 2007-04-06 US US12/296,139 patent/US20090068844A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-06 KR KR1020167012718A patent/KR20160062181A/ko active Search and Examination
- 2007-04-06 KR KR1020177027546A patent/KR20170116213A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-04-06 EP EP07727889.3A patent/EP2007923B1/en active Active
- 2007-04-06 KR KR1020087027400A patent/KR20090015054A/ko active Search and Examination
- 2007-04-06 WO PCT/EP2007/053421 patent/WO2007116033A1/en active Application Filing
- 2007-04-10 TW TW096112512A patent/TW200809008A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009533853A (ja) | 2009-09-17 |
KR20160062181A (ko) | 2016-06-01 |
EP2007923A1 (en) | 2008-12-31 |
TW200809008A (en) | 2008-02-16 |
EP2007923B1 (en) | 2017-07-19 |
KR20090015054A (ko) | 2009-02-11 |
US20090068844A1 (en) | 2009-03-12 |
WO2007116033A1 (en) | 2007-10-18 |
EP3269843A1 (en) | 2018-01-17 |
KR20170116213A (ko) | 2017-10-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100325 |
|
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|
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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