JP5222461B2 - Method for manufacturing light emitting device and light emitting device - Google Patents
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、エレクトロルミネセンス等の発光を利用する発光装置に係り、特に一対の電極間に発光層を挟んで成る発光素子を備えた発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device using light emission such as electroluminescence, and more particularly to a light emitting device including a light emitting element having a light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes.
発光素子を有する表示装置（以下、発光装置と呼ぶ）は、液晶表示装置と比較して、広視野角、低消費電力、高応答速度という利点を有しており、その研究開発が盛んに行われている。 A display device having a light-emitting element (hereinafter referred to as a light-emitting device) has advantages of a wide viewing angle, low power consumption, and high response speed as compared with a liquid crystal display device, and its research and development is actively performed. It has been broken.
発光素子は、一対の電極間に発光物質を備えた構成を有しており、該電極の透光性に応じて、発光物質からの光が出現される。 The light-emitting element has a structure in which a light-emitting substance is provided between a pair of electrodes, and light from the light-emitting substance appears according to the light-transmitting property of the electrode.
例えば、一方向に光を出現させたい場合、該一方向側に設けられた一方の電極に透光性を有する材料を用い、他方の電極を非透光性、つまり反射性を有する材料を用いて形成する。他方の電極による反射を有効に使うことにより、光の取り出し効率を高めることができる。 For example, when light is desired to appear in one direction, a light-transmitting material is used for one electrode provided on the one-direction side, and a non-light-transmitting material, that is, a reflective material is used for the other electrode. Form. The light extraction efficiency can be increased by effectively using the reflection by the other electrode.
一方、このような反射性を有する材料を電極に用いると、外光の映り込みが問題となる。外光の映り込みを防止するため、偏光板や円偏光板を設ける構成がある。しかし、偏光板等を用いると、発光素子からの光の損失が懸念される。 On the other hand, when such a reflective material is used for the electrode, reflection of external light becomes a problem. In order to prevent reflection of external light, there is a configuration in which a polarizing plate or a circular polarizing plate is provided. However, when a polarizing plate or the like is used, there is a concern about light loss from the light emitting element.
また外光の映り込み防止の方法として、一対の電極間の光学的距離がある数式を満たすようにし、共振器構造を導入し、共振波長と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長を一致させた表示装置が提案されている（特許文献１参照）。
上記特許文献１は、第１の電極の発光層側の端面と、第２の電極の発光層側の端面との光学的距離がある数式を満たし、多重干渉により、色純度を向上させた発光素子が記載されている。この光学的距離は、赤色、緑色、青色の発光層の膜厚を異ならせることにより制御している。このように発光層の膜厚を異ならせると、各発光素子の駆動電圧が異なってしまい、特に厚くなるにつれて発光素子の駆動電圧は高くなってしまう。 The above-mentioned patent document 1 satisfies the mathematical formula that there is an optical distance between the end surface of the first electrode on the light emitting layer side and the end surface of the second electrode on the light emitting layer side, and emits light with improved color purity by multiple interference. An element is described. This optical distance is controlled by changing the film thicknesses of the red, green and blue light emitting layers. When the film thickness of the light emitting layer is varied as described above, the driving voltage of each light emitting element is different, and the driving voltage of the light emitting element is increased as the thickness is increased.
また上記特許文献１に記載の電極において、できるだけ高い反射率を有する材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）を用いて第１の電極を形成することが記載されている。そしてカラーフィルターにより、配線によって反射された外光を吸収し、コントラストを改善することが記載されている。 In the electrode described in Patent Document 1, platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), chromium (Cr), and tungsten (W) are used as materials having the highest possible reflectance. The formation of an electrode is described. It is described that the color filter absorbs external light reflected by the wiring and improves the contrast.
しかし、反射率の高い材料を第１の電極に用い、これにより反射された外光を吸収するためにカラーフィルターを設けただけでは、外光反射防止の効果が不十分と考えられ、コントラストの低下を招いてしまう。 However, using a highly reflective material for the first electrode and providing a color filter to absorb the reflected external light is considered to be insufficient for preventing the reflection of external light. It will cause a decline.
そこで本発明は、コントラストの高い発光装置を提供することを課題とする。具体的には、偏光板を用いることなくコントラストを高めた発光装置を提供することを課題とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a light-emitting device with high contrast. Specifically, it is an object to provide a light-emitting device with high contrast without using a polarizing plate.
上記課題を鑑み本発明は、発光素子からの光の波長（発光波長と記す）を反射させる側の電極において、発光素子からの発光色の特定波長又は特定波長帯（以下、波長と記す）の反射が低減する発光装置を特徴とする。発光素子からの発光色の波長の反射を低減するために、一対の電極間の電界発光層の膜厚を決定する。このとき電界発光層の膜厚は、該電極において、発光素子からの発光色の波長の反射率が低減するように決定する。 In view of the above problems, the present invention provides a specific wavelength or specific wavelength band (hereinafter referred to as a wavelength) of the color of light emitted from a light emitting element in an electrode that reflects the wavelength of light from the light emitting element (referred to as an emission wavelength). It features a light emitting device that reduces reflection. In order to reduce the reflection of the wavelength of the luminescent color from the light emitting element, the thickness of the electroluminescent layer between the pair of electrodes is determined. At this time, the thickness of the electroluminescent layer is determined so that the reflectance of the wavelength of the luminescent color from the light emitting element is reduced in the electrode.
本発明の発光装置は、単色発光表示を行うことができ、光の出射方向にカラーフィルターを有することができる。カラーフィルターは、発光素子からの発光波長の透過率が高い材料からなることを特徴とする。言い換えると、カラーフィルターは、発光素子からの発光波長を選択的に透過することを特徴とする。 The light-emitting device of the present invention can perform monochromatic light-emitting display and can have a color filter in the light emission direction. The color filter is characterized by being made of a material having a high transmittance of the emission wavelength from the light emitting element. In other words, the color filter selectively transmits the emission wavelength from the light emitting element.
本発明の発光装置において、発光素子からの光の波長が異なるフルカラー表示を行う場合は、それぞれの発光素子からの発光波長の反射率が低減する構成とする。すなわち、それぞれの発光素子における発光波長の反射率が低減された電極を有し、低減させるために電界発光層の膜厚を決定する。 In the light-emitting device of the present invention, when performing full-color display in which the wavelengths of light from the light-emitting elements are different, the reflectance of the emission wavelength from each light-emitting element is reduced. In other words, each light emitting element has an electrode having a reduced reflectance of the emission wavelength, and the thickness of the electroluminescent layer is determined in order to reduce the electrode.
具体的な本発明は、第１の電極と、第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、第１の電極、及び第２の電極を有する発光素子と、発光素子からの光を透過するカラーフィルターと、を有し、第１の電極における発光素子から出射される光の発光波長の発光波長反射が低減される構成を有することを特徴とする発光装置である。さらに本発明の発光装置において、カラーフィルターを設けることができる。発光波長また該発光装置の作製方法を特徴とする。 Specifically, the present invention relates to a first electrode, a second electrode provided opposite to the first electrode, a light emitting element having the first electrode and the second electrode, And a color filter that transmits light. The light-emitting device has a configuration in which emission wavelength reflection of an emission wavelength of light emitted from the light-emitting element in the first electrode is reduced. Furthermore, in the light emitting device of the present invention, a color filter can be provided. It is characterized by a light emission wavelength and a method for manufacturing the light emitting device.
本発明の別の形態は、第１の電極と、第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、第１の電極、及び第２の電極を有する発光素子と、発光素子からの光を透過するカラーフィルターと、を有し、発光素子は全て単色の発光を出射し、第１の電極における前記単色発光素子からの発光波長の反射が低減される構成を有することを特徴とする発光装置である。さらに本発明の発光装置において、カラーフィルター発光波長を設けることができる。また該発光装置の作製方法を特徴とする。 Another embodiment of the present invention includes a first electrode, a second electrode provided to face the first electrode, a light emitting element having the first electrode and the second electrode, and a light emitting element. A color filter that transmits the light of the first and second light emitting elements, wherein all the light emitting elements emit monochromatic light, and the reflection of the emission wavelength from the monochromatic light emitting elements at the first electrode is reduced. It is a light-emitting device. Furthermore, in the light emitting device of the present invention, a color filter emission wavelength can be provided. Further, the method for manufacturing the light emitting device is characterized.
本発明の別の形態は、第１の電極と、第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、第１の電極と、第２の電極との間に設けられた電界発光層と、第１の電極、第２の電極、電界発光層を有する発光素子と、発光素子からの光を透過するカラーフィルターと、を有し、電界発光層のいずれかの層は、第１の電極による発光素子からの発光波長の反射を低減する厚みを有する構造を有することを特徴とする発光装置である。さらに本発明の発光装置において、カラーフィルター発光波長を設けることができる。また該発光装置の作製方法を特徴とする。 Another embodiment of the present invention is an electroluminescent device provided between a first electrode, a second electrode provided opposite to the first electrode, the first electrode, and the second electrode. A light-emitting element including a layer, a first electrode, a second electrode, and an electroluminescent layer; and a color filter that transmits light from the light-emitting element. A light-emitting device having a structure having a thickness that reduces reflection of light emission wavelength from the light-emitting element by the electrode. Furthermore, in the light emitting device of the present invention, a color filter emission wavelength can be provided. Further, the method for manufacturing the light emitting device is characterized.
本発明の別の形態は、第１の電極と、第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、第１の電極と、第２の電極との間に設けられた電界発光層と、第１の電極、第２の電極、電界発光層を有する発光素子と、発光素子からの光を透過するカラーフィルターと、を有し、発光素子は全て単色の発光を出射し、電界発光層のいずれかの層は、第１の電極による単色の発光素子からの発光波長の反射を低減する厚みを有する構造を有することを特徴とする発光装置。さらに本発明の発光装置において、カラーフィルターを設けることができ、前記単色の発光素子からの発光波長の透過率が高い材料からなる。また該発光装置の作製方法を特徴とする。 Another embodiment of the present invention is an electroluminescent device provided between a first electrode, a second electrode provided opposite to the first electrode, the first electrode, and the second electrode. A light-emitting element having a layer, a first electrode, a second electrode, and an electroluminescent layer; and a color filter that transmits light from the light-emitting element. Any one of the light emitting layers has a structure having a thickness that reduces reflection of an emission wavelength from a monochromatic light emitting element by the first electrode. Furthermore, in the light emitting device of the present invention, a color filter can be provided, and the light emitting device is made of a material having a high transmittance of the emission wavelength from the monochromatic light emitting element. Further, the method for manufacturing the light emitting device is characterized.
本発明の発光装置において、発光素子からの発光波長の反射を低減する厚みを有する電界発光層のいずれかの層は、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、レニウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物のいずれかから選択された金属酸化物を有する層を有することを特徴とする発光装置である。また該発光装置の作製方法を特徴とする。 In the light-emitting device of the present invention, any one of the electroluminescent layers having a thickness that reduces reflection of the emission wavelength from the light-emitting element is composed of vanadium oxide, molybdenum oxide, niobium oxide, rhenium oxide, tungsten oxide. And a layer having a metal oxide selected from any one of ruthenium oxide, titanium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, and tantalum oxide. Further, the method for manufacturing the light emitting device is characterized.
本発明において、カラーフィルターとは、色変換層を含んでいてもよい。 In the present invention, the color filter may include a color conversion layer.
特に本発明は、該発光色を単色とした発光装置を特徴とする。このような単色発光装置は、フルカラー発光装置と比べて、トランジスタが設けられたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向する対向基板との距離が大きくても、混色することがなく、視野角依存性がない。またＴＦＴ基板と、対向基板とを貼り合わせるとき、アライメントの制約を緩和できる。またカラーフィルターを色毎に作り分ける必要がないため、製造工程が簡便なものとなる。またフルカラー発光装置と同じデザインルールで、精細度を上げることができる。 In particular, the present invention is characterized by a light emitting device in which the emission color is a single color. Compared with a full-color light-emitting device, such a monochromatic light-emitting device does not mix colors and has a viewing angle dependency even when the distance between a TFT substrate provided with a transistor and a counter substrate facing the TFT substrate is large. Absent. Further, when the TFT substrate and the counter substrate are bonded together, the alignment constraint can be relaxed. In addition, since there is no need to make a color filter for each color, the manufacturing process becomes simple. In addition, the same design rule as a full-color light emitting device can increase the definition.
またＴＦＴ基板又は対向基板のうち、光の出射方向の基板に、その両面、または片面に反射防止コーティング（ＡＲコート：Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｃｏａｔｉｎｇ）を施してもよい。なお片面とは、発光素子が設けられていない側、所謂対向基板側の面である。 In addition, an anti-reflection coating (AR coating) may be applied to a substrate in the light emitting direction of the TFT substrate or the counter substrate on both sides or one side. Note that one side is a surface on which a light emitting element is not provided, that is, a surface on a so-called counter substrate side.
またさらに発光装置は、対抗基板側に発光が出射される上面出射型の発光装置に好適である。上面出射型の発光装置に、本発明の電極構造を備えた発光素子を用い、加えてカラーフィルターを用いることによって、外光の映り込みを効果的に防止することができる。またＴＦＴ基板側に発光が出射される下面出射型の発光装置の場合にも本発明の電極構造を備えた発光素子を適用することができるが、電極と基板との間に設けられた保護膜、ゲート絶縁膜、配線層を考慮する必要もある。 Furthermore, the light emitting device is suitable for a top emission type light emitting device in which light emission is emitted to the counter substrate side. By using a light emitting element having the electrode structure of the present invention in a top emission type light emitting device and additionally using a color filter, reflection of external light can be effectively prevented. The light emitting device having the electrode structure of the present invention can also be applied to a bottom emission type light emitting device in which light is emitted to the TFT substrate side, but a protective film provided between the electrode and the substrate. It is also necessary to consider the gate insulating film and the wiring layer.
本発明により、電極による不必要な反射を低減した発光素子、及び該発光素子を有する発光装置を提供することができる。そして発光装置が有するカラーフィルター等により、発光素子からの発光のみを透過させることによって、コントラスト等を設定することができる。 According to the present invention, a light-emitting element in which unnecessary reflection by an electrode is reduced and a light-emitting device including the light-emitting element can be provided. Then, the contrast or the like can be set by transmitting only light emitted from the light-emitting element with a color filter or the like included in the light-emitting device.
このような本発明により、偏光板等を必要としない発光装置を提供することができる。その結果、発光素子からの発光が、偏光板等によって減衰することがない。また偏光板等は高価であるが、本発明は偏光板等を必要としないため、コストを抑えることができる。さらに偏光板等は傷つきやすいといった問題もあるが、この問題も生じない。 According to the present invention, a light-emitting device that does not require a polarizing plate or the like can be provided. As a result, light emission from the light emitting element is not attenuated by the polarizing plate or the like. Moreover, although a polarizing plate etc. are expensive, since this invention does not require a polarizing plate etc., it can hold down cost. Furthermore, there is a problem that the polarizing plate is easily damaged, but this problem does not occur.
また本発明の単色発光装置に適用することができ、フルカラー発光装置と比べて低コスト化を達成することができる。 Further, the present invention can be applied to the monochromatic light emitting device of the present invention, and cost reduction can be achieved as compared with a full color light emitting device.
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in many different modes, and those skilled in the art can easily understand that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Is done. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode. Note that in all the drawings for describing the embodiments, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.
（実施の形態１）
本実施の形態では、発光素子からの発光波長の反射率を低下させる構成を有する発光装置について説明する。本実施の形態において、発光装置はカラーフィルターを有し、発光装置は、単色の発光装置の場合で説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, a light-emitting device having a structure in which the reflectance of the emission wavelength from the light-emitting element is reduced will be described. In this embodiment mode, the light-emitting device includes a color filter, and the light-emitting device is a monochromatic light-emitting device.
図１には、第１の電極１０１、それに対向する第２の電極１０２、これらの間に第１の電極１０１から順に、第１の層１１１、第２の層１１２、第３の層１１３が設けられている発光素子を示す。第１の電極１０１は反射性を有し、第２の電極１０２は透光性を有する。なお透光性とは、透光性材料を用いて第２の電極１０２を形成することにより得られるが、非透光性材料であっても透光性を呈する程度にまで薄膜化することによっても得ることができる。そして光の出射方向、つまりに第２の電極１０２側にカラーフィルター１０５が設けられている。カラーフィルターは、公知の材料を用い、スクリーン印刷法、又は液滴吐出法等により形成することができる。なお、第１の電極１０１、第２の電極１０２、第１の層１１１乃至第３の層１１３は蒸着法で形成することができ、さらに大気に曝すことなく連続して形成することができる。
In FIG. 1, a
そして、第１の電極１０１は、第１の層１１１乃至第３の層１１３のいずれかから出射される発光波長に対する反射率が、低減されることを特徴とする。そしてカラーフィルターは、少なくとも該発光波長を有する可視光を透過することができる。具体的には、第１の電極１０１での当該反射率を低減するように、第１の層１１１乃至第３の層１１３少なくとも一つの層の膜厚を決定する。このとき、以下の実施例で示すように、反射率が１０％以下となるように膜厚を決定すると好ましい。特に、第１の層１１１乃至第３の層１１３のうち、第１の層１１１の膜厚を制御するとよい。第１の層１１１の膜厚は、電子と正孔が再結合する発光層に該当する層に基づきつまり発光波長に基づき決定することができる。その結果、第１の層１１１乃至第３の層１１３のいずれかから出射される光の発光波長に対する、第１の電極１０１の反射率を低くすることができ、発光装置における当該発光波長の反射を低くすることができる。このようにして本発明は、反射光を考慮することなく、第１の層１１１乃至第３の層１１３のいずれかから出射される発光のみ（自発光成分のみ）を得ることができる。
The
さらにカラーフィルター１０５は、上記発光素子からの発光波長の透過率が高くなるようにする。言い換えると、カラーフィルター１０５は、発光素子からの発光波長を選択的に透過する。その結果、カラーフィルター１０５は、上記発光色以外を吸収することができ、外光成分は第１の電極１０１まで入射されない。その結果、コントラストを高めることができる。
Further, the
このような本発明は、自発光成分のみを考慮してコントラスト等を制御することができる。すなわち、第１の電極１０１からの反射成分の光を考慮することないため、コントラスト等の制御を簡便なものとすることができる。コントラストの制御には、カラーフィルターを用いることができる。
In the present invention, contrast and the like can be controlled in consideration of only the self-luminous component. That is, since light of the reflection component from the
一方、特許文献１には、第１の電極に対して、できるだけ高い反射率を有する技術思想が開示されており、本発明の技術的思想と異なっている。 On the other hand, Patent Literature 1 discloses a technical idea having as high a reflectance as possible with respect to the first electrode, which is different from the technical idea of the present invention.
すなわち本発明は、特定の光を呈する発光素子において、反射性を有する第１の電極による該光の反射を小さくし、該光の波長以外をカラーフィルター１０５で抑えることにより、偏光板のような効果を奏することができる。このような本発明の発光装置は、第１の電極１０１に対向する第２の電極１０２側から、光が出射する上面出射型の発光装置に好適である。
That is, according to the present invention, in a light-emitting element that exhibits specific light, reflection of the light by the first electrode having reflectivity is reduced, and the
また本発明は、第１の層１１１乃至第３の層１１３のいずれかの膜厚を異ならせるので、いずれか層を通常より厚膜化する必要がある。そこで、厚膜化する層に、有機化合物と、無機化合物である金属酸化物とが混在した層（単に金属酸化物を有する層とも記す）を用いることを特徴とする。なお、混在した層とは、有機化合物と無機化合物とが混成された層や積層された層が含まれる。
Further, in the present invention, since any film thickness of the
一般に、発光素子の層を厚膜化すると、駆動電圧が増加してしまうため、好ましくなかった。しかし、有機化合物と、金属酸化物とが混在した層を用いると、駆動電圧自体を低くすることができ、さらには厚膜化しても駆動電圧が高くならない。 In general, increasing the thickness of the light emitting element layer is not preferable because the driving voltage increases. However, when a layer in which an organic compound and a metal oxide are mixed is used, the drive voltage itself can be lowered, and the drive voltage does not increase even when the film thickness is increased.
また有機化合物と、無機化合物とが混在した層を用いることによって、該有機化合物の結晶化を抑制することができ、抵抗の増加を伴わずに厚膜化することが可能となる。そのため、基板上にゴミや汚れ等に起因する凹凸がある場合であっても、凹凸の影響をほとんど受けない。従って、凹凸に起因する第１の電極１０１と、第２の電極１０２とのショート等の不良を防止することができる。その結果、量産性を高めることもできる。
Further, by using a layer in which an organic compound and an inorganic compound are mixed, crystallization of the organic compound can be suppressed, and the film can be thickened without increasing resistance. Therefore, even if there are irregularities due to dust or dirt on the substrate, they are hardly affected by the irregularities. Therefore, defects such as a short circuit between the
また本実施の形態では、単色発光装置の場合で説明したが、フルカラー発光装置としてもよい。フルカラー発光装置の場合、例えば図１２に示すように、カラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂを、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかを出現させたい領域毎に、それぞれ設ければよい。そして、第１の電極１０１において、各ＲＧＢ発光素子の発光波長が低反射となるように、各ＲＧＢ発光素子の第１の層１１１乃至第３の層１１３のいずれか、好ましくは第１の層１１１の膜厚を制御する。
In this embodiment mode, the case of a monochromatic light emitting device has been described. However, a full color light emitting device may be used. In the case of a full-color light emitting device, for example, as shown in FIG. 12,
以上により、第１の電極１０１での発光素子からの光の反射を低減し、カラーフィルター１０５により該発光素子からの発光色以外の波長の透過を防止させた発光装置を得ることができる。その結果、発光素子からの光のみを調整することにより、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない発光装置を提供することができる。
As described above, a light-emitting device in which reflection of light from the light-emitting element at the
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１と異なり、第の１電極２１０１側から、光が出射する下面出射型の発光装置であって、第１の電極１０１側にカラーフィルター１０５を設ける場合の形態を図２を用いて説明する。その他の構成は、図１と同様であるため説明を省略する。
(Embodiment 2)
In this embodiment mode, unlike FIG. 1, a bottom emission type light emitting device in which light is emitted from the first electrode 2101 side, in which a
図２に示すように、本実施の形態において、出射される光の発光波長に対する第２の電極１０２の反射率を低減させ、発光装置における当該発光波長の反射を低くすることができる。反射率を低減させるため、第１の層１１１乃至第３の層１１３のいずれかの膜厚を決定することを特徴とする。このとき、第１の層１１１乃至第３の層１１３のうち電子と正孔が再結合する発光層と、第２の電極１０２との間にある第３の層１１３の膜厚を決定するとよい。さらに厚膜化する必要のある層には、有機化合物と金属酸化物とが混在した層を用いると、駆動電圧が高くならず好ましい。
As shown in FIG. 2, in this embodiment mode, the reflectance of the
さらに第１の電極１０１側にカラーフィルター１０５を設ける場合、第１の電極１０１の下方（第１の電極と基板との間に相当する）には、薄膜トランジスタを構成する複数の絶縁膜等が積層して設けられている。そのため、これら絶縁膜間等で反射する光までも考慮して、第１の層１１１乃至第３の層１１３の膜厚を決定すると好ましい。また、光が通過する領域では、該絶縁膜等を除去してもよい。
Further, in the case where the
また本実施の形態では、単色発光装置の場合で説明したが、フルカラー発光装置としてもよい。フルカラー発光装置の場合、図１３に示すようにカラーフィルター１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂを、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかを出現させたい領域毎に、それぞれ設ければよい。そして、第２の電極１０２において、各ＲＧＢ発光素子の発光波長が低反射となるように、各ＲＧＢ発光素子の第１の層１１１乃至第３の層１１３のいずれか、好ましくは第３の層１１３の膜厚を決定すればよい。
In this embodiment mode, the case of a monochromatic light emitting device has been described. However, a full color light emitting device may be used. In the case of a full-color light emitting device, as shown in FIG. 13,
以上により、第２の電極１０２での発光素子からの光の反射を低減し、カラーフィルター１０５により該発光素子からの発光色以外の波長の透過を防止することができる。その結果、発光素子からの光のみを調整することにより、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない発光装置を提供することができる。
As described above, reflection of light from the light-emitting element at the
（実施の形態３）
本実施の形態では、発光素子の構造について説明する。
(Embodiment 3)
In this embodiment mode, a structure of a light-emitting element will be described.
図３に示すように、本発明の発光素子は、対向する第１の電極１０１、第２の電極１０２を有し、第１電極１０１から順に、第１の層１１１、第２の層１１２、第３の層１１３が積層されている。このような発光素子は、例えば、第２の電極１０２の電位よりも第１の電極１０１の電位が高くなるように電圧を印加すると、第１の層１１１から第２の層１１２へ正孔が注入され、第３の層１１３から第２の層１１２へ電子が注入される。そして正孔と、電子とが、第２の層１１２において再結合し、発光物質を励起状態にする。そして、励起状態の発光物質は、基底状態に戻るときに発光する。
As shown in FIG. 3, the light-emitting element of the present invention includes a
次いで、これら第１の層１１１から第３の層１１３、第１の電極１０１、及び第２の電極１０２の材料について説明する。
Next, materials of the
第１の層１１１は、正孔を発生する層である。このような機能を奏するためには、例えば、正孔輸送性物質と、その物質に対して電子受容性を示す物質とを含む層とにより達成できる。また正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質は、正孔輸送性物質に対して、モル比が０．５〜２（＝正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質／正孔輸送性物質）と成るように含まれていることが好ましい。
The
正孔輸送性物質とは、電子よりも正孔の輸送性が高い物質であり、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物や、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物等の有機化合物を用いることができる。なお、正孔輸送性物質は、これらに限定されるものではない。 The hole-transporting substance is a substance that has a higher hole-transporting property than electrons. For example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: α- NPD), 4,4′-bis [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: TPD), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenylamino) tri Phenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4,4′-bis [N Aromatic amine compounds such as-{4- (N, N-di-m-tolylamino) phenyl} -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: DNTPD), phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc), copper phthalocyanine (abbreviation) : CuPc), Bana An organic compound such as a phthalocyanine compound such as zirphthalocyanine (abbreviation: VOPc) can be used. Note that the hole transporting substance is not limited to these.
また、正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質は、周期表第４族乃至第１２族のいずれかから選ばれた金属の酸化物（金属酸化物）を用いることができる。中でも、周期表第４族乃至第８族のいずれかの金属酸化物は電子受容性の高いものが多く、特にバナジウム酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、レニウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物が好適である。酸化物以外であっても、上記金属の窒化物、酸化窒化物を用いてもよい。なお正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質は、これらに限定されるものではない。 In addition, as a substance that exhibits an electron accepting property with respect to a hole transporting substance, a metal oxide (metal oxide) selected from any of Groups 4 to 12 of the periodic table can be used. Among them, many of the metal oxides of Groups 4 to 8 of the periodic table have high electron accepting properties, and in particular, vanadium oxide, molybdenum oxide, niobium oxide, rhenium oxide, tungsten oxide, ruthenium. Oxides, titanium oxides, chromium oxides, zirconium oxides, hafnium oxides, and tantalum oxides are suitable. Even if it is not an oxide, you may use the said metal nitride and oxynitride. Note that a substance that exhibits an electron accepting property with respect to a hole transporting substance is not limited thereto.
そして第１の層１１１は、有機化合物からなる正孔輸送性物質と、上記金属酸化物からなる正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質とが混在した層から形成すると、好ましい。このような有機化合物と、無機化合物とが混在した層を用いることによって、第１の層１１１に用いる有機化合物の結晶化を抑制することができ、抵抗の増加を伴わずに第１の層１１１を厚く形成することが可能となる。そのため、基板上にゴミや汚れ等に起因する凹凸がある場合であっても、第１の層１１１の厚膜化により凹凸の影響をほとんど受けない。従って、凹凸に起因する第１の電極１０１と、第２の電極１０２とのショート等の不良を防止することができる。さらに、上記金属酸化物からなる正孔輸送性物質に対して電子受容性を示す物質が混在した層は導電性が高くなるため、厚膜化を図ることができる。このように第１の層１１１を厚膜化することにより、第１の電極１０１と、第２の層１１２とを離すことができるので、金属に起因して発光が消光することを防ぐこともできる。
The
なお第１の層１１１に、その他の有機化合物を含んでいてもよい。その他の有機化合物には、ルブレン等が挙げられる。ルブレンを加えることにより、信頼性を向上させることができる。
Note that the
この他、第１の層１１１は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物、銅酸化物のような金属酸化物からなる層としてもよい。また金属酸化物以外に、これら金属元素を有する金属窒化物からなる層としてもよい。
In addition, the
このような第１の層１１１は、蒸着法により形成することができる。第１の層１１１として、複数の化合物が混在した層を形成する場合には共蒸着法を用いることができる。共蒸着法は、抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法、電子ビーム蒸着同士による共蒸着法、抵抗加熱蒸着と電子ビーム蒸着による共蒸着法があり、その他抵抗加熱蒸着とスパッタリング法による成膜、電子ビーム蒸着とスパッタリングによる成膜など、同種、異種方法を組み合わせて形成することができる。また、上記例は２種の材料を含む層を示しているが、３種以上の材料を含む場合も同様に、同種、異種方法を組み合わせて形成することができる。
Such a
次に、発光層を含む層である第２の層１１２について説明する。発光層を含む層とは、発光層のみからなる単層であっても、発光層を含む多層でも構わない。具体的な多層を示すと、発光層の他、電子輸送層、及び正孔輸送層のいずれから選ばれた層を含んでいる。図３において、第２の層１１２が正孔輸送層１２２、発光層１２３、電子輸送層１２４を含む多層の場合を示す。
Next, the
正孔輸送層１２２は、公知な材料から形成することができる。典型的な例としては、芳香族アミン系化合物であり、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）や、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、ＴＤＡＴＡと示す）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（以下、ＭＴＤＡＴＡと示す）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
The
発光層１２３は、発光物質が、発光物質の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、分散して含まれた層であることが好ましい。なお、エネルギーギャップとはＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位との間のエネルギーギャップをいう。また発光物質は、発光効率が良好で、所望の発光波長の発光を得る物質を用いればよい。
The light-emitting
発光物質を分散状態にするために用いる物質は、例えば、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、または４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体の他、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）等の金属錯体等を用いることができる。但し、発光物質を分散状態にするために用いる物質はこれらの材料に限定されない。発光物質を分散状態とする構造であると、発光物質からの発光が、濃度に起因して消光してしまうことを防ぐことができる。 A substance used for dispersing the light-emitting substance is, for example, an anthracene derivative such as 9,10-di (2-naphthyl) -2-tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuDNA), or 4,4′- In addition to carbazole derivatives such as bis (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), bis [2- (2-hydroxyphenyl) pyridinato] zinc (abbreviation: Znpp 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzo Metal complexes such as oxazolate] zinc (abbreviation: ZnBOX) can be used. However, substances used for bringing the light-emitting substance into a dispersed state are not limited to these materials. With a structure in which the light-emitting substance is dispersed, light emission from the light-emitting substance can be prevented from being quenched due to the concentration.
次に発光層１２３の発光物質を示す。赤色の発光を得たいときには、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＩ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）やペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス［２−（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］ベンゼン、ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナイト］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ［Ｆｄｐｑ］２ａｃａｃ）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、６００ｎｍから６８０ｎｍに発光波長のスペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
Next, a light-emitting substance of the light-emitting
緑色の発光を得たいときは、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、５００ｎｍから５５０ｎｍに発光波長のスペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。 To obtain green light emission, N, N′-dimethylquinacridone (abbreviation: DMQd), coumarin 6, coumarin 545T, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), or the like can be used. However, the present invention is not limited to these materials, and a substance exhibiting light emission having a light emission wavelength spectrum peak from 500 nm to 550 nm can be used.
青色の発光を得たいときは、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等を用いることができる。但しこれらの材料に限定されず、４２０ｎｍから５００ｎｍに発光波長のスペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。 To obtain blue light emission, 9,10-di (2-naphthyl) -2-tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuDNA), 9,9′-bianthryl, 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPA), 9,10-bis (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-gallium (abbreviation: BGaq), bis (2-methyl-) 8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq) or the like can be used. However, the present invention is not limited to these materials, and a substance that emits light having a peak of the emission wavelength spectrum from 420 nm to 500 nm can be used.
単色発光装置を形成する場合、上記３色の発光層材料から選ぶことができ、さらにカラーフィルターによって所望の発光を呈することができる。 When a monochromatic light emitting device is formed, the light emitting layer material of the three colors can be selected, and desired light emission can be exhibited by a color filter.
このような発光層となる有機化合物に、金属酸化物を混在させた層を用いてもよい。 You may use the layer which mixed the metal oxide in the organic compound used as such a light emitting layer.
次いで電子輸送層１２４について説明する。電子輸送層１２４とは、第２の電極１０２から注入された電子を発光層１２３へ輸送する機能を有する層である。このように、電子輸送層１２４を設け、第２の電極１０２と発光層１２３とを離すことによって、発光が金属に起因して消光することを防ぐことができる。
Next, the
電子輸送層１２４は、正孔の移動度よりも電子の移動度が高い物質を用いて形成することが好ましい。また、電子輸送層１２４は、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質を用いて形成することがより好ましい。また、電子輸送層１２４は、以上に述べた物質からなる層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。具体的な電子輸送層の材料は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、先に述べたＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体が好適である。また、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。
The
このような第２の層１１２は、蒸着法により作製することができる。なお第２の層１１２を構成する層のうち、混在した層を形成する場合には共蒸着法を用いることができる。共蒸着法は、抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法、電子ビーム蒸着同士による共蒸着法、抵抗加熱蒸着と電子ビーム蒸着による共蒸着法があり、その他抵抗加熱蒸着とスパッタリング法による成膜、電子ビーム蒸着とスパッタリングによる成膜など、同種、異種方法を組み合わせて形成することができる。また、上記例は２種の材料を含む層を示しているが、３種以上の材料を含む場合も同様に、同種、異種方法を組み合わせて形成することができることは、上述のとおりである。
Such a
次いで電子を発生する層である第３の層１１３について説明する。このような第３の層１１３は、例えば、電子輸送性物質と、その物質に対して電子供与性を示す物質とを含む層が挙げられる。
Next, the
なお電子輸送性物質とは、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）等の金属錯体の他、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’ −ビス（５−メチル−ベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯＳ）等を用いることができる。また第３の層１１３は、ｎ型の半導体を用いて形成することができる。但し、電子輸送性物質はこれらに限定されない。
Note that an electron-transporting substance is a substance having a higher electron-transporting property than holes. For example, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum ( Abbreviations: Almq 3 ), bis (10-hydroxybenzo [h] -quinolinato) beryllium (abbreviation: BeBq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq), Bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzoxazolate] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzothiazolate] zinc (abbreviation: Zn (BTZ) 2 ), etc. In addition to metal complexes, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole ( Abbreviation: PBD), 1,3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 3- (4- tert-butylphenyl) -4-phenyl-5- (4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 3- (4-tert-butylphenyl) -4- (4-ethylphenyl) -5- (4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: p-EtTAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BPhen), bathocuproin (abbreviation: BCP), 4,4'-bis (5-methyl- Benzoxazol-2-yl) stilbene (abbreviation: BzOS) or the like can be used. The
また、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の中から選ばれた物質、具体的にはリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、マグネシウム（Ｍｇ）等を用いることができる。また、具体的な材料としては、上記アルカリ金属の酸化物またはアルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属の窒化物、アルカリ土類金属の窒化物等、具体的にはリチウム酸化物（Ｌｉ２Ｏ）、カルシウム酸化物（ＣａＯ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ２Ｏ）、カリウム酸化物（Ｋ２Ｏ）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等が挙げられる。但し、電子輸送物質に対して電子供与性を示す物質は、これらに限定されない。なお、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質は、電子輸送性物質に対して、モル比が０．５〜２（＝電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質／電子輸送性物質）と成るように含まれていることが好ましい。 In addition, the substance that exhibits an electron donating property with respect to the electron transporting substance is a substance selected from alkali metals and alkaline earth metals, specifically lithium (Li), calcium (Ca), and sodium (Na). , Potassium (K), magnesium (Mg), or the like can be used. Specific examples of the material include alkali metal oxides or alkaline earth metal oxides, alkali metal nitrides, alkaline earth metal nitrides, and the like. Specifically, lithium oxide (Li 2 O ), Calcium oxide (CaO), sodium oxide (Na 2 O), potassium oxide (K 2 O), magnesium oxide (MgO), lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), fluoride calcium (CaF 2), and the like can be mentioned. However, the substance that exhibits an electron donating property with respect to the electron transporting substance is not limited thereto. Note that a substance that exhibits an electron donating property with respect to an electron transporting substance has a molar ratio of 0.5 to 2 (= a substance that exhibits an electron donating property with respect to an electron transporting substance / electron. It is preferably contained so as to be a transportable substance.
また、第３の層１１３は、酸化亜鉛、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、酸化スズ、酸化チタンのような物質からなる層であってもよい。
The
そして第３の層１１３は、有機化合物からなる電子輸送性物質と、上記金属酸化物からなる電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質とが混在した層から形成すると、好ましい。このような有機化合物と、無機化合物とが混在した層を用いることによって、第３の層１１３に用いる有機化合物の結晶化を抑制することができ、抵抗の増加を伴わずに第３の層１１３を厚く形成することが可能となる。そのため、基板上にゴミや汚れ等に起因する凹凸がある場合であっても、第３の層１１３の厚膜化により凹凸の影響をほとんど受けない。従って、凹凸に起因する第１の電極１０１と、第２の電極１０２とのショート等の不良を防止することができる。さらに、上記金属酸化物からなる電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質が混在した層は導電性が高くなるため、厚膜化を図ることができる。このように第３の層１１３を厚膜化することにより、第１の電極１０１と、第２の層１１２とを離すことができるので、金属に起因して発光が消光することを防ぐこともできる。
The
このような第３の層１１３は、蒸着法により作製することができる。第３の層１１３として、混在した層を形成する場合には共蒸着法を用いることができる。共蒸着法は、抵抗加熱蒸着同士による共蒸着法、電子ビーム蒸着同士による共蒸着法、抵抗加熱蒸着と電子ビーム蒸着による共蒸着法があり、その他抵抗加熱蒸着とスパッタリング法による成膜、電子ビーム蒸着とスパッタリングによる成膜など、同種、異種方法を組み合わせて形成することができる。また、上記例は２種の材料を含む層を示しているが、３種以上の材料を含む場合も同様に、同種、異種方法を組み合わせて形成することができることは、上述のとおりである。
Such a
以上のような、発光素子において、第３の層１１３に含まれる電子輸送性物質の電子親和力と、第２の層１１２に含まれる層のうち第３の層１１３と接する層に含まれる物質の電子親和力との差は、好ましくは２ｅＶ以下、より好ましくは１．５ｅＶ以下とするとよい。また、第３の層１１３がｎ型の半導体からなるとき、ｎ型の半導体の仕事関数と、第２の層１１２に含まれる層のうち第３の層１１３と接する層に含まれる物質の電子親和力との差は、好ましくは２ｅＶ以下、より好ましくは１．５ｅＶ以下とするとよい。このように、第２の層１１２と第３の層１１３とを接合することによって、第３の層１１３から第２の層１１２への電子の注入が容易になる。
In the light-emitting element as described above, the electron affinity of the electron transporting substance contained in the
なお本発明は、出射される光の発光波長に対する第１の電極１０１の反射率を低減するように、第１の層１１１乃至第３の層１１３の膜厚を決定することを特徴としており、図３に示す発光素子構成に限定されるものではない。例えば、第３の層１１３に接して形成された電子輸送層１２４設ける構成を示したが、電子輸送層１２４を有しない場合もある。すると発光層１２３は、第３の層１１３と接する構成となる。この場合、該発光層１２３には、発光物質を分散状態とするための物質を用いるとよい。同様に、正孔輸送層１２２を有しない場合もあり得る。
Note that the present invention is characterized in that the film thicknesses of the
また、Ａｌｑ３等のように分散状態としなくても発光することができる物質を発光層１２３に用いることができる。Ａｌｑ３等は、キャリアの輸送性の良い発光物質であるため、分散状態とすることなくＡｌｑ３のみからなる層を発光層として機能させることができる。この場合、発光層１２３が発光物質そのものに相当する。
Further, a substance that can emit light without being dispersed, such as Alq 3 , can be used for the light-emitting
このような第１の層１１１から第３の層１１３の作製は、同一方法により形成することができる。そのため、大気解放することなく連続して形成することができる。このように大気解放することなく連続して第１の層１１１から第３の層１１３を形成することにより、界面等への不純物混入を低減することができる。
The
次に電極について説明する。第１の電極１０１と第２の電極１０２とは、導電性を有する物質で形成する。また発光層からの光を外部に取り出す側に設けられた第２の電極１０２は、導電性に加えて透光性を有する必要がある。なお透光性を有するためには、非透光性を有する材料を、非常に薄く形成することによって、得ることもできる。
Next, the electrode will be described. The
第１の電極１０１の材料は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、若しくはパラジウム（Ｐｄ）等の金属材料であって反射性の高い材料（反射性材料）を用いることができる。なお、第１の電極１０１は、例えばスパッタ法や蒸着法等を用いて形成することができる。但し、第１の電極１０１の材料は、これらに限定されない。このように反射性の高い金属材料を用いて第１の電極１０１を形成しても、第１の層１１１乃至第３の層１１３によって、出射される光の発光波長に対する反射率を低くすることを特徴とする。
The material of the
また第１の電極１０１は、上記金属材料の単層、又は積層を用いることができる。
For the
また、第２の電極１０２の材料は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、２〜２０％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム等の透光性の高い材料（透光性材料）を用いることができる。その他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、若しくはパラジウム（Ｐｄ）等の金属材料であって、透光性を有する程度に薄膜化して用いることができる。但し、第２の電極１０２の材料は、これらに限定されない。
The material of the
また第２の電極１０２は、上記金属材料の単層、又は積層を用いることができる。第２の電極１０２に積層を用いる場合、上記材料を薄膜化し、その上に透光性材料を積層する構成を用いることもできる。勿論、薄い上記材料を単層で用いて、第２の電極１０２を形成してもよい。第２の電極１０２を薄く形成することにより、抵抗が高くなることを防止するため、補助配線を設けることもできる。
The
なお第１の電極１０１、又は第２の電極１０２は、発光素子に印加する電圧によって、それぞれ陽極、又は陰極となりえる。陽極となる場合は、仕事関数の大きい（仕事関数４．０ｅＶ以上）材料とする。また陰極となる場合は、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）材料とする。
Note that the
第１の電極１０１、又は第２の電極１０２は、スパッタリング法や蒸着法等を用いて形成することができる。なお、蒸着法を用いる場合、第１の電極１０１、第１の層１１１から第３の層１１３、第２の電極１０２の作製において、大気解放することなく連続して形成することが可能となる。このように大気解放することなく連続して発光素子を形成することにより、界面等への不純物混入を低減することができる。
The
また本発明は厚膜化する層に有機化合物と、金属酸化物とが混在した層を用い、低駆動電圧化を達成した発光装置を提供することができる。また該層を厚くすることにより、発光層と第１の電極、又は発光層と第２の電極とを離すことができるため、発光の消光を防止できる。また発光素子を厚く形成することができるので、電極間の短絡を防止でき、量産性を高めることができる。 In addition, the present invention can provide a light emitting device that achieves a low driving voltage by using a layer in which an organic compound and a metal oxide are mixed in a layer to be thickened. Further, by increasing the thickness of the layer, the light emitting layer and the first electrode or the light emitting layer and the second electrode can be separated from each other, so that quenching of light emission can be prevented. In addition, since the light-emitting element can be formed thick, a short circuit between the electrodes can be prevented and mass productivity can be improved.
以上のような発光素子構造を有する本発明は、第１の電極１０１又は第２の電極１０２での発光素子からの光の反射を低減し、カラーフィルター１０５により該発光素子からの発光色以外の波長の透過を防止することができる。その結果、発光素子からの光のみを調整することにより、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない発光装置を提供することができる。
In the present invention having the light emitting element structure as described above, the reflection of light from the light emitting element at the
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる発光素子の構造について説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, a structure of a light-emitting element which is different from that in the above embodiment will be described.
図４に示すように、本実施の形態に示す発光素子は、対向する第１の電極１０１、第２の電極１０２を有し、第１電極１０１から順に、第１の層１１１、第２の層１１２、第３の層１１３、第４の層１２８が積層されており、第４の層１２８を設けたことを特徴とする。第４の層１２８は、第１の層１１１と同様の材料から形成することができ、その他の構成は、上記実施の形態と同様であるため、説明を省略する。
As illustrated in FIG. 4, the light-emitting element described in this embodiment includes a
このように第４の層１２８を設けると、第２の電極１０２を形成するときの各層へのダメージを低減することができる。
When the
そして各発光色に応じて、第１の層１１１乃至第４の層１２８のいずれかの膜厚を異ならせる。その結果、第１の電極１０１での該発光波長の反射率を低減することができる。また膜厚を異ならせる場合、第４の層１２８においても、有機化合物と金属酸化物とが混在された層を用いるとよい。具体的には金属酸化物として、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、レニウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、及びタンタル酸化物のいずれかを用いることができる。またこれら金属の窒化物であってもよいし、酸化窒化物であってもよい。これら金属酸化物等は、厚膜化しても駆動電圧を高くならず好ましいことは上述の通りである。
Then, the film thickness of any of the
そして第４の層１２８を厚膜化することにより、第２の電極１０２を形成するときのダメージの、さらなる低減を期待できる。
Further, by increasing the thickness of the
以上のような発光素子構造を有する本発明は、第１の電極１０１又は第２の電極１０２での発光素子からの光の反射を低減し、カラーフィルター１０５により該発光素子からの発光色以外の波長の透過を防止することができる。その結果、発光素子からの光のみを調整することにより、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない発光装置を提供することができる。
In the present invention having the light emitting element structure as described above, the reflection of light from the light emitting element at the
（実施の形態５）
本実施の形態では、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタ（駆動用トランジスタと記す）がｐ型ＴＦＴの場合における、画素の断面構造について説明する。なお本実施の形態では、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極の場合について説明する。
(Embodiment 5)
In this embodiment, a cross-sectional structure of a pixel in the case where a transistor for controlling supply of current to a light-emitting element (referred to as a driving transistor) is a p-type TFT will be described. Note that in this embodiment, the case where the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode is described.
図５に、ＴＦＴ６１１がｐ型で、発光素子６０３から発せられる光を第２の電極１０２側から取り出す上方出射型であって、３つ分の画素の断面図を示す。図５では、発光素子６０３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６１１がそれぞれ電気的に接続されている。また第１の電極１０１に隣接した電界発光層６０５、当該電界発光層に隣接するように第２の電極１０２が順に積層されている。電界発光層６０５は、上記第１の層１１１及び第３の層１１３、またさらに第４の層１２８からなる。このような電界発光層からは、発光波長のスペクトルのピークが可視光帯域にある光が出射される。
FIG. 5 is a cross-sectional view of three pixels, which is a top emission type in which the
ＴＦＴ６１１は、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって、島状に分離された半導体膜により、チャネル形成領域が形成されている。半導体膜は、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、微結晶半導体膜のいずれを用いてもよい。例えば、結晶性半導体膜の場合、まず非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を用いることができる。加熱処理とは、加熱炉、レーザー照射、若しくはレーザー光の代わりにランプから発する光の照射（以下、ランプアニールと表記する）、又はそれらを組み合わせて用いることができる。
The
レーザー照射を用いる場合、連続発振型のレーザー（ＣＷレーザー）やパルス発振型のレーザー（パルスレーザー）を用いることができる。 When laser irradiation is used, a continuous wave laser (CW laser) or a pulsed laser (pulse laser) can be used.
またさらにレーザーの入射角を、半導体膜に対してθ（０°＜θ＜９０°）となるようにしてもよい。その結果、レーザーの干渉を防止することができる。 Furthermore, the incident angle of the laser may be θ (0 ° <θ <90 °) with respect to the semiconductor film. As a result, laser interference can be prevented.
なお連続発振の基本波のレーザー光と、連続発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザー光と、パルス発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよい。複数のレーザー光を照射することにより、エネルギーを補うことができる。 The continuous wave fundamental laser beam and the continuous wave harmonic laser beam may be irradiated, or the continuous wave fundamental laser beam and the pulsed harmonic laser beam may be irradiated. You may make it irradiate. Energy can be supplemented by irradiating a plurality of laser beams.
またパルス発振型のレーザーであって、半導体膜がレーザー光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザー光を照射できるような発振周波数でレーザー光を発振させることで、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。すなわち、パルス発振の周期が、半導体膜が溶融してから完全に固化するまでの時間よりも短くなるように、発振の周波数の下限を定めたパルスビームを使用することができる。実際に用いることができるパルスビームの発振周波数は１０ＭＨｚ以上であって、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を使用する。 In addition, it is a pulse oscillation type laser that oscillates laser light at an oscillation frequency that can irradiate the laser light of the next pulse after the semiconductor film is melted by the laser light and solidifies in the scanning direction. Crystal grains grown continuously can be obtained. That is, a pulse beam in which the lower limit of the oscillation frequency is determined so that the period of pulse oscillation is shorter than the time from when the semiconductor film is melted until it is completely solidified. The oscillation frequency of the pulse beam that can be actually used is 10 MHz or more, and a frequency band that is significantly higher than the frequency band of several tens to several hundreds Hz that is normally used is used.
その他の加熱処理による結晶化手段として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を５００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加熱する方法がある。このとき、徐々に高温となるように温度を５００〜５５０℃の範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減し、さらにダングリングボンドの終端を行うことができる。さらに、結晶化を促進させる金属元素、例えばＮｉを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。このような金属元素を用いた結晶化であっても、６００〜９５０℃に加熱しても構わない。 As another crystallization method by heat treatment, when a heating furnace is used, there is a method of heating an amorphous semiconductor film at 500 to 550 ° C. for 2 to 20 hours. At this time, the temperature may be set in multiple stages in the range of 500 to 550 ° C. so that the temperature gradually increases. In the first low-temperature heating step, hydrogen or the like of the semiconductor film is produced, so that film roughness during crystallization can be reduced and dangling bonds can be terminated. Furthermore, it is preferable to form a metal element that promotes crystallization, such as Ni, on the amorphous semiconductor film because the heating temperature can be reduced. Even crystallization using such a metal element may be heated to 600 to 950 ° C.
但し、金属元素を形成する場合、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念されるので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例えば、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するよう工程を行えばよい。 However, when a metal element is formed, there is a concern that the electrical characteristics of the semiconductor element may be adversely affected. Therefore, it is necessary to perform a gettering step for reducing or removing the metal element. For example, a process may be performed so as to capture a metal element using an amorphous semiconductor film as a gettering sink.
さらにＴＦＴ６１１は、該半導体膜を覆うゲート絶縁膜、第１の導電膜及び第２の導電膜が積層しているゲート電極を有し、該ゲート電極上には水素を含む絶縁膜が設けられている。該水素によっても、ダングリングボンドを終端することができる。
The
ＴＦＴ６１１は、ｐ型を有し、半導体膜は高濃度不純物領域のみを有するシングルドレイン構造とする。またＴＦＴ６１１は、半導体膜に低濃度不純物領域、及び高濃度不純物領域を有するＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造としてもよい。なお低濃度不純物領域がゲート電極と重なったＧＯＬＤ構造としてもよい。
The
ＴＦＴ６１１は層間絶縁膜６０７で覆われており、層間絶縁膜６０７上には開口部を有する隔壁６０８が形成されている。隔壁６０８の開口部において、第１の電極１０１が一部露出しており、該開口部において第１の電極１０１、電界発光層６０５、第２の電極１０２が順に積層されている。
The
電界発光層６０５は、第１の層１１１、第２の層１１２、及び第３の層１１３、加えて第４の層１２８に相当しており、第１の電極１０１における電界発光層６０５からの発光色の反射が低くなるように、その膜厚が決定されている。そしてこれらの層には、有機化合物と、金属酸化物とが混在する層を用いると、厚膜化による駆動電圧の上昇を防止できる。
The
上方出射型であるため、第１の電極１０１は、非透光性を有し、第２の電極１０２は透光性を有する材料から形成する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。
Since it is a top emission type, the
電界発光層６０５は、発光層の他に、正孔を発生する層、電子を発生する層等を有していることは上述の通りである。第１の電極１０１が陽極であるため、第１の電極１０１から正孔を発生する層、発光層、電子を発生する層の順に積層する。なお第１の電極１０１が陰極の場合、電子を発生する層、発光層、正孔を発生する層の順に積層する。
As described above, the
図５に示した画素の場合、発光素子６０３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極１０２側から取り出すことができる。そして、第１の電極１０１では、当該光の反射が低減される。具体的には、第１の電極１０１での発光波長の反射率が低減されるように、電界発光層の膜厚を決定する。
In the case of the pixel shown in FIG. 5, light emitted from the light-emitting
そして、第２の電極側に設けられたカラーフィルター１０５により、該発光素子からの発光色以外の波長の透過を防止することができる。すなわちカラーフィルター１０５は、該発光素子からの発光色の波長を選択的に透過させることができる。その結果、電界発光層からの光のみを調整することにより、コントラスト等の制御を行うことができる。そしてさらに本発明の構成によって、偏光板等を必要としない発光装置を提供することができる。
The
（実施の形態６）
次に図６を用いて、ＴＦＴ６１１がｐ型で、発光素子６０３から発せられる光を第１の電極１０１側から取り出す下方出射型における、３つ分の画素の断面図を示す。
(Embodiment 6)
Next, FIG. 6 is a cross-sectional view of three pixels in a bottom emission type in which the
図６では、発光素子６０３の第１の電極１０１と、ＴＦＴ６１１がそれぞれ電気的に接続されている。また第１の電極１０１上に電界発光層６０５、第２の電極１０２が順に積層されている。
In FIG. 6, the
ＴＦＴ６１１は、上記実施の形態と同様に形成することができる。また下方出射型であるため、第１の電極１０１は透光性を有し、第２の電極１０２は非透光性を有する。これら材料は、上記実施の形態を参照することができる。そして、光の出射側である第１の電極１０１側に、カラーフィルター１０５が設けられている。
The
電界発光層６０５も、上記実施の形態と同様に形成することができる。ただし、本実施の形態において、第１の電極１０１が陰極であるため、電子を発生する層、発光層、正孔を発生する層の順に積層するとよい。そして第２の電極１０２における電界発光層からの発光色の反射を低減するように、第１の層１１１乃至第３の層１１３、さらに第４の層１２８の膜厚が決定される。図６では、下方出射型の場合を示しているため、電界発光層６０５のうち、第２の電極１０２に近い第３の層１１３に相当する層の膜厚を決定するとよい。
The
図６に示した画素の場合、発光素子６０３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極１０１側から取り出すことができ、第２の電極１０２での反射を低減し、カラーフィルター１０５により該発光素子からの発光色以外の波長の透過を防止することができる。その結果、電界発光層からの光のみを調整することにより、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない発光装置を提供することができる。
In the case of the pixel shown in FIG. 6, light emitted from the
（実施の形態７）
本実施の形態では、発光素子を有する画素の等価回路図について、図７を用いて説明する。
(Embodiment 7)
In this embodiment, an equivalent circuit diagram of a pixel including a light-emitting element will be described with reference to FIGS.
図７（Ａ）は、画素の等価回路の一例を示したものであり、信号線７１２、電源線７１５、走査線７１０それらの交点に発光素子６０３、トランジスタ７０３、７１１、容量素子７０４を有する画素の等価回路である。
FIG. 7A illustrates an example of an equivalent circuit of a pixel, in which a pixel having a light-emitting
このような等価回路において、信号線７１２には信号線駆動回路から、映像信号が入力される。トランジスタ７１１は、走査線７１０に入力される選択信号に従って、トランジスタ７０３のゲートへの、該映像信号の電位の供給を制御することができ、スイッチング用トランジスタと呼ばれる。トランジスタ７０３は、該映像信号の電位に従って、発光素子６０３への電流の供給を制御することができ、駆動用トランジスタと呼ばれる。発光素子は、供給される電流に伴い発光状態、又は非発光状態をとり、これにより表示を行うことができる。容量素子７０４は、トランジスタ７０３のゲート・ソース間の電圧を保持することができる。なお、図７（Ａ）では、容量素子７０４を図示したが、トランジスタ７０３のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。
In such an equivalent circuit, a video signal is input to the
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示した画素の等価回路に、新たに走査線７１９、トランジスタ７１８を設けた画素の等価回路である。
FIG. 7B is an equivalent circuit of a pixel in which a
トランジスタ７１８は、トランジスタ７０３のゲートとソースを同電位とし、強制的に発光素子６０３に電流が流れない状態を作ることができ、消去用トランジスタと呼ばれる。そのため、時間階調表示において、全画素に映像信号が入力され終わる前に、次に映像信号を入力することができ、デューティー比を高くすることができる。
The
またトランジスタ７１８の代わりにダイオードとして機能する素子を設けてもよい。本実施の形態では、トランジスタ７０３のゲート電極と、走査線７１９との間にダイオード接続したトランジスタやＰＮ型のダイオードを設けることができる。その結果、強制的に発光素子６０３に電流が流れない状態を作ることもできる。
Further, an element functioning as a diode may be provided instead of the
図７（Ｃ）は、図７（Ｂ）に示した画素の等価回路に、新たにトランジスタ７２５と、配線７２６を設けた画素の等価回路である。トランジスタ７２５は、そのゲートの電位が固定されている。例えば、配線７２６に接続されることによってゲート電位が固定される。そして、トランジスタ７０３とトランジスタ７２５は、電源線７１５と発光素子６０３との間に直列に接続されている。よって図７（Ｃ）では、トランジスタ７２５により発光素子６０３に供給される電流の値が制御され、トランジスタ７０３により発光素子６０３への該電流の供給の有無が制御できる。
FIG. 7C is an equivalent circuit of a pixel in which a
以上、図７（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に示した画素の等価回路は、デジタル方式で駆動させることができる。デジタル方式で駆動させる場合、各駆動用トランジスタに多少の電気特性ばらつきがあっても、該トランジスタをスイッチング素子として使用するため、問題にならない。 As described above, the pixel equivalent circuit shown in FIGS. 7A, 7B, and 7C can be driven in a digital manner. In the case of driving by a digital method, even if there is a slight variation in electrical characteristics among the driving transistors, there is no problem because the transistors are used as switching elements.
本発明の発光装置が有する画素の等価回路は、デジタル方式であっても、アナログ方式であっても駆動させることができる。例えば図７（Ｄ）に示す画素の等価回路は、信号線７１２、電源線７１５、走査線７１０、それらの交点に発光素子６０３、トランジスタ７１１、７２０、７２１、容量素子７０４を有する。図７（Ｄ）において、トランジスタ７２０、７２１はカレントミラー回路を構成しており、ｐ型のトランジスタからなる。このような画素の等価回路では、デジタル方式の場合、信号線７１２からデジタルビデオ信号が入力され、時間階調により発光素子６０３に供給される電流の値が制御される。またアナログ方式の場合、信号線７１２からアナログビデオ信号が入力され、その値に応じて発光素子６０３に供給される電流の値が制御される。アナログ方式で駆動させる場合、低消費電力化を図ることができる。
An equivalent circuit of a pixel included in the light-emitting device of the present invention can be driven by either a digital method or an analog method. For example, an equivalent circuit of a pixel illustrated in FIG. 7D includes a
以上のような画素において、信号線７１２、電源線７１５、７２６には、信号線駆動回路から信号が入力される。また走査線７１０、７１９には、走査線駆動回路から信号が入力される。信号線駆動回路や走査線駆動回路は、単数、又は複数設けることができる。例えば、画素部を介して第１の走査線駆動回路、第２の走査線駆動回路を設けることができる。
In the pixel as described above, signals are input from the signal line driver circuit to the
また図７（Ａ）に示す画素において、図７（Ｂ）を用いて説明したように、強制的に発光素子６０３に電流が流れない状態を作ることができる。例えば、第１の走査線駆動回路により、発光素子６０３が点灯するタイミングで、トランジスタ７１１を選択し、第２の走査線駆動回路により発光素子６０３へ強制的に電流が流れないような信号を走査線７１０に供給する。強制的に電流が流れないような信号（Ｗｉｒｔｅ Ｅｒａｓｅ Ｓｉｇｎａｌ）とは、発光素子６０３の第１の電極１０１と、第２の電極１０２とが同電位となるための電位を与える信号である。このように、駆動方法によっても、強制的に発光素子６０３に電流が流れない状態を作ることができ、デューティー比を高めることができる。
In the pixel illustrated in FIG. 7A, a state in which no current flows through the light-emitting
このように本発明の発光装置が有する画素の等価回路は、多くの形態をとることができる。なお、本発明の画素回路は、本実施の形態で示した構成に限定されない。また本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。 As described above, an equivalent circuit of a pixel included in the light-emitting device of the present invention can take many forms. Note that the pixel circuit of the present invention is not limited to the structure shown in this embodiment mode. This embodiment can be freely combined with the above embodiment.
（実施の形態８）
本発明の発光装置を表示部に備えた電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置（単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図８を参照して説明する。
(Embodiment 8)
As an electronic device including the light-emitting device of the present invention in a display portion, a television device (also simply referred to as a television or a television receiver), a digital camera, a digital video camera, or a mobile phone device (also simply referred to as a mobile phone or a mobile phone). ), Portable information terminals such as PDAs, portable game machines, computer monitors, computers, sound reproduction apparatuses such as car audio, and image reproduction apparatuses equipped with recording media such as home game machines. A specific example will be described with reference to FIG.
図８（Ａ）に示す携帯情報端末機器は、本体９２０１、表示部９２０２等を含んでいる。表示部９２０２には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない携帯情報端末機器を提供することができる。
A portable information terminal device illustrated in FIG. 8A includes a
図８（Ｂ）に示すデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、表示部９７０２等を含んでいる。表示部９７０１には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としないデジタルビデオカメラを提供することができる。
A digital video camera shown in FIG. 8B includes a
図８（Ｃ）に示す携帯電話機は、本体９１０１、表示部９１０２等を含んでいる。表示部９１０２には、本発明の発光装置適用することができる。その結果、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない携帯電話機を提供することができる。
A cellular phone shown in FIG. 8C includes a
図８（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含んでいる。表示部９３０２には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。また携帯型のテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のものまで、幅広く本発明の発光装置を適用することができる。
A portable television device illustrated in FIG. 8D includes a
図８（Ｅ）に示す携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含んでいる。表示部９４０２には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない携帯型のコンピュータを提供することができる。
A portable computer illustrated in FIG. 8E includes a
図８（Ｆ）に示すテレビジョン装置は、本体９５０１、表示部９５０２等を含んでいる。表示部９５０２には、本発明の発光装置を適用することができる。その結果、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としないテレビジョン装置を提供することができる。
A television device illustrated in FIG. 8F includes a
このように、本発明の発光装置により、コントラストを高めることができ、偏光板等を必要としない電子機器を提供することができる。 As described above, the light-emitting device of the present invention can increase the contrast and provide an electronic device that does not require a polarizing plate or the like.
本実施例では、波長４００ｎｍから８００ｎｍに対する反射率、又は透過率について、実測値及び計算値等を示す。 In this embodiment, measured values, calculated values, and the like are shown for the reflectance or transmittance for wavelengths from 400 nm to 800 nm.
図９には、赤色を呈するため、赤色のカラーフィルターを用いた結果を示す。素子構造は、第１の電極としてチタン（Ｔｉ）を形成し、有機化合物としてαＮＰＤ及びルブレンを用い、それらとモリブデン酸化物とが混在した層を１９６ｎｍ、αＮＰＤを１０ｎｍ、Ａｌｑ３に赤色の発光物質を分散させた層を４０ｎｍに、Ａｌｑ３を２０ｎｍ、ＢｚＯＳとリチウム（Ｌｉ）とを有する層を２０ｎｍ、第２の電極としてアルミニウム（Ａｌ）を１５ｎｍ、と順に積層したものである。なおチタンの膜厚は、光を透過しない程度であればよく、４０ｎｍ以上とする。 FIG. 9 shows the result of using a red color filter in order to exhibit red. In the element structure, titanium (Ti) is formed as the first electrode, αNPD and rubrene are used as the organic compound, a layer in which these are mixed with molybdenum oxide is 196 nm, αNPD is 10 nm, and Alq 3 is a red light emitting substance. A layer in which Al is dispersed is 40 nm, Alq 3 is 20 nm, a layer containing BzOS and lithium (Li) is 20 nm, and aluminum (Al) is laminated as a second electrode in order of 15 nm. Note that the thickness of titanium is not limited to transmit light, and is 40 nm or more.
曲線（Ａ）は、第１の電極における反射率の計算値であり、本発光素子からの発光のスペクトルとなる６３０ｎｍ辺りで、もっとも反射率が低くなることがわかる。曲線（Ｂ）は、赤色用のカラーフィルターの透過率の実測値である。カラーフィルターの膜厚は１．５μｍとした。（Ｂ）をみると、本発光素子からの発光のスペクトルとなる６３０ｎｍ辺りで、もっとも透過率が高くなっていることがわかる。曲線（Ｃ）は、（Ａ）の反射率に、（Ｂ）の透過率の２乗をかけたものであり、実際の発光装置における外光の反射を検討するために求めている。外光の光路は、カラーフィルターを通過し、第１の電極で反射し、再びカラーフィルターを通過して、使用者に認識されるためである。曲線（Ｃ）をみると、本発光素子からの発光のスペクトルとなる６３０ｎｍ辺りで、十分反射率が小さくなっていることがわかる。具体的には、発光素子からの発光波長のスペクトルのピーク（６３０ｎｍ付近）の反射率は１０％以下であることがわかる。 A curve (A) is a calculated value of the reflectance of the first electrode, and it can be seen that the reflectance is the lowest around 630 nm, which is a spectrum of light emission from the light emitting element. A curve (B) is an actual measurement value of the transmittance of the red color filter. The film thickness of the color filter was 1.5 μm. When (B) is seen, it turns out that the transmittance | permeability is the highest around 630 nm used as the spectrum of light emission from this light emitting element. A curve (C) is obtained by multiplying the reflectance of (A) by the square of the transmittance of (B), and is obtained in order to examine the reflection of external light in an actual light emitting device. This is because the external light path passes through the color filter, is reflected by the first electrode, passes through the color filter again, and is recognized by the user. From the curve (C), it can be seen that the reflectance is sufficiently small around 630 nm, which is a spectrum of light emission from the light emitting element. Specifically, it can be seen that the reflectance of a spectrum peak (around 630 nm) of the emission wavelength from the light emitting element is 10% or less.
また図１０には、緑色を呈するため、緑色のカラーフィルターを用いた結果を示す。素子構造は同様な材料であって、第１の電極としてチタン（Ｔｉ）を形成し、有機化合物としてαＮＰＤ及びルブレンを用い、それらとモリブデン酸化物とが混在した層を１４０ｎｍ、αＮＰＤを１０ｎｍ、Ａｌｑ３に緑色の発光物質を分散させた層を４０ｎｍ、Ａｌｑ３を２０ｎｍ、ＢｚＯＳとリチウム（Ｌｉ）とを有する層を２０ｎｍ、第２の電極としてアルミニウム（Ａｌ）を１５ｎｍ、と順に積層したものであり、有機化合物としてαＮＰＤ及びルブレンを用い、それらとモリブデン酸化物とが混在した層の膜厚が上記赤色の素子と異なっている。なおチタンの膜厚は、光を透過しない程度であればよく、４０ｎｍ以上とする。 Further, FIG. 10 shows the result of using a green color filter in order to exhibit green. The element structure is the same material, titanium (Ti) is formed as the first electrode, αNPD and rubrene are used as the organic compound, a layer in which these and molybdenum oxide are mixed is 140 nm, αNPD is 10 nm, Alq 3 is a layer in which a green light emitting material is dispersed to 40 nm, Alq 3 is 20 nm, a layer having BzOS and lithium (Li) is 20 nm, and aluminum (Al) is laminated as a second electrode in order of 15 nm. Yes, αNPD and rubrene are used as organic compounds, and the film thickness of a layer in which they are mixed with molybdenum oxide is different from that of the red element. Note that the thickness of titanium is not limited to transmit light, and is 40 nm or more.
曲線（Ａ）は、第１の電極における反射率の計算値であり、本発光素子からの発光のスペクトルとなる５３０ｎｍ辺りで、もっとも反射率が低くなることがわかる。（Ｂ）は、緑色用のカラーフィルターの透過率の実測値である。カラーフィルターの膜厚は１．５μｍとした。曲線（Ｂ）をみると、本発光素子からの発光のスペクトルとなる５３０ｎｍ辺りで、もっとも透過率が高くなっていることがわかる。曲線（Ｃ）は、曲線（Ａ）の反射率に、曲線（Ｂ）の透過率の２乗をかけたものである。曲線（Ｃ）をみると、本発光素子からの発光のスペクトルとなる５３０ｎｍ辺りで、十分反射率が小さくなっていることがわかる。具体的には、発光素子からの発光波長のスペクトルのピーク（５３０ｎｍ付近）の反射率は１０％以下であることがわかる。 A curve (A) is a calculated value of the reflectance at the first electrode, and it can be seen that the reflectance is lowest at around 530 nm which is a spectrum of light emission from the light emitting element. (B) is an actual measurement value of the transmittance of the green color filter. The film thickness of the color filter was 1.5 μm. From the curve (B), it can be seen that the transmittance is highest around 530 nm, which is the spectrum of light emission from the light emitting element. Curve (C) is obtained by multiplying the reflectance of curve (A) by the square of the transmittance of curve (B). From the curve (C), it can be seen that the reflectance is sufficiently small around 530 nm, which is the spectrum of light emission from the light emitting element. Specifically, it can be seen that the reflectance of the spectrum peak (around 530 nm) of the emission wavelength from the light emitting element is 10% or less.
また図１１には、青色を呈するため、青色のカラーフィルターを用いた結果を示す。素子構造は同様な材料であって、第１の電極としてチタン（Ｔｉ）を形成し、有機化合物としてαＮＰＤ及びルブレンを用い、それらとモリブデン酸化物とが混在した層を９５ｎｍ、αＮＰＤを１０ｎｍ、ｔ−ＢｕＤＮＡを４０ｎｍ、Ａｌｑ３を２０ｎｍ、ＢｚＯＳとリチウム（Ｌｉ）とを有する層を２０ｎｍ、第２の電極としてアルミニウム（Ａｌ）を１５ｎｍ、と順に積層したものであり、有機化合物としてαＮＰＤ及びルブレンを用い、それらとモリブデン酸化物とが混在した層の膜厚が、上記赤色及び青色の素子と異なっている。なおチタンの膜厚は、光を透過しない程度であればよく、４０ｎｍ以上とする。
Further, FIG. 11 shows the result of using a blue color filter in order to exhibit blue. The element structure is the same material, titanium (Ti) is formed as the first electrode, αNPD and rubrene are used as the organic compound, a layer in which these and molybdenum oxide are mixed is 95 nm, αNPD is 10 nm, t -
曲線（Ａ）は、第１の電極における反射率の計算値であり、本発光素子からの発光のペクトルとなる４５０ｎｍ辺りで、もっとも反射率が低くなることがわかる。曲線（Ｂ）は、青色用のカラーフィルターの透過率の実測値である。カラーフィルターの膜厚は１．５μｍとした。曲線（Ｂ）をみると、本発光素子からの発光のスペクトルとなる４５０ｎｍ辺りで、もっとも透過率が高くなっていることがわかる。曲線（Ｃ）は、曲線（Ａ）の反射率に、曲線（Ｂ）の透過率の２乗をかけたものである。（Ｃ）をみると、本発光素子からの発光のスペクトルとなる４５０ｎｍ辺りで、十分反射率が小さくなっていることがわかる。具体的には、発光素子からの発光波長のスペクトルのピーク（４５０ｎｍ付近）の反射率は１０％以下であることがわかる。 Curve (A) is a calculated value of the reflectance of the first electrode, and it can be seen that the reflectance is lowest at around 450 nm, which is the spectrum of light emission from the light emitting element. A curve (B) is an actual measurement value of the transmittance of the blue color filter. The film thickness of the color filter was 1.5 μm. From the curve (B), it can be seen that the transmittance is highest around 450 nm, which is the spectrum of light emission from the light emitting element. Curve (C) is obtained by multiplying the reflectance of curve (A) by the square of the transmittance of curve (B). As can be seen from (C), the reflectance is sufficiently small around 450 nm, which is the spectrum of light emission from the light emitting element. Specifically, it can be seen that the reflectance of the peak (near 450 nm) of the emission wavelength spectrum from the light emitting element is 10% or less.
このような発光素子により、第１の電極による所望の発光波長の反射率を低減することができ、発光装置における当該発光波長の反射を低くすることができる。そしてカラーフィルターは、該発光素子からの発光波長の透過率を高くしり、その他の光の波長を吸収することができる。その結果、発光素子からの光のみを考慮することができ、コントラスト制御を簡便なものとすることができる。また本発明により、偏光板等を必要としない上面出射型の発光装置を提供することができる。 With such a light-emitting element, the reflectance of a desired light emission wavelength by the first electrode can be reduced, and the reflection of the light emission wavelength in the light-emitting device can be reduced. The color filter can increase the transmittance of the emission wavelength from the light emitting element and can absorb other wavelengths of light. As a result, only light from the light emitting element can be taken into account, and contrast control can be simplified. Further, according to the present invention, a top emission light emitting device which does not require a polarizing plate or the like can be provided.
なお本実施例において、第１の電極の反射率について検討しているが、第２の電極の反射率も同様に検討することができうる。第２の電極の反射率を検討し、発光素子の膜厚を決定することにより、下面出射型の発光装置において、コントラスト制御を簡便にし、偏光板等を不要とすることができる。 In this embodiment, the reflectivity of the first electrode is examined. However, the reflectivity of the second electrode can be examined in the same manner. By examining the reflectance of the second electrode and determining the film thickness of the light emitting element, contrast control can be simplified and a polarizing plate or the like can be eliminated in the bottom emission type light emitting device.
このようなシミュレーション結果に基づき、第１の電極又は第２の電極に対する、電界発光層の膜厚を決定することができる。すなわち、第１の電極又は第２の電極における、発光素子からの発光波長の反射率を測定し、該反射率が低くなるように電界発光層の膜厚を決定し、所望のカラーフィルターの透過率を測定し、当該発光素子からの発光波長の透過率が高くなるようにして、発光装置を作製することができる。 Based on the simulation result, the thickness of the electroluminescent layer with respect to the first electrode or the second electrode can be determined. That is, the reflectance of the emission wavelength from the light emitting element in the first electrode or the second electrode is measured, the thickness of the electroluminescent layer is determined so that the reflectance is lowered, and the desired color filter is transmitted. The light emitting device can be manufactured by measuring the rate and increasing the transmittance of the emission wavelength from the light emitting element.
Claims (6)
緑色の発光波長を呈する第２の発光素子と、
青色の発光波長を呈する第３の発光素子と、
前記第１の発光素子からの光を透過する第１のカラーフィルターと、
前記第２の発光素子からの光を透過する第２のカラーフィルターと、
前記第３の発光素子からの光を透過する第３のカラーフィルターと、を有し、
前記第１の発光素子は、反射性材料を有する第１の陽極と、
前記第１の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第１の陰極と、
前記第１の陽極と、前記第１の陰極との間において、前記第１の陽極側に設けられた第１の層とを有し、
前記第２の発光素子は、反射性を有する第２の陽極と、
前記第２の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第２の陰極と、
前記第２の陽極と、前記第２の陰極との間において、前記第２の陽極側に設けられた第２の層とを有し、
前記第３の発光素子は、反射性を有する第３の陽極と、
前記第３の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第３の陰極と、
前記第３の陽極と、前記第３の陰極との間において、前記第３の陽極側に設けられた第３の層とを有し、
前記第１の層乃至前記第３の層は、それぞれ、正孔輸送性を示す物質を有する有機化合物と、前記正孔輸送性を示す物質に対して電子受容性を示す物質を有する金属酸化物とが混在した層であり、
前記第１の層乃至前記第３の層が有する金属酸化物は、モリブデン酸化物であり、
前記第１の発光素子において、外光が前記第１のカラーフィルターを透過して、前記第１の陽極で反射された後、前記第１のカラーフィルターを透過したときの反射率を第１の反射率としたとき、前記第１の発光素子からの発光スペクトルにおいて、前記第１の反射率が１０％以下となるように、前記第１の層の膜厚を決定し、
前記第２の発光素子において、外光が前記第２のカラーフィルターを透過して、前記第２の陽極で反射された後、前記第２のカラーフィルターを透過したときの反射率を第２の反射率としたとき、前記第２の発光素子からの発光スペクトルにおいて、前記第２の反射率が１０％以下となるように、前記第２の層の膜厚を決定し、
前記第３の発光素子において、外光が前記第３のカラーフィルターを通過して、前記第３の陽極で反射された後、前記第３のカラーフィルターを透過したときの反射率を第３の反射率としたとき、前記第３の発光素子からの発光スペクトルにおいて、前記第３の反射率が１０％以下となるように、前記第３の層の膜厚を決定し、
前記決定された第１の層は、前記決定された第２の層より厚く、前記決定された第２の層は、前記決定された第３の層より厚い
ことを特徴とする発光装置の作製方法。 A first light emitting element exhibiting a red emission wavelength;
A second light emitting element exhibiting a green emission wavelength;
A third light emitting element exhibiting a blue emission wavelength;
A first color filter that transmits light from the first light emitting element;
A second color filter that transmits light from the second light emitting element;
A third color filter that transmits light from the third light emitting element,
The first light emitting element includes a first anode having a reflective material;
A first cathode provided facing the first anode and having a translucent material;
A first layer provided on the first anode side between the first anode and the first cathode;
The second light emitting element includes a second anode having reflectivity,
A second cathode provided facing the second anode and having a translucent material;
A second layer provided on the second anode side between the second anode and the second cathode;
The third light emitting element includes a third anode having reflectivity,
A third cathode provided opposite to the third anode and having a translucent material;
A third layer provided on the third anode side between the third anode and the third cathode;
The first layer to the third layer, respectively, and an organic compound having a substance showing a hole transporting property, a metal oxide having a substance showing an electron accepting property to the substance having a hole transport property Is a mixed layer,
The metal oxide included in the first layer to the third layer is molybdenum oxide,
In the first light-emitting element, the external light is transmitted through the first color filter, reflected by the first anode, and then reflected by the first color filter. when the reflectance, in the emission spectrum from the first light emitting element, said first reflectivity so as to be 10% or less, to determine the thickness of the first layer,
In the second light emitting element, after the external light is transmitted through the second color filter and reflected by the second anode, the reflectance when the light passes through the second color filter is set to a second reflectance. when the reflectance, in the emission spectrum from the second light emitting element, the second reflectance so as to be 10% or less, to determine the thickness of the second layer,
In the third light emitting element, the reflectance when the external light passes through the third color filter, is reflected by the third anode, and then passes through the third color filter is expressed as a third reflectance. when the reflectance, in the emission spectrum from said third light-emitting element, the third reflectance of so as to be 10% or less, to determine the thickness of the third layer,
The determined first layer is thicker than the determined second layer, and the determined second layer is thicker than the determined third layer. Method.
緑色の発光波長を呈する第２の発光素子と、
青色の発光波長を呈する第３の発光素子と、
前記第１の発光素子からの光を透過する第１のカラーフィルターと、
前記第２の発光素子からの光を透過する第２のカラーフィルターと、
前記第３の発光素子からの光を透過する第３のカラーフィルターと、を有し、
前記第１の発光素子は、反射性材料を有する第１の陽極と、
前記第１の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第１の陰極と、
前記第１の陽極と、前記第１の陰極との間において、前記第１の陽極側に設けられた第１の層とを有し、
前記第２の発光素子は、反射性を有する第２の陽極と、
前記第２の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第２の陰極と、
前記第２の陽極と、前記第２の陰極との間において、前記第２の陽極側に設けられた第２の層とを有し、
前記第３の発光素子は、反射性を有する第３の陽極と、
前記第３の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第３の陰極と、
前記第３の陽極と、前記第３の陰極との間において、前記第３の陽極側に設けられた第３の層とを有し、
前記第１の層乃至前記第３の層は、それぞれ、正孔輸送性を示す物質を有する有機化合物と、前記正孔輸送性を示す物質に対して電子受容性を示す物質を有する金属酸化物とが混在した層であり、
前記第１の層乃至前記第３の層が有する金属酸化物は、モリブデン酸化物であり、
前記第１の発光素子において、外光が前記第１のカラーフィルターを透過して、前記第１の陽極で反射された後、前記第１のカラーフィルターを透過したときの反射率を第１の反射率としたとき、前記第１の発光素子からの発光スペクトルにおいて、前記第１の反射率が１０％以下となるように、前記第１の層の膜厚を決定し、
前記第２の発光素子において、外光が前記第２のカラーフィルターを透過して、前記第２の陽極で反射された後、前記第２のカラーフィルターを透過したときの反射率を第２の反射率としたとき、前記第２の発光素子からの発光スペクトルにおいて、前記第２の反射率が１０％以下となるように、前記第２の層の膜厚を決定し、
前記第３の発光素子において、外光が前記第３のカラーフィルターを通過して、前記第３の陽極で反射された後、前記第３のカラーフィルターを透過したときの反射率を第３の反射率としたとき、前記第３の発光素子からの発光スペクトルにおいて、前記第３の反射率が１０％以下となるように、前記第３の層の膜厚を決定し、
前記決定された第１の層乃至第３の層に関し、前記決定された第１の層がもっとも厚いことを特徴とする発光装置の作製方法。 A first light emitting element exhibiting a red emission wavelength;
A second light emitting element exhibiting a green emission wavelength;
A third light emitting element exhibiting a blue emission wavelength;
A first color filter that transmits light from the first light emitting element;
A second color filter that transmits light from the second light emitting element;
A third color filter that transmits light from the third light emitting element,
The first light emitting element includes a first anode having a reflective material;
A first cathode provided facing the first anode and having a translucent material;
A first layer provided on the first anode side between the first anode and the first cathode;
The second light emitting element includes a second anode having reflectivity,
A second cathode provided facing the second anode and having a translucent material;
A second layer provided on the second anode side between the second anode and the second cathode;
The third light emitting element includes a third anode having reflectivity,
A third cathode provided opposite to the third anode and having a translucent material;
A third layer provided on the third anode side between the third anode and the third cathode;
The first layer to the third layer, respectively, and an organic compound having a substance showing a hole transporting property, a metal oxide having a substance showing an electron accepting property to the substance having a hole transport property Is a mixed layer,
The metal oxide included in the first layer to the third layer is molybdenum oxide,
In the first light-emitting element, the external light is transmitted through the first color filter, reflected by the first anode, and then reflected by the first color filter. when the reflectance, in the emission spectrum from the first light emitting element, said first reflectivity so as to be 10% or less, to determine the thickness of the first layer,
In the second light emitting element, after the external light is transmitted through the second color filter and reflected by the second anode, the reflectance when the light passes through the second color filter is set to a second reflectance. when the reflectance, in the emission spectrum from the second light emitting element, the second reflectance so as to be 10% or less, to determine the thickness of the second layer,
In the third light emitting element, the reflectance when the external light passes through the third color filter, is reflected by the third anode, and then passes through the third color filter is expressed as a third reflectance. when the reflectance, in the emission spectrum from said third light-emitting element, the third reflectance of so as to be 10% or less, to determine the thickness of the third layer,
The method for manufacturing a light-emitting device, wherein the determined first layer is the thickest with respect to the determined first to third layers.
緑色の発光波長を呈する第２の発光素子と、
青色の発光波長を呈する第３の発光素子と、
前記第１の発光素子からの光を透過する第１のカラーフィルターと、
前記第２の発光素子からの光を透過する第２のカラーフィルターと、
前記第３の発光素子からの光を透過する第３のカラーフィルターと、を有し、
前記第１の発光素子は、反射性材料を有する第１の陽極と、
前記第１の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第１の陰極と、
前記第１の陽極と、前記第１の陰極との間において、前記第１の陽極側に設けられた第１の層とを有し、
前記第２の発光素子は、反射性を有する第２の陽極と、
前記第２の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第２の陰極と、
前記第２の陽極と、前記第２の陰極との間において、前記第２の陽極側に設けられた第２の層とを有し、
前記第３の発光素子は、反射性を有する第３の陽極と、
前記第３の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第３の陰極と、
前記第３の陽極と、前記第３の陰極との間において、前記第３の陽極側に設けられた第３の層とを有し、
前記第１の層乃至前記第３の層は、それぞれ、正孔輸送性を示す物質を有する有機化合物と、前記正孔輸送性を示す物質に対して電子受容性を示す物質を有する金属酸化物とが混在した層であり、
前記第１の層乃至前記第３の層が有する前記金属酸化物は、モリブデン酸化物であり、
前記第１の層は、前記第２の層より厚く、前記第２の層は、前記第３の層より厚いことを特徴とする発光装置。 A first light emitting element exhibiting a red emission wavelength;
A second light emitting element exhibiting a green emission wavelength;
A third light emitting element exhibiting a blue emission wavelength;
A first color filter that transmits light from the first light emitting element;
A second color filter that transmits light from the second light emitting element;
A third color filter that transmits light from the third light emitting element,
The first light emitting element includes a first anode having a reflective material;
A first cathode provided facing the first anode and having a translucent material;
A first layer provided on the first anode side between the first anode and the first cathode;
The second light emitting element includes a second anode having reflectivity,
A second cathode provided facing the second anode and having a translucent material;
A second layer provided on the second anode side between the second anode and the second cathode;
The third light emitting element includes a third anode having reflectivity,
A third cathode provided opposite to the third anode and having a translucent material;
A third layer provided on the third anode side between the third anode and the third cathode;
The first layer to the third layer, respectively, and an organic compound having a substance showing a hole transporting property, a metal oxide having a substance showing an electron accepting property to the substance having a hole transport property Is a mixed layer,
The metal oxide included in the first layer to the third layer is molybdenum oxide,
The light emitting device is characterized in that the first layer is thicker than the second layer, and the second layer is thicker than the third layer.
緑色の発光波長を呈する第２の発光素子と、
青色の発光波長を呈する第３の発光素子と、
前記第１の発光素子からの光を透過する第１のカラーフィルターと、
前記第２の発光素子からの光を透過する第２のカラーフィルターと、
前記第３の発光素子からの光を透過する第３のカラーフィルターと、を有し、
前記第１の発光素子は、反射性材料を有する第１の陽極と、
前記第１の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第１の陰極と、
前記第１の陽極と、前記第１の陰極との間において、前記第１の陽極側に設けられた第１の層とを有し、
前記第２の発光素子は、反射性を有する第２の陽極と、
前記第２の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第２の陰極と、
前記第２の陽極と、前記第２の陰極との間において、前記第２の陽極側に設けられた第２の層とを有し、
前記第３の発光素子は、反射性を有する第３の陽極と、
前記第３の陽極に対向して設けられ、透光性材料を有する第３の陰極と、
前記第３の陽極と、前記第３の陰極との間において、前記第３の陽極側に設けられた第３の層とを有し、
前記第１の層乃至前記第３の層は、それぞれ、正孔輸送性を示す物質を有する有機化合物と、前記正孔輸送性を示す物質に対して電子受容性を示す物質を有する金属酸化物とが混在した層であり、
前記第１の層乃至前記第３の層が有する前記金属酸化物は、モリブデン酸化物であり、
前記第１の層乃至前記第３の層に関し、前記第１の層がもっとも厚いことを特徴とする発光装置。 A first light emitting element exhibiting a red emission wavelength;
A second light emitting element exhibiting a green emission wavelength;
A third light emitting element exhibiting a blue emission wavelength;
A first color filter that transmits light from the first light emitting element;
A second color filter that transmits light from the second light emitting element;
A third color filter that transmits light from the third light emitting element,
The first light emitting element includes a first anode having a reflective material;
A first cathode provided facing the first anode and having a translucent material;
A first layer provided on the first anode side between the first anode and the first cathode;
The second light emitting element includes a second anode having reflectivity,
A second cathode provided facing the second anode and having a translucent material;
A second layer provided on the second anode side between the second anode and the second cathode;
The third light emitting element includes a third anode having reflectivity,
A third cathode provided opposite to the third anode and having a translucent material;
A third layer provided on the third anode side between the third anode and the third cathode;
The first layer to the third layer, respectively, and an organic compound having a substance showing a hole transporting property, a metal oxide having a substance showing an electron accepting property to the substance having a hole transport property Is a mixed layer,
The metal oxide included in the first layer to the third layer is molybdenum oxide,
The light-emitting device according to any one of the first to third layers, wherein the first layer is the thickest.
前記第１の発光素子乃至前記第３の発光素子は基板上に設けられ、
前記第１のカラーフィルター乃至前記第３のカラーフィルターは、前記基板と対向する基板側に設けられていることを特徴とする発光装置。 In any one of Claim 3 or Claim 4 ,
The first light emitting element to the third light emitting element are provided on a substrate,
The light-emitting device, wherein the first color filter to the third color filter are provided on a substrate side facing the substrate.
前記第１のカラーフィルターは、前記第１の発光素子からの発光スペクトルに対する透過率が高い材料からなり、
前記第２のカラーフィルターは、前記第２の発光素子からの発光スペクトルに対する透過率が高い材料からなり、
前記第３のカラーフィルターは、前記第３の発光素子からの発光スペクトルに対する透過率が高い材料からなる
ことを特徴とする発光装置。 In any one of Claims 3 thru | or 5 ,
The first color filter is made of a material having a high transmittance with respect to an emission spectrum from the first light emitting element.
The second color filter is made of a material having a high transmittance with respect to an emission spectrum from the second light emitting element,
The light emitting device, wherein the third color filter is made of a material having a high transmittance with respect to an emission spectrum from the third light emitting element.
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