JP4831818B2 - 光電変換層評価装置及び光電変換層の評価方法 - Google Patents
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Description
本発明では、非晶質膜(46)と結晶質膜(48)との積層体について、主として非晶質膜(46)に吸収される第1光で非晶質膜成分の第1膜厚を計測し、主として結晶質膜(48)に吸収される第2光で結晶質膜(48)の第2膜厚を、それぞれ計測することが出来る。それにより、結晶質膜(48)を積層前の非晶質膜(46)の別途把握してある当初膜厚と結晶質膜(48)を積層後の非晶質膜成分の第1膜厚とを比較することで、結晶質膜(48)として製膜した膜の中で、基準としている非晶質成分を超えて非晶質膜成分となった膜厚を把握することができる。
本発明では、また、別途把握してある当初膜厚と計測された第1膜厚の差から、結晶質膜(48)の非晶質膜厚と第2膜厚との比を製膜ごとに監視することで、結晶質膜(48)として製膜した膜が予定どおり結晶化できているか否かを把握することができる。これにより、非晶質膜(46)と結晶質膜(48)との積層体(43)の製造工程において、膜厚の評価だけでなく、膜質の評価を行うことが可能となる。また積層体が結晶質膜(48)のみの場合は、非晶質膜(46)の当初膜厚=0となるので、計測された非晶質膜(46)の第1膜厚が、そのまま結晶質膜(48)の基準としている非晶質成分を超えた非晶質膜厚成分として把握できる。ここで、非晶質膜(46)は、アモルファスシリコン系薄膜(積層膜を含む)に例示される。結晶質膜(48)は、結晶質膜(48)は、微結晶シリコン系薄膜(積層膜を含む)に例示される。
結晶質膜(48)の膜質は、結晶質膜成分と非結晶膜成分との比を求めることで、簡易的に膜の結晶化率に対応する状態を評価する。即ち第2膜厚において、第2光の透過光により算出される結晶質成分と第1光の透過光により算出される非結晶質成分との膜厚比の変動で膜質の変動を把握・評価する。
本発明では、一つの照射部(3)において、波長の異なる二つの第1光及び第2光を、それぞれ第1照射部(31)及び第2照射部(32)という別々の照射部(3)で照射するので、当該波長専用の照射部(31、32)を利用でき、照射部(3)の構造を簡単にすることができる。それにより、照射部(3)を小型化することができる。
本発明では、照射部(3)において、光源は白色光を照射する白色光照射部(34)一つとし、フィルタ(35a、35b)で第1波長及び第2波長を透過させることで第1光及び第2光を照射しているので、光源を少なくすることができ、照射部(3)の構造を簡単にすることができる。それにより、照射部(3)を小型化することができる。
本発明では、一つの検出部(2)において、波長の異なる二つの第1光及び第2光を、それぞれ第1検出部(36)及び第2検出部(37)という別々の検出部(2)で検出するので、当該波長専用の検出部(36、37)を利用でき、検出部(2)の構造を簡単にすることができる。それにより、検出部(2)を小型化することができる。
本発明では、透明導電膜(42)、非晶質膜(46)及び結晶質膜(48)の積層体について、主として結晶質膜(48)に吸収される第2波長の第2光は透明導電膜(42)にも若干が吸収されるために第2膜厚の算出に透明導電膜(42)の膜厚の影響が発生する場合がある。このため更に、主として透明導電膜(42)に吸収される第3光の第3透過光を計測しているので、透明導電膜の膜厚に変動が合った場合、第3透過光の計測結果に基づいて結晶質膜(48)の第2膜厚を補正することができる。そして、その補正後の第2膜厚と結晶質膜(48)の非晶質膜厚との比を製膜ごとに監視することで、結晶質膜(48)として製膜した膜が予定どおり結晶化できているか否かをより正確に把握することができる。
本発明では、基板(11)の搬送方向(第1方向(Y))と略垂直な基板(11)の幅方向(第2方向(X))に、複数の照射部(3−1〜3−5)及びそれに対応(対向)する複数の検出部(2−1〜2−5)を設置しているので、それらが照射及び検出を実行することで、一度の計測で基板(11)の幅方向(第2方向(X))の膜厚分布を計測することができる。また、その計測を、基板(11)の搬送中に搬送方向(第1方向(Y))に対して繰り返し実行することで、基板(11)全体での膜厚分布を計測することが出来る。それにより、結晶質膜(48)として製膜した膜のうち、非晶質膜となった膜厚を基板(11)全体で把握することができる。また、別途把握してある当初膜厚と計測された第1膜厚の差から算出した、結晶質膜(48)の非晶質膜厚成分と第2膜厚との比を製膜ごとに監視することで、結晶質膜(48)として製膜した膜が予定どおり結晶化できているか否かを基板(11)全体で把握することができる。ここで積層体が結晶質膜(48)のみの場合は、非晶質膜(46)の当初膜厚=0となるので、計測された非晶質膜(46)の第1膜厚が、そのまま結晶質膜(48)の基準としている非晶質成分を超えた非晶質膜厚成分として把握できる。
本発明により、透明導電膜の膜厚に変動が合った場合でも、第3透過光の計測結果に基づいて結晶質膜(48)の第2膜厚について、基板(11)の全体において補正することができる。それにより、そして、その補正後の第2膜厚と結晶質膜(48)の非晶質膜厚との比を製膜ごとに監視することで、結晶質膜(48)として製膜した膜が予定どおり結晶化できているか否かを基板(11)の全面において、より正確に把握することができる。
本発明では、基板(11)の幅方向(第2方向(X))に対して所定の角度(θ)で複数の照射部(3−1〜3−5)及びそれに対応(対向)する複数の検出部(2−1〜2−5)を設置することで、基板(11)の端部が通過する時刻が各検出器ごとに異なることになる。それにより、少なくとも二つの検出器の各々の上を基板(11)が通過するときの時間差(ΔT)で基板(11)の移動速度(V)を検出することができる。この当該移動速度(V)に基づいて、基板(11)上の所望の位置が各検出器上を通過する時刻を把握できるので、当該所望の位置で計測を行うことができる。すなわち、基板(11)の移動速度(V)を事前に正確に把握していなくても、基板(11)上の所望の位置で計測を行うことができる。
本発明では、非晶質膜(46)がアモルファスシリコン系膜の場合、アモルファスシリコン系膜による吸収の大きい300nm以上550nm以下の波長を有する光を用いることで、結晶質膜(48)の影響を極力避けて非晶質膜厚を正確に把握することができる。結晶質膜(48)が微結晶シリコン系膜の場合、微結晶シリコン系膜による吸収の大きい600nm以上900nm以下の波長を有する光を用いることで、非晶質膜(46)の影響を極力避けて膜厚を正確に把握することができる。
本発明では、微結晶シリコン系電池層(48)を積層した時点において、微結晶シリコン系電池層(48)の膜質をオンラインで自動的に評価することができる。それにより、微結晶シリコン系電池層(48)の膜質の評価に係る時間と手間を削減でき、実質的な製造コストを低下させることが可能となる。
本発明では、アモルファスシリコン系電池層(46)と微結晶シリコン系電池層(48)とを積層した時点において、微結晶シリコン系電池層(48)の膜質をオンラインで自動的に評価することができる。それにより、微結晶シリコン系電池層(48)の膜質の評価に係る時間と手間を削減でき、実質的な製造コストを低下させることが可能となる。
本発明の光電変換層評価装置及び光電変換層の評価方法の第1実施の形態について説明する。図1は、本発明の光電変換層評価装置の第1の実施の形態の構成を示す概略図である。光電変換層評価装置1は、受光素子群2、発光素子群3、位置センサ5、搬送コンベア6、位置センサ8、情報処理装置9を具備している。
I=I0・EXP(−αd) (1)
ただし、I:透過光の光量(強度)、I0:照射光の光量(強度)、α:吸収係数、d:吸収厚、である。したがって、透明な基板11に積層した薄膜の膜厚(=吸収厚)dは、以下のようになる。
d=(1/α)・ln(I0/I) (2)
これを、本発明に適用すると、したがって、αを別計測で検量しておけば照射光の強度I0と透過光の強度Iとから膜厚dを算出できる。
ds=(1/αs)・ln(IL1j/IL2j) (3)
すなわち、照射光L1の強度IL1j及び電池層の吸収係数αsを予め計測し、情報処理装置9の記憶部に格納しておけば、透過光L2の強度IL2jを計測することで、電池層の膜厚dsを上記(3)式により亜算出することができる。
なお、微結晶シリコン膜の吸収係数をαs(c)及びアモルファスシリコン膜の吸収係数をαs(a)とする。また、短波長の光の照射光の強度をIL1j(H)、透過光の強度をIL2j(H)とする。長波長の光の照射光の強度をIL1j(L)、透過光の強度をIL2j(L)とする。
図11は、本発明の光電変換層評価装置の第1の実施の形態における一つの発光素子3−jとそれに対応する受光素子2−jの他の構成を示す概略図である。発光素子3−jは、短波長発光素子31及び長波長発光素子32を備える。短波長発光素子31と長波長発光素子32とは近接して配置され、基板11上の概ね同じ計測位置へ光を照射する。ただし、短波長発光素子31と長波長発光素子32とを基板垂直方向から傾斜角度α1、α2=5°〜30°で入射させる。この傾斜角度が大き過ぎると照射光L1a、L1bは表面で反射されてしまい、小さ過ぎると短波長発光素子31と長波長発光素子32が位置干渉してしまう。
図12は、本発明の光電変換層評価装置の第1の実施の形態における一つの発光素子3−jとそれに対応する受光素子2−jの更に他の構成を示す概略図である。発光素子3−jは、白色光を発光する白色発光素子34と、白色光から所望の短波長を透過する短波長用のフィルタA35aと、白色光から所望の長波長を透過する長波長用のフィルタB35bとを備える。フィルタA35aとフィルタB35bとは近接して配置され、基板11上の概ね同じ計測位置へ光を照射する。
本発明の光電変換層評価装置及び光電変換層の評価方法の第2実施の形態について説明する。
太陽電池40において、電池層の下地には、基板11上に透明導電膜42が設けられている。透明導電膜42は、短波長の光には透明だが、長波長の光には若干の吸収を示し、赤外域の光では大きく吸収を示す特性がある。このため透明導電膜の膜厚変動により長波長発光素子による微結晶シリコン系電池層の膜厚計測に誤差を生じることになる。本実施の形態では、第1の実施の形態の構成及び動作に加えて、その誤差を補正する構成及び動作が追加される。
すなわち、(ln(I0u/Iux)に感度傾斜(dT02−dT01)/{(ln(I0u/Iu2)−ln(I0u/Iu1)}を乗じることで、変動後の透明導電膜42の膜厚:dT0xを推定できる。
透明導電膜42の膜厚:dT0xによる微結晶シリコン系電池層48の膜厚補正量は、
(dcBx−dcAx)/(dT02−dT01)×(dT0x−dT01)
正しい微結晶シリコン系電池層48の膜厚dcは、透明導電膜42による膜厚補正量を差し引くことより、次式で算出される。
dc=(48)(dcBx−dcAx)/{(ln(I0u/Iu2)−ln(I0u/Iu1)}
×{(ln(I0u/Iux)−ln(I0u/Iu1)} (4)
このことから、透明導電膜42の膜厚が多少変動しても、式(4)を用いることで、透明導電膜42の膜厚の値が不明でも、正しい微結晶シリコン系電池層48の膜厚を求めることが出来る。
尚、上記の計測・評価手法は、アモルファスシリコン系電池層46と微結晶シリコン系電池層48を積層させたタンデム型太陽電池、アモルファスシリコン系電池層46単層の太陽電池、微結晶シリコン系電池層48単層の太陽電池、ならびにこれらの各層の単膜製膜についても同様に計測・評価が可能である。
本発明の光電変換層評価装置及び光電変換層の評価方法の第3実施の形態について説明する。
2 受光素子群
2−1〜2−m 受光素子
3 発光素子群
3−1〜3−m 発光素子
5 位置センサ
6 搬送コンベア
6a−1〜6a−q ローラ
8、8−1〜8−n 位置センサ
9 情報処理装置
9a 膜評価部
11 基板
31 短波長発光素子
32 長波長発光素子
33 赤外域発光素子
35a フィルタA
35b フィルタB
36 短波長受光素子
37 長波長受光素子
38 赤外域受光素子
40 太陽電池
42 透明導電膜
43 電池層
44 裏面電極膜
46 アモルファスシリコン系電池層
48 微結晶シリコン系電池層
51 アモルファスシリコンp層膜
52 アモルファスシリコンi層膜
53 アモルファスシリコンn層膜
56 微結晶シリコンp層膜
57 微結晶シリコンi層膜
58 微結晶シリコンn層膜
60 製膜装置
61 ローダ
63、63−1〜63−6 製膜室
64 ロード室
65 アンロード室
66 アンローダ
71 基板受渡装置
73 ロード室扉
77 基板受渡装置
78 基板移動装置
79 基板移動装置
82、82−1〜82−3 中央搬送室
84 基板導入室
91 コンベア
Claims (14)
- 基板上に、非晶質膜上に結晶質膜が積層された第1薄膜又は前記結晶質膜としての第1薄膜が形成されているとき、
照射部は、主として非晶質膜成分に吸収される第1波長の第1光を第1照射光とし、主として前記結晶質膜に吸収される第2波長の第2光を第2照射光として、それぞれ前記第1薄膜へ照射し、
検出部は、前記第1照射光が前記第1薄膜を透過した第1透過光、及び、前記第2照射光が前記第1薄膜を透過した第2透過光の各々を受光し、
制御部は、前記第1透過光に基づいて前記第1薄膜中の非晶質膜成分の第1膜厚を算出し、前記第2透過光に基づいて前記結晶質膜の第2膜厚を算出し、
前記第1薄膜が、非晶質膜上に結晶質膜が積層された構成である場合に、
前記第1膜厚と前記第2膜厚との膜厚比の変動に基づいて、もしくは、前記第1膜厚と前記結晶質膜が形成される前の前記非晶質膜の当初膜厚との差と、前記第2膜厚との比に基づいて、前記結晶質膜の膜質を評価し、
前記第1薄膜が、前記結晶質膜である場合に、
前記第1膜厚と前記第2膜厚との膜厚比の変動に基づいて、前記結晶質膜の膜質を評価する光電変換層評価装置。 - 請求項1に記載の光電変換層評価装置において、
前記照射部は、
白色光を発する白色光照射部と、
前記白色光から前記第1波長の前記第1光を透過する第1フィルタ部と、
前記白色光から前記第2波長の前記第2光を透過する第2フィルタ部と
を備える光電変換層評価装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の光電変換層評価装置において、
前記照射部は、更に、主として透明導電膜に吸収される第3波長の第3光を、前記基板上に形成された薄膜へ照射し、
前記検出部は、更に、前記薄膜を透過した前記第3光の透過光を受光し、
前記制御部は、更に、前記第3光の前記透過光に基づいて前記薄膜中の前記透明導電膜の変動量を算出し、
前記基板上に、前記透明導電膜と、前記非晶質膜及び前記結晶質膜の少なくとも一つとが積層された第2薄膜が形成されているのとき、
前記照射部は、更に、前記第3光を第3照射光として、前記第2薄膜へ照射し、
前記検出部は、更に、前記第3照射光が前記第2薄膜を透過した第3透過光を受光し、
前記制御部は、更に、前記第1膜厚、前記第3透過光の変動量で補正した前記第2膜厚に基づいて、または、前記第1膜厚、前記第3透過光の変動量で補正した前記第2膜厚、及び前記当初膜厚に基づいて、前記結晶質膜の膜質を評価する光電変換層評価装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光電変換層評価装置において、
前記基板を第1方向へ搬送する搬送部と、
前記照射部を含む複数の照射部と、
前記複数の照射部に対応して設けられ、前記検出部を含む複数の検出部と
を更に具備し、
前記複数の照射部は、前記第1方向と略直角な第2方向に並び、
前記複数の検出部は、前記第2方向に並び、
前記搬送部が前記基板を前記第1方向へ搬送する際、前記基板上に、前記非晶質膜上に前記結晶質膜が積層された第3薄膜又は前記結晶質膜としての第3薄膜が形成されているとき、
前記基板の位置を位置センサで検出し、前記基板の位置から複数の計測位置を決定し、
前記複数の照射部の各々は、前記第3薄膜における前記複数の計測位置のうちの対応する位置へ、前記第1光を第1照射光とし、前記第2光を前記第2照射光として、それぞれ照射し、
前記複数の検出部の各々は、前記第1照射光が前記複数の計測位置のうちの対応する位置を透過した第1透過光、及び、前記第2照射光が前記複数の位置のうちの対応する位置を透過した前記第2透過光を受光し、
前記制御部は、前記複数の計測位置の前記第1透過光に基づいて前記複数の計測位置での複数の前記第3薄膜の非晶質膜成分の前記第1膜厚を算出し、前記複数の計測位置の前記第2透過光に基づいて前記結晶質膜における前記複数の計測位置での複数の前記第2膜厚を算出し、前記複数の前記第1膜厚、前記複数の前記第2膜厚に基づいて、または、前記複数の前記第1膜厚、前記複数の前記第2膜厚及び前記複数の計測位置の前記結晶質膜が形成される前の前記非晶質膜の複数の当初膜厚に基づいて、前記複数の計測位置での前記結晶質膜の膜質を評価する光電変換層評価装置。 - 請求項4に記載の光電変換層評価装置において、
前記複数の照射部の各々は、更に、透明導電膜に吸収される第3波長の第3光を前記基板上に形成された薄膜へ照射し、
前記複数の検出部の各々は、前記薄膜を透過した前記第3光の透過光を受光し、
前記基板上に前記透明導電膜と、前記非晶質膜及び前記結晶質膜の少なくとも一つとが積層された第4薄膜が形成されているとき、
前記複数の照射部の各々は、更に、前記透明導電膜、前記第4薄膜における前記複数の計測位置のうちの対応する位置へ、前記第3光を第3照射光として照射し、
前記複数の検出部の各々は、更に、前記第3照射光が前記複数の計測位置のうちの対応する位置を透過した前記第3透過光を受光し、
前記制御部は、更に、前記複数の前記第1膜厚、前記複数の計測位置の前記第3透過光の変動量で補正した前記複数の前記第2膜厚に基づいて、もしくは、前記複数の前記第1膜厚、前記複数の計測位置の前記第3透過光の変動量で補正した前記複数の前記第2膜厚、及び前記複数の前記当初膜厚に基づいて、前記複数の計測位置での前記結晶質膜の膜質を評価する光電変換層評価装置。 - 請求項4又は請求項5に記載の光電変換層評価装置において、
前記複数の照射部は、前記第2方向に対して所定の角度だけ傾いて配置され、
前記複数の検出部は、前記複数の照射部に対応して、前記第2方向に対して前記所定の角度だけ傾いて配置され、
前記基板の位置を前記位置センサとして、前記複数の検出部のうち最初に前記基板が通過する検出部の受光感度の低下で感知し、前記複数の検出部の各々は、前記複数の検出部のうち少なくとも二つの検出器の各々の上を前記基板が通過するときの時間差に基づいて、前記複数の検出部の各々が順番に所定の時間間隔で検出を実行する光電変換層評価装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光電変換層評価装置において、
前記非晶質膜は、アモルファスシリコン系膜であり、
前記結晶質膜は、微結晶シリコン系膜であり、
前記第1波長は、300nm以上550nm以下であり、
前記第2波長は、600nm以上900nm以下である光電変換層評価装置。 - (a)基板上に、非晶質膜上に結晶質膜が積層された第1薄膜又は前記結晶質膜としての第1薄膜が形成されているとき、主として非晶質膜成分に吸収される第1波長の第1光を第1照射光として、及び、主として前記結晶質膜に吸収される第2波長の第2光を第2照射光として、それぞれ前記第1薄膜へ照射するステップと、
(b)前記第1照射光が前記第1薄膜を透過した第1透過光、及び、前記第2照射光が前記第1薄膜を透過した第2透過光の各々を受光するステップと、
(c)前記第1透過光に基づいて前記第1薄膜の非晶質膜成分の第1膜厚を算出し、前記第2透過光に基づいて前記結晶質膜の第2膜厚を算出するステップと、
(d)前記第1薄膜が非晶質膜上に結晶質膜が積層された構成である場合に、前記第1膜厚と前記第2膜厚との膜厚比の変動に基づいて、もしくは、前記第1膜厚と前記結晶質膜が形成される前の前記非晶質膜の当初膜厚との差と、前記第2膜厚との比に基づいて、前記結晶質膜の膜質を評価し、または、前記第1薄膜が前記結晶質膜である場合に、前記第1膜厚と前記第2膜厚との膜厚比の変動に基づいて、前記結晶質膜の膜質を評価するステップと、
を具備する光電変換層の評価方法。 - 請求項8に記載の光電変換層の評価方法において、
前記(a)ステップは、
(a1)主として透明導電膜に吸収される第3波長の第3光を第3照射光として、前記透明導電膜と、前記第1薄膜とが積層された第2薄膜へ照射するステップを備え、
前記(b)ステップは、
(b1)前記第3照射光が前記第2薄膜を透過した第3透過光を受光するステップを備え、
前記(d)ステップは、
(d1)前記第1膜厚、前記第3透過光の変動量で補正した前記第2膜厚に基づいて、または、前記第1膜厚、前記第3透過光の変動量で補正した前記第2膜厚、及び前記当初膜厚に基づいて、前記結晶質膜の膜質を評価するステップを備える光電変換層の評価方法。 - 請求項8に記載の光電変換層の評価方法において、
前記(a)ステップは、
(a1)前記基板の位置を位置センサで検出し、前記基板の位置から複数の計測位置を決定し、前記第1薄膜における前記複数の計測位置の各々へ、前記第1光を第1照射光とし、及び、前記第2光を前記第2照射光として、それぞれ照射するステップを備え、
前記(b)ステップは、
(b1)前記第1照射光が前記複数の計測位置の各々を透過した第1透過光、及び前記第2照射光が前記複数の計測位置の各々を透過した前記第2透過光の各々を受光するステップを備え、
前記(c)ステップは、
(c1)前記複数の計測位置の前記第1透過光に基づいて前記複数の計測位置での複数の前記第1薄膜の非晶質膜成分の前記第1膜厚を算出し、前記複数の計測位置の前記第2透過光に基づいて前記結晶質膜における前記複数の計測位置での複数の前記第2膜厚を算出するステップを備え、
前記(d)ステップは、
(d1)前記複数の前記第1膜厚、前記複数の前記第2膜厚に基づいて、または、前記複数の前記第1膜厚、前記複数の前記第2膜厚及び前記複数の計測位置の前記結晶質膜が形成される前の前記非晶質膜の複数の当初膜厚に基づいて、前記複数の計測位置での前記結晶質膜の膜質を評価するステップを備える光電変換層の評価方法。 - 請求項10に記載の光電変換層の評価方法において、
前記(a1)ステップは、
(a11)透明導電膜と、前記第1薄膜とが積層された第2薄膜における前記複数の計測位置のうちの対応する位置へ、主として前記透明導電膜に吸収される第3波長の第3光を第3照射光として照射するステップを備え、
前記(b1)ステップは、
(b11)前記第3照射光が前記複数の計測位置のうちの対応する位置を透過した前記第3透過光を受光するステップを備え、
前記(d1)ステップは、
(d11)前記複数の前記第1膜厚、前記複数の位置の前記第3透過光の変動量で補正した前記複数の前記第2膜厚に基づいて、もしくは、前記複数の前記第1膜厚、前記複数の計測位置の前記第3透過光の変動量で補正した前記複数の前記第2膜厚、及び前記複数の前記当初膜厚に基づいて、前記複数の計測位置での前記結晶質膜の膜質を評価するするステップを備える光電変換層の評価方法。 - 請求項10又は請求項11に記載の光電変換層の評価方法において、
前記第1光、前記第2光及び前記第3光を照射する複数の照射部は、前記第2方向に対して所定の角度だけ傾いて配置され、
前記第1透過光、前記第2透過光及び前記第3透過光を受講する複数の検出部は、前記複数の照射部に対応して、前記第2方向に対して前記所定の角度だけ傾いて配置され、
前記(a1)ステップは、
(a12)前記基板の位置を前記位置センサとして、前記複数の検出部のうち最初に前記基板が通過する検出部の受光感度の低下で感知し、前記基板が前記複数の照射部を通過する前から前記第1光及び前記第2光の少なくとも一方を前記複数の検出部へ照射するステップを備え、
前記(b1)ステップは、
(b12)前記複数の検出部のうち少なくとも二つの検出器の各々の上を前記基板が通過するときの時間差に基づいて、前記複数の検出部の各々が順番に所定の時間間隔で検出を実行するステップを備える光電変換層の評価方法。 - (a)基板に、透明導電膜を形成する工程と、
(b)前記透明道電膜上に微結晶シリコン系電池層を形成する工程と、
(c)前記微結晶シリコン系電池層について、請求項8乃至請求項12のいずれか一項に記載の光電変換層の評価方法を実行する工程と、
(d)前記微結晶シリコン系電池層上に裏面電極を形成する工程と
を具備する太陽電池の製造方法。 - 請求項13に記載の太陽電池の製造方法において、
(e)前記透明導電膜上に、前記微結晶シリコン系電池層を形成する前に、アモルファスシリコン系電池層を形成する工程と、
(f)前記アモルファスシリコン系電池層の膜厚を計測する工程と
を更に具備し、
前記(c)工程は、
(c1)前記アモルファスシリコン系電池層及び前記微結晶シリコン系電池層について、前記光電変換層の評価方法を実行する工程とを備える太陽電池の製造方法。
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