JPS62120481A - 連続ｃｖｄ薄膜形成装置 - Google Patents
連続ｃｖｄ薄膜形成装置Info
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- JPS62120481A JPS62120481A JP26088185A JP26088185A JPS62120481A JP S62120481 A JPS62120481 A JP S62120481A JP 26088185 A JP26088185 A JP 26088185A JP 26088185 A JP26088185 A JP 26088185A JP S62120481 A JPS62120481 A JP S62120481A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野コ
本発明は連続ＣＶＤ装置に関する。史に詳細ζこは、本
発明はＳｉＯおよび／またはＳｉＯ２などの異物微粒子
がウニ１１表面に付着することを防ｌｌ−する機構を有
する連続ＣＶ Ｉ）装置に関する。
発明はＳｉＯおよび／またはＳｉＯ２などの異物微粒子
がウニ１１表面に付着することを防ｌｌ−する機構を有
する連続ＣＶ Ｉ）装置に関する。
［従来技術］
薄膜の形成方法として ：Ｐ導体工業におしＸで一般に
広く用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ
：Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａＩ）ｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ
ｔ １ｏｎ）がある。ＣＶ Ｉ）とは、ガス状物質を
化学反応で固体物質にし、基板）−Ｇこ堆積することを
いう。
広く用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ
：Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａＩ）ｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ
ｔ １ｏｎ）がある。ＣＶ Ｉ）とは、ガス状物質を
化学反応で固体物質にし、基板）−Ｇこ堆積することを
いう。
ＣＶ Ｄの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりか
なり低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および
、成長した薄膜の純度が高り、Ｓｉや５ｉｌ−の熱酸化
膜」二に成長した場合も電気的特性が安定であることで
、広く半導体表面のノで・ソシベーション膜として利用
されている。
なり低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および
、成長した薄膜の純度が高り、Ｓｉや５ｉｌ−の熱酸化
膜」二に成長した場合も電気的特性が安定であることで
、広く半導体表面のノで・ソシベーション膜として利用
されている。
ＣＶ Ｉ）による薄膜形成は、例えば、５００℃程度に
加熱したウニ／−に反応ガス（例えば５ｉＨｑ＋０２．
またはＳ ｉ Ｈ４＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給して行
われる。［−記の反応ガスはＮ２ガスをキャリヤとして
反応炉（ベルジャ）内のウェハに吹きつけられ、該ウェ
ハの表面に５ｉ０２あるいはフォスフオシリケードガラ
ス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、Ｓ ｉ Ｏ２と
ＰＳＧとの２相成膜が行われることもある。
加熱したウニ／−に反応ガス（例えば５ｉＨｑ＋０２．
またはＳ ｉ Ｈ４＋ＰＨＪ ＋０２ ）を供給して行
われる。［−記の反応ガスはＮ２ガスをキャリヤとして
反応炉（ベルジャ）内のウェハに吹きつけられ、該ウェ
ハの表面に５ｉ０２あるいはフォスフオシリケードガラ
ス（ＰＳＧ）の薄膜を形成する。また、Ｓ ｉ Ｏ２と
ＰＳＧとの２相成膜が行われることもある。
このようなＣＶ Ｉ）による薄膜形成操作を行うために
従来から用いられている装置の一例を第３図に部分断面
図として示す。
従来から用いられている装置の一例を第３図に部分断面
図として示す。
第３図において、ヒータ１００により加熱されたホ、ト
トレー１１０１のウェハ１２０を無端ベルト１３０によ
りゆっくりと一方向に移動させ、ウェハに近接したイン
ジェクタ１４０から反応ガス（例えばＳｉＨ４＋０２又
はＳ ｉ ＨＱ ＋ＰＨＪ＋０２）を吹き付けてウェハ
Ｌに５ｉ０２膜を被着させている。また、インジェクタ
１４０に密着して、＋ｌｉｆ記反応ガスをυ１気するダ
クト１５０が設けられている。この排気ダクト１５０に
より有毒反応ガスの他、ＳｉＯおよび／または５ｉｂ遊
微粒子が成膜反応帯域外に拡散することを防止する。拡
散防ＩＩ：４を史に徹底するためベルト１３０の１一方
からタリンベンチ（図示されていない）を介してクリン
エアが吹き降ろされる。
トレー１１０１のウェハ１２０を無端ベルト１３０によ
りゆっくりと一方向に移動させ、ウェハに近接したイン
ジェクタ１４０から反応ガス（例えばＳｉＨ４＋０２又
はＳ ｉ ＨＱ ＋ＰＨＪ＋０２）を吹き付けてウェハ
Ｌに５ｉ０２膜を被着させている。また、インジェクタ
１４０に密着して、＋ｌｉｆ記反応ガスをυ１気するダ
クト１５０が設けられている。この排気ダクト１５０に
より有毒反応ガスの他、ＳｉＯおよび／または５ｉｂ遊
微粒子が成膜反応帯域外に拡散することを防止する。拡
散防ＩＩ：４を史に徹底するためベルト１３０の１一方
からタリンベンチ（図示されていない）を介してクリン
エアが吹き降ろされる。
この連続成膜構造だと、カセットからウエノ１を自動的
に供給し、完成品を１１（びカセットに収納する、いわ
ゆるカセットツーカセット方式も可能であり、量産性の
向ｔが期待できる。
に供給し、完成品を１１（びカセットに収納する、いわ
ゆるカセットツーカセット方式も可能であり、量産性の
向ｔが期待できる。
［発明が解決しようとする問題点］
このような万全の構成にも拘わらず、第３図に示される
ような従来の連続ＣＶＤ薄膜形成装置についてインジェ
クタ・排廠ダクトの搬送方向用［−１（図中のＡで示さ
れる側）のＳｉＯ又は５ｉｂれるようなグラフが得られ
た。第４図における位置符号ａ−ｆは第３図に示された
位置符号ａ−ｆに対応する。
ような従来の連続ＣＶＤ薄膜形成装置についてインジェ
クタ・排廠ダクトの搬送方向用［−１（図中のＡで示さ
れる側）のＳｉＯ又は５ｉｂれるようなグラフが得られ
た。第４図における位置符号ａ−ｆは第３図に示された
位置符号ａ−ｆに対応する。
排気ダクトの出口では、ダウンブローのクリンエアが存
在しても、出［１から反応ガスが僅かに吹き出したり、
あるいは、ウェハおよび／またはトレーに吸着された５
ｉＨｑガスが出Ｌ１で空気中の０２と反応したりして５
ｉ０２微粒子を発生させるものと解される。
在しても、出［１から反応ガスが僅かに吹き出したり、
あるいは、ウェハおよび／またはトレーに吸着された５
ｉＨｑガスが出Ｌ１で空気中の０２と反応したりして５
ｉ０２微粒子を発生させるものと解される。
この微粒子は直ちに凝集（Ｃｏａｇｕ Ｉａｔ １ｏｎ
） して、より大きな粒子に変わりウェハに付着する
。これら拉Ｙ（異物）がウェハに付着するとウェハ蒸着
膜にピンホールを生じたりして半導体素子の製造歩留り
を著しく低下させるという欠点があった。
） して、より大きな粒子に変わりウェハに付着する
。これら拉Ｙ（異物）がウェハに付着するとウェハ蒸着
膜にピンホールを生じたりして半導体素子の製造歩留り
を著しく低下させるという欠点があった。
［発明の目的］
従って、本発明の目的はＳｉＯおよび／または５ｉ０２
などの異物微粒子がウェハ表面に付着することを防止す
る機構を汀する連続ＣＶＤ薄膜形成装置を提供すること
である。
などの異物微粒子がウェハ表面に付着することを防止す
る機構を汀する連続ＣＶＤ薄膜形成装置を提供すること
である。
［問題点を解決するための手段］
前記の問題点を解決するために、この発明は、排気ダク
トを有し、ウェハを搬送することからなる連続ＣＶＤ薄
膜形成装置において、前記排気ダクトに対し搬送方向に
隣接した位置に浮遊粒子吸引用ダクトとエアカーテン用
清浄ガス供給ダクトを設け浮遊粒子がウェハ表面に付着
しないようにしたことを特徴とする。
トを有し、ウェハを搬送することからなる連続ＣＶＤ薄
膜形成装置において、前記排気ダクトに対し搬送方向に
隣接した位置に浮遊粒子吸引用ダクトとエアカーテン用
清浄ガス供給ダクトを設け浮遊粒子がウェハ表面に付着
しないようにしたことを特徴とする。
［作用コ
前記のように、本発明の連続ＣＶ Ｄ薄膜形成装置にあ
っては、ウェハ出口で浮遊粒子吸引ダクトによりｌ′Ｐ
遊拉ｒ・を強制的に吸引排除し、史に、該浮遊粒子吸引
ダクトに隣接する清浄ガス供給ダクトから清浄ガスを供
給するので排気ダクト出［１から漏出した反応ガスある
いはトレーまたはベルトに吸着された反応ガスによって
発生する微粒子を効果的に除去できる。
っては、ウェハ出口で浮遊粒子吸引ダクトによりｌ′Ｐ
遊拉ｒ・を強制的に吸引排除し、史に、該浮遊粒子吸引
ダクトに隣接する清浄ガス供給ダクトから清浄ガスを供
給するので排気ダクト出［１から漏出した反応ガスある
いはトレーまたはベルトに吸着された反応ガスによって
発生する微粒子を効果的に除去できる。
その結果、ウェハ表面へＳｉＯおよび／または５ｉ０２
異物微粒子が落下付着してウェハ蒸着面に障害を与える
ような不都合な事態は回避され、半導体素子の製造歩留
りが向−１−する。
異物微粒子が落下付着してウェハ蒸着面に障害を与える
ような不都合な事態は回避され、半導体素子の製造歩留
りが向−１−する。
［実施例コ
以ド、図面を参照しながら本発明の実施例について更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明の連続ＣＶ Ｉ）薄膜形成装置の・実施
例の概念図である。
例の概念図である。
本発明の連続ＣＶＤ薄膜形成装置も従来の装置と同様に
、ヒータ１０により加熱されたホットトレー１１１−の
ウェハ１２を無端搬送ベルト１３によりゆっくりと矢印
の方向に移動させ、そしてウェハに近接したインジェク
タ１４から反応ガス（例えばＳ ｉ Ｈ４＋０２または
Ｓ ｉ Ｈｑ＋ＰＨＪ ＋０２）を吹き付けてウェハ１
−に５ｉ０２膜を被着させている。また、インジェクタ
１４を取り囲むように、前記反応ガスを排気するダクト
１５が設けられ、有毒反応ガスの拡散を防ぐ。更に、無
端搬送ベルト１３の−１一方からタリンベンチ（図示さ
れていない）を介してクリンエアが吹き降ろされる。イ
ンジェクタ１４の内部には反応ガスをウェハ」―に均一
に流すためのスリット２１が配設されている。
、ヒータ１０により加熱されたホットトレー１１１−の
ウェハ１２を無端搬送ベルト１３によりゆっくりと矢印
の方向に移動させ、そしてウェハに近接したインジェク
タ１４から反応ガス（例えばＳ ｉ Ｈ４＋０２または
Ｓ ｉ Ｈｑ＋ＰＨＪ ＋０２）を吹き付けてウェハ１
−に５ｉ０２膜を被着させている。また、インジェクタ
１４を取り囲むように、前記反応ガスを排気するダクト
１５が設けられ、有毒反応ガスの拡散を防ぐ。更に、無
端搬送ベルト１３の−１一方からタリンベンチ（図示さ
れていない）を介してクリンエアが吹き降ろされる。イ
ンジェクタ１４の内部には反応ガスをウェハ」―に均一
に流すためのスリット２１が配設されている。
本発明の連続ＣＶＤ薄膜形成装置では、ｌＪｉ気ダクト
の搬送方向用［１（図中のＡで示される位置）の近傍に
浮遊粒子吸引ダクト１６を配設している。
の搬送方向用［１（図中のＡで示される位置）の近傍に
浮遊粒子吸引ダクト１６を配設している。
この浮遊粒子吸引用ダクト１６の吸引力はバルブ２２を
開閉することにより調節される。かくして、前記用［１
で微粒子が発生し、ウェハの直」−で浮遊しても直ちに
吸引されウェハ表面付近から排除される。微粒ｒは当然
、！ＪＩ気グク！・によっても吸引υ１除されるが、前
記ｉ゛２−遊１７ｒ吸引グクト１（３は −１１、出Ｉ
Ｉ （Ａ）から出たウェハの表面に降ト付青する微粒子
を吸引υ１除する機能を自−する。
開閉することにより調節される。かくして、前記用［１
で微粒子が発生し、ウェハの直」−で浮遊しても直ちに
吸引されウェハ表面付近から排除される。微粒ｒは当然
、！ＪＩ気グク！・によっても吸引υ１除されるが、前
記ｉ゛２−遊１７ｒ吸引グクト１（３は −１１、出Ｉ
Ｉ （Ａ）から出たウェハの表面に降ト付青する微粒子
を吸引υ１除する機能を自−する。
史に、本発明の連続ＣＶＤ薄膜形成装置では、浮遊粒子
吸引ダクト１６だけで吸引したとき、周囲（例えば、ト
レ・−およびベルト）の部分に吸着されている微粒子ま
で剥ぎ取り、７７遊させてウェハ１−に付召させる危険
があるので前記汀遊拉ｒ吸引ダクト１６に隣接して清浄
ガス供給ダクト１８を設ける。１′１．遊粒子−吸引用
ダクト１６と清浄ガス供給ダクト１８は共通の仕υ」板
１７で仕１；ＪＪられた一体構造のものとすることもで
きる。１ｌｌｆ浄ガスはＮ２ガスあるいは空気のいずれ
も使用できる１、この清浄ガスにより一種のエアカーテ
ンが出来、・インジェクタ部で発生した微ｔｉ７−ｒは
外部へ拡ｉ＆していくことがない。
吸引ダクト１６だけで吸引したとき、周囲（例えば、ト
レ・−およびベルト）の部分に吸着されている微粒子ま
で剥ぎ取り、７７遊させてウェハ１−に付召させる危険
があるので前記汀遊拉ｒ吸引ダクト１６に隣接して清浄
ガス供給ダクト１８を設ける。１′１．遊粒子−吸引用
ダクト１６と清浄ガス供給ダクト１８は共通の仕υ」板
１７で仕１；ＪＪられた一体構造のものとすることもで
きる。１ｌｌｆ浄ガスはＮ２ガスあるいは空気のいずれ
も使用できる１、この清浄ガスにより一種のエアカーテ
ンが出来、・インジェクタ部で発生した微ｔｉ７−ｒは
外部へ拡ｉ＆していくことがない。
浮遊粒子の吸引と清浄ガス供給はフィルタ１＜１を介し
たポンプ２０によっ“Ｃ行ってもよく、または、排気ダ
クト１５の排気用ポンプ（図示されていない）を流用し
てもよい。また、清浄ガスはタリンベンチから供給され
ているタリンエアを流用してもよい。
たポンプ２０によっ“Ｃ行ってもよく、または、排気ダ
クト１５の排気用ポンプ（図示されていない）を流用し
てもよい。また、清浄ガスはタリンベンチから供給され
ているタリンエアを流用してもよい。
［発明の効果コ
以り説明したように、本発明のＣＶ ｌ）薄膜形成装置
にあっては、ウエノ１出［１で浮遊粒子吸引ダクトによ
り浮遊粒子を強制的に吸引排除し、更に、１亥浮遊粒子
吸引ダクトに隣接する清浄ガス供給ダクトから清浄ガス
を供給するので排気ダクト出口からから漏出した反応ガ
スあるいはトレーまたはベルトに吸着された反応ガスに
よって発生する微粒子を、第２図のグラフに示されるよ
うに、効果的に除去できる。第２図において、実線は本
発明の装置による浮遊ダストの排除効果を示す。比較の
ため、第４図に示された浮遊ダスト数のグラフを視程す
る。第２図のグラフから明らかなとおり本発明の装置に
よれば、従来の装置に比べて浮遊ダスト数を大幅に減少
させることができる。第２図における位置符号ａ−ｆは
第１図に示された位置符号ａ−ｆに対応する。
にあっては、ウエノ１出［１で浮遊粒子吸引ダクトによ
り浮遊粒子を強制的に吸引排除し、更に、１亥浮遊粒子
吸引ダクトに隣接する清浄ガス供給ダクトから清浄ガス
を供給するので排気ダクト出口からから漏出した反応ガ
スあるいはトレーまたはベルトに吸着された反応ガスに
よって発生する微粒子を、第２図のグラフに示されるよ
うに、効果的に除去できる。第２図において、実線は本
発明の装置による浮遊ダストの排除効果を示す。比較の
ため、第４図に示された浮遊ダスト数のグラフを視程す
る。第２図のグラフから明らかなとおり本発明の装置に
よれば、従来の装置に比べて浮遊ダスト数を大幅に減少
させることができる。第２図における位置符号ａ−ｆは
第１図に示された位置符号ａ−ｆに対応する。
その結果、ウェハ表面へＳｉＯおよび／または５ｉＯ２
ＩＡ物微拉ｒ−が落ド付ｒｔシてウエノ＼Ｈ１ｔ而に障
害を与えるような不都合な事態は回避され、１へ導体素
ｒの製造歩留りが向上する。
ＩＡ物微拉ｒ−が落ド付ｒｔシてウエノ＼Ｈ１ｔ而に障
害を与えるような不都合な事態は回避され、１へ導体素
ｒの製造歩留りが向上する。
第１図は本発明の連続ＣＶ Ｄ薄膜形成装置の一実施例
の概念図、第２図は第１図に示された連続ＣＶＤ薄膜形
成装置の排気ダクト後段用［−１付近における各粒径の
浮遊ダスト数を示すグラフ、第３図は従来の連続ＣＶ
Ｄ ３Ａ置の概念図、そして第４図は第３図に示された
従来の連続ＣＶＤ装置の排気ダクト後汲出Ｌ］付近にお
ける各粒径の浮遊ダスト数を示すグラフである。 １０・・・ヒータ １１・・・トレー １２・・・ウエ
ノ＼１３・・・搬送ベルト １４・・・インジェクタ
１５・・・排気ダクト １６・・・浮遊粒子吸引用ダク
ト １７・・・仕切板 １８・・・清浄ガス供給ダクト
１９・・・フィルタ ２０・・・ポンプ ２１・・・
スリット ２２・・・バルブ 第１図 第２図 第３図 第４図
の概念図、第２図は第１図に示された連続ＣＶＤ薄膜形
成装置の排気ダクト後段用［−１付近における各粒径の
浮遊ダスト数を示すグラフ、第３図は従来の連続ＣＶ
Ｄ ３Ａ置の概念図、そして第４図は第３図に示された
従来の連続ＣＶＤ装置の排気ダクト後汲出Ｌ］付近にお
ける各粒径の浮遊ダスト数を示すグラフである。 １０・・・ヒータ １１・・・トレー １２・・・ウエ
ノ＼１３・・・搬送ベルト １４・・・インジェクタ
１５・・・排気ダクト １６・・・浮遊粒子吸引用ダク
ト １７・・・仕切板 １８・・・清浄ガス供給ダクト
１９・・・フィルタ ２０・・・ポンプ ２１・・・
スリット ２２・・・バルブ 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）排気ダクトを有し、ウエハを搬送することからな
る連続ＣＶＤ薄膜形成装置において、前記排気ダクトに
対し搬送方向に隣接した位置に浮遊粒子吸引用ダクトと
エアカーテン用清浄ガス供給ダクトを設け浮遊粒子がウ
エハ表面に付着しないようにしたことを特徴とする連続
ＣＶＤ薄膜形成装置。 - （２）前記浮遊粒子吸引用ダクトとエアカーテン用清浄
ガス供給ダクトは共通の仕切板で仕切られた一体構造の
ものである特許請求の範囲第１項に記載の連続ＣＶＤ薄
膜形成装置。 - （３）前記エアカーテン用清浄ガス供給ダクトはフィル
タを通して清浄化されたＮ＿２ガスまたは空気を供給す
る特許請求の範囲第１項または第２項に記載の連続ＣＶ
Ｄ薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26088185A JPS62120481A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 連続ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26088185A JPS62120481A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 連続ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120481A true JPS62120481A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17354044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26088185A Pending JPS62120481A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 連続ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62120481A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4922853A (en) * | 1989-05-16 | 1990-05-08 | Libbey-Owens-Ford Co. | Stripe coating on glass by chemical vapor deposition |
| JP2007092152A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hitachi Zosen Corp | 連続熱ｃｖｄ装置 |
| WO2013017971A1 (de) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Roth & Rau Ag | Reinigungsmodul und reinigungsverfahren fuer substrate und/oder substrattraeger |
| CN114570704A (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-03 | 吉硕株式会社 | 薄膜清洁器 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP26088185A patent/JPS62120481A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4922853A (en) * | 1989-05-16 | 1990-05-08 | Libbey-Owens-Ford Co. | Stripe coating on glass by chemical vapor deposition |
| JP2007092152A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hitachi Zosen Corp | 連続熱ｃｖｄ装置 |
| WO2013017971A1 (de) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Roth & Rau Ag | Reinigungsmodul und reinigungsverfahren fuer substrate und/oder substrattraeger |
| CN114570704A (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-03 | 吉硕株式会社 | 薄膜清洁器 |
| CN114570704B (zh) * | 2020-11-30 | 2023-11-14 | 吉硕株式会社 | 薄膜清洁器 |
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