JP4838572B2 - 安定化回路、マルチバンド増幅回路 - Google Patents
安定化回路、マルチバンド増幅回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4838572B2 JP4838572B2 JP2005338489A JP2005338489A JP4838572B2 JP 4838572 B2 JP4838572 B2 JP 4838572B2 JP 2005338489 A JP2005338489 A JP 2005338489A JP 2005338489 A JP2005338489 A JP 2005338489A JP 4838572 B2 JP4838572 B2 JP 4838572B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stabilization
- unit
- parallel
- circuit
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 title claims description 229
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 title claims description 229
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 30
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 30
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 29
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 21
- 238000013461 design Methods 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
- H03F1/086—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers with FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/191—Tuned amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/28—Impedance matching networks
- H03H11/30—Automatic matching of source impedance to load impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
- H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/12—A bias circuit for some stages being shown using transmission lines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/249—A switch coupled in the input circuit of an amplifier being controlled by a circuit, e.g. feedback circuitry being controlling the switch
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/252—Multiple switches coupled in the input circuit of an amplifier are controlled by a circuit, e.g. feedback circuitry being controlling the switch
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/255—Amplifier input adaptation especially for transmission line coupling purposes, e.g. impedance adaptation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/27—A biasing circuit node being switched in an amplifier circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/417—A switch coupled in the output circuit of an amplifier being controlled by a circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/423—Amplifier output adaptation especially for transmission line coupling purposes, e.g. impedance adaptation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
に揃えることが一般的に行われている。以下では、周辺回路の入出力のインピーダンスを「系のインピーダンス」という。
ここで、ZL’(f2)がどのような値であっても、伝送線路で構成された遅延回路920の線路長と、遅延回路920に並列接続された副整合部930のリアクタンス値を適切に設定することにより、シングルスタブマッチングの原理に基づき、ポート951から952側をみたインピーダンスをZ0に変換することができる。すなわち、回路全体として、周波数f2でもインピーダンス整合を取ることができる。
広帯域で高利得のトランジスタ等の増幅素子が開発されている。一般に、これら増幅素子の利得は、周波数が低くなるほど高く、高い周波数になるほど低下する。たとえば、数GHz帯のように高い周波数帯での増幅が可能なマイクロ波帯トランジスタなどは、数十MHz帯以下の低い周波数帯で、極めて高い増幅利得を持つ。そのため、このような増幅素子を用いて増幅器を構成する場合、高い周波数帯でのインピーダンス整合は、利得を得るために重要であるが、低い周波数帯では、整合が不完全であっても利得を得ることは容易である。
安定化回路の構成と各構成部の値は、電力増幅器や低雑音増幅器など、対象とする増幅器の特性や、増幅器の周波数特性などの各特性によって決定される。一方、増幅器の整合回路は、安定化された増幅素子の入出力インピーダンスと系のインピーダンスとを整合するように設計される。そのため、安定化回路を含めた増幅素子の入出カインピーダンスによっては、整合回路を小型の素子のみで構成することが困難な場合がある。その場合、整合回路が大型化し、増幅器全体も大型化する。さらに、マルチバンド整合の場合は、複数の周波数全てに対して、それぞれインピーダンス整合をとる必要がある。したがって、ある周波数では整合回路を小型化できたとしても、他の周波数では必ずしも整合回路を小型化できるとは限らない。そのような場合、結局、マルチバンド整合回路が大型となる。
千葉耕司他、"移動機"、NTT DoCoMoテクニカルジャーナル、Vol.10, No.1,pp.15-20. 福田他、"MEMSスイッチを用いたマルチバンド電力増幅器"、2004年電子情報通信学会 総合大会C-2-4,p.39.
[第1実施形態]
図5に、マルチバンド化に対応した安定化回路の構成例を示す。安定化回路100は、2つの直列安定化部110、120と、2つの並列安定化部130、140と、スイッチ部150から構成される。直列安定化部110と120は、増幅対象の信号に対して、増幅素子と直列に接続されるように配置される。並列安定化部130と140は、増幅対象の信号に対して、増幅素子と並列に接続されるように配置される。並列安定化部130の一方の端子は直列安定化部110と120との間に接続されている。スイッチ部150は、並列安定化部140を、増幅対象の信号に対して接続・切断できるよう、並列安定化部130と140との間に配置される。
以上のように、安定化回路100は、広い周波数範囲に渡って増幅素子の安定性を確保しつつ、2つの周波数範囲での入出力インピーダンスを設定できる。なお、直列安定化部は省略できる場合もある。
[変形例]
図6に、マルチバンド化に対応した安定化回路の構成の変形例を示す。安定化回路200は、直列安定化部210と、4つの並列安定化部220、230、240、250、2つのスイッチ部260、270から構成される。直列安定化部210は、増幅対象の信号に対して、増幅素子と直列に接続されるように配置される。並列安定化部220の一方の端子は、直列安定化部210の片端に接続される。並列安定化部220の他方の端子は、スイッチ部260を介して並列安定化部230に接続される。並列安定化部240の一方の端子は、直列安定化部210の他端(並列安定部が接続されていない側)に接続される。並列安定化部240の他方の端子は、スイッチ部270を介して並列安定化部250に接続される。
以上のように、安定化回路200は、広い周波数範囲に渡って増幅素子の安定性を確保しつつ、2つの周波数範囲での入出力インピーダンスを設定できる。
また、直列安定化部の構成要素は、分布定数線路、集中定数素子、あるいはそれらの組合せなどが利用できる。周波数などの設計諸元によっては、直列安定化部は省くことも可能である。
[第2実施形態]
第2実施形態では、第1実施形態の安定化回路の具体例と、その安定化回路を用いたマルチバンド増幅器を示す。図7は、第1実施形態の安定化回路を具体的に示した構成例である。安定化回路100’は、第1実施形態の安定化回路100(図5)と同じ構成である。直列安定化部110’は直列安定化部110に、伝送線路130’は並列安定化部130’に、コンデンサ140’は並列安定化部140に相当する。直列安定化部110’は、並列に接続された抵抗111とコンデンサ112から構成される。なお、図5の直列安定化部120は省略された。
[第3実施形態]
第3実施形態では、3つ以上の周波数帯に対応できる安定化回路について説明する。図9に、N個の周波数帯に対応できる安定化回路の構成例を示す。安定化回路300は、2個の直列安定化部311、312と、N個の並列安定化部3201〜320Nと、N−1個のスイッチ部3301〜320N−1から構成される。直列安定化部311と312は、増幅対象の信号に対して、増幅素子と直列に接続されるように配置される。並列安定化部3201の一方の端子は、直列安定化部311と312の間に接続される。並列安定化部3201の他方の端子は、スイッチ部3301に接続される。並列安定化部320nの一方の端子は、スイッチ部330n−1に接続される。並列安定化部320nの他方の端子は、スイッチ部330nに接続される。並列安定化部320N−1の一方の端子は、スイッチ部330N−2に接続される。並列安定化部320N−1の他方の端子は、スイッチ部320N−1を介して並列安定化部320Nに接続される。ここで、nは2〜N−2の整数である。
また、スイッチ部330i+1〜スイッチ部330N−1の状態は任意である。しかし、周波数fiの場合に、スイッチ部330iから見た並列安定化部320i+1〜並列安定化部320Nのインピーダンスが無限大に近くなるように制御すれば、スイッチ部のアイソレーション特性が悪い場合でも、回路全体の特性の劣化を防ぐことができる。
[変形例1]
図10は、N個の周波数帯に対応できる安定化回路の構成の変形例である。安定化回路400は、1つの直列安定化部410と、2N個の並列安定化部4201〜4202Nと、2N−2個のスイッチ部4301〜4202N−2から構成される。直列安定化部410は、増幅対象の信号に対して、増幅素子と直列に接続されるように配置される。並列安定化部4201の一方の端子が、直列安定化部410の片端に接続される。並列安定化部4201の他方の端子が、スイッチ部4301に接続される。並列安定化部4202の一方の端子が、直列安定化部410の他端(並列安定部4201が接続されていない側)に接続される。並列安定化部4202の他方の端子が、スイッチ部4302に接続される。並列安定化部420nの一方の端子が、スイッチ部430n−2に接続される。並列安定化部420nの他方の端子が、スイッチ部430nに接続される。並列安定化部4202N−3の一方の端子が、スイッチ部4302N−5に接続される。並列安定化部4202N−3の他方の端子が、スイッチ部4302N−3を介して並列安定化部4202N−1に接続される。並列安定化部4202N−2の一方の端子が、スイッチ部4302N−4に接続される。並列安定化部4202N−2の他方の端子が、スイッチ部4302N−2を介して並列安定化部4202Nに接続される。ここで、nは3〜2N−4の整数である。
また、スイッチ部4302i+1〜スイッチ部4302N−2の状態は任意である。しかし、周波数fiの場合に、スイッチ部4302i−1から見た並列安定化部4202i+1、4202i+3、…、4202N−1のインピーダンス、およびスイッチ部4302iから見た並列安定化部4202i+2、4202i+4、…、4202Nのインピーダンスが無限大に近くなるように制御すれば、スイッチ部のアイソレーション特性が悪い場合でも、回路全体の特性の劣化を防ぐことができる。
[変形例2]
図11は、N個の周波数帯に対応できる安定化回路の構成の別の変形例である。安定化回路500は、2つの直列安定化部511、512と、N個の並列安定化部5201〜520Nと、1対Nの切替を行うスイッチ部530から構成される。なお、スイッチ部530は、1つ端子のみを有するマスタ側と、N個の端子を有する切替側を備えており、マスタ側の端子を切替側のどの端子と接続するかを切り替える。直列安定化部511と512は、増幅対象の信号に対して、増幅素子と直列に接続されるように配置される。スイッチ部530のマスタ側の端子は、直列安定化部511と512の間に接続される。スイッチ部530の切替側のN個の端子は、N個の並列安定化部5201〜520Nとそれぞれ接続される。
なお、第3実施形態では、安定化回路300、400、500を増幅素子970の入力側に接続したが、増幅素子970の出力側に接続しても良い。または、増幅素子970の入出力側の両方に接続しても良い。
[実験例]
図12は、本発明の第1実施形態の安定化回路を用いたマルチバンド増幅器の具体例である。このマルチバンド増幅器は、2つの周波数(f1=5GHz、f2=2GHz)で増幅可能なマルチバンド増幅器である。このマルチバンド増幅器は、増幅素子970、増幅素子970の入力側に接続された安定化回路600とマルチバンド入力整合回路810、増幅素子970の出力側に接続されたマルチバンド出力整合回路820から構成される。増幅素子970には、市販されているGaAs FET、および比誘電率が9.5、基板厚が0.635mmのアルミナ基板を用いた。ここで、伝送線路の特性インピーダンスZ0はすべて50Ωとした。安定化回路600は、図7に示した構成例を用いた。まず、周波数f1(5GHz帯)の整合回路が小型化できるように、スイッチ部650をOFF状態として、安定化回路600を設計した。その結果、直列安定化部610は、10Ωの抵抗611と8pFのコンデンサ612の並列接続とした。また、第1の並列安定化部は、4.6mmの伝送線路630とした。次に、周波数f2(2GHz帯)の整合回路が小型化できるように、スイッチ部650をON状態として、安定化回路600を設計した。その結果、第二の並列安定化部を、0.5pFのコンデンサとした。
5GHzモードでの動作周波数付近の周波数特性のシミュレーション結果を図13に、2GHzモードでの動作周波数付近の周波数特性のシミュレーション結果を図14に示す。S11は入力側の反射率を示すSパラメータ、S22は出力側の反射率を示すSパラメータ係数、S21は透過率を示すSパラメータである。それぞれの設計周波数でインピーダンス整合がとれ、最大利得が得られることが分かる。
図15のマルチバンド増幅器は、スイッチ部816と826がOFF状態のとき5GHz帯で動作する増幅器(5GHz帯モード)となり、ON状態のとき2GHz帯で動作する増幅器(2GHz帯モード)となる。
マルチバンド化した安定化回路を、増幅器の出力整合回路に用いれば、出力整合回路にでも同等な効果が得られる。また、マルチバンド整合回路の構成法は、前述の実施形態や実験例に限定されるものではない。例えば、集中定数素子によってマルチバンド整合回路を構成する場合でも、コイルのインダクタンスやコンデンサの容量を小さくできる可能性がある。集中定数の場合でも、各素子の値が小さいほど、回路を集積化しやすく、回路の小型化を図りやすい。
Claims (8)
- 増幅素子の入出力端子のどちらかに接続される安定化回路であって、
増幅対象の信号に対して、増幅素子と直列に接続される配置となる1つ以上の直列安定化部と、
増幅対象の信号に対して、増幅素子と並列に接続される配置となる1つ以上の並列安定化部と、
前記並列安定化部の少なくとも1つを、増幅対象の信号に対して接続・切断できる1つ以上のスイッチ部と
を備える安定化回路。 - 請求項1記載の安定化回路であって、
前記直列安定化部が1つ、前記並列安定化部が2つ(以下、一方を「第1並列安定化部」、他方を「第2並列安定化部」という。)、前記スイッチ部が1つであり、
前記第1並列安定化部の一方の端子が、前記直列安定化部の片端に接続され、
前記第1並列安定化部の他方の端子が、前記スイッチ部を介して前記第2並列安定化部に接続されている
ことを特徴とする安定化回路。 - 請求項1記載の安定化回路であって、
前記直列安定化部が2つ(以下、一方を「第1直列安定化部」、他方を「第2直列安定化部」という。)、前記並列安定化部が2つ(以下、一方を「第1並列安定化部」、他方を「第2並列安定化部」という。)、前記スイッチ部が1つであり、
前記第1並列安定化部の一方の端子が、前記第1直列安定化部と前記第2直列安定化部との間に接続され、
前記第1並列安定化部の他方の端子が、前記スイッチ部を介して前記第2並列安定化部に接続されている
ことを特徴とする安定化回路。 - 請求項1記載の安定化回路であって、
前記直列安定化部が1つ、前記並列安定化部が4つ(以下、「第1並列安定化部」から「第4並列安定化部」という。)、前記スイッチ部が2つ(以下、一方を「第1スイッチ部」、他方を「第2スイッチ部」という。)であり、
前記第1並列安定化部の一方の端子が、前記直列安定化部の片端に接続され、
前記第1並列安定化部の他方の端子が、前記第1スイッチ部を介して前記第2並列安定化部に接続され、
前記第3並列安定化部の一方の端子が、前記直列安定化部の他端(前記第1並列安定部が接続されていない側)に接続され、
前記第3並列安定化部の他方の端子が、前記第2スイッチ部を介して前記第4並列安定化部に接続されている
ことを特徴とする安定化回路。 - 請求項1記載の安定化回路であって、
前記並列安定化部がN個(以下、「第1並列安定化部」から「第N並列安定化部」という。)、前記スイッチ部がN−1個(以下、「第1スイッチ部」から「第N−1スイッチ部」という。)であり、
nを2〜N−2の整数とすると、
前記第1並列安定化部の一方の端子が、いずれかの前記直列安定化部の片端に接続され、
前記第1並列安定化部の他方の端子が、前記第1スイッチ部に接続され、
前記第n並列安定化部の一方の端子が、前記第n−1スイッチ部に接続され、
前記第n並列安定化部の他方の端子が、前記第nスイッチ部に接続され、
前記第N−1並列安定化部の一方の端子が、前記第N−2スイッチ部に接続され、
前記第N−1並列安定化部の他方の端子が、前記N−1スイッチ部を介して前記第N並列安定化部に接続されている
ことを特徴とする安定化回路。 - 請求項1記載の安定化回路であって、
前記直列安定化部が1つ、前記並列安定化部が2N個(以下、「第1並列安定化部」から「第2N並列安定化部」という。)、前記スイッチ部が2N−2個(以下、「第1スイッチ部」から「第2N−2スイッチ部」という。)であり、
nを3〜2N−4の整数とすると、
前記第1並列安定化部の一方の端子が、前記直列安定化部の片端に接続され、
前記第1並列安定化部の他方の端子が、前記第1スイッチ部に接続され、
前記第2並列安定化部の一方の端子が、前記直列安定化部の他端(前記第1並列安定部が接続されていない側)に接続され、
前記第2並列安定化部の他方の端子が、前記第2スイッチ部に接続され、
前記第n並列安定化部の一方の端子が、前記第n−2スイッチ部に接続され、
前記第n並列安定化部の他方の端子が、前記第nスイッチ部に接続され、
前記第2N−3並列安定化部の一方の端子が、前記第2N−5スイッチ部に接続され、
前記第2N−3並列安定化部の他方の端子が、前記2N−3スイッチ部を介して前記第2N−1並列安定化部に接続され、
前記第2N−2並列安定化部の一方の端子が、前記第2N−4スイッチ部に接続され、
前記第2N−2並列安定化部の他方の端子が、前記2N−2スイッチ部を介して前記第2N並列安定化部に接続されている
ことを特徴とする安定化回路。 - 請求項1記載の安定化回路であって、
前記並列安定化部がN個、前記スイッチ部が1対Nの切替を行うスイッチであり、
前記スイッチ部が、いずれかの前記直列安定化部の片端に接続され、
前記スイッチ部が、N個の前記並列安定化部の中から1つの並列安定化部を選択して接続する
ことを特徴とする安定化回路。 - 2以上の周波数帯に対応したマルチバンド増幅器であって、
増幅素子と、
前記増幅素子に接続された請求項1から7のいずれかに記載の安定化回路と、
前記安定化回路の増幅素子と反対側の端子に接続され、2つ以上の周波数帯でインピーダンス整合が可能なマルチバンド整合回路と
を備えるマルチバンド増幅回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005338489A JP4838572B2 (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 安定化回路、マルチバンド増幅回路 |
EP06023734.4A EP1791253B1 (en) | 2005-11-24 | 2006-11-15 | Stabilization circuit and multiband amplification circuit |
US11/561,616 US7508269B2 (en) | 2005-11-24 | 2006-11-20 | Stabilization circuit and multiband amplification circuit |
KR1020060115849A KR100795891B1 (ko) | 2005-11-24 | 2006-11-22 | 안정화 회로, 멀티 밴드 증폭 회로 |
CNB2006101627932A CN100557955C (zh) | 2005-11-24 | 2006-11-23 | 多频带稳定电路和使用它的多频带放大电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005338489A JP4838572B2 (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 安定化回路、マルチバンド増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150417A JP2007150417A (ja) | 2007-06-14 |
JP4838572B2 true JP4838572B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=37605760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005338489A Expired - Fee Related JP4838572B2 (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 安定化回路、マルチバンド増幅回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7508269B2 (ja) |
EP (1) | EP1791253B1 (ja) |
JP (1) | JP4838572B2 (ja) |
KR (1) | KR100795891B1 (ja) |
CN (1) | CN100557955C (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007174064A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Nec Corp | インピーダンス整合回路およびmmic電力増幅器 |
JP5079387B2 (ja) * | 2007-05-10 | 2012-11-21 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 整合回路 |
US8536950B2 (en) * | 2009-08-03 | 2013-09-17 | Qualcomm Incorporated | Multi-stage impedance matching |
US8102205B2 (en) | 2009-08-04 | 2012-01-24 | Qualcomm, Incorporated | Amplifier module with multiple operating modes |
CN102340290A (zh) * | 2010-07-21 | 2012-02-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种适用于高频功率器件的稳定网络 |
JP5355648B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-11-27 | 株式会社東芝 | 高周波増幅器 |
US20170196639A1 (en) * | 2014-07-14 | 2017-07-13 | Covidien Lp | Dual band power amplifier circuit for microwave ablation |
JP6049673B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2016-12-21 | 株式会社東芝 | 半導体増幅装置 |
US9871501B2 (en) * | 2015-06-22 | 2018-01-16 | Nxp Usa, Inc. | RF circuit with multiple-definition RF substrate and conductive material void under a bias line |
JP6471810B2 (ja) | 2015-11-04 | 2019-02-20 | 株式会社村田製作所 | 分波装置及びその設計方法 |
JP2019102908A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 高周波増幅器、電子機器および通信機器 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61264907A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同軸ネツトワ−ク用終端器 |
JP2959004B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1999-10-06 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路 |
US5202649A (en) * | 1991-03-20 | 1993-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave integrated circuit device having impedance matching |
JPH09205329A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Nec Eng Ltd | 低雑音増幅器 |
JPH10209769A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Nec Eng Ltd | 増幅器 |
US6232847B1 (en) * | 1997-04-28 | 2001-05-15 | Rockwell Science Center, Llc | Trimmable singleband and tunable multiband integrated oscillator using micro-electromechanical system (MEMS) technology |
ATE311606T1 (de) * | 2001-04-11 | 2005-12-15 | Kyocera Wireless Corp | Abstimmbares ferroelektrisches element mit geringen verlusten und verfahren zu dessen charakterisierung |
US6690251B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-02-10 | Kyocera Wireless Corporation | Tunable ferro-electric filter |
JP3853606B2 (ja) | 2001-04-25 | 2006-12-06 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波広帯域増幅器 |
WO2003105174A1 (en) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic device and method of matching the impedance thereof |
JP2004072625A (ja) | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅回路 |
JP3915674B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2007-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 整合器 |
US8098114B2 (en) * | 2003-03-14 | 2012-01-17 | Ntt Docomo, Inc. | Matching circuit |
EP1592032A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Alcatel | Mechanical switching circuit |
JP2006025233A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅回路 |
JP4838536B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2011-12-14 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 整合回路 |
-
2005
- 2005-11-24 JP JP2005338489A patent/JP4838572B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-15 EP EP06023734.4A patent/EP1791253B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-20 US US11/561,616 patent/US7508269B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-22 KR KR1020060115849A patent/KR100795891B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-11-23 CN CNB2006101627932A patent/CN100557955C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7508269B2 (en) | 2009-03-24 |
CN100557955C (zh) | 2009-11-04 |
US20070115065A1 (en) | 2007-05-24 |
EP1791253A3 (en) | 2007-12-19 |
KR100795891B1 (ko) | 2008-01-21 |
KR20070055359A (ko) | 2007-05-30 |
CN1972119A (zh) | 2007-05-30 |
EP1791253B1 (en) | 2017-12-13 |
JP2007150417A (ja) | 2007-06-14 |
EP1791253A2 (en) | 2007-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4838572B2 (ja) | 安定化回路、マルチバンド増幅回路 | |
JP5453120B2 (ja) | マルチバンド整合回路、およびマルチバンド電力増幅器 | |
JP5169844B2 (ja) | 方向性結合器 | |
JP4394498B2 (ja) | 高周波回路装置及びそれを用いた移動体通信端末 | |
US7710217B2 (en) | Matching circuit and dual-band power amplifier | |
US7750756B2 (en) | Matching circuit | |
JP5381528B2 (ja) | 方向性結合器 | |
KR101594192B1 (ko) | 멀티 밴드 전력 증폭기를 위하여 효율적으로 경로를 아이솔레이팅 시킬 수 있는 임피던스 정합 회로 | |
US7656249B2 (en) | Matching circuit | |
JP4106376B2 (ja) | スイッチ回路及び集積回路 | |
JP2011015242A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
KR20100088533A (ko) | 멀티밴드 정합 회로 및 멀티밴드 전력 증폭기 | |
Choi et al. | A 6–18-GHz switchless reconfigurable dual-band dual-mode PA MMIC using coupled-line-based diplexer | |
JPWO2005048448A1 (ja) | 高周波増幅器 | |
JP4670741B2 (ja) | 電力増幅装置 | |
JP2007288780A (ja) | 伝送線変圧器を用いた電力増幅器 | |
JP2006005848A (ja) | 電力増幅器及び高周波通信装置 | |
CN220210432U (zh) | 高频电路、高频模块以及通信装置 | |
JP5862653B2 (ja) | スイッチング回路および高周波モジュール | |
KR20150073712A (ko) | T형 이중 대역 정합 회로 및 그 설계 방법 | |
JP2017158107A (ja) | 受信回路 | |
Okazaki et al. | Band-reconfigurable high-efficiency power amplifier using MEMS switches | |
JP2024052045A (ja) | 増幅器モジュール | |
JP2009239682A (ja) | 周波数可変回路及び周波数可変増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110920 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110930 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |