JPS62120481A - 連続cvd薄膜形成装置 - Google Patents
連続cvd薄膜形成装置Info
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- JPS62120481A JPS62120481A JP26088185A JP26088185A JPS62120481A JP S62120481 A JPS62120481 A JP S62120481A JP 26088185 A JP26088185 A JP 26088185A JP 26088185 A JP26088185 A JP 26088185A JP S62120481 A JPS62120481 A JP S62120481A
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- thin film
- film forming
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野コ
本発明は連続CVD装置に関する。史に詳細ζこは、本
発明はSiOおよび/またはSiO2などの異物微粒子
がウニ11表面に付着することを防ll−する機構を有
する連続CV I)装置に関する。
発明はSiOおよび/またはSiO2などの異物微粒子
がウニ11表面に付着することを防ll−する機構を有
する連続CV I)装置に関する。
[従来技術]
薄膜の形成方法として :P導体工業におしXで一般に
広く用いられているものの一つに、気相成長法(CVD
:Chemical VaI)ourDepos i
t 1on)がある。CV I)とは、ガス状物質を
化学反応で固体物質にし、基板)−Gこ堆積することを
いう。
広く用いられているものの一つに、気相成長法(CVD
:Chemical VaI)ourDepos i
t 1on)がある。CV I)とは、ガス状物質を
化学反応で固体物質にし、基板)−Gこ堆積することを
いう。
CV Dの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりか
なり低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および
、成長した薄膜の純度が高り、Siや5il−の熱酸化
膜」二に成長した場合も電気的特性が安定であることで
、広く半導体表面のノで・ソシベーション膜として利用
されている。
なり低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および
、成長した薄膜の純度が高り、Siや5il−の熱酸化
膜」二に成長した場合も電気的特性が安定であることで
、広く半導体表面のノで・ソシベーション膜として利用
されている。
CV I)による薄膜形成は、例えば、500℃程度に
加熱したウニ/−に反応ガス(例えば5iHq+02.
またはS i H4+PHJ +02 )を供給して行
われる。[−記の反応ガスはN2ガスをキャリヤとして
反応炉(ベルジャ)内のウェハに吹きつけられ、該ウェ
ハの表面に5i02あるいはフォスフオシリケードガラ
ス(PSG)の薄膜を形成する。また、S i O2と
PSGとの2相成膜が行われることもある。
加熱したウニ/−に反応ガス(例えば5iHq+02.
またはS i H4+PHJ +02 )を供給して行
われる。[−記の反応ガスはN2ガスをキャリヤとして
反応炉(ベルジャ)内のウェハに吹きつけられ、該ウェ
ハの表面に5i02あるいはフォスフオシリケードガラ
ス(PSG)の薄膜を形成する。また、S i O2と
PSGとの2相成膜が行われることもある。
このようなCV I)による薄膜形成操作を行うために
従来から用いられている装置の一例を第3図に部分断面
図として示す。
従来から用いられている装置の一例を第3図に部分断面
図として示す。
第3図において、ヒータ100により加熱されたホ、ト
トレー1101のウェハ120を無端ベルト130によ
りゆっくりと一方向に移動させ、ウェハに近接したイン
ジェクタ140から反応ガス(例えばSiH4+02又
はS i HQ +PHJ+02)を吹き付けてウェハ
Lに5i02膜を被着させている。また、インジェクタ
140に密着して、+lif記反応ガスをυ1気するダ
クト150が設けられている。この排気ダクト150に
より有毒反応ガスの他、SiOおよび/または5ib遊
微粒子が成膜反応帯域外に拡散することを防止する。拡
散防II:4を史に徹底するためベルト130の1一方
からタリンベンチ(図示されていない)を介してクリン
エアが吹き降ろされる。
トレー1101のウェハ120を無端ベルト130によ
りゆっくりと一方向に移動させ、ウェハに近接したイン
ジェクタ140から反応ガス(例えばSiH4+02又
はS i HQ +PHJ+02)を吹き付けてウェハ
Lに5i02膜を被着させている。また、インジェクタ
140に密着して、+lif記反応ガスをυ1気するダ
クト150が設けられている。この排気ダクト150に
より有毒反応ガスの他、SiOおよび/または5ib遊
微粒子が成膜反応帯域外に拡散することを防止する。拡
散防II:4を史に徹底するためベルト130の1一方
からタリンベンチ(図示されていない)を介してクリン
エアが吹き降ろされる。
この連続成膜構造だと、カセットからウエノ1を自動的
に供給し、完成品を11(びカセットに収納する、いわ
ゆるカセットツーカセット方式も可能であり、量産性の
向tが期待できる。
に供給し、完成品を11(びカセットに収納する、いわ
ゆるカセットツーカセット方式も可能であり、量産性の
向tが期待できる。
[発明が解決しようとする問題点]
このような万全の構成にも拘わらず、第3図に示される
ような従来の連続CVD薄膜形成装置についてインジェ
クタ・排廠ダクトの搬送方向用[−1(図中のAで示さ
れる側)のSiO又は5ibれるようなグラフが得られ
た。第4図における位置符号a−fは第3図に示された
位置符号a−fに対応する。
ような従来の連続CVD薄膜形成装置についてインジェ
クタ・排廠ダクトの搬送方向用[−1(図中のAで示さ
れる側)のSiO又は5ibれるようなグラフが得られ
た。第4図における位置符号a−fは第3図に示された
位置符号a−fに対応する。
排気ダクトの出口では、ダウンブローのクリンエアが存
在しても、出[1から反応ガスが僅かに吹き出したり、
あるいは、ウェハおよび/またはトレーに吸着された5
iHqガスが出L1で空気中の02と反応したりして5
i02微粒子を発生させるものと解される。
在しても、出[1から反応ガスが僅かに吹き出したり、
あるいは、ウェハおよび/またはトレーに吸着された5
iHqガスが出L1で空気中の02と反応したりして5
i02微粒子を発生させるものと解される。
この微粒子は直ちに凝集(Coagu Iat 1on
) して、より大きな粒子に変わりウェハに付着する
。これら拉Y(異物)がウェハに付着するとウェハ蒸着
膜にピンホールを生じたりして半導体素子の製造歩留り
を著しく低下させるという欠点があった。
) して、より大きな粒子に変わりウェハに付着する
。これら拉Y(異物)がウェハに付着するとウェハ蒸着
膜にピンホールを生じたりして半導体素子の製造歩留り
を著しく低下させるという欠点があった。
[発明の目的]
従って、本発明の目的はSiOおよび/または5i02
などの異物微粒子がウェハ表面に付着することを防止す
る機構を汀する連続CVD薄膜形成装置を提供すること
である。
などの異物微粒子がウェハ表面に付着することを防止す
る機構を汀する連続CVD薄膜形成装置を提供すること
である。
[問題点を解決するための手段]
前記の問題点を解決するために、この発明は、排気ダク
トを有し、ウェハを搬送することからなる連続CVD薄
膜形成装置において、前記排気ダクトに対し搬送方向に
隣接した位置に浮遊粒子吸引用ダクトとエアカーテン用
清浄ガス供給ダクトを設け浮遊粒子がウェハ表面に付着
しないようにしたことを特徴とする。
トを有し、ウェハを搬送することからなる連続CVD薄
膜形成装置において、前記排気ダクトに対し搬送方向に
隣接した位置に浮遊粒子吸引用ダクトとエアカーテン用
清浄ガス供給ダクトを設け浮遊粒子がウェハ表面に付着
しないようにしたことを特徴とする。
[作用コ
前記のように、本発明の連続CV D薄膜形成装置にあ
っては、ウェハ出口で浮遊粒子吸引ダクトによりl′P
遊拉r・を強制的に吸引排除し、史に、該浮遊粒子吸引
ダクトに隣接する清浄ガス供給ダクトから清浄ガスを供
給するので排気ダクト出[1から漏出した反応ガスある
いはトレーまたはベルトに吸着された反応ガスによって
発生する微粒子を効果的に除去できる。
っては、ウェハ出口で浮遊粒子吸引ダクトによりl′P
遊拉r・を強制的に吸引排除し、史に、該浮遊粒子吸引
ダクトに隣接する清浄ガス供給ダクトから清浄ガスを供
給するので排気ダクト出[1から漏出した反応ガスある
いはトレーまたはベルトに吸着された反応ガスによって
発生する微粒子を効果的に除去できる。
その結果、ウェハ表面へSiOおよび/または5i02
異物微粒子が落下付着してウェハ蒸着面に障害を与える
ような不都合な事態は回避され、半導体素子の製造歩留
りが向−1−する。
異物微粒子が落下付着してウェハ蒸着面に障害を与える
ような不都合な事態は回避され、半導体素子の製造歩留
りが向−1−する。
[実施例コ
以ド、図面を参照しながら本発明の実施例について更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第1図は本発明の連続CV I)薄膜形成装置の・実施
例の概念図である。
例の概念図である。
本発明の連続CVD薄膜形成装置も従来の装置と同様に
、ヒータ10により加熱されたホットトレー111−の
ウェハ12を無端搬送ベルト13によりゆっくりと矢印
の方向に移動させ、そしてウェハに近接したインジェク
タ14から反応ガス(例えばS i H4+02または
S i Hq+PHJ +02)を吹き付けてウェハ1
−に5i02膜を被着させている。また、インジェクタ
14を取り囲むように、前記反応ガスを排気するダクト
15が設けられ、有毒反応ガスの拡散を防ぐ。更に、無
端搬送ベルト13の−1一方からタリンベンチ(図示さ
れていない)を介してクリンエアが吹き降ろされる。イ
ンジェクタ14の内部には反応ガスをウェハ」―に均一
に流すためのスリット21が配設されている。
、ヒータ10により加熱されたホットトレー111−の
ウェハ12を無端搬送ベルト13によりゆっくりと矢印
の方向に移動させ、そしてウェハに近接したインジェク
タ14から反応ガス(例えばS i H4+02または
S i Hq+PHJ +02)を吹き付けてウェハ1
−に5i02膜を被着させている。また、インジェクタ
14を取り囲むように、前記反応ガスを排気するダクト
15が設けられ、有毒反応ガスの拡散を防ぐ。更に、無
端搬送ベルト13の−1一方からタリンベンチ(図示さ
れていない)を介してクリンエアが吹き降ろされる。イ
ンジェクタ14の内部には反応ガスをウェハ」―に均一
に流すためのスリット21が配設されている。
本発明の連続CVD薄膜形成装置では、lJi気ダクト
の搬送方向用[1(図中のAで示される位置)の近傍に
浮遊粒子吸引ダクト16を配設している。
の搬送方向用[1(図中のAで示される位置)の近傍に
浮遊粒子吸引ダクト16を配設している。
この浮遊粒子吸引用ダクト16の吸引力はバルブ22を
開閉することにより調節される。かくして、前記用[1
で微粒子が発生し、ウェハの直」−で浮遊しても直ちに
吸引されウェハ表面付近から排除される。微粒rは当然
、!JI気グク!・によっても吸引υ1除されるが、前
記i゛2−遊17r吸引グクト1(3は −11、出I
I (A)から出たウェハの表面に降ト付青する微粒子
を吸引υ1除する機能を自−する。
開閉することにより調節される。かくして、前記用[1
で微粒子が発生し、ウェハの直」−で浮遊しても直ちに
吸引されウェハ表面付近から排除される。微粒rは当然
、!JI気グク!・によっても吸引υ1除されるが、前
記i゛2−遊17r吸引グクト1(3は −11、出I
I (A)から出たウェハの表面に降ト付青する微粒子
を吸引υ1除する機能を自−する。
史に、本発明の連続CVD薄膜形成装置では、浮遊粒子
吸引ダクト16だけで吸引したとき、周囲(例えば、ト
レ・−およびベルト)の部分に吸着されている微粒子ま
で剥ぎ取り、77遊させてウェハ1−に付召させる危険
があるので前記汀遊拉r吸引ダクト16に隣接して清浄
ガス供給ダクト18を設ける。1′1.遊粒子−吸引用
ダクト16と清浄ガス供給ダクト18は共通の仕υ」板
17で仕1;JJられた一体構造のものとすることもで
きる。1llf浄ガスはN2ガスあるいは空気のいずれ
も使用できる1、この清浄ガスにより一種のエアカーテ
ンが出来、・インジェクタ部で発生した微ti7−rは
外部へ拡i&していくことがない。
吸引ダクト16だけで吸引したとき、周囲(例えば、ト
レ・−およびベルト)の部分に吸着されている微粒子ま
で剥ぎ取り、77遊させてウェハ1−に付召させる危険
があるので前記汀遊拉r吸引ダクト16に隣接して清浄
ガス供給ダクト18を設ける。1′1.遊粒子−吸引用
ダクト16と清浄ガス供給ダクト18は共通の仕υ」板
17で仕1;JJられた一体構造のものとすることもで
きる。1llf浄ガスはN2ガスあるいは空気のいずれ
も使用できる1、この清浄ガスにより一種のエアカーテ
ンが出来、・インジェクタ部で発生した微ti7−rは
外部へ拡i&していくことがない。
浮遊粒子の吸引と清浄ガス供給はフィルタ1<1を介し
たポンプ20によっ“C行ってもよく、または、排気ダ
クト15の排気用ポンプ(図示されていない)を流用し
てもよい。また、清浄ガスはタリンベンチから供給され
ているタリンエアを流用してもよい。
たポンプ20によっ“C行ってもよく、または、排気ダ
クト15の排気用ポンプ(図示されていない)を流用し
てもよい。また、清浄ガスはタリンベンチから供給され
ているタリンエアを流用してもよい。
[発明の効果コ
以り説明したように、本発明のCV l)薄膜形成装置
にあっては、ウエノ1出[1で浮遊粒子吸引ダクトによ
り浮遊粒子を強制的に吸引排除し、更に、1亥浮遊粒子
吸引ダクトに隣接する清浄ガス供給ダクトから清浄ガス
を供給するので排気ダクト出口からから漏出した反応ガ
スあるいはトレーまたはベルトに吸着された反応ガスに
よって発生する微粒子を、第2図のグラフに示されるよ
うに、効果的に除去できる。第2図において、実線は本
発明の装置による浮遊ダストの排除効果を示す。比較の
ため、第4図に示された浮遊ダスト数のグラフを視程す
る。第2図のグラフから明らかなとおり本発明の装置に
よれば、従来の装置に比べて浮遊ダスト数を大幅に減少
させることができる。第2図における位置符号a−fは
第1図に示された位置符号a−fに対応する。
にあっては、ウエノ1出[1で浮遊粒子吸引ダクトによ
り浮遊粒子を強制的に吸引排除し、更に、1亥浮遊粒子
吸引ダクトに隣接する清浄ガス供給ダクトから清浄ガス
を供給するので排気ダクト出口からから漏出した反応ガ
スあるいはトレーまたはベルトに吸着された反応ガスに
よって発生する微粒子を、第2図のグラフに示されるよ
うに、効果的に除去できる。第2図において、実線は本
発明の装置による浮遊ダストの排除効果を示す。比較の
ため、第4図に示された浮遊ダスト数のグラフを視程す
る。第2図のグラフから明らかなとおり本発明の装置に
よれば、従来の装置に比べて浮遊ダスト数を大幅に減少
させることができる。第2図における位置符号a−fは
第1図に示された位置符号a−fに対応する。
その結果、ウェハ表面へSiOおよび/または5iO2
IA物微拉r−が落ド付rtシてウエノ\H1t而に障
害を与えるような不都合な事態は回避され、1へ導体素
rの製造歩留りが向上する。
IA物微拉r−が落ド付rtシてウエノ\H1t而に障
害を与えるような不都合な事態は回避され、1へ導体素
rの製造歩留りが向上する。
第1図は本発明の連続CV D薄膜形成装置の一実施例
の概念図、第2図は第1図に示された連続CVD薄膜形
成装置の排気ダクト後段用[−1付近における各粒径の
浮遊ダスト数を示すグラフ、第3図は従来の連続CV
D 3A置の概念図、そして第4図は第3図に示された
従来の連続CVD装置の排気ダクト後汲出L]付近にお
ける各粒径の浮遊ダスト数を示すグラフである。 10・・・ヒータ 11・・・トレー 12・・・ウエ
ノ\13・・・搬送ベルト 14・・・インジェクタ
15・・・排気ダクト 16・・・浮遊粒子吸引用ダク
ト 17・・・仕切板 18・・・清浄ガス供給ダクト
19・・・フィルタ 20・・・ポンプ 21・・・
スリット 22・・・バルブ 第1図 第2図 第3図 第4図
の概念図、第2図は第1図に示された連続CVD薄膜形
成装置の排気ダクト後段用[−1付近における各粒径の
浮遊ダスト数を示すグラフ、第3図は従来の連続CV
D 3A置の概念図、そして第4図は第3図に示された
従来の連続CVD装置の排気ダクト後汲出L]付近にお
ける各粒径の浮遊ダスト数を示すグラフである。 10・・・ヒータ 11・・・トレー 12・・・ウエ
ノ\13・・・搬送ベルト 14・・・インジェクタ
15・・・排気ダクト 16・・・浮遊粒子吸引用ダク
ト 17・・・仕切板 18・・・清浄ガス供給ダクト
19・・・フィルタ 20・・・ポンプ 21・・・
スリット 22・・・バルブ 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (3)
- (1)排気ダクトを有し、ウエハを搬送することからな
る連続CVD薄膜形成装置において、前記排気ダクトに
対し搬送方向に隣接した位置に浮遊粒子吸引用ダクトと
エアカーテン用清浄ガス供給ダクトを設け浮遊粒子がウ
エハ表面に付着しないようにしたことを特徴とする連続
CVD薄膜形成装置。 - (2)前記浮遊粒子吸引用ダクトとエアカーテン用清浄
ガス供給ダクトは共通の仕切板で仕切られた一体構造の
ものである特許請求の範囲第1項に記載の連続CVD薄
膜形成装置。 - (3)前記エアカーテン用清浄ガス供給ダクトはフィル
タを通して清浄化されたN_2ガスまたは空気を供給す
る特許請求の範囲第1項または第2項に記載の連続CV
D薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26088185A JPS62120481A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 連続cvd薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26088185A JPS62120481A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 連続cvd薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62120481A true JPS62120481A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17354044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26088185A Pending JPS62120481A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 連続cvd薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62120481A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4922853A (en) * | 1989-05-16 | 1990-05-08 | Libbey-Owens-Ford Co. | Stripe coating on glass by chemical vapor deposition |
JP2007092152A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hitachi Zosen Corp | 連続熱cvd装置 |
WO2013017971A1 (de) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Roth & Rau Ag | Reinigungsmodul und reinigungsverfahren fuer substrate und/oder substrattraeger |
CN114570704A (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-03 | 吉硕株式会社 | 薄膜清洁器 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP26088185A patent/JPS62120481A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4922853A (en) * | 1989-05-16 | 1990-05-08 | Libbey-Owens-Ford Co. | Stripe coating on glass by chemical vapor deposition |
JP2007092152A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hitachi Zosen Corp | 連続熱cvd装置 |
WO2013017971A1 (de) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Roth & Rau Ag | Reinigungsmodul und reinigungsverfahren fuer substrate und/oder substrattraeger |
CN114570704A (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-03 | 吉硕株式会社 | 薄膜清洁器 |
CN114570704B (zh) * | 2020-11-30 | 2023-11-14 | 吉硕株式会社 | 薄膜清洁器 |
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