JP4789194B2 - 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4789194B2 JP4789194B2 JP2006127902A JP2006127902A JP4789194B2 JP 4789194 B2 JP4789194 B2 JP 4789194B2 JP 2006127902 A JP2006127902 A JP 2006127902A JP 2006127902 A JP2006127902 A JP 2006127902A JP 4789194 B2 JP4789194 B2 JP 4789194B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- allowable range
- substrate
- difference
- relational expression
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
前記基板を保持し、かつ移動する基板ステージと
前記基板ステージに保持された基板上のマークの位置ずれ量を計測する計測器と、
前記計測器により計測された複数の位置ずれ量を近似する線形な関係式を求める演算器と、
前記基板上の被露光領域の露光のため、前記関係式に基づく目標位置にしたがって前記基板ステージの位置を制御する制御器とを有し、
前記演算器は、前記計測器により計測されたマークの位置ずれ量と前記関係式により近似されるマークの位置ずれ量との差が予め定めた許容範囲外となるマークの数が最小となるように、前記関係式を整数計画法により求めることを特徴とする露光装置である。
基板ステージに保持された基板上の複数のマークの位置ずれ量を計測する計測ステップと、
前記計測ステップで計測された複数のマークの位置ずれ量を近似する線形な関係式を求める演算ステップと、
前記基板上の被露光領域の露光のため、前記演算ステップ求められた関係式に基づく目標位置にしたがって前記基板ステージの位置を制御する制御ステップとを有し、
前記演算ステップにおいて、前記計測ステップで計測されたマークの位置ずれ量と前記関係式により近似されるマークの位置ずれ量との差が予め定めた許容範囲外となるマークの数が最小となるように、前記関係式を整数計画法により求めることを特徴とする露光方法である。
上記第1の側面の露光装置を用いて、基板を露光する露光ステップと、
前記露光された基板を現像する現像ステップと、
前記現像された基板を処理する処理ステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法である。
半導体素子等のデバイスを製造するに際しては、図12に示すような露光装置を用いてウエハを露光する。すなわち、当該露光装置は、不図示の照明光学系により照明されたレチクル(原版またはマスクともいう)101に描画された回路等のパターンを、投影光学系102を介してウエハ(基板ともいう)103上に投影し転写する。このとき、ウエハ103は、可動のウエハステージ104に保持されている。ウエハステージ104は、アクチュエータを内蔵し、ウエハステージ104の位置を高精度に計測するレーザー干渉計105の出力に基づき、高精度に位置決めされ得る。
ここでも、図2乃至図4に示したサンプルを用いた。そして、重ね合わせ誤差が許容範囲外となるマークの数が最小となるように、(数式1)および(数式2)の混合整数計画モデルで問題を定式化し、混合整数計画法によって最適な近似解を導いた。
これは、重ね合わせ誤差が許容値を超えるマークの数を最小化すると同時に、重ね合わせ誤差が許容範囲内のマークに関し、そのずれ量の最大値が最小となるように、(数式3)および(数式4)の混合整数計画モデルで問題を定式化した例である。そして、混合整数計画法によって最適な補正量を導いた。重ね合わせ誤差が許容範囲内の計測箇所は、第1の実施例で補正した結果と同じである。しかし、その重ね合わせ誤差の最大絶対値は第1の実施例よりも小さくなっている。よって、重ね合わせ誤差の許容値に対してより良好な近似解を得ることができる。
次に上記の露光装置を利用したデバイス製造方法の一例として、半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図13は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスク(原版またはレチクルともいう)を作製する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。
106 スコープ(計測器)
107 演算器
108 制御器
Claims (13)
- 基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持し、かつ移動する基板ステージと、
前記基板ステージに保持された基板上のマークの位置ずれ量を計測する計測器と、
前記計測器により計測された複数の位置ずれ量を近似する線形な関係式を求める演算器と、
前記基板上の被露光領域の露光のため、前記関係式に基づく目標位置にしたがって前記基板ステージの位置を制御する制御器とを有し、
前記演算器は、前記計測器により計測されたマークの位置ずれ量と前記関係式により近似されるマークの位置ずれ量との差が予め定めた許容範囲外となるマークの数が最小となるように、前記関係式を整数計画法により求めることを特徴とする露光装置。 - 前記計測器は、前記基板上に形成されたアライメントマークおよび重ね合わせ検査マークのいずれかの位置ずれ量を計測することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 原版のパターンを前記基板に投影するための投影光学系をさらに有し、前記制御器は、さらに、前記関係式により近似されるマークの位置ずれ量に基づく前記被露光領域内の位置ずれ量を示す情報に応じて、前記投影光学系の収差を制御することを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記演算器は、さらに、前記計測器により計測されたマークの位置ずれ量と前記関係式により近似されるマークの位置ずれ量との差が前記許容範囲内となるマークについての当該差の最大値が最小になるように、前記関係式を整数計画法により求めることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の露光装置。
- 基板を露光する露光方法であって、
基板ステージに保持された基板上の複数のマークの位置ずれ量を計測する計測ステップと、
前記計測ステップで計測された複数のマークの位置ずれ量を近似する線形な関係式を求める演算ステップと、
前記基板上の被露光領域の露光のため、前記演算ステップ求められた関係式に基づく目標位置にしたがって前記基板ステージの位置を制御する制御ステップとを有し、
前記演算ステップにおいて、前記計測ステップで計測されたマークの位置ずれ量と前記関係式により近似されるマークの位置ずれ量との差が予め定めた許容範囲外となるマークの数が最小となるように、前記関係式を整数計画法により求めることを特徴とする露光方法。 - 前記計測ステップにおいて、前記基板上に形成されたアライメントマークおよび重ね合わせ検査マークのいずれかの位置ずれ量を計測することを特徴とする請求項7に記載の露光方法。
- 前記制御器は、さらに、前記関係式により近似されるマークの位置ずれ量に基づく前記被露光領域内の位置ずれ量を示す情報に応じて、原版のパターンを前記基板に投影するための投影光学系の収差を制御することを特徴とする請求項7または8に記載の露光方法。
- 前記演算ステップにおいて、さらに、前記計測ステップで計測されたマークの位置ずれ量と前記関係式により近似されるマークの位置ずれ量との差が前記許容範囲内となるマークについての当該差の最大値が最小になるように、前記関係式を整数計画法により求めることを特徴とする請求項7乃至9のいずれかに記載の露光方法。
- デバイス製造方法であって、
請求項1乃至6のいずれかに記載の露光装置を用いて、基板を露光する露光ステップと、
前記露光された基板を現像する現像ステップと、
前記現像された基板を処理する処理ステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006127902A JP4789194B2 (ja) | 2006-05-01 | 2006-05-01 | 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 |
US11/739,912 US7894039B2 (en) | 2006-05-01 | 2007-04-25 | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
TW096115380A TWI368828B (en) | 2006-05-01 | 2007-04-30 | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
KR1020070042292A KR100956902B1 (ko) | 2006-05-01 | 2007-05-01 | 노광장치와 방법, 그리고 디바이스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006127902A JP4789194B2 (ja) | 2006-05-01 | 2006-05-01 | 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007300004A JP2007300004A (ja) | 2007-11-15 |
JP4789194B2 true JP4789194B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=38711668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006127902A Active JP4789194B2 (ja) | 2006-05-01 | 2006-05-01 | 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7894039B2 (ja) |
JP (1) | JP4789194B2 (ja) |
KR (1) | KR100956902B1 (ja) |
TW (1) | TWI368828B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5111213B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 計測方法、ステージ移動特性の調整方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP6118030B2 (ja) * | 2011-04-05 | 2017-04-19 | キヤノン株式会社 | 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP5969848B2 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-08-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置、調整対象の調整量を求める方法、プログラム及びデバイスの製造方法 |
JP6138189B2 (ja) * | 2015-04-08 | 2017-05-31 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品の製造方法 |
JP7019975B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2022-02-16 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法、位置合わせ装置およびプログラム |
CN110880469B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-04-29 | 中国科学院微电子研究所 | 硅片对准标记布局的优化方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0286117A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Hitachi Ltd | 位置合わせ装置 |
KR100377887B1 (ko) | 1994-02-10 | 2003-06-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 정렬방법 |
JPH07226359A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
JPH0897123A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
KR100541272B1 (ko) * | 1995-02-01 | 2006-05-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판상의마크위치를검출하는방법과그의방법에의한위치검출장치및그의위치검출장치를이용한노광장치 |
JPH1022190A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 露光装置における位置合わせ誤差補正方法および該方法を用いた露光装置 |
US20030020889A1 (en) | 2000-08-02 | 2003-01-30 | Nikon Corporation | Stage unit, measurement unit and measurement method, and exposure apparatus and exposure method |
JP2002050560A (ja) | 2000-08-02 | 2002-02-15 | Nikon Corp | ステージ装置、計測装置及び計測方法、露光装置及び露光方法 |
JP3474166B2 (ja) * | 2000-12-18 | 2003-12-08 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |
JP4689081B2 (ja) * | 2001-06-06 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、調整方法、およびデバイス製造方法 |
JP2003257843A (ja) | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Canon Inc | チップ配置決定装置及び方法 |
JP3962648B2 (ja) | 2002-07-30 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | ディストーション計測方法と露光装置 |
US7149999B2 (en) | 2003-02-25 | 2006-12-12 | The Regents Of The University Of California | Method for correcting a mask design layout |
JP4227470B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2009-02-18 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法 |
JP3977302B2 (ja) | 2003-08-13 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びその使用方法並びにデバイス製造方法 |
JP4574198B2 (ja) | 2004-03-17 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置、その調整方法及びデバイス製造方法 |
JP3993188B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2007-10-17 | ライテル・インストルメンツ | 自己参照の動的ステップおよび走査フィールド内走査歪みのための方法および装置 |
KR20070048650A (ko) | 2004-08-31 | 2007-05-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치 맞춤 방법, 처리 시스템, 기판의 투입 재현성 계측방법, 위치 계측 방법, 노광 방법, 기판 처리 장치, 계측방법 및 계측 장치 |
JP2007067018A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Sharp Corp | 露光装置の露光動作評価方法および半導体デバイスの製造方法 |
US7330800B1 (en) * | 2006-10-09 | 2008-02-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for selecting sites for sampling |
-
2006
- 2006-05-01 JP JP2006127902A patent/JP4789194B2/ja active Active
-
2007
- 2007-04-25 US US11/739,912 patent/US7894039B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-30 TW TW096115380A patent/TWI368828B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-05-01 KR KR1020070042292A patent/KR100956902B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070268472A1 (en) | 2007-11-22 |
TW200801841A (en) | 2008-01-01 |
TWI368828B (en) | 2012-07-21 |
KR100956902B1 (ko) | 2010-05-11 |
KR20070106938A (ko) | 2007-11-06 |
JP2007300004A (ja) | 2007-11-15 |
US7894039B2 (en) | 2011-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109891324B (zh) | 用于光刻过程的优化的方法 | |
TWI572993B (zh) | 用於判定一微影製程之製程窗之方法、相關設備及一電腦程式 | |
CN110573966B (zh) | 用于优化光刻工艺的方法和装置 | |
TW201928527A (zh) | 用於控制微影設備之方法及與相關裝置 | |
JP4789194B2 (ja) | 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 | |
KR102434050B1 (ko) | 에치 파라미터를 변화시키는 방법 | |
KR102326191B1 (ko) | 디바이스 제조 프로세스 | |
JP7288974B2 (ja) | リソグラフィプロセスのサブフィールド制御および関連する装置 | |
EP3396457A1 (en) | Device manufacturing method | |
CN112585538B (zh) | 用于控制制造过程的方法及相关联的设备 | |
TWI654498B (zh) | 基板處理裝置、用以最佳化半導體程序之方法及半導體器件製造程序 | |
EP4018263B1 (en) | Method for controlling a lithographic apparatus | |
TWI749607B (zh) | 微影製程之子場控制及相關聯裝置 | |
JP2009094265A (ja) | マーク位置検出方法および装置 | |
JP2009170559A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
EP3734366A1 (en) | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus | |
JP5213406B2 (ja) | 調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
TWI751628B (zh) | 器件製造方法 | |
EP3848757A1 (en) | Method for controlling a lithographic apparatus | |
KR20220041217A (ko) | 리소그래피 프로세스의 서브-필드 제어 및 연관된 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090413 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090501 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090521 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110701 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110714 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4789194 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |