JP4832046B2 - 連続熱cvd装置 - Google Patents
連続熱cvd装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4832046B2 JP4832046B2 JP2005285733A JP2005285733A JP4832046B2 JP 4832046 B2 JP4832046 B2 JP 4832046B2 JP 2005285733 A JP2005285733 A JP 2005285733A JP 2005285733 A JP2005285733 A JP 2005285733A JP 4832046 B2 JP4832046 B2 JP 4832046B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- conveyor
- cvd
- heating zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
は、次いでケーシング(5) を出てベルトコンベヤ(1) から装置外へ搬出される。基板搬入部の回転方向前方に隣接してケーシング(5) の一側一端にも、シールガス給気路(10)と同じ構造のシールガス給気路(14)が設けられている。
(2) :キャリアガス流入口
(3) :原料ガス流入口
(4) :基板
(5) :ケーシング
(6) :延長部
(6a):偏平ノズル
(8) (13):排気路
(9) :予熱ゾーン
(10)(14):シールガス給気路
(11):CVD加熱ゾーン
(12):垂直壁
Claims (2)
- 水平に配されたループ状のベルトコンベヤと、コンベヤの一端部上に供給された基板と、コンベヤの一側の長さ中央部から他端円弧部に亘って設けられた基板予熱ゾーンと、コンベヤの他側にその他端部から長さ中央部に亘って設けられたCVD加熱ゾーンと、コンベヤの他端他側に設けられたキャリアガス流入口と、該キャリアガス流入口内の上部にCVD加熱ゾーン向きに設けられた原料ガス流入口とを備え、該原料ガス流入口の延長部は、ベルトコンベヤの他端円弧部の他側部の上まで至り、該延長部は基板より幅広なノズルを有する、連続CVD装置。
- 原料ガスの未反応分とキャリアガスとのガス混合物を排出する排気路と、排気路に隣接して設けられたシールガス給気路とを備えた請求項1記載の連続CVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005285733A JP4832046B2 (ja) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | 連続熱cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005285733A JP4832046B2 (ja) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | 連続熱cvd装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007092152A JP2007092152A (ja) | 2007-04-12 |
JP4832046B2 true JP4832046B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=37978194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005285733A Expired - Fee Related JP4832046B2 (ja) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | 連続熱cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4832046B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007091556A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hitachi Zosen Corp | カーボン系薄膜の連続製造装置 |
KR101460398B1 (ko) | 2008-04-16 | 2014-11-12 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 카본 나노튜브 배향 집합체의 제조 장치 및 제조 방법 |
EP2397441B1 (en) | 2009-02-10 | 2022-11-09 | Zeon Corporation | Apparatus for producing oriented carbon nanotube aggregate |
CN102471065B (zh) | 2009-07-01 | 2014-03-26 | 日本瑞翁株式会社 | 取向碳纳米管集合体的制造装置 |
JP6364388B2 (ja) * | 2015-08-20 | 2018-07-25 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US20200032394A1 (en) | 2016-04-26 | 2020-01-30 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corporation | Film deposition apparatus |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62120481A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 連続cvd薄膜形成装置 |
JP2735516B2 (ja) * | 1995-08-30 | 1998-04-02 | 九州日本電気株式会社 | 常圧cvd装置 |
JP2000077340A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Nec Kyushu Ltd | 常圧気相成長装置 |
-
2005
- 2005-09-30 JP JP2005285733A patent/JP4832046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007092152A (ja) | 2007-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007091556A (ja) | カーボン系薄膜の連続製造装置 | |
JP4832046B2 (ja) | 連続熱cvd装置 | |
US20110073039A1 (en) | Semiconductor deposition system and method | |
WO2003107409A1 (ja) | 酸化膜形成方法及び酸化膜形成装置 | |
US7700054B2 (en) | Substrate processing apparatus having gas side flow via gas inlet | |
CN103649368B (zh) | 气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该原子层沉积装置的原子层沉积方法 | |
US20230083267A1 (en) | Production method of carbon nanotube assembly | |
CN109804110B (zh) | 用于敷设碳层的设备和方法 | |
CN104080946A (zh) | 用于制造薄层的装置和方法 | |
KR102349317B1 (ko) | 에피택셜 증착 프로세스들을 위한 주입 어셈블리 | |
JP2006016232A (ja) | カーボンナノチューブの連続製造方法およびその装置 | |
CN102586759B (zh) | 一种气体输送***及应用该***的半导体处理设备 | |
CN107641796B (zh) | 制程设备及化学气相沉积制程 | |
JP2008262781A (ja) | 雰囲気制御装置 | |
US20160090665A1 (en) | Apparatus for producing group iii nitride crystal, and method for producing the same | |
JPWO2004097913A1 (ja) | 真空成膜装置及び真空成膜方法並びに太陽電池材料 | |
JP5468318B2 (ja) | 熱処理炉 | |
JP2004039993A (ja) | プラズマcvd方法及びプラズマcvd装置 | |
JP4553608B2 (ja) | 金属ストリップの連続式化学蒸着装置 | |
JPH09298163A (ja) | 連続拡散処理装置 | |
JPH04259210A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
RU2403519C2 (ru) | Система термической обработки со щелевыми аэраторами | |
JP2013171972A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
CN114746574B (zh) | 用于沉积含碳结构的设备和方法 | |
JP4961817B2 (ja) | エピタキシャル成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080229 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |