JP4823629B2 - Light emitting device - Google Patents
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Description
本発明は、発光層を有する発光素子、並びに該発光素子を有する発光装置、及びそれらの作製方法に関する。 The present invention relates to a light-emitting element having a light-emitting layer, a light-emitting device having the light-emitting element, and a manufacturing method thereof.
発光層を有する発光素子は、ディスプレイに用いられるようになってきた。発光素子を用いたディスプレイは、液晶層を有するディスプレイと比較して、広視野角、高速応答、低消費電力、等の優れた点を有しており、さらなる開発が進められている。 Light emitting elements having a light emitting layer have been used for displays. A display using a light-emitting element has excellent points such as a wide viewing angle, high-speed response, low power consumption, and the like, and is further developed compared to a display having a liquid crystal layer.
発光素子は、素子内での散乱光や反射光によって、その光の取り出し効率が低いことが問題であり、その向上が求められている。 A problem with light-emitting elements is that their light extraction efficiency is low due to scattered light and reflected light within the element, and improvements are required.
取り出し光の高効率化を達成するために、発光素子の電極である透明電極を発光色に対応した異なる膜厚とする構造が提案されている（特許文献１参照）。
そこで本発明は、上記特許文献と異なる方法により、発光素子の光取り出し効率を高めることを課題とする。 Thus, an object of the present invention is to increase the light extraction efficiency of a light emitting element by a method different from that of the above-described patent document.
上記課題を鑑み本発明は、発光素子の一部を構成する層の膜厚を、各発光色で異ならせることを特徴とする。 In view of the above problems, the present invention is characterized in that the thickness of a layer constituting a part of the light-emitting element is different for each emission color.
本発明の一形態は、第１の電極、及び第２の電極と、第１の電極と、第２の電極との間に、順に第１の層、第２の層、第３の層を有し、第１の層は正孔を発生する層であり、第２の層は各発光色の発光層を含む層であり、第３の層は電子を発生する層であり、第１の層の膜厚は、発光層を含む層ごとに異なっている発光素子であって、当該発光素子を複数有する発光装置である。 In one embodiment of the present invention, a first layer, a second layer, and a third layer are sequentially provided between the first electrode, the second electrode, the first electrode, and the second electrode. The first layer is a layer that generates holes, the second layer is a layer that includes a light emitting layer of each emission color, the third layer is a layer that generates electrons, The thickness of the layer is a light emitting element which is different for each layer including the light emitting layer, and is a light emitting device having a plurality of the light emitting elements.
本発明の別形態は、非透光性を有する第１の電極、及び透光性を有する第２の電極と、第１の電極と、第２の電極との間に、順に第１の層、第２の層、第３の層を有し、第１の層は正孔を発生する層であり、第２の層は各発光色の発光層を含む層であり、第３の層は電子を発生する層であり、第１の層の膜厚は、発光層からの光と、発光層からの光が、第１の電極で反射した反射光とが強め合うことができるように、発光色ごとに異なっていることを特徴とする発光素子であって、当該発光素子を複数有する発光装置である。 Another embodiment of the present invention is the first layer in order between the first electrode having a non-light-transmitting property, the second electrode having a light-transmitting property, the first electrode, and the second electrode. , The second layer, the third layer, the first layer is a layer that generates holes, the second layer is a layer including a light emitting layer of each emission color, and the third layer is It is a layer that generates electrons, and the thickness of the first layer is such that the light from the light emitting layer and the light reflected from the first electrode can be intensified by the light reflected from the light emitting layer. A light-emitting element having a different light-emitting color and a light-emitting device including a plurality of the light-emitting elements.
本発明において、第１の層は有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とが混在する層であることを特徴とする。 In the present invention, the first layer is a layer in which an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound are mixed.
また本発明は、上記の発光素子と、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタを有する発光装置を提供することができる。 In addition, the present invention can provide a light-emitting device that includes the above-described light-emitting element and a transistor that controls supply of current to the light-emitting element.
また本発明は、発光素子の一部を構成する層の膜厚を、各カラーフィルター等の色ごとに、異ならせることを特徴とする。カラーフィルター等には、カラーフィルターと色変換層とを重ねて用いる場合も含まれる。 In addition, the invention is characterized in that the thickness of a layer constituting a part of the light emitting element is made different for each color such as each color filter. Examples of the color filter include a case where the color filter and the color conversion layer are used in an overlapping manner.
本発明の具体的な形態は、光学特性の異なる複数種のカラーフィルターと、第１の電極、及び第２の電極と、第１の電極と、第２の電極との間に、順に設けられた第１の層、第２の層、第３の層とを有し、第１の層乃至第３の層のいずれかは、有機材料と、金属酸化物とを有し、有機材料と金属酸化物とを有する層の膜厚は、光学特性ごとに異なっていることを特徴とする発光装置である。 A specific form of the present invention is sequentially provided between a plurality of types of color filters having different optical characteristics, the first electrode, the second electrode, the first electrode, and the second electrode. The first layer, the second layer, and the third layer, and any one of the first to third layers includes an organic material and a metal oxide, and the organic material and the metal In the light-emitting device, the thickness of the layer including an oxide varies depending on the optical characteristics.
また本発明の別の形態は、半導体膜と、半導体膜上に設けられた第１の電極、及び第２の電極と、第１の電極と、第２の電極との間に、順に設けられた第１の層、第２の層、第３の層と、第１の電極側（発光側）近くに設けられた光学特性の異なる複数種のカラーフィルターとを有し、第１の電極は透光性を有し、第１の層は正孔を発生する層であり、第２の層は発光層を含む層であり、第３の層は電子を発生する層であり、第１の層は、有機材料と、金属酸化物とを有し、第１の層の膜厚は、光学特性ごとに異なっていることを特徴とする発光装置である。 In another embodiment of the present invention, a semiconductor film, a first electrode provided over the semiconductor film, a second electrode, the first electrode, and the second electrode are sequentially provided. The first layer, the second layer, the third layer, and a plurality of kinds of color filters having different optical characteristics provided near the first electrode side (light emitting side), The first layer is a layer that generates holes, the second layer is a layer that includes a light-emitting layer, the third layer is a layer that generates electrons, The layer includes an organic material and a metal oxide, and the thickness of the first layer is different for each optical characteristic.
光学特性の異なる複数種のカラーフィルターとは、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に示すような光学特性を有するカラーフィルターである。またカラーフィルターと色変換層とを重ねて用いる場合も、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に示すような光学特性を有することができる。これら複数種のカラーフィルター等を有して、表示装置に設けられるカラーフィルター等としての機能を奏する。そのため、光学特性ごとに発光素子の膜厚を異ならせるとは、各カラーフィルター等に応じた領域の発光素子の膜厚を異ならせることであり、以下カラーフィルター毎に発光素子の膜厚を異ならせるとも表記する。 The plural types of color filters having different optical characteristics are color filters having optical characteristics as shown in, for example, red (R), green (G), and blue (B). Further, when the color filter and the color conversion layer are used in an overlapping manner, they can have optical characteristics as shown in red (R), green (G), and blue (B). Having these multiple types of color filters, etc., it functions as a color filter or the like provided in the display device. Therefore, varying the film thickness of the light emitting element for each optical characteristic means that the film thickness of the light emitting element in the region corresponding to each color filter or the like is varied. Hereinafter, the film thickness of the light emitting element is varied for each color filter. It is also written.
なお本発明において、金属酸化物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、又はレニウム酸化物である。また金属酸化物の代わりに、上記金属の窒化物、又は酸化窒化物であってもよい。 In the present invention, the metal oxide is molybdenum oxide, vanadium oxide, or rhenium oxide. Further, instead of the metal oxide, a nitride or oxynitride of the above metal may be used.
このように、少なくとも一つ第１の層から第３の層の膜厚を、各発光色で異ならせることにより、光の取り出し効率の低下を防止することができる。その結果、光の取り出し効率を最大とすることができる。このとき、電子と正孔が再結合する層（つまり発光層）から反射電極との間となる層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。 In this way, by reducing the film thickness of at least one of the first to third layers for each emission color, it is possible to prevent a decrease in light extraction efficiency. As a result, the light extraction efficiency can be maximized. At this time, the thickness of the layer between the layer where the electrons and holes are recombined (that is, the light emitting layer) and the reflective electrode is preferably different for each emission color.
さらに厚膜化する必要のある層には、有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とが混在した層とすると、所定の電流を得るために印加する電圧（駆動電圧とも表記する）が高くならず好ましい。その結果、発光装置の低消費電力化を図ることができる。 If the layer that needs to be thicker is a layer in which an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound are mixed, the voltage applied to obtain a predetermined current (also referred to as drive voltage) is high. It is preferable. As a result, power consumption of the light emitting device can be reduced.
また本発明は、少なくとも第１の層乃至第３の層のいずれかの膜厚を、カラーフィルター等ごとで異ならせることを特徴とする。このとき、電子と正孔が再結合する層（つまり発光層）と、反射電極との間にある層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止することができる。 Further, the invention is characterized in that the film thickness of at least one of the first layer to the third layer is made different for each color filter or the like. At this time, the thickness of the layer between the layer in which electrons and holes are recombined (that is, the light emitting layer) and the reflective electrode may be different for each color filter. As a result, it is possible to prevent a decrease in light extraction efficiency.
さらに厚膜化する必要のある層には、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とが混在した層とすると、駆動電圧が高くならず好ましく、低消費電力化を図ることができる。 Further, when the layer that needs to be thicker is a layer in which an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound are mixed, the driving voltage is not increased, and power consumption can be reduced.
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in many different modes, and those skilled in the art can easily understand that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Is done. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode. Note that in all the drawings for describing the embodiments, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.
（実施の形態１）
本実施の形態では、発光素子の構造について説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment mode, a structure of a light-emitting element will be described.
図１に示すように、本発明の発光素子は、対向する第１の電極１０１、第２の電極１０２を有し、第１電極１０１から順に、第１の層１１１、第２の層１１２、第３の層１１３が積層されている。このような発光素子は、第２の電極１０２の電位よりも第１の電極１０１の電位が高くなるように電圧を印加すると、第１の層１１１から第２の層１１２へ正孔が注入され、第３の層１１３から第２の層１１２へ電子が注入される。正孔と、電子とが、第２の層１１２において再結合し、発光物質を励起状態にする。そして、励起状態の発光物質は、基底状態に戻るときに発光する。
As shown in FIG. 1, the light-emitting element of the present invention includes a
このような発光素子において、各発光色を発する発光素子ごとに、少なくとも第１の電極及び第２の電極を除く各層のいずれか一つの膜厚を異ならせることを特徴とする。その結果、発光色毎に、各層のいずれかからの光と、当該光が第１の電極で反射した反射光とが干渉することによる光の取り出し効率を高めることができる。 In such a light-emitting element, the thickness of at least one of the layers excluding the first electrode and the second electrode is different for each light-emitting element that emits each emission color. As a result, the light extraction efficiency due to the interference between the light from any one of the layers and the reflected light reflected by the first electrode can be increased for each emission color.
例えば、図２に示すように、赤系色（Ｒ）、緑系色（Ｇ）、青系色（Ｂ）を発光する発光素子は、非透光性であって高反射性を有する第１の電極１０１、及び透光性を有する第２の電極１０２を共有しており、それぞれ第１の層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、第２の層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ、第３の層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂを有する。そして、第１の層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂの厚さを発光色毎に異ならせる。
For example, as shown in FIG. 2, a light emitting element that emits red color (R), green color (G), and blue color (B) is a non-translucent and highly reflective first. The
その結果、直接第２の電極を介して認識する場合と、第１の電極で反射して第２の電極を介して認識する場合とで光路が異なることによる、光の取り出し効率の低下を防止することができる。 As a result, it is possible to prevent a decrease in light extraction efficiency due to a difference in the optical path between the case of direct recognition through the second electrode and the case of reflection through the first electrode and recognition through the second electrode. can do.
具体的には、第１の電極に光が入射した場合、反射光には位相の反転が生じ、これによって光の干渉効果が生じる。その結果、発光層と反射電極との光学距離、つまり屈折率×距離が、発光波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは任意の正の整数）、即ち、光学距離＝１／４、３／４、５／４・・・倍の時には、発光の外部取り出し効率が高くなる。一方、ｍ／２倍（ｍは任意の正の整数）即ち、１／２、１、３／２・・・倍の時には光の外部取り出し効率が低くなってしまう。 Specifically, when light is incident on the first electrode, a phase inversion occurs in the reflected light, thereby causing a light interference effect. As a result, the optical distance between the light emitting layer and the reflective electrode, that is, the refractive index × distance is (2m−1) / 4 times the emission wavelength (m is an arbitrary positive integer), that is, the optical distance = 1/4. When the ratio is 3/4, 5/4,..., The light extraction efficiency is increased. On the other hand, when m / 2 times (m is an arbitrary positive integer), that is, 1/2, 1, 3/2.
したがって、本発明の発光素子において、発光領域と反射電極との光学距離、つまり屈折率×距離が、発光波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは任意の正の整数）となるように、第１の層から第３の層の少なくとも一つ膜厚を各発光素子で異ならせる。 Therefore, in the light emitting device of the present invention, the optical distance between the light emitting region and the reflective electrode, that is, the refractive index × distance is (2m−1) / 4 times the emission wavelength (m is an arbitrary positive integer). At least one film thickness of the first layer to the third layer is made different for each light emitting element.
特に、第１の層から第３の層において、電子と正孔が再結合する層（発光層）から反射電極との間の層の膜厚を異ならせるとよいが、電子と正孔が再結合する層から透光電極との間の膜厚を異ならせてもよい。さらに両者の膜厚を異ならせても構わない。その結果、発光を効率よく外部に取り出すことができる。 In particular, in the first to third layers, the thickness of the layer between the layer where the electrons and holes are recombined (light emitting layer) and the reflective electrode may be varied. The film thickness between the bonding layer and the light-transmitting electrode may be different. Furthermore, the film thicknesses of both may be different. As a result, the emitted light can be efficiently extracted outside.
特に、第１の層から第３の層を蒸着法で蒸着マスクを用いて形成し、いずれかの膜厚を異ならせる場合、同じ蒸着マスクをそのまま用いることができる。一方、特許文献１に記載のように、電極の膜厚を異ならせるには、その分のフォトリソグラフィー法工程、エッチング工程が必要と考えられ、工程数が増加してしまう。
In particular, when the first layer to the third layer are formed by a vapor deposition method using a vapor deposition mask and any one of the film thicknesses is changed, the same vapor deposition mask can be used as it is. On the other hand, as described in
以上のようにして、本発明は、工程数を増加させることなく、光の取り出し効率の低下を防止することができる。 As described above, the present invention can prevent a decrease in light extraction efficiency without increasing the number of steps.
なお図２をはじめとする本発明において、青色を呈する発光素子の膜厚が、最も厚くなっている。これは、青色を呈する発光素子ではｍ＝２とし、赤色を呈する発光素子及び緑色を呈する発光素子ではｍ＝１としたためである。青色を呈する発光素子において、ｍ＝１とすると、非常に膜厚が薄くなってしまうが、ｍ＝２とすることによって厚膜化でき、生産性を高めることができる。このように本発明は、各色でｍの値を同一にする必要はなく、ｍを選択することによって、発光素子の膜厚設計の幅を広げることもできる。 Note that in the present invention including FIG. 2, the thickness of the light emitting element exhibiting blue is the largest. This is because m = 2 for a light emitting element exhibiting blue, and m = 1 for a light emitting element exhibiting red and a light emitting element exhibiting green. In a light emitting element exhibiting blue, when m = 1, the film thickness is very thin. However, by setting m = 2, the film can be thickened and productivity can be increased. As described above, according to the present invention, it is not necessary to make the value of m the same for each color, and by selecting m, the width of the film thickness design of the light emitting element can be widened.
第１の層から第３の層のいずれかの膜厚を異ならせるので、層を厚膜化する必要がある。そこで本発明は、厚膜化する層に、有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とが混在した層を用いることを特徴とする。 Since the film thickness of any of the first layer to the third layer is made different, the layer needs to be thickened. Therefore, the present invention is characterized in that a layer in which an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound are mixed is used for the layer to be thickened.
一般に、発光素子の層を厚膜化すると、駆動電圧が増加してしまうため、好ましくなかった。しかし、以下の実施例でも示すように、本発明者らは、厚膜化する層に、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とを有する層を用いると、駆動電圧自体を低くでき、それを高くすることがないことを見出した。 In general, increasing the thickness of the light emitting element layer is not preferable because the driving voltage increases. However, as shown in the following examples, the present inventors can reduce the driving voltage itself by using a layer having an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound as the layer to be thickened. I found that there is no high.
第１の層から第３の層のいずれかを厚膜化することにより、第１の電極と第２の電極とが短絡することを防止でき、量産性を高めることもでき、非常に好ましい。 By increasing the thickness of any of the first to third layers, the first electrode and the second electrode can be prevented from being short-circuited, and mass productivity can be increased, which is very preferable.
このように本発明は、少なくとも第１の層から第３の層の膜厚を、各発光色で異ならせることを特徴とする。このとき、電子と正孔が再結合する層（発光層）から反射電極との間となる層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。さらに厚膜化する必要のある層には、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とが混在した層とすると、駆動電圧が高くならず好ましい。 As described above, the present invention is characterized in that the film thicknesses of at least the first layer to the third layer are different for each emission color. At this time, the film thickness of the layer between the layer where the electrons and holes are recombined (light emitting layer) and the reflective electrode may be different for each emission color. Further, it is preferable that the layer that needs to be thicker is a layer in which an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound are mixed because the driving voltage is not increased.
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる発光素子の構造について説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, a structure of a light-emitting element which is different from that in the above embodiment will be described.
本実施の形態に示す発光素子は、第４の層１２８を設けたことを特徴とする。図１５に示すように、発光素子は、対向する第１の電極１０１、第２の電極１０２を有し、第１電極１０１から順に、第１の層１１１、第２の層１１２、第３の層１１３、第４の層１２８が積層されている。第４の層１２８は、第１の層１１１と同様の材料から形成することができる。その他の構成は、上記実施の形態と同様であるため、説明を省略する。
The light-emitting element described in this embodiment is characterized in that a fourth layer 128 is provided. As illustrated in FIG. 15, the light-emitting element includes a
このように第４の層１２８を設けると、第２の電極１０２を形成するときのダメージを低減することができる。
When the fourth layer 128 is provided in this manner, damage when the
そして各発光色を発光する発光素子に応じて、第４の層１２８を異ならせる。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。また膜厚を異ならせる場合、第４の層１２８は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物を用いるとよい。またこれら金属の窒化物であってもよいし、酸化窒化物であってもよい。これら金属酸化物等を用いて厚膜化しても、駆動電圧を高める必要がないからである。 Then, the fourth layer 128 is made different depending on the light emitting element that emits each emission color. As a result, a decrease in light extraction efficiency can be prevented. In the case where the thickness is different, the fourth layer 128 is preferably formed using a metal oxide such as molybdenum oxide, vanadium oxide, or rhenium oxide. Further, these metals may be nitrides or oxynitrides. This is because there is no need to increase the driving voltage even when the film thickness is increased using these metal oxides.
また第４の層１２８を厚膜化することにより、第２の電極１０２を形成するときのダメージのさらなる低減を期待できる。
Further, by increasing the thickness of the fourth layer 128, it is possible to expect further reduction in damage when the
さらに第４の層１２８に加えて、第１の層１１１の膜厚を、各発光色を発光する発光素子に応じて異ならせることができる。その結果、光の取り出し効率の低下防止に加え、複数の層の膜厚を異ならせることにより、さらなる発光素子の厚膜化を図ることができ、作製時の不良を低減することができる。また第１の層１１１に上記モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物等を用いることにより、駆動電圧を高めることがない。
Further, in addition to the fourth layer 128, the thickness of the
このように各発光色を発光する発光素子に応じて層の膜厚を異ならせる本発明は、発光素子の構造に限定されることなく用いることができる。その結果、光の取り出し効率の低下を防止することができ、発光素子の厚膜化を図ることができる。さらに、厚膜化する層に金属酸化物等を用いることにより、駆動電圧を高めることがなく、好ましい。 As described above, the present invention in which the film thicknesses of the layers are made different depending on the light emitting element that emits each emission color can be used without being limited to the structure of the light emitting element. As a result, a decrease in light extraction efficiency can be prevented, and the light emitting element can be made thicker. Furthermore, it is preferable to use a metal oxide or the like for the layer to be thickened without increasing the driving voltage.
（実施の形態３）
本実施の形態では、カラーフィルターを有する発光装置において、各層のいずれかの膜厚を異ならせる構成について説明する。
(Embodiment 3)
In this embodiment mode, a structure in which any film thickness of each layer is changed in a light-emitting device having a color filter will be described.
図１６に示すように、光学特性の異なる赤系色（Ｒ）、緑系色（Ｇ）、青系色（Ｂ）を出現させたい領域毎に、カラーフィルター１１５Ｒ、１１５Ｇ、１１５Ｂを設ける。カラーフィルターは、公知の材料を用い、スクリーン印刷法、又は液滴吐出法等により形成することができる。なお、図１６では、第２の電極１０２側（発光側）近くにカラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂを設ける場合を示し、この場合、第２の電極１０２は透光性を有することが必要となる。
As shown in FIG. 16, color filters 115R, 115G, and 115B are provided for each region in which red color (R), green color (G), and blue color (B) having different optical characteristics are desired to appear. The color filter can be formed using a known material by a screen printing method, a droplet discharge method, or the like. Note that FIG. 16 shows the case where the
発光素子の構造は、第１の電極１０１から順に、第１の層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、第２の層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ、第３の層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂ、第２の電極１０２が設けられている。また、カラーフィルターにより各色を出現させるため、第１の層乃至第３の層は、同一材料を用いることができる。但し図中では、各カラーフィルターに対応させるため、第１の層１１１Ｒ、１１１Ｇ、１１１Ｂ、第２の層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ、第３の層１１３Ｒ、１１３Ｇ、１１３Ｂとしている。
The structure of the light-emitting element is that the
そして、カラーフィルター毎に、第１の層乃至第３の層のいずれかの膜厚を異ならせることを特徴とする。図１６では、第２の層１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂの膜厚が、カラーフィルター毎に異なっている場合を例示している。
The thickness of any one of the first layer to the third layer is different for each color filter. FIG. 16 illustrates a case where the film thicknesses of the
このような構成により、直接第２の電極１０２を介して認識する場合と、第１の電極１０１で反射して第２の電極１０２を介して認識する場合とで、光路が異なることによる、光の取り出し効率の低下を防止することができる。
With such a configuration, the light caused by the difference in the optical path between the case where the light is directly recognized via the
具体的には、第１の電極１０１に光が入射した場合、反射光では位相の反転が生じ、反射光と、直接光とによって光の干渉効果が生じる。このような場合、発光層と反射電極との光学距離、つまり屈折率×距離が、発光波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは任意の正の整数）、即ち、光学距離＝１／４、３／４、５／４・・・倍の時には、光の外部取り出し効率が高くなる。一方、ｍ／２倍（ｍは任意の正の整数）即ち、１／２、１、３／２・・・倍の時には光の外部取り出し効率が低くなってしまう。
Specifically, when light is incident on the
そこで本発明の発光素子では、電子と正孔が再結合する層（発光層）と、反射電極との光学距離、つまり屈折率×距離とが、発光波長の（２ｍ−１）／４倍（ｍは任意の正の整数）となるように、カラーフィルター毎に、第１の層乃至第３の層のいずれかの膜厚を異ならせる。 Therefore, in the light-emitting element of the present invention, the optical distance between the layer in which electrons and holes are recombined (light-emitting layer) and the reflective electrode, that is, the refractive index × distance is (2m−1) / 4 times the emission wavelength ( The thickness of any of the first layer to the third layer is varied for each color filter so that m is an arbitrary positive integer.
特に、第１の層乃至第３の層において、電子と正孔が再結合する層から反射電極となる第１の電極１０１との間の層の膜厚を異ならせるとよい。但しこれに限定されず、電子と正孔が再結合する層から透光電極となる第２の電極１０２との間の膜厚を異ならせてもよい。さらに両者の膜厚を異ならせても構わない。その結果、発光を効率よく外部に取り出すことができる。
In particular, in the first to third layers, the thickness of the layer between the layer in which electrons and holes are recombined and the
特に、第１の層乃至第３の層を蒸着法で蒸着マスクを用いて形成し、いずれかの膜厚を異ならせる場合、同じ蒸着マスクをそのまま用いることができるため好ましい。一方、特許文献１に記載のように、電極の膜厚を異ならせるには、その分のフォトリソグラフィー法工程、エッチング工程が必要と考えられ、工程数が増加してしまう。
In particular, when the first to third layers are formed by a vapor deposition method using a vapor deposition mask and any one of the film thicknesses is changed, the same vapor deposition mask can be used as it is, which is preferable. On the other hand, as described in
以上のようにして、本発明は、工程数を増加させることなく、光の取り出し効率の低下を防止することができる。 As described above, the present invention can prevent a decrease in light extraction efficiency without increasing the number of steps.
本発明は、第１の層乃至第３の層のいずれかの膜厚を異ならせるので、層を厚膜化する必要がでてくる。そこで、厚膜化する層に、有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とが混在した層を用いることを特徴とする。 In the present invention, since the film thickness of any of the first to third layers is made different, it is necessary to increase the thickness of the layer. Therefore, a layer in which an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound are mixed is used for the layer to be thickened.
一般に、発光素子の層を厚膜化すると、駆動電圧が増加してしまうため、好ましくなかった。しかし、以下の実施例でも示すように、本発明者らは、厚膜化する層に、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とを有する層を用いると、駆動電圧自体を低くでき、厚膜化しても駆動電圧が高くならないことを見出した。 In general, increasing the thickness of the light emitting element layer is not preferable because the driving voltage increases. However, as shown in the following examples, the present inventors can reduce the driving voltage itself by using a layer having an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound as the layer to be thickened. It has been found that the drive voltage does not increase even when the film is formed.
第１の層乃至第３の層のいずれかを厚膜化することにより、第１の電極１０１と第２の電極１０２とが短絡することを防止でき、量産性を高めることもでき、非常に好ましい。
By increasing the thickness of any of the first to third layers, the
図１７は、図１６と異なり第１の電極側にカラーフィルターを設ける場合を示す。その他の構成は、図１６と同様であるため説明を省略する。このように第１の電極側（発光側）近くにカラーフィルターを設ける場合、第１の電極下方には、薄膜トランジスタを構成する複数の絶縁膜等が積層して設けられている。そのため、これら絶縁膜等の間で反射する光を考慮して、各層の膜厚を異ならせると好ましい。また、光が通過する領域では、絶縁膜等を除去してもよい。 FIG. 17 shows a case where a color filter is provided on the first electrode side unlike FIG. Other configurations are the same as those in FIG. When the color filter is provided near the first electrode side (light emission side) as described above, a plurality of insulating films or the like constituting the thin film transistor are stacked below the first electrode. Therefore, it is preferable to vary the film thickness of each layer in consideration of light reflected between these insulating films and the like. Further, the insulating film or the like may be removed in a region where light passes.
以上示した、図１６又は図１７のように本発明は、少なくとも第１の層乃至第３の層のいずれかの膜厚を、カラーフィルター毎で異ならせることを特徴とする。このとき、電子と正孔が再結合する層（発光層）と、反射電極との間にある層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせると好ましい。さらに厚膜化する必要のある層には、有機化合物と無機化合物である金属酸化物とが混在した層とすると、駆動電圧が高くならず好ましい。 As shown in FIG. 16 or FIG. 17, the present invention is characterized in that the thickness of at least one of the first layer to the third layer is different for each color filter. At this time, it is preferable that the thickness of the layer between the layer in which electrons and holes are recombined (light emitting layer) and the reflective electrode is different for each color filter. Further, it is preferable that the layer that needs to be thicker is a layer in which an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound are mixed because the driving voltage is not increased.
（実施の形態４）
本実施の形態では、カラーフィルター及び発光素子を有する画素の断面構造について、具体的に説明する。発光素子への電流の供給を制御するトランジスタ（駆動用トランジスタ）がｐ型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の場合における、画素の断面構造について、図１８を用いて説明する。なお本実施の形態では、発光素子が有する第１の電極１０１と第２の電極１０２の２つの電極のうち、トランジスタによって電位を制御することができる一方の電極を陽極、他方の電極が陰極である場合について説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment mode, a cross-sectional structure of a pixel including a color filter and a light-emitting element is specifically described. A cross-sectional structure of a pixel in the case where a transistor for controlling current supply to the light-emitting element (a driving transistor) is a p-type thin film transistor (TFT) will be described with reference to FIGS. Note that in this embodiment mode, of the two electrodes of the light-emitting element, the
図１８に、各ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂがｐ型で、発光素子６０３から発せられる光を第２の電極１０２側から取り出す、いわゆる上方出射型の場合であって、各カラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂ有する画素の断面図を示す。図１８では、発光素子６０３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂがそれぞれ電気的に接続されている。
FIG. 18 shows a so-called upward emission type in which each
ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって、島状に分離された半導体膜により、チャネル形成領域が形成されている。半導体膜は、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、微結晶半導体膜のいずれを用いてもよい。例えば、非晶質半導体膜を形成する場合、まず非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成することができる。加熱処理とは、加熱炉、レーザー照射、若しくはレーザー光の代わりにランプから発する光の照射（以下、ランプアニールと記す）、又はそれらを組み合わせて用いることができる。
The
レーザー照射を用いる場合、連続発振型のレーザー（ＣＷレーザー）やパルス発振型のレーザー（パルスレーザー）を用いることができる。 When laser irradiation is used, a continuous wave laser (CW laser) or a pulsed laser (pulse laser) can be used.
またさらにレーザーの入射角θを、半導体膜に対して（０°＜θ＜９０°）となるようにしてもよい。その結果、レーザー光の干渉を防止することができる。 Furthermore, the incident angle θ of the laser may be (0 ° <θ <90 °) with respect to the semiconductor film. As a result, laser beam interference can be prevented.
なお連続発振の基本波のレーザー光と連続発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザー光とパルス発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよい。複数のレーザー光を照射することにより、エネルギーを補うことができる。 Note that continuous wave fundamental laser light and continuous wave harmonic laser light may be emitted, or continuous wave fundamental laser light and pulsed harmonic laser light are emitted. You may do it. Energy can be supplemented by irradiating a plurality of laser beams.
またパルス発振型のレーザーであって、半導体膜がレーザー光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザー光を照射できるような繰り返し周波数でレーザー光を発振させることで、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。すなわち、パルス発振の周期が、半導体膜が溶融してから完全に固化するまでの時間よりも短くなるように、繰り返し周波数の下限を定めたパルスビームを使用することができる。実際に用いることができるパルスビームの発振周波数は１０ＭＨｚ以上であって、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を使用する。 In addition, it is a pulse oscillation type laser that oscillates laser light at a repetition frequency that can irradiate laser light of the next pulse from the time when the semiconductor film is melted by the laser light and solidifies in the scanning direction. Crystal grains grown continuously can be obtained. That is, it is possible to use a pulse beam in which the lower limit of the repetition frequency is set so that the period of pulse oscillation is shorter than the time from when the semiconductor film is melted until it is completely solidified. The oscillation frequency of the pulse beam that can be actually used is 10 MHz or more, and a frequency band that is significantly higher than the frequency band of several tens to several hundreds Hz that is normally used is used.
その他の加熱処理として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を５００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を５００〜５５０℃の範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができる。さらに、結晶化を促進させる金属元素、例えばＮｉを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。このような金属元素を用いた結晶化であっても、６００〜９５０℃に加熱しても構わない。 As another heat treatment, when a heating furnace is used, the amorphous semiconductor film is heated at 500 to 550 ° C. for 2 to 20 hours. At this time, the temperature may be set in multiple stages in the range of 500 to 550 ° C. so that the temperature gradually increases. In the first low-temperature heating step, hydrogen or the like of the amorphous semiconductor film comes out, so that so-called hydrogen dipping that reduces film roughness during crystallization can be performed. Furthermore, it is preferable to form a metal element that promotes crystallization, such as Ni, on the amorphous semiconductor film because the heating temperature can be reduced. Even crystallization using such a metal element may be heated to 600 to 950 ° C.
但し、金属元素を形成する場合、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念されるので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例えば、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するよう工程を行えばよい。 However, when a metal element is formed, there is a concern that the electrical characteristics of the semiconductor element may be adversely affected. Therefore, it is necessary to perform a gettering step for reducing or removing the metal element. For example, a process may be performed so as to capture a metal element using an amorphous semiconductor film as a gettering sink.
さらにＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは、該半導体膜を覆うゲート絶縁膜、第１の導電膜及び第２の導電膜が積層しているゲート電極、ゲート電極上に絶縁膜が設けられている。
Further, in the
ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは、Ｐ型を有し、半導体膜は高濃度不純物領域のみを有するシングルドレイン構造とする。またＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは、半導体膜に低濃度不純物領域、及び高濃度不純物領域を有するＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造としてもよい。
The
ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは層間絶縁膜６０７で覆われており、層間絶縁膜６０７上には開口部を有する隔壁６０８が形成されている。隔壁６０８の開口部において第１の電極１０１が一部露出しており、該開口部において第１の電極１０１、各電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂ、第２の電極１０２が順に積層されている。なお電界発光層は、同一材料から形成することができるが、図中では各カラーフィルターに対応させるため、電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂとしている。
The
電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂは、第１の層１１１、第２の層１１２、及び第３の層１１３に相当し、カラーフィルター毎に、第１の層から第３の層のいずれかの膜厚が異なっている。本実施の形態では、電界発光層の膜厚の関係が、６０５Ｒ＜６０５Ｇ＜６０５Ｂとなっている。本実施の形態は、上方出射型であるため、第１の電極１０１に近い第１の層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第１の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。
The electroluminescent layers 605R, 605G, and 605B correspond to the
本実施の形態は上方出射型の場合であるため、第１の電極１０１は、非透光性材料、さらに好ましくは反射性の高い材料から形成する。具体的な材料は、上記実施の形態で示したとおりである。
Since this embodiment mode is a case of a top emission type, the
また、第２の電極１０２の材料は、透光性材料から形成し、さらに仕事関数の大きい物質で形成されていることが好ましい。具体的な材料は、上記実施の形態で示したとおりである。
The material of the
なお、駆動用トランジスタがｐ型であるため、ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂに接続される配線をそのまま第１の電極１０１とすることもできる。
Note that since the driving transistor is p-type, the wiring connected to the
なお、第１の電極１０１、又は第２の電極１０２は、スパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。
Note that the
層間絶縁膜６０７は、有機樹脂材料、無機絶縁材料またはシロキサン系材料をから形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む絶縁物（以下、シロキサン系絶縁物と記す）を用いて形成することができる。なおシロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また層間絶縁膜６０７に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）と呼ばれる材料を用いてもよい。
The
隔壁６０８は、有機樹脂材料、無機絶縁材料またはシロキサン系絶縁物を用いて形成することができる。有機樹脂材料ならば、例えばアクリル、ポリイミド、ポリアミドなど、無機絶縁材料ならば酸化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。特に感光性の有機樹脂材料を隔壁６０８に用いて、第１の電極１０１上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することで、第１の電極１０１と第２の電極１０２とが短絡してしまうのを防ぐことができる。
The
このような画素の場合、発光素子６０３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極１０２側から取り出すことができる。
In such a pixel, light emitted from the light-emitting
次に図１９に、ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂがｐ型で、発光素子６０３から発せられる光を第２の電極１０２側から取り出す、いわゆる下方出射型の場合の画素の断面図を示す。
Next, FIG. 19 shows a cross-sectional view of a pixel in the case of a so-called downward emission type in which the
図１９では、発光素子６０３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂがそれぞれ電気的に接続されている。また第１の電極１０１上に各電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂ、第２の電極１０２が順に積層されている。
In FIG. 19, the
ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは図１８と同様に形成することができる。また図１９は下方出射型であるため、第１の電極１０１は透光性を有し、第２の電極１０２は非透光性であって、高反射性を有する。これらの材料は、図１８の第１の電極及び第２の電極に関する説明を参照することができる。そしてカラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂは基板側近く（発光側）に設けられている。例えば、基板の裏面（ＴＦＴが形成されていない面）に、カラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂを形成することができる。
The
各電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂも、図１８で示した電界発光層と同様に形成することができ、カラーフィルター毎に、第１の層から第３の層のいずれかの膜厚が異なっている。図１９では、下方出射型の場合を示しているため、第２の電極１０２に近い第３の層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。本実施の形態では、電界発光層の膜厚が、６０５Ｒ＜６０５Ｇ＜６０５Ｂとなっている。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第３の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。
Each of the
図１９に示した画素の場合、発光素子６１３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極１０２側から取り出すことができ、カラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂは光の射出側に設けられている。
In the case of the pixel shown in FIG. 19, light emitted from the
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 This embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.
（実施の形態５）
本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御する駆動用トランジスタがｎ型ＴＦＴの場合における、カラーフィルター及び発光素子を有する画素の断面構造について説明する。なお本実施の形態では、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極の場合について説明する。
(Embodiment 5)
In this embodiment, a cross-sectional structure of a pixel including a color filter and a light-emitting element in the case where an n-type TFT is used as a driving transistor that controls supply of current to the light-emitting element will be described. Note that in this embodiment, the case where the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode is described.
図２０に、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂがｎ型で、発光素子６１３から発せられる光を第２の電極１０２側から取り出す場合、いわゆる上方出射型の、画素の断面図を示す。図２０では、発光素子６１３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂがそれぞれ電気的に接続されている。また第１の電極１０１上に各電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂ、第２の電極１０２が順に積層されている。
FIG. 20 shows a cross-sectional view of a so-called upward emission type pixel when the
ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂは、上記実施の形態のＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂと同様に形成することができる。
The
上方出射型であるため、第１の電極１０１は、非透光性であって、高反射性を有する材料、第２の電極１０２は透光性を有する材料から形成する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。なお、供給を制御するトランジスタがｎ型であるため、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂに接続される配線をそのまま第１の電極１０１とすることができる。また透光性を有する第２の電極１０２側に、カラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂが設けられている。
Since it is a top emission type, the
電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂは、上記実施の形態の電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂと同様に形成することができる。ただし、電界発光層６１５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極１０１が陽極であるため、第１の電極１０１から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。
The electroluminescent layers 615R, 615G, and 615B can be formed in the same manner as the electroluminescent layers 605R, 605G, and 605B in the above embodiment. However, when the electroluminescent layer 615 includes any of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the light emitting layer, the
この電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂは、第１の層１１１、第２の層１１２、第３の層１１３に相当し、カラーフィルター毎に、第１の層から第３の層のいずれかの膜厚が異なっている。本実施の形態は、上方出射型であるため、第１の電極１０１に近い第１の層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。本実施の形態では、電界発光層の膜厚が、６１５Ｒ＜６１５Ｇ＜６１５Ｂとなっている。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第１の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。
The electroluminescent layers 615R, 615G, and 615B correspond to the
図２０に示した画素の場合、発光素子６１３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極１０２側から取り出すことができ、カラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂは光の射出側に設けられている。
In the case of the pixel shown in FIG. 20, light emitted from the
次に図２１に、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂがｎ型で、発光素子６１３から発せられる光を第１の電極１０１側から取り出す、いわゆる下方出射型の場合の、各発光色（ＲＧＢ）を有する画素の断面図を示す。
Next, in FIG. 21, pixels having respective emission colors (RGB) in the case of a so-called bottom emission type in which the
図２１では、発光素子６１３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂがそれぞれ電気的に接続されている。また第１の電極１０１上に各電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂ、第２の電極１０２が順に積層されている。
In FIG. 21, the
ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂは、上記実施の形態と同様に形成することができる。また図２１は下方出射型であるため、第１の電極１０１は透光性を有し、第２の電極１０２は非透光性であって、高反射性を有する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。また透光性を有する第１の電極１０１側近くに、カラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂが設けられている。
The
各電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂも、上記実施の形態と同様に形成することができ、カラーフィルター毎に、第１の層から第３の層のいずれかの膜厚が異なっている。ただし、電界発光層６１５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極１０１が陽極であるため、第１の電極１０１から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。
Each of the
図２１では、下方出射型の場合を示しているため、第２の電極１０２に近い第３の層の膜厚を、各カラーフィルターで異ならせるとよい。本実施の形態では、電界発光層の膜厚が、６１５Ｒ＜６１５Ｇ＜６１５Ｂとなっている。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第３の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。
Since FIG. 21 shows the case of the bottom emission type, the thickness of the third layer close to the
図２１に示した画素の場合、発光素子６１３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極１０１側から取り出すことができ、カラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂは光の射出側に設けられている。
In the case of the pixel shown in FIG. 21, light emitted from the
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 This embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.
（実施の形態６）
本実施の形態では、第１の層から第３の層、及び電極の材料について説明する。
(Embodiment 6)
In this embodiment mode, materials of the first layer to the third layer and the electrode will be described.
第１の層１１１は、正孔を発生する層である。このような層としては、例えば、正孔輸送性物質と、その物質に対して電子受容性を示す物質（正孔輸送性物質にとってアクセプターとなる物質）とを含む層が挙げられる。また正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質は、正孔輸送性物質に対して、モル比が０．５〜２（＝正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質／正孔輸送性物質）と成るように含まれていることが好ましい。
The
正孔輸送性物質とは、電子よりも正孔の輸送性が高い物質であり、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物や、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物等の有機化合物を用いることができる。正孔輸送性物質には、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）のようなカルバゾール誘導体や９，１０−ジ（２−ナフチル）−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）のような芳香族炭化水素化合物を適用することもできる。なお、正孔輸送性物質は、これらに限定されるものではない。 The hole-transporting substance is a substance that has a higher hole-transporting property than electrons. For example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: α- NPD), 4,4′-bis [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: TPD), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenylamino) tri Phenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4,4′-bis {N An aromatic amine compound such as-[4- (N, N-di-m-tolylamino) phenyl] -N-phenylamino} biphenyl (abbreviation: DNTPD), phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc), copper phthalocyanine (abbreviation) : CuPc), Bana An organic compound such as a phthalocyanine compound such as zirphthalocyanine (abbreviation: VOPc) can be used. Examples of the hole transporting substance include carbazole derivatives such as 4,4′-di (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP) and 9,10-di (2-naphthyl) -tert-butylanthracene (abbreviation: t). Aromatic hydrocarbon compounds such as -BuDNA) can also be applied. Note that the hole transporting substance is not limited to these.
また、正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質は、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物等の金属酸化物を用いることができる。またこれら金属の窒化物であってもよいし、酸化窒化物であってもよい。なお正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質は、これらに限定されるものではない。 In addition, as a substance that exhibits an electron accepting property with respect to a hole transporting substance, for example, a metal oxide such as molybdenum oxide, vanadium oxide, or rhenium oxide can be used. Further, these metals may be nitrides or oxynitrides. Note that a substance that exhibits an electron accepting property with respect to a hole transporting substance is not limited thereto.
正孔輸送性物質と、その物質に対して電子受容性を示す物質とが混在した第１の層１１１は、共蒸着法により作製することができる。具体的に第１の層１１１は、抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法、電子ビーム蒸着同士による共蒸着法、抵抗加熱蒸着と電子ビーム蒸着による共蒸着法、抵抗加熱蒸着とスパッタリング法による成膜、電子ビーム蒸着とスパッタリングによる成膜など、同種、異種方法を組み合わせて形成することができる。また、上記例は２種の材料を含む層を想定しているが、３種以上の材料を含む場合も同様に、同種、異種方法を組み合わせて形成することができる。
The
なお第１の層１１１に、その他の有機化合物を含んでいてもよい。その他の有機化合物には、ルブレン等が挙げられる。ルブレンを加えることにより、信頼性を向上させることができる。
Note that the
この他、第１の層１１１は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物、銅酸化物のような金属酸化物からなる層としてもよい。またこれら金属の窒化物であってもよいし、酸化窒化物であってもよい。
In addition, the
但し、第１の層１１１は、上記のように有機化合物と金属酸化物とを有する層から形成する方が、導電性が高くなり好ましい。導電性が高いと、第１の層１１１を厚膜化することができる。
However, it is preferable that the
第２の層１１２は、発光層を含む層である。第２の層１１２の層構造は、単層でも多層でも構わない。例えば、図１に示すように、第２の層１１２は、発光層１２２の他、正孔輸送層１２１、電子輸送層１２３、電子注入層１２４を含む多層でもよいし、または発光層１２２のみからなる単層であってもよい。なお、発光物質とは、発光効率が良好で、所望の発光波長の発光をし得る物質である。
The
第２の層１１２は、発光物質が、発光物質の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、分散して含まれた層であることが好ましいが、これに限定されない。なお、エネルギーギャップとはＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位との間のエネルギーギャップをいう。また発光物質は、発光効率が良好で、所望の発光波長の発光をし得る物質を用いればよい。
The
発光物質を分散状態にするために用いる物質は、例えば、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、または４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体の他、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）等の金属錯体等を用いることができる。但し、発光物質を分散状態にするために用いる物質はこれらの材料に限定されない。上記のような構造であると、発光物質からの発光が、発光物質の濃度に起因して消光してしまうことを防ぐことができる。 A substance used for dispersing the light-emitting substance is, for example, an anthracene derivative such as 9,10-di (2-naphthyl) -2-tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuDNA), or 4,4′- In addition to carbazole derivatives such as di (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), bis [2- (2-hydroxyphenyl) pyridinato] zinc (abbreviation: Znpp 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzo Metal complexes such as oxazolate] zinc (abbreviation: ZnBOX) can be used. However, substances used for bringing the light-emitting substance into a dispersed state are not limited to these materials. With the above structure, light emission from the light-emitting substance can be prevented from being quenched due to the concentration of the light-emitting substance.
赤色系の発光を得たいときには、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＩ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）やペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス［２−（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］ベンゼン、ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ［Ｆｄｐｑ］２ａｃａｃ）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、６００ｎｍから６８０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
To obtain red light emission, 4-dicyanomethylene-2-isopropyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran (abbreviation: DCJTI), 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran (abbreviation: DCJT), 4-dicyano Methylene-2-tert-butyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran (abbreviation: DCJTB), periflanthene, 2,5-dicyano -1,4-bis [2- (10-methoxy-1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] benzene, bis [2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoki Rinato] iridium (acetylacetonate) (abbreviation:
緑色系の発光を得たいときは、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、５００ｎｍから５５０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
In order to obtain green light emission, N, N′-dimethylquinacridone (abbreviation: DMQd),
青色系の発光を得たいときは、９，１０−ビス（２−ナフチル）−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、４２０ｎｍから５００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。 When blue light emission is desired, 9,10-bis (2-naphthyl) -tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuDNA), 9,9′-bianthryl, 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPA) ), 9,10-bis (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-gallium (abbreviation: BGaq), bis (2-methyl-8) -Quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq) or the like can be used. However, the present invention is not limited to these materials, and a substance exhibiting light emission having an emission spectrum peak from 420 nm to 500 nm can be used.
第３の層１１３は、電子を発生する層である。このような層としては、例えば、電子輸送性物質と、その物質に対して電子供与性を示す物質とを含む層が挙げられる。なお電子輸送性物質とは、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）等の金属錯体の他、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’ −ビス（５−メチル−ベンズオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯＳ）等を用いることができる。但し、電子輸送性物質はこれらに限定されない。
The
また、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質は、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属、エルビウム、イッテルビウム等の希土類金属等を用いることができる。但し、電子輸送物質に対して電子供与性を示す物質は、これらに限定されない。なお、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質は、電子輸送性物質に対して、モル比が０．５〜２（＝電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質／電子輸送性物質）と成るように第３の層１１３には含まれていることが好ましい。
Examples of the substance that exhibits an electron donating property with respect to the electron transporting substance include alkali metals such as lithium and cesium, alkaline earth metals such as magnesium and calcium, and rare earth metals such as erbium and ytterbium. . However, the substance that exhibits an electron donating property with respect to the electron transporting substance is not limited thereto. Note that a substance that exhibits an electron donating property with respect to an electron transporting substance has a molar ratio of 0.5 to 2 (= a substance that exhibits an electron donating property with respect to an electron transporting substance / electron. The
また、第３の層１１３は、酸化亜鉛、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化スズ、酸化チタンのような物質からなる層であってもよい。
The
以上のような、発光素子において、第３の層１１３に含まれる電子輸送性物質の電子親和力と、第２の層１１２に含まれる層のうち第３の層１１３と接する層に含まれる物質の電子親和力との差は、好ましくは２ｅＶ以下、より好ましくは１．５ｅＶ以下である。また、第３の層１１３がｎ型の半導体からなるとき、ｎ型の半導体の仕事関数と、第２の層１１２に含まれる層のうち第３の層１１３と接する層に含まれる物質の電子親和力との差は、好ましくは２ｅＶ以下、より好ましくは１．５ｅＶ以下である。
In the light-emitting element as described above, the electron affinity of the electron transporting substance contained in the
なお、第２の層１１２に含まれる層のうち第３の層１１３と接する層は、第２の層１１２が積層構造を有する場合、電子注入層１２４に相当する。
Note that a layer in contact with the
また、第２の層１１２が発光層のみの単層構造からなる場合があったり、又は電子注入層１２４等を有しない場合もある。
Further, the
このように、第３の層１１３が第２の層１１２と第２の電極１０２を接合することによって、第２の電極１０２から第２の層１１２への電子の注入が容易になる。
In this manner, when the
次に電極について説明する。第１の電極１０１と第２の電極１０２とは、いずれか一方が可視光を透過でき、導電性を有する物質で形成する。これによって、第１の電極１０１と第２の電極１０２のいずれか一方の電極を介して発光を外部に取り出すことができる。
Next, the electrode will be described. One of the
第１の電極１０１の材料は、アルミニウム（Ａｌ）や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＳＯとも記す）、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム等の透光性材料の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、若しくはパラジウム（Ｐｄ）等の金属材料、又はこれらの積層構造を用いることができる。例えば、第１の電極に透光性が必要な場合、上記の金属材料を薄くし、半透明性を有するように形成し、その上に透光性材料を積層する構成がある。勿論、半透明性を有する金属材料を単層で用いてもよい。但し、第１の電極の材料は、これらに限定されない。
The material of the
また、第２の電極１０２の材料は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム等の透光性材料の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、若しくはパラジウム（Ｐｄ）等の金属材料、又はこれらの積層構造を用いることができる。例えば、第２の電極に透光性が必要な場合、上記の金属材料を薄くし、半透明性を有するように形成し、その上に透光性材料を積層する構成がある。勿論、半透明性を有する金属材料を単層で用いてもよい。但し、第２の電極の材料はこれらに限定されない。
The
なお、第１の電極１０１、又は第２の電極１０２は、スパッタリング法や蒸着法等を用いて形成することができる。
Note that the
なお、前述のように、第３の層１１３と発光層１２２との間に電子輸送層１２３を有することができる。このように、電子輸送層１２３を設けたことにより、第２の電極１０２や第３の層１１３と、発光層１２２との距離を長くすることができ、発光が金属に起因して消光することを防ぐことができる。なお、電子輸送層１２３とは、注入された電子を発光層１２２へ輸送する機能を有する層である。
Note that as described above, the electron-
電子輸送層１２３の材料は、上述したＡｌｑ３、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ等を用いて形成することができる。但し、電子輸送層はこれらに限定されず、正孔の移動度よりも、電子の移動度が高い電子輸送性物質を用いて形成すればよい。具体的には１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質を用いて、電子輸送層１２３を形成すると好ましい。また電子輸送層１２３は、上記に記載の物質からなる層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。
The material of the
さらに、第２の電極１０２と電子輸送層１２３との間には、上記実施の形態に示すように、電子注入層１２４を有していてもよい。なお、電子注入層１２４とは、第２の電極１０２から電子輸送層１２３へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。なお、第３の層１１３があるため、電子注入層１２４を不要とすることができる。すなわち、第３の層１１３が電子の注入を補助する機能を奏することができる。
Further, an
また、本実施の形態では、第１の電極１０１と発光層１２２との間には、上記実施の形態に示すように、正孔輸送層１２１を有することができる。このように、正孔輸送層１２１を設けたことにより、第１の電極１０１や第１の層１１１と、発光層１２２との距離を長くすることができ、発光が金属に起因して消光することを防ぐことができる。なお、正孔輸送層１２１とは、第１の電極１０１から注入された正孔を発光層１２２へ輸送する機能を有する層である。
In this embodiment, the hole-
正孔輸送層１２１について、上述したα−ＮＰＤ、ＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＤＮＴＰＤなどを用いることができる。但し、正孔輸送層１２１は、これらに限定されず、前述のような電子の移動度よりも正孔の移動度が高い正孔輸送性物質を用いて形成することができる。具体的には１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質を用いて、正孔輸送層１２１を形成すると好ましい。また、正孔輸送層１２１は、上記に記載の物質からなる層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。
For the
正孔輸送層１２１は、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物によって形成されたものを用いることができる。この他、上述したＨ２Ｐｃ、ＣｕＰＣ、ＶＯＰｃ等のフタロシアニン系の化合物、ＤＮＴＰＤ等の芳香族アミン系の化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子によっても正孔輸送層１２１を形成することができる。また、上述した正孔輸送性物質と、その物質に対して電子受容性を示す物質とを含む層により、正孔輸送層１２１を形成してもよい。但し、正孔輸送層１２１は、これらに限定されるものではない。
また、正孔輸送層１２１は、第１の層１１１によってその機能を兼ねることもできる。
As the hole-
In addition, the
（実施の形態７）
本実施の形態では、発光素子を有する画素の断面構造について、具体的に説明する。発光素子への電流の供給を制御する駆動用トランジスタがｐ型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の場合における、画素の断面構造について、図３を用いて説明する。なお本実施の形態では、発光素子が有する第１の電極１０１と第２の電極１０２の２つの電極のうち、トランジスタによって電位を制御することができる一方の電極を陽極、他方の電極が陰極である場合について説明する。
(Embodiment 7)
In this embodiment mode, a cross-sectional structure of a pixel including a light-emitting element is specifically described. A cross-sectional structure of a pixel in the case where a driving transistor that controls supply of current to the light-emitting element is a p-type thin film transistor (TFT) will be described with reference to FIGS. Note that in this embodiment mode, of the two electrodes of the light-emitting element, the
図３に、各ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂがｐ型で、発光素子６０３から発せられる光を第２の電極１０２側から取り出す、いわゆる上方出射型の場合であって、各発光色（ＲＧＢ）を有する画素の断面図を示す。図３では、発光素子６０３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂがそれぞれ電気的に接続されている。
FIG. 3 shows a so-called upward emission type in which each of the
ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって、島状に分離された半導体膜により、チャネル形成領域が形成されている。上記実施の形態と同様に、半導体膜は、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、微結晶半導体膜のいずれを用いてもよい。例えば、非晶質半導体膜を形成する場合、まず非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成することができる。加熱処理とは、加熱炉、レーザー照射、若しくはランプアニール、又はそれらを組み合わせて用いることができる。
The
レーザー照射を用いる場合、ＣＷレーザーやパルスレーザーを用いることができる。 When laser irradiation is used, a CW laser or a pulse laser can be used.
その他の結晶化条件は、上記実施の形態と同様である。 Other crystallization conditions are the same as in the above embodiment.
またさらにレーザーの入射角を、半導体膜に対してθ（０°＜θ＜９０°）となるようにしてもよい。その結果、レーザー光の干渉を防止することができる。 Furthermore, the incident angle of the laser may be θ (0 ° <θ <90 °) with respect to the semiconductor film. As a result, laser beam interference can be prevented.
なお連続発振の基本波のレーザー光と連続発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザー光とパルス発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよい。複数のレーザー光を照射することにより、エネルギーを補うことができる。 Note that continuous wave fundamental laser light and continuous wave harmonic laser light may be emitted, or continuous wave fundamental laser light and pulsed harmonic laser light are emitted. You may do it. Energy can be supplemented by irradiating a plurality of laser beams.
またパルス発振型のレーザーであって、半導体膜がレーザー光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザー光を照射できるような発振周波数でレーザー光を発振させることで、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。すなわち、パルス発振の周期が、半導体膜が溶融してから完全に固化するまでの時間よりも短くなるように、発振の周波数の下限を定めたパルスビームを使用することができる。実際に用いることができるパルスビームの発振周波数は１０ＭＨｚ以上であって、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を使用する。 In addition, it is a pulse oscillation type laser that oscillates laser light at an oscillation frequency that can irradiate the laser light of the next pulse after the semiconductor film is melted by the laser light and solidifies in the scanning direction. Crystal grains grown continuously can be obtained. That is, a pulse beam in which the lower limit of the oscillation frequency is determined so that the period of pulse oscillation is shorter than the time from when the semiconductor film is melted until it is completely solidified. The oscillation frequency of the pulse beam that can be actually used is 10 MHz or more, and a frequency band that is significantly higher than the frequency band of several tens to several hundreds Hz that is normally used is used.
その他の加熱処理として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を５００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を５００〜５５０℃の範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができる。さらに、結晶化を促進させる金属元素、例えばＮｉを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。このような金属元素を用いた結晶化であっても、６００〜９５０℃に加熱しても構わない。 As another heat treatment, when a heating furnace is used, the amorphous semiconductor film is heated at 500 to 550 ° C. for 2 to 20 hours. At this time, the temperature may be set in multiple stages in the range of 500 to 550 ° C. so that the temperature gradually increases. In the first low-temperature heating step, hydrogen or the like of the amorphous semiconductor film comes out, so that so-called hydrogen dipping that reduces film roughness during crystallization can be performed. Furthermore, it is preferable to form a metal element that promotes crystallization, such as Ni, on the amorphous semiconductor film because the heating temperature can be reduced. Even crystallization using such a metal element may be heated to 600 to 950 ° C.
但し、金属元素を形成する場合、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念されるので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例えば、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するよう工程を行えばよい。 However, when a metal element is formed, there is a concern that the electrical characteristics of the semiconductor element may be adversely affected. Therefore, it is necessary to perform a gettering step for reducing or removing the metal element. For example, a process may be performed so as to capture a metal element using an amorphous semiconductor film as a gettering sink.
さらにＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは、該半導体膜を覆うゲート絶縁膜、第１の導電膜及び第２の導電膜が積層しているゲート電極、ゲート電極上に絶縁膜が設けられている。
Further, in the
ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは、Ｐ型を有し、半導体膜は高濃度不純物領域のみを有するシングルドレイン構造とする。またＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは、半導体膜に低濃度不純物領域、及び高濃度不純物領域を有するＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造としてもよい。
The
ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは層間絶縁膜６０７で覆われており、層間絶縁膜６０７上には開口部を有する隔壁６０８が形成されている。隔壁６０８の開口部において第１の電極１０１が一部露出しており、該開口部において第１の電極１０１、各電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂ、第２の電極１０２が順に積層されている。
The
電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂは、第１の層１１１、第２の層１１２、第３の層１１３に相当し、発光色毎に、第１の層から第３の層のいずれかの膜厚が異なっている。本実施の形態は、上方出射型であるため、第１の電極１０１に近い第１の層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第１の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。なお、第３の層の膜厚を、各発光色で異ならせることもできる。
The electroluminescent layers 605R, 605G, and 605B correspond to the
本実施の形態は上方出射型の場合であるため、第１の電極１０１は、非透光性材料、さらに好ましくは反射性の高い材料から形成する。具体的な材料は、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、若しくはパラジウム（Ｐｄ）等の金属材料を用いることができる。また、透光性材料であるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウムを積層した構造を用いてもよい。なお、第１の電極材料は、これらに限定されない。
Since this embodiment mode is a case of a top emission type, the
また、第２の電極１０２の材料は、透光性材料から形成し、さらに仕事関数の大きい物質で形成されていることが好ましい。具体的には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウムを用いることができる。また非透光性材料である、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、若しくはパラジウム（Ｐｄ）等であっても、透光性を有する程度に薄膜化して用いることができる。またこれらの材料の積層構造を用いることができる。但し、第２の電極材料はこれらに限定されない。
The material of the
なお、駆動用トランジスタがｐ型であるため、ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂに接続される配線をそのまま第１の電極１０１とすることもできる。
Note that since the driving transistor is p-type, the wiring connected to the
なお、第１の電極１０１、又は第２の電極１０２は、スパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。
Note that the
層間絶縁膜６０７は、有機樹脂材料、無機絶縁材料またはシロキサン系絶縁物を用いて形成することができる。また層間絶縁膜６０７に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）と呼ばれる材料を用いてもよい。
The
隔壁６０８は、有機樹脂材料、無機絶縁材料またはシロキサン系絶縁物を用いて形成することができる。有機樹脂材料ならば、例えばアクリル、ポリイミド、ポリアミドなど、無機絶縁材料ならば酸化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。特に感光性の有機樹脂材料を隔壁６０８に用いて、第１の電極１０１上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することで、第１の電極１０１と第２の電極１０２とが短絡してしまうのを防ぐことができる。
The
このような画素の場合、発光素子６０３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極１０２側から取り出すことができる。
In such a pixel, light emitted from the light-emitting
次に図４に、ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂがｐ型で、発光素子６０３から発せられる光を第２の電極１０２側から取り出す、いわゆる下方出射型の場合の、各発光色（ＲＧＢ）を有する画素の断面図を示す。
Next, FIG. 4 shows pixels having respective emission colors (RGB) in the case of a so-called bottom emission type in which the
図４では、発光素子６０３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂがそれぞれ電気的に接続されている。また第１の電極１０１上に各電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂ、第２の電極１０２が順に積層されている。
In FIG. 4, the
ＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂは図３と同様に形成することができる。また図４は下方出射型であるため、第１の電極１０１は透光性を有し、第２の電極１０２は非透光性であって高反射性を有する。これらの材料は、図３の第１の電極及び第２の電極に関する説明を参照することができる。
The
各電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂも、図３で示した電界発光層と同様に形成することができ、ＲＧＢ毎に、第１の層から第３の層のいずれかの膜厚が異なっている。図４では、下方出射型の場合を示しているため、第２の電極１０２に近い第３の層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第３の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。なお、第１の層の膜厚を、各発光色で異ならせることもできる。
Each of the
図４に示した画素の場合、発光素子６１３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極１０２側から取り出すことができる。
In the case of the pixel shown in FIG. 4, light emitted from the light-emitting
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 This embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.
（実施の形態８）
本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御する駆動用トランジスタがｎ型ＴＦＴの場合における、画素の断面構造について説明する。なお本実施の形態では、第１の電極が陰極、第２の電極が陽極の場合について説明する。
(Embodiment 8)
In this embodiment mode, a cross-sectional structure of a pixel in the case where an n-type TFT is used as a driving transistor for controlling current supply to a light-emitting element will be described. Note that in this embodiment, the case where the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode is described.
図５に、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂがｎ型で、発光素子６１３から発せられる光を第２の電極１０２側から取り出す場合、いわゆる上方出射型の、画素の断面図を示す。図５では、発光素子６１３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂがそれぞれ電気的に接続されている。また第１の電極１０１上に各電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂ、第２の電極１０２が順に積層されている。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a so-called upward emission type pixel when the
ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂは、上記実施の形態のＴＦＴ６０１Ｒ、６０１Ｇ、６０１Ｂと同様に形成することができる。
The
図５は上方出射型であるため、第１の電極１０１は、非透光性であって、更に好ましくは高反射性を有し、第２の電極１０２は透光性を有する材料から形成する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。なお、電流の供給を制御するトランジスタがｎ型であるため、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂに接続される配線をそのまま第１の電極１０１とすることができる。
Since FIG. 5 is a top emission type, the
電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂは、上記実施の形態の電界発光層６０５Ｒ、６０５Ｇ、６０５Ｂと同様に形成することができる。ただし、電界発光層６１５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極１０１が陽極であるため、第１の電極１０１から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。
The electroluminescent layers 615R, 615G, and 615B can be formed in the same manner as the electroluminescent layers 605R, 605G, and 605B in the above embodiment. However, when the electroluminescent layer 615 includes any of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the light emitting layer, the
この電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂは、第１の層１１１、第２の層１１２、第３の層１１３に相当し、発光色毎に、第１の層から第３の層のいずれかの膜厚が異なっている。本実施の形態は、上方出射型であるため、第１の電極１０１に近い第１の層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第１の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。なお、第３の層の膜厚を、各発光色で異ならせることもできる。
The electroluminescent layers 615R, 615G, and 615B correspond to the
図５に示した画素の場合、発光素子６１３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極１０２側から取り出すことができる。
In the case of the pixel shown in FIG. 5, light emitted from the light-emitting
次に図６に、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂがｎ型で、発光素子６１３から発せられる光を第１の電極１０１側から取り出す、いわゆる下方出射型の場合の、各発光色（ＲＧＢ）を有する画素の断面図を示す。
Next, FIG. 6 shows pixels having respective emission colors (RGB) in the case of a so-called downward emission type in which
図６では、発光素子６１３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂがそれぞれ電気的に接続されている。また第１の電極１０１上に各電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂ、第２の電極１０２が順に積層されている。
In FIG. 6, the
ＴＦＴ６１１Ｒ、６１１Ｇ、６１１Ｂは、上記実施の形態と同様に形成することができる。また図６は下方出射型であるため、第１の電極１０１は透光性を有し、第２の電極１０２は非透光性であって高反射性を有する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。
The
各電界発光層６１５Ｒ、６１５Ｇ、６１５Ｂも、上記実施の形態と同様に形成することができ、ＲＧＢ毎に、第１の層から第３の層のいずれかの膜厚が異なっている。ただし、電界発光層６１５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極１０１が陽極であるため、第１の電極１０１から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。
Each of the
図６では、下方出射型の場合を示しているため、第２の電極１０２に近い第３の層の膜厚を、各発光色で異ならせるとよい。その結果、光の取り出し効率の低下を防止できる。さらに好ましくは、第３の層に有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。なお、第１の層の膜厚を、各発光色で異ならせることもできる。
Since FIG. 6 shows the case of the bottom emission type, the thickness of the third layer close to the
図６に示した画素の場合、発光素子６１３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極１０１側から取り出すことができる。
In the case of the pixel shown in FIG. 6, light emitted from the light-emitting
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 This embodiment mode can be freely combined with the above embodiment modes.
（実施の形態９）
本実施の形態では、発光素子を有する画素の等価回路図について、図７を用いて説明する。
(Embodiment 9)
In this embodiment, an equivalent circuit diagram of a pixel including a light-emitting element will be described with reference to FIGS.
図７（Ａ）は、画素の等価回路図の一例を示したものであり、信号線６１１４、電源線６１１５、走査線６１１６、信号線６１１４、電源線６１１５、走査線６１１６の交差部に、発光素子６１１３、トランジスタ６１１０、６１１１、容量素子６１１２を有する。信号線６１１４には信号線駆動回路によって映像信号が入力される。トランジスタ６１１０は、走査線６１１６に入力される選択信号に従って、トランジスタ６１１１のゲートへの、該映像信号の供給を制御することができる。トランジスタ６１１１は、該映像信号の電位に従って、発光素子６１１３への電流の供給を制御することができる駆動用トランジスタである。容量素子６１１２は、トランジスタ６１１１のゲート・ソース間の電圧を保持することができる。なお、図７（Ａ）では、容量素子６１１２を図示したが、トランジスタ６１１１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。
FIG. 7A illustrates an example of an equivalent circuit diagram of a pixel. Light is emitted from an intersection of a
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示した画素に、トランジスタ６１１８と走査線６１１９を新たに設けた画素の等価回路図である。トランジスタ６１１８により、トランジスタ６１１１のゲートとソースを同電位とし、強制的に発光素子６１１３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素に映像信号が入力される期間よりも、サブフレーム期間の長さを短くすることができる。また駆動方法によって、図７（Ａ）に示す画素であっても、強制的に発光素子６１１３に電流が流れない状態を作ることができる。
FIG. 7B is an equivalent circuit diagram of a pixel in which a
図７（Ｃ）は、図７（Ｂ）に示した画素に、新たにトランジスタ６１２５と、配線６１２６を設けた画素の等価回路図である。トランジスタ６１２５は、そのゲートの電位が、配線６１２６によって固定されている。そして、トランジスタ６１１１とトランジスタ６１２５は、電源線６１１５と発光素子６１１３との間に直列に接続されている。よって図７（Ｃ）では、トランジスタ６１２５により発光素子６１１３に供給される電流の値が制御され、トランジスタ６１１１により発光素子６１１３への該電流の供給の有無が制御できる。
FIG. 7C is an equivalent circuit diagram of a pixel in which a
なお、本発明の画素回路は、本実施の形態で示した構成に限定されない。また本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 Note that the pixel circuit of the present invention is not limited to the structure shown in this embodiment mode. This embodiment can be freely combined with the above embodiment.
（実施の形態１０）
本発明の発光装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図８を参照して説明する。
(Embodiment 10)
As an electronic device including the light emitting device of the present invention, a television device (also simply referred to as a television or a television receiver), a digital camera, a digital video camera, a mobile phone device (also simply referred to as a mobile phone or a mobile phone), a PDA Such as portable information terminals, portable game machines, computer monitors, computers, sound reproduction apparatuses such as car audio, and image reproduction apparatuses equipped with recording media such as home game machines. A specific example will be described with reference to FIG.
図８（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２は、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された携帯情報端末機器を提供することができる。
A portable information terminal device illustrated in FIG. 8A includes a
図８（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１、９７０２には本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成されたデジタルビデオカメラを提供することができる。
A digital video camera shown in FIG. 8B includes a
図８（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。表示部９１０２には、本発明の発光装置適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された携帯電話機を提供することができる。
A cellular phone shown in FIG. 8C includes a
図８（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの（例えば４０インチ以上）まで、幅広いものに、本発明の発光装置を適用することができる。
A portable television device illustrated in FIG. 8D includes a
図８（Ｅ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された携帯型のコンピュータを提供することができる。
A portable computer illustrated in FIG. 8E includes a
図８（Ｆ）に示すテレビジョン装置は、本体９５０１、表示部９５０２等を含んでいる。表示部９５０２には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成されたテレビジョン装置を提供することができる。
A television device illustrated in FIG. 8F includes a
このように、本発明の発光装置により、光取り出し効率が最大となり、低消費電力化が達成された電子機器を提供することができる。 As described above, the light-emitting device of the present invention can provide an electronic device in which light extraction efficiency is maximized and low power consumption is achieved.
（実施例１）
本実施例では、各発光色を発する素子の発光強度を多重干渉数値計算から求めた結果を示す。
Example 1
In this example, the results obtained by calculating the emission intensity of the element emitting each emission color from the multiple interference numerical calculation are shown.
まず図１４には、各発光色において同様となる第２の層、つまり発光層をガラス基板に蒸着し、紫外光を使って励起し、発光スペクトルを測定したフォトルミネッセンススペクトルの結果を示す。なお、図１４において、各発光強度は規格化されている。 First, FIG. 14 shows the result of a photoluminescence spectrum in which a second layer that is the same in each emission color, that is, a light emitting layer, is vapor-deposited on a glass substrate and excited using ultraviolet light, and an emission spectrum is measured. In FIG. 14, each emission intensity is standardized.
次いで図１３には、発光強度を多重干渉数値計算から求めた結果を示す。図１３及ぶ図１４における赤色系を発光する素子の構造は、Ａｌ＼ＩＴＳＯ＼α−ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレン＼α−ＮＰＤ＼Ａｌｑ３（Ｉｒ［Ｆｄｐｑ］２ａｃａｃ）＼Ａｌｑ３＼ＢｚＯＳ：Ｌｉ＼ＩＴＳＯであり、図１３におけるそれぞれの膜厚は１００＼１０＼２０＼１０＼４０＼２０＼２０＼２０＼１１０（単位はすべてｎｍ）である。なお「：」は、複数の材料を抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法により形成し、各物質が混在した層になっていることを示し、「＼」は各層が積層していることを示し、左から順に積層した構造となり、以下同様である。 Next, FIG. 13 shows the result of the emission intensity obtained from the multiple interference numerical calculation. The structure of the red light emitting element in FIGS. 13 and 14 is Al \ ITSO \ α-NPD: molybdenum oxide: rubrene \ α-NPD \ Alq 3 (Ir [Fdpq] 2 acac) \ Alq 3 \ BzOS: Li \ ITSO, and each film thickness in FIG. 13 is 100 \ 10 \ 20 \ 10 \ 40 \ 20 \ 20 \ 20 \ 110 (unit is nm). ":" Indicates that a plurality of materials are formed by a co-evaporation method using resistance heating vapor deposition, and each layer is a mixed layer. "\" Indicates that each layer is laminated. It becomes the structure laminated | stacked in order from the left, and so on.
この素子構造において、第１の電極１０１にはＡｌ及びＩＴＳＯが相当し、第１の層１１１にはα−ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレン及びα−ＮＰＤが相当し、第２の層１１２にはＡｌｑ３（Ｉｒ［Ｆｄｐｑ］２ａｃａｃ）が相当し、第３の層１１３にはＡｌｑ３及びＢｚＯＳ：Ｌｉが相当し、第２の電極１０２にはＩＴＳＯが相当する。なおこれら素子構造において、ＡｌやＩＴＳＯはスパッタリング法により作製し、その他の層は蒸着法により作製した。
In this element structure, the
また図１３及ぶ図１４における緑色系を発光する素子の構造は、Ａｌ＼ＩＴＳＯ＼α−ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレン＼α−ＮＰＤ＼Ａｌｑ３（ＤＭＱｄ）＼Ａｌｑ３＼ＢｚＯＳ：Ｌｉ＼ＩＴＳＯであり、図１３におけるそれぞれの膜厚は１００＼１０＼１２０＼１０＼４０＼２０＼２０＼１１０（単位はすべてｎｍ）である。なおこれら素子構造において、ＡｌやＩＴＳＯはスパッタリング法により作製し、その他の層は蒸着法により作製した。 The structure of the green light emitting element in FIGS. 13 and 14 is Al \ ITSO \ α-NPD: Molybdenum oxide: rubrene \ α-NPD \ Alq 3 (DMQd) \ Alq 3 \ BzOS: Li \ ITSO. Each film thickness in FIG. 13 is 100 \ 10 \ 120 \ 10 \ 40 \ 20 \ 20 \ 110 (the unit is nm). In these element structures, Al and ITSO were produced by sputtering, and the other layers were produced by vapor deposition.
この素子構造において、第１の電極１０１にはＡｌ及びＩＴＳＯが相当し、第１の層１１１にはα−ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレン及びα−ＮＰＤが相当し、第２の層１１２にはＡｌｑ３（ＤＭＱｄ）が相当し、第３の層１１３にはＡｌｑ３及びＢｚＯＳ：Ｌｉが相当し、第２の電極１０２にはＩＴＳＯが相当する。
In this element structure, the
また図１３及ぶ図１４における青色系を発光する素子の構造は、Ａｌ＼ＩＴＳＯ＼α―ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレン＼α−ＮＰＤ＼ｔＢｕＤＮＡ＼Ａｌｑ３＼ＢｚＯＳ：Ｌｉ＼ＩＴＳＯであり、図１３におけるそれぞれの膜厚は１００＼１０＼２２０＼１０＼４０＼２０＼２０＼１１０（単位はすべてｎｍ）である。なおこれら素子構造において、ＡｌやＩＴＳＯはスパッタリング法により作製し、その他の層は蒸着法により作製した。 Further, the structure of the blue light emitting element in FIGS. 13 and 14 is Al \ ITSO \ α-NPD: molybdenum oxide: rubrene \ α-NPD \ tBuDNA \ Alq 3 \ BzOS: Li \ ITSO. The thickness of each of the film is 100 \ 10 \ 220 \ 10 \ 40 \ 20 \ 20 \ 110 (unit is nm). In these element structures, Al and ITSO were produced by sputtering, and the other layers were produced by vapor deposition.
この素子構造において、第１の電極１０１にはＡｌ及びＩＴＳＯが相当し、第１の層１１１にはα−ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレン及びα−ＮＰＤが相当し、第２の層１１２にはｔＢｕＤＮＡが相当し、第３の層１１３にはＡｌｑ３及びＢｚＯＳ：Ｌｉが相当し、第２の電極１０２にはＩＴＳＯが相当する。
In this element structure, the
これら素子構造は、上方出射型であり、図１３では第１の電極１０１に近い層である、α−ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレンの膜厚が、各発光色を発する素子で異なっていることを特徴とする。
These element structures are a top emission type, and in FIG. 13, the film thickness of α-NPD: molybdenum oxide: rubrene, which is a layer close to the
図１３では、図１４と比べると、各発光色の素子の発光強度が高くなっていることがわかる。すなわち、α―ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレンの膜厚を異ならせたことにより、発光強度を高めることができた。その結果、各発光色の素子からの光を効率よく取り出すことができる。 In FIG. 13, it can be seen that the emission intensity of the element of each emission color is higher than that in FIG. 14. That is, the emission intensity could be increased by changing the film thickness of α-NPD: molybdenum oxide: rubrene. As a result, it is possible to efficiently extract light from each light emitting color element.
（実施例２）
上記実施例１では、α―ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレンの膜厚が厚くなっていることは、本発明の特徴との一つである。そこで本実施例では、発光素子の膜厚と駆動電圧の関係について説明する。
(Example 2)
In the first embodiment, it is one of the features of the present invention that the film thickness of α-NPD: molybdenum oxide: rubrene is increased. Therefore, in this embodiment, the relationship between the thickness of the light emitting element and the driving voltage will be described.
図９には、ＩＴＯ＼ＣｕＰｃ（２０ｎｍ）＼α−ＮＰＢ（Ｘｎｍ）＼Ａｌｑ３：ＤＭＱｄ（３７．５ｎｍ）＼Ａｌｑ３（３７．５ｎｍ）＼フッ化カルシウム（ＣａＦ２）（１ｎｍ）＼Ａｌ（２００ｎｍ）を有する素子構造において、α−ＮＰＢの膜厚をＸ＝６０ｎｍ（試料（１））、８０ｎｍ（試料（２））、１００ｎｍ（試料（３））、１２０ｎｍ（試料（４））、１４０ｎｍ（試料（５））、１６０ｎｍ（試料（６））としたときの電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）対電圧（Ｖ）特性のグラフを示す。また表１には、上記電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）対電圧（Ｖ）特性の結果を示す。 FIG. 9 shows ITO \ CuPc (20 nm) \ α-NPB (Xnm) \ Alq 3 : DMQd (37.5 nm) \ Alq 3 (37.5 nm) \ calcium fluoride (CaF 2 ) (1 nm) \ Al ( In an element structure having 200 nm), the film thickness of α-NPB is X = 60 nm (sample (1)), 80 nm (sample (2)), 100 nm (sample (3)), 120 nm (sample (4)), 140 nm. A graph of current density (mA / cm 2 ) vs. voltage (V) characteristics when (sample (5)) and 160 nm (sample (6)) are shown. Table 1 shows the results of the current density (mA / cm 2 ) versus voltage (V) characteristics.
図９より、α−ＮＰＢの膜厚が増すにつれ、電圧が高くなっていくことがわかる。従って、所定の電流密度を得るための、駆動電圧も、α−ＮＰＢの膜厚が増すにつれて、高くなってしまう。 FIG. 9 shows that the voltage increases as the film thickness of α-NPB increases. Therefore, the driving voltage for obtaining a predetermined current density also increases as the film thickness of α-NPB increases.
また図１０には、ＩＴＯ＼モリブデン酸化物（Ｘｎｍ）＼ＣｕＰｃ（２０ｎｍ）＼α−ＮＰＢ（４０ｎｍ）＼Ａｌｑ３：ＤＭＱｄ（３７．５ｎｍ）＼Ａｌｑ３（３７．５ｎｍ）＼フッ化カルシウム（ＣａＦ２）（１ｎｍ）＼Ａｌ（２００ｎｍ）を有する素子構造において、モリブデン酸化物の膜厚をＸ＝２０ｎｍ（試料（７））、５０ｎｍ（試料（８））、１００ｎｍ（試料（９））としたときの電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）対電圧（Ｖ）特性のグラフ示す。また表２には、上記電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）対電圧（Ｖ）特性の結果を示す。 FIG. 10 also shows ITO \ molybdenum oxide (Xnm) \ CuPc (20 nm) \ α-NPB (40 nm) \ Alq 3 : DMQd (37.5 nm) \ Alq 3 (37.5 nm) \ calcium fluoride (CaF 2 ) In the device structure having (1 nm) \ Al (200 nm), the film thickness of the molybdenum oxide was X = 20 nm (sample (7)), 50 nm (sample (8)), and 100 nm (sample (9)). A graph of current density (mA / cm 2 ) vs. voltage (V) characteristics is shown. Table 2 shows the results of the current density (mA / cm 2 ) versus voltage (V) characteristics.
図１０より、モリブデン酸化物の膜厚が増すにつれ、電圧が高くなっていくことがわかる。従って、所定の電流密度を得るための駆動電圧も、モリブデン酸化物の膜厚が増すにつれて、高くなってしまう。 FIG. 10 shows that the voltage increases as the molybdenum oxide film thickness increases. Therefore, the drive voltage for obtaining a predetermined current density also increases as the molybdenum oxide film thickness increases.
このように発光素子の膜厚を厚くすると、駆動電圧が高くなることがわかる。 Thus, it can be seen that when the thickness of the light emitting element is increased, the driving voltage is increased.
しかし本発明者らは、有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とを有する層を形成すると、膜厚が増しても駆動電圧が高くならないことを見出した。図１１には、有機化合物にＤＮＴＰＤを用い、金属酸化物にモリブデン酸化物を用い、抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法により、これらが混在した層を形成した素子構造の電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）対電圧（Ｖ）特性のグラフを示す。なお具体的な素子構造は、ＩＴＳＯ＼ＤＮＴＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレン（Ｘｎｍ）＼α−ＮＰＢ（１０ｎｍ）＼Ａｌｑ３：クマリン６（３７．５ｎｍ）＼Ａｌｑ３（３７．５ｎｍ）＼ＬｉＦ（１ｎｍ）＼Ａｌ（２００ｎｍ）であって、ＤＮＴＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレン（Ｘｎｍ）の膜厚をＸ＝４０ｎｍ（試料（１０））、８０ｎｍ（試料（１１））、１２０ｎｍ（試料（１２））、１６０ｎｍ（試料（１３））としている。なおルブレンを共蒸着することにより、信頼性を高めることができる。また表３には、上記電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）対電圧（Ｖ）特性の結果を示す。 However, the present inventors have found that when a layer having an organic compound and a metal oxide that is an inorganic compound is formed, the driving voltage does not increase even when the film thickness is increased. FIG. 11 shows a current density (mA / cm 2) of an element structure in which DNTPD is used as an organic compound, molybdenum oxide is used as a metal oxide, and a layer in which these are mixed is formed by resistance heating vapor deposition. ) A graph of voltage vs. voltage (V) characteristics. The specific element structure is ITSO \ DNTPD: molybdenum oxide: rubrene (Xnm) \ α-NPB (10 nm) \ Alq 3 : coumarin 6 (37.5 nm) \ Alq 3 (37.5 nm) \ LiF (1 nm) ) \ Al (200 nm), and the film thickness of DNTPD: molybdenum oxide: rubrene (Xnm) is X = 40 nm (sample (10)), 80 nm (sample (11)), 120 nm (sample (12)), It is set to 160 nm (sample (13)). Note that reliability can be improved by co-evaporation of rubrene. Table 3 shows the results of the current density (mA / cm 2 ) versus voltage (V) characteristics.
図１１より、ＤＮＴＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレン（Ｘｎｍ）の膜厚が増しても、電圧が高くならず、程一定値を維持していることがわかる。さらに図１１に示す素子では、電圧自体が低下していることがわかる。 From FIG. 11, it can be seen that even when the film thickness of DNTPD: molybdenum oxide: rubrene (Xnm) is increased, the voltage does not increase and the constant value is maintained. Furthermore, in the element shown in FIG. 11, it can be seen that the voltage itself decreases.
なお図９から図１１では、有機化合物と、金属酸化物とを有する層の膜厚と、駆動電圧との関係を見出すための実験であるため、実施例１の素子構造とは異なっている。しかし、上記実施例の素子であっても、α−ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレンの膜厚を厚くしても、駆動電圧を高くする必要がないことがわかる。このように膜厚を厚くしても、駆動電圧を高める必要がない発光素子を用いた発光装置は、低消費電力化を図ることができる。 9 to 11 are experiments for finding the relationship between the film thickness of the layer containing the organic compound and the metal oxide and the driving voltage, and therefore, the element structure of Example 1 is different. However, it can be seen that even in the device of the above embodiment, it is not necessary to increase the driving voltage even if the film thickness of α-NPD: molybdenum oxide: rubrene is increased. Thus, even when the film thickness is increased, a light-emitting device using a light-emitting element that does not need to increase the driving voltage can reduce power consumption.
またさらに、α−ＮＰＤ：モリブデン酸化物：ルブレンの膜厚を厚くすることにより、第１の電極と第２の電極との短絡を防止することができる。その結果、本発明の素子構造を有する発光装置は、量産性を高めることができる。 Furthermore, by increasing the film thickness of α-NPD: molybdenum oxide: rubrene, a short circuit between the first electrode and the second electrode can be prevented. As a result, the light emitting device having the element structure of the present invention can increase mass productivity.
（実施例３）
本実施例では、金属酸化物としてモリブデン酸化物、正孔輸送性の高い有機化合物であるα−ＮＰＤ、及びモリブデン酸化物：α−ＮＰＤの特性を調べた。これらの膜はそれぞれ蒸着法により作製し、モリブデン酸化物：α−ＮＰＤは抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法により作製した。
(Example 3)
In this example, characteristics of molybdenum oxide as a metal oxide, α-NPD which is an organic compound having a high hole-transport property, and molybdenum oxide: α-NPD were examined. Each of these films was prepared by an evaporation method, and molybdenum oxide: α-NPD was prepared by a co-evaporation method using resistance heating evaporation.
表４に示すように、モリブデン酸化物及びα−ＮＰＤと比較して、その両者を混在したモリブデン酸化物：α−ＮＰＤのイオン化ポテンシャルは約０．１〜０．２ｅＶ小さくなっている。すなわちホール注入性が向上していることが分かる。 As shown in Table 4, compared with molybdenum oxide and α-NPD, the ionization potential of molybdenum oxide: α-NPD in which both are mixed is about 0.1 to 0.2 eV smaller. That is, it can be seen that the hole injection property is improved.
図１２には、これらの膜の吸収スペクトルを示す。モリブデン酸化物：α−ＮＰＤ（ＯＭＯｘと表記する）では、モリブデン酸化物のみの場合より吸収が低下している。このことより、モリブデン酸化物に比べ、モリブデン酸化物：α−ＮＰＤを用いて発光素子を形成した方が、光の吸収損失を低減することができるとわかる。 FIG. 12 shows absorption spectra of these films. Molybdenum oxide: α-NPD (expressed as OMOx) has lower absorption than that of molybdenum oxide alone. From this, it can be seen that the light absorption loss can be reduced by forming a light emitting element using molybdenum oxide: α-NPD as compared with molybdenum oxide.
また、図１２をみると、モリブデン酸化物及びα−ＮＰＤは可視光領域に特徴的なピークを有しないが、モリブデン酸化物：α−ＮＰＤは、５００ｎｍ付近に新しい吸収ピークが現れている。これは、モリブデン酸化物とα−ＮＰＤの間で電荷移動錯体が形成されるためであると考えられる。モリブデン酸化物はアクセプターであり、α−ＮＰＤはドナーである。電荷移動錯体が形成されたことにより、導電性が高くなり、実施例２で述べたような駆動電圧の上昇を防ぐ効果が得られる。なお、α−ＮＰＤだけでなくＤＮＴＰＤのようなアミン系の化合物は、ドナーとして機能することを確認している。ＣＢＰのようなカルバゾール誘導体やｔ−ＢｕＤＮＡのような芳香族炭化水素化合物を適用することもできる。 In FIG. 12, molybdenum oxide and α-NPD do not have a characteristic peak in the visible light region, but molybdenum oxide: α-NPD has a new absorption peak around 500 nm. This is considered to be because a charge transfer complex is formed between molybdenum oxide and α-NPD. Molybdenum oxide is an acceptor and α-NPD is a donor. By forming the charge transfer complex, the conductivity becomes high, and the effect of preventing an increase in driving voltage as described in Example 2 is obtained. It has been confirmed that not only α-NPD but also amine compounds such as DNTPD function as donors. A carbazole derivative such as CBP or an aromatic hydrocarbon compound such as t-BuDNA can also be applied.
このような実験結果により、有機化合物と、特定の無機化合物とを混在させることで、それぞれの単体では得られない相乗効果を発現させることができる。無機化合物として金属酸化物であるモリブデン酸化物を用いると好ましいことがわかった。 As a result of such an experiment, a synergistic effect that cannot be obtained by each simple substance can be expressed by mixing an organic compound and a specific inorganic compound. It has been found that it is preferable to use molybdenum oxide, which is a metal oxide, as the inorganic compound.
Claims (17)
前記複数の発光素子はそれぞれ第１の電極、及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた第１の層、第２の層、第３の層、及び第４の層とを有し、The plurality of light-emitting elements each include a first electrode, a second electrode, a first layer, a second layer, and a third electrode provided between the first electrode and the second electrode. A layer, and a fourth layer,
前記第１の層は、前記第１の電極上に設けられ、The first layer is provided on the first electrode;
前記第２の層は、前記第１の層上に設けられ、The second layer is provided on the first layer;
前記第３の層は、前記第２の層上に設けられ、The third layer is provided on the second layer;
前記第４の層は、前記第３の層上に設けられ、The fourth layer is provided on the third layer;
前記第２の電極は、前記第４の層上に設けられ、The second electrode is provided on the fourth layer;
前記第１の層は正孔を発生する層であり、The first layer is a layer that generates holes,
前記第２の層は発光層を含む層であり、The second layer is a layer including a light emitting layer,
前記第３の層は電子を発生する層であり、The third layer is a layer that generates electrons,
前記第４の層は正孔を発生する層であり、The fourth layer is a layer that generates holes,
前記第２の層と、前記第１の電極との光学距離が、前記発光色ごとに異なっていることを特徴とする発光装置。An optical distance between the second layer and the first electrode is different for each emission color.
前記複数の発光素子はそれぞれ第１の電極、及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた第１の層、第２の層、第３の層、及び第４の層とを有し、The plurality of light-emitting elements each include a first electrode, a second electrode, a first layer, a second layer, and a third electrode provided between the first electrode and the second electrode. A layer, and a fourth layer,
前記第１の層は、前記第１の電極上に設けられ、The first layer is provided on the first electrode;
前記第２の層は、前記第１の層上に設けられ、The second layer is provided on the first layer;
前記第３の層は、前記第２の層上に設けられ、The third layer is provided on the second layer;
前記第４の層は、前記第３の層上に設けられ、The fourth layer is provided on the third layer;
前記第２の電極は、前記第４の層上に設けられ、The second electrode is provided on the fourth layer;
前記第１の層は正孔を発生する層であり、The first layer is a layer that generates holes,
前記第２の層は発光層を含む層であり、The second layer is a layer including a light emitting layer,
前記第３の層は電子を発生する層であり、The third layer is a layer that generates electrons,
前記第４の層は正孔を発生する層であり、The fourth layer is a layer that generates holes,
前記第１の層及び前記第４の層は、有機化合物と金属酸化物とを含む層であり、The first layer and the fourth layer are layers containing an organic compound and a metal oxide,
前記第２の層と、前記第１の電極との光学距離が、前記有機化合物と金属酸化物とを含む層の膜厚によって、前記発光色ごとに異なっていることを特徴とする発光装置。The light emitting device, wherein an optical distance between the second layer and the first electrode is different for each emission color depending on a film thickness of the layer containing the organic compound and the metal oxide.
前記有機化合物は、正孔輸送性の高い有機化合物であることを特徴とする発光装置。The light-emitting device, wherein the organic compound is an organic compound having a high hole-transport property.
前記金属酸化物は、モリブデン酸化物であることを特徴とする発光装置。The light-emitting device, wherein the metal oxide is molybdenum oxide.
前記有機化合物と、前記金属酸化物とは混在しており、The organic compound and the metal oxide are mixed,
前記有機化合物と、前記金属酸化物とが混在した層は、可視光領域に吸収ピークを有することを特徴とする発光装置。The layer in which the organic compound and the metal oxide are mixed has an absorption peak in a visible light region.
前記複数の発光素子はそれぞれ第１の電極、及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた第１の層、第２の層、第３の層、及び第４の層とを有し、
前記第１の層は、前記第１の電極上に設けられ、
前記第２の層は、前記第１の層上に設けられ、
前記第３の層は、前記第２の層上に設けられ、
前記第４の層は、前記第３の層上に設けられ、
前記第２の電極は、前記第４の層上に設けられ、
前記第１の層は正孔を発生する層であり、
前記第２の層は発光層を含む層であり、
前記第３の層は電子を発生する層であり、
前記第４の層は正孔を発生する層であり、
前記第１の層の膜厚、又は前記第４の層の膜厚が、前記発光色ごとに異なっていることを特徴とする発光装置。 It has a plurality of light emitting elements with different emission colors,
The plurality of light-emitting elements each include a first electrode, a second electrode, a first layer, a second layer, and a third electrode provided between the first electrode and the second electrode. A layer, and a fourth layer,
The first layer is provided on the first electrode;
The second layer is provided on the first layer;
The third layer is provided on the second layer;
The fourth layer is provided on the third layer;
The second electrode is provided on the fourth layer;
The first layer is a layer that generates holes,
The second layer is a layer including a light emitting layer,
The third layer is a layer that generates electrons,
The fourth layer is a layer that generates holes,
The light emitting device , wherein the film thickness of the first layer or the film thickness of the fourth layer is different for each of the emission colors.
前記複数の発光素子はそれぞれ第１の電極、及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた第１の層、第２の層、第３の層、及び第４の層とを有し、The plurality of light-emitting elements each include a first electrode, a second electrode, a first layer, a second layer, and a third electrode provided between the first electrode and the second electrode. A layer, and a fourth layer,
前記第１の層は、前記第１の電極上に設けられ、The first layer is provided on the first electrode;
前記第２の層は、前記第１の層上に設けられ、The second layer is provided on the first layer;
前記第３の層は、前記第２の層上に設けられ、The third layer is provided on the second layer;
前記第４の層は、前記第３の層上に設けられ、The fourth layer is provided on the third layer;
前記第２の電極は、前記第４の層上に設けられ、The second electrode is provided on the fourth layer;
前記第１の層は正孔を発生する層であり、The first layer is a layer that generates holes,
前記第２の層は発光層を含む層であり、The second layer is a layer including a light emitting layer,
前記第３の層は電子を発生する層であり、The third layer is a layer that generates electrons,
前記第４の層は正孔を発生する層であり、The fourth layer is a layer that generates holes,
前記第１の層の膜厚、及び前記第４の層の膜厚が、前記発光色ごとに異なっていることを特徴とする発光装置。The light emitting device, wherein the film thickness of the first layer and the film thickness of the fourth layer are different for each of the emission colors.
前記第１の層は、有機化合物と金属酸化物とを含む層であり、前記有機化合物は、正孔輸送性の高い有機化合物であり、前記金属酸化物は、モリブデン酸化物であることを特徴とする発光装置。The first layer is a layer containing an organic compound and a metal oxide, the organic compound is an organic compound having a high hole transporting property, and the metal oxide is a molybdenum oxide. A light emitting device.
前記第４の層は、有機化合物と金属酸化物とを含む層であり、前記有機化合物は、正孔輸送性の高い有機化合物であり、前記金属酸化物は、モリブデン酸化物であることを特徴とする発光装置。The fourth layer is a layer containing an organic compound and a metal oxide, the organic compound is an organic compound having a high hole transporting property, and the metal oxide is a molybdenum oxide. A light emitting device.
前記有機化合物と、前記金属酸化物とは混在しており、The organic compound and the metal oxide are mixed,
前記有機化合物と、前記金属酸化物とが混在した層は、可視光領域に吸収ピークを有することを特徴とする発光装置。The layer in which the organic compound and the metal oxide are mixed has an absorption peak in a visible light region.
前記第１の電極は、アルミニウムを有することを特徴とする発光装置。The light emitting device, wherein the first electrode includes aluminum.
前記第２の電極は、インジウム錫酸化物であることを特徴とする発光装置。The light emitting device, wherein the second electrode is indium tin oxide.
前記第２の電極は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物であることを特徴とする発光装置。 In any one of Claims 1 thru | or 11 ,
The light emitting device, wherein the second electrode is indium tin oxide containing silicon oxide.
前記第２の電極は、半透明性を有するように薄膜化された金属材料と、前記薄膜化された金属材料上に設けられた透光性材料とが積層した構造を有し、The second electrode has a structure in which a metal material thinned to have translucency and a translucent material provided on the thinned metal material are stacked,
前記金属材料は、金、白金、ニッケルタングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、及びパラジウムの一を有することを特徴とする発光装置。The light-emitting device is characterized in that the metal material includes one of gold, platinum, nickel tungsten, chromium, molybdenum, iron, cobalt, copper, and palladium.
前記第１の電極にはトランジスタが電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。 In any one of Claims 1 thru | or 14 ,
A light-emitting device, wherein a transistor is electrically connected to the first electrode.
前記トランジスタはｐ型の薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。The light-emitting device, wherein the transistor is a p-type thin film transistor.
前記トランジスタはｎ型の薄膜トランジスタであることを特徴とする発光装置。The light-emitting device, wherein the transistor is an n-type thin film transistor.
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