JP4843731B2 - 真空処理装置 - Google Patents
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Description
複数の基板を吸着するためのチャック領域が複数形成された上面と、前記上面に第1の高さで互いに分離独立して突設され、各々の上端面に前記チャック領域を有する複数の島状部と、前記島状部の内部に各々形成され前記チャック領域で基板を静電吸着するための電極層と、前記島状部の内部に各々形成され前記チャック領域に載置された基板と前記チャック領域との間に冷却用ガスを導入するためのガス導入路とを有し、周縁部に第1の切欠きが形成された誘電材料からなるチャック台と、
前記電極層各々に直流電圧を印加する電位供給源と、
複数の基板が各々載置される複数の開口が形成され、前記チャック台の上面に載置される下面を有するトレー本体と、前記開口の各々の周縁に前記トレー本体の下面から第1の高さより低い第2の高さでそれぞれ形成された基板支持部と、前記トレー本体の周縁に形成された第2の切欠きとを有し、前記基板支持部で前記基板を各々支持した状態で、前記トレー本体が前記第1の切欠きと前記第2の切欠きとを基準に位置合わせされた前記チャック台の上面に載置された際に、前記開口内に前記島状部が各々進入することで前記基板支持部に代わって前記チャック領域に前記基板を各々支持させるための、円板状の基板搬送用トレーとを具備する。
11 真空槽
12 本体
13 チャック台
16(16A〜16E) チャック領域
17 島状部
18 流出孔
19 流路
20a,20b 電極層
40 トレー
41 トレー本体
42 開口
43 基板支持部
W 基板
Claims (3)
- 複数の基板を吸着するためのチャック領域が複数形成された上面と、前記上面に第1の高さで互いに分離独立して突設され、各々の上端面に前記チャック領域を有する複数の島状部と、前記島状部の内部に各々形成され前記チャック領域で基板を静電吸着するための電極層と、前記島状部の内部に各々形成され前記チャック領域に載置された基板と前記チャック領域との間に冷却用ガスを導入するためのガス導入路とを有し、周縁部に第1の切欠きが形成された誘電材料からなるチャック台と、
前記電極層各々に直流電圧を印加する電位供給源と、
複数の基板が各々載置される複数の開口が形成され、前記チャック台の上面に載置される下面を有するトレー本体と、前記開口の各々の周縁に前記トレー本体の下面から第1の高さより低い第2の高さでそれぞれ形成された基板支持部と、前記トレー本体の周縁に形成された第2の切欠きとを有し、前記基板支持部で前記基板を各々支持した状態で、前記トレー本体が前記第1の切欠きと前記第2の切欠きとを基準に位置合わせされた前記チャック台の上面に載置された際に、前記開口内に前記島状部が各々進入することで前記基板支持部に代わって前記チャック領域に前記基板を各々支持させるための、円板状の基板搬送用トレーと
を具備する真空処理装置。 - 請求項1に記載の真空処理装置であって、
前記トレー本体は、石英で形成される
真空処理装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の真空処理装置であって、
前記基板支持部は、前記開口の周縁にすり鉢状に形成されたテーパー面である
真空処理装置。
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