JP7288974B2 - リソグラフィプロセスのサブフィールド制御および関連する装置 - Google Patents
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Description
本出願は、2019年4月4日に出願された欧州出願19167211.2号、2019年5月3日に出願された欧州出願19172479.8号、2019年5月28日に出願された欧州出願19177106.2号、2019年8月20日に出願された欧州出願19192433.1号の優先権を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
本発明は、リソグラフィプロセスにおいて基板にパターンを適用するための、および/または、前記パターンを測定するための方法および装置に関する。
スキャナ固有の誤差:これらは基板の露光中に使用されるスキャナの様々なサブシステムから生じ、実質的にスキャナ固有のフィンガープリントを生成する。
プロセスに起因するウェーハ変形:基板上で実行される様々なプロセスは、基板またはウェーハを変形させる。
照明設定の違い:これらは、開口の形状、レンズアクチュエータ配置等の照明システムのセッティングによって引き起こされる。
加熱効果:加熱に起因する効果は、特に基板の様々なサブフィールドが異なるタイプのコンポーネントまたは構造を含む場合、基板の様々なサブフィールドの間で異なる。
レチクル書込誤差:誤差は、その製造時の制限のために、パターニングデバイスに既に存在してもよい。
トポグラフィ変動:基板は特にウェーハのエッジ付近にトポグラフィ(高さ)変動を有する。
a)比率変動(コンタクトホール楕円度)が最小となる。
b)CDが目標値に留まる(より多くのドーズが必要な時はスキャン速度を低下させて寸法を目標値に戻す)。
c)MSD-X/Yが全くまたはほとんど導入されない場合、露光フィーチャの一定の寸法に加えてダイおよび/または露光フィールドに亘る一定のコントラストを得るために、MSD-Z(コントラスト)項を増加させるz(t)を構成する。
項目1:
露光フィールド上にパターンを露光するためのリソグラフィプロセスの制御のための要素空間プロファイルを決定するための方法であって、第1層のための性能パラメータの露光フィールドの少なくともサブフィールドに亘る空間変動を記述する初期空間プロファイルを取得することと、サブフィールドに関する要素空間プロファイルに初期空間プロファイルを分解することと、を備える。前記要素空間プロファイルは、少なくとも第1要素空間プロファイルおよび第2要素空間プロファイルを備える。方法は、性能パラメータにおける誤差を最小化するために要素空間プロファイルを共に最適化することを備える。少なくとも前記第1要素空間プロファイルは、第1層における前記露光フィールド上にパターンを露光する際に、リソグラフィプロセスを制御するためにリソグラフィ装置によって使用可能であり、前記第1要素空間プロファイルは、初期空間プロファイルと比べて、より正確にリソグラフィ装置によって駆動されうる。
項目2:
性能パラメータは、一または複数の他の層に対する第1層のオーバーレイを備える、または、に関する、項目1に記載の方法。
項目3:
性能パラメータはエッジ配置誤差を備える、項目1または2に記載の方法。
項目4:
前記第1要素空間プロファイルは、前記初期空間プロファイルの全体範囲より小さい範囲内の値に制限される、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目5:
前記第1要素空間プロファイルは、リソグラフィ装置によって駆動可能なように最適化されている、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目6:
前記第1要素空間プロファイルは、リソグラフィ装置内のステージ位置決め制御およびリソグラフィ装置内の投影レンズ制御の一方または両方の制御において使用される、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目7:
前記第2要素空間プロファイルは、第1層にパターンを露光するためのリソグラフィプロセスにおいて使用されるレチクルのためのレチクル補正に関する、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目8:
前記第2要素空間プロファイルは、レチクルの製造および/または変更の制御において使用される、項目7に記載の方法。
項目9:
前記第2要素空間プロファイルは、レチクル上のフィーチャの相対位置決めの制御において使用される、項目7または8に記載の方法。
項目10:
第2要素空間プロファイルは、前記第1要素空間プロファイルより低次である、項目7から9のいずれかに記載の方法。
項目11:
前記第2要素空間プロファイルは、線型またはステップ型のプロファイルである、項目7から10のいずれかに記載の方法。
項目12:
前記分解するステップは、前記初期空間プロファイルに基づいて前記第1層を備える複数の層に亘って制御を分散するために、初期空間プロファイルを層要素空間プロファイルに分解することを更に備える、項目7から11のいずれかに記載の方法。
項目13:
前記要素空間プロファイルの少なくとも一つに基づいて前記第1層を備える複数の層に亘って制御を分散するために、前記要素空間プロファイルの少なくとも一つを、それぞれ複数の層の特定の一つの前記リソグラフィプロセスを制御する層要素空間プロファイルに分解することを備える、項目7から11のいずれかに記載の方法。
項目14:
層要素空間プロファイルに分解された前記要素空間プロファイルの少なくとも一つは、第1要素空間プロファイルを備える、項目11に記載の方法。
項目15:
前記分解するステップは、前記初期空間プロファイルに基づいて前記第1層を備える複数の層に亘って制御を分散するために、初期空間プロファイルを前記要素空間プロファイルに分解することを備え、前記第2要素空間プロファイルは、第2層における前記露光フィールド上にパターンを露光する際に、リソグラフィプロセスを制御するためにリソグラフィ装置によって使用可能であり、前記第2要素空間プロファイルは、初期空間プロファイルと比べて、より正確にリソグラフィ装置によって駆動されうる、項目1から6のいずれかに記載の方法。
項目16:
リソグラフィプロセスを実行する時にマルチフォーカスイメージングを使用することと、前記パターン露光中に、初期空間プロファイルおよび/または適切な要素空間プロファイルと関連する最大許容移動標準偏差に基づいて、照明設定を最適化することと、を備える、項目7から15のいずれかに記載の方法。
項目17:
前記最大許容移動標準偏差が決定され、前記照明設定が層毎に最適化される、項目16に記載の方法。
項目18:
少なくとも第1要素空間プロファイルに関する一または複数の第1補正項および第2要素空間プロファイルに関する一または複数の第2補正項について性能パラメータを記述するメリット関数を作成することと、前記第1要素空間プロファイルおよび前記第2要素空間プロファイルを決定するためにメリット関数を反復的に解くことと、を備える、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目20:
前記初期空間プロファイルは、複数の第1要素空間プロファイル候補および複数の第2要素空間プロファイル候補に分解され、前記方法は、第1要素空間プロファイル候補および第2要素空間プロファイル候補の最適な組合せを性能測定基準に応じて決定することを備える、項目1から17のいずれかに記載の方法。
項目21:
前記共に最適化するステップは、初期空間プロファイルと関連する移動平均、移動標準偏差、移動平均および移動標準偏差の組合せの少なくともいずれかの最適化を備える、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目22:
前記移動平均、移動標準偏差、移動平均および移動標準偏差の組合せの少なくともいずれかの最適化は、小さいプロセスウィンドウを有するものとして特定された一または複数のフィーチャにおける誤差の最小化に関して決定される、項目21に記載の方法。
項目23:
前記初期空間プロファイルは、既知のダイ内応力フィンガープリントから得られる、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目24:
前記第1要素空間プロファイルは三次以上である、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目25:
前記要素空間プロファイルに基づいて前記リソグラフィプロセスを実行することを備える、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目26:
各サブフィールドは単一のダイまたはその機能領域に関する、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目27:
露光フィールドの各サブフィールドのための前記要素空間プロファイルのそれぞれの組を決定するために前記方法が実行される、前記項目のいずれかに記載の方法。
項目28:
適切な装置で実行された時に項目1から27のいずれかに記載の方法を実行可能なプログラム命令を備えるコンピュータプログラム。
項目29:
項目28に記載のコンピュータプログラムを保持する非一時的コンピュータプログラム保持装置。
項目30:
項目1から27のいずれかに記載の方法を実行可能なリソグラフィ装置。
項目31:
露光フィールド内のサブフィールドと関連するオーバーレイ補正プロファイルを決定するための方法であって、少なくともサブフィールドに亘って、第1および第2層の間のオーバーレイ誤差プロファイルを取得することと、第1層にパターン形成する際に使用されるレチクルの製造または変更のための第1オーバーレイ補正プロファイル、および、第1層にパターン形成する際に使用されるリソグラフィ装置のための第2オーバーレイ補正プロファイルを決定することと、を備える。
項目32:
オーバーレイ補正プロファイルを決定するための方法であって、露光フィールド内のサブフィールドに亘って、第1層および第2層の間のオーバーレイ誤差プロファイルを取得することと、第1層のための第1オーバーレイ補正プロファイルおよび第2層のための第2オーバーレイ補正プロファイルを決定することと、を備える。第1および第2補正プロファイルは、併せてオーバーレイ誤差プロファイルをサブフィールドに亘って軽減し、第1層および第2層の両方に亘って所望の結像品質を実現するために共に最適化されている。
項目33:
オーバーレイ誤差補正を決定するための方法であって、スキャン方向に沿って複数のサブフィールドに亘って広がるオーバーレイ誤差プロファイルを取得することと、複数のサブフィールドのうち少なくとも二つの隣接したサブフィールドに亘ってレチクル補正を決定することと、を備える。レチクル補正は、前記隣接したサブフィールドの間のオーバーレイ誤差プロファイルの連続性の所期の改善に基づく。
項目34:
APCコントローラのためのAPC制御入力およびリソグラフィ装置のためのサブフィールド制御入力を提供する方法であって、a)基板に亘って測定されたパラメータのフィンガープリントを取得すること、b)フィンガープリントをグローバル要素およびサブフィールド要素に分解すること、c)共に最適化された制御方針を決定するために、グローバル要素およびサブフィールド要素とリソグラフィ装置の制御特性を使用すること、d)共に最適化された制御方針に基づいて、APC制御入力およびサブフィールド制御入力を決定すること、を備える。
項目35:
露光フィールド上にパターンを露光するためのリソグラフィプロセスの制御のための方法であって、第1層のための性能パラメータの露光フィールドのサブフィールドに亘る空間変動と関連する初期空間プロファイルを取得することと、初期空間プロファイルを、少なくとも、性能パラメータの空間変動を補正するためにリソグラフィ装置の制御に使用可能な第1要素空間プロファイル、および、性能パラメータの空間変動を補正するためにリソグラフィ装置または他の装置の制御に使用可能な第2要素空間プロファイルに分解することと、リソグラフィ装置を制御するための初期空間プロファイルの使用に基づく性能パラメータの空間変動の補正と比べて、性能パラメータの空間変動のより良い補正を実現するために、第1および第2要素空間プロファイルを共に最適化することと、を備える。
項目36:
オーバーレイ誤差補正を決定するための方法であって、複数のサブフィールドに亘って広がるオーバーレイ誤差プロファイルを取得することと、複数のサブフィールドのうち少なくとも二つの隣接したサブフィールドに亘ってレチクル補正を決定することと、を備える。レチクル補正は、前記隣接したサブフィールドの間のオーバーレイ誤差プロファイルの連続性の所期の改善に基づく。
項目37:
レチクル補正は、前記オーバーレイ誤差プロファイルの少なくとも一部の実質的な反転および/または過剰補正によって、前記隣接したサブフィールドに亘ってオーバーレイ誤差プロファイルの連続性を実現するように構成される、項目36に記載の方法。
項目38:
レチクル補正は、スキャン方向および/またはスリット方向に隣接した少なくとも二つのフィールドのために決定される、項目36または37の方法。
項目39:
リソグラフィプロセスのために共に最適化されたグローバルおよびサブフィールド制御方針を決定するための方法であって、a)グローバル測定データおよびダイ内測定データを取得すること、b)ダイ内測定データをグローバル要素データおよびサブフィールド要素データに分解すること、c)共に最適化された制御方針を決定するために、グローバル要素データ、サブフィールド要素データ、既知のスキャナ制御特性を使用すること、d)共に最適化された制御方針に基づいて、グローバル制御入力およびサブフィールド制御入力を提供すること、を備える。
項目40:
前記サブフィールド要素データは、それに対応するグローバル要素データからの変動に関して記述される、項目39に記載の方法。
項目41:
ステップc)は、グローバル要素データおよびサブフィールド要素データの適切な相対重み、および/または、それに対する補正を決定することを備える、項目39または40に記載の方法。
項目42:
グローバル測定データのエッジフィンガープリントの少なくとも一部は、サブフィールド制御入力を介して補正されるように割り当てられる、項目39から41のいずれかに記載の方法。
項目43:
基板上の半導体デバイスの製造と関連するプロセスを構成する方法であって、パターン形成プロセスを使用して基板に提供されるフィーチャの寸法間の比率の所期の変動を決定することと、基板上の領域に亘って比率の所期の変動を少なくとも部分的に補正するために、パターン形成プロセスおよび/またはパターン形成プロセスにおいて使用されるパターニングデバイスを構成することと、を備える。当該構成することは、スキャン方向および非スキャン方向に沿った基板の位置制御をバランスさせること、パターン形成プロセスにおいて使用される投影レンズの収差をバランスさせること、第1および第2方向に沿った構造の寸法をバランスさせること、の一または複数を備える。
項目44:
パターン形成プロセスの対象である基板上の露光フィールドと関連するサンプリング方式を決定する方法であって、パターン形成プロセス中のパターニングデバイスおよび基板の動作の間の同期誤差の時間依存性によるパターン寸法誤差および/またはパターン位置決め誤差の所期の分布を露光フィールドに亘って取得することと、パターン寸法および/またはパターン位置のサンプリング方式に従った測定を使用した所期の分布の特徴付けの所望の正確性に基づいてサンプリング方式を決定することと、を備える。
項目45:
少なくともサブフィールドを備える基板上の露光フィールドにパターン形成するように構成されるリソグラフィ装置を制御するための方法であって、基板上の第1層と関連する性能パラメータの露光フィールドの少なくともサブフィールドに亘る空間変動と関連する初期空間プロファイルを取得することと、初期空間プロファイルを、少なくとも、第1空間スケールでリソグラフィ装置を制御するための第1要素空間プロファイル、および、サブフィールドのサイズと関連する第2空間スケールでリソグラフィ装置を制御するための第2要素空間プロファイルに分解することと、を備える。分解することは、性能パラメータのサブフィールドに亘る空間変動の補正に基づいて、第1および第2要素空間プロファイルを共に最適化することを備える。
項目46:
共に最適化することは更に結像品質メトリックに基づく、項目45に記載の方法。
項目47:
前記初期空間プロファイル取得するステップは、ダイ内測定データおよびグローバル測定データを取得することを備え、前記ダイ内測定データは、少なくとも前記初期空間プロファイルを備え、前記分解するステップは、ダイ内測定データを、グローバル要素を備える前記第1要素空間プロファイルおよびサブフィールド要素を備える前記第2要素空間プロファイルに分解することを備え、前記共に最適化するステップは、グローバル要素、サブフィールド要素、既知のリソグラフィ装置制御特性を使用することを備える、項目45または46に記載の方法。
項目48:
共に最適化されたグローバル要素およびサブフィールド要素に基づいて、リソグラフィ装置にグローバル制御入力およびサブフィールド制御入力を供給することを更に備える、項目47に記載の方法。
項目49:
性能パラメータは、一または複数の他の層に対する第1層のオーバーレイを備える、または、に関する、項目45から48のいずれかに記載の方法。
項目50:
性能パラメータはエッジ配置誤差を備える、項目45から49のいずれかに記載の方法。
項目51:
前記第1要素空間プロファイルは、前記初期空間プロファイル内に含まれる値の範囲より小さい範囲内の値に制限される、項目45から50のいずれかに記載の方法。
項目52:
共に最適化することは、前記第1要素空間プロファイルをリソグラフィ装置の駆動可能範囲内に移動させることに更に基づく、項目45から51のいずれかに記載の方法。
項目53:
少なくとも第1要素空間プロファイルに関する一または複数の第1補正項および第2要素空間プロファイルに関する一または複数の第2補正項についての性能パラメータの補正を記述するメリット関数を取得することを更に備え、共に最適化することは、前記第1要素空間プロファイルおよび前記第2要素空間プロファイルを決定するために、メリット関数を反復的に解くことに基づく、項目45から52のいずれかに記載の方法。
項目54:
前記共に最適化することは、初期空間プロファイルと関連する移動平均、移動標準偏差、移動平均および移動標準偏差の組合せの少なくともいずれかの最適化に更に基づく、項目45から53のいずれかに記載の方法。
項目55:
前記初期空間プロファイルは既知のダイ内応力フィンガープリントから得られる、項目45から54のいずれかに記載の方法。
項目56:
サブフィールドは単一のダイまたはその機能領域に関する、項目45から55のいずれかに記載の方法。
項目57:
前記第1要素空間プロファイルは、リソグラフィ装置内のステージ位置決め制御およびリソグラフィ装置内の投影レンズ制御の一方または両方の制御において使用される、項目45から56のいずれかに記載の方法。
項目58:
適切な装置で実行された時に項目45から57のいずれかに記載の方法を実行可能なプログラム命令を備えるコンピュータプログラム。
項目59:
項目58に記載のコンピュータプログラムを保持する非一時的コンピュータプログラム保持装置。
項目60:
第1要素空間プロファイルは第1層にパターン形成する第1露光と関連し、第2要素空間プロファイルは第1層にパターン形成するための第2露光と関連する、項目35に記載の方法。
項目61:
第1要素空間プロファイルは第1露光と関連する第1レチクルと関連し、第2空間プロファイルは第2露光と関連する第2レチクルと関連する、項目60に記載の方法。
項目62:
第1露光はレチクル上のサブフィールドまたはダイの第1グループと関連し、第2露光は前記レチクルまたは他のレチクル上のサブフィールドまたはダイの第2グループと関連する、項目60に記載の方法。
項目63:
第1および第2レチクルは、制御要求が無いまたは低減されたサブフィールドと関連する第1ダイ領域、および、制御要求が適用される第2ダイ領域を備える、項目61に記載の方法。
項目64:
第1レチクル上の第1ダイ領域は、第2レチクル上の第1ダイ領域とは異なるサブフィールドと関連する、項目63に記載の方法。
項目65:
露光フィールド上にパターンを露光するためのリソグラフィプロセスを制御するための方法であって、性能パラメータの露光フィールドに亘る空間変動と関連する初期空間プロファイルを取得することと、初期空間プロファイルを、少なくとも、第1露光ステップにおいて第1サブフィールド群に亘って性能パラメータの空間変動を補正するためにリソグラフィ装置を制御するための第1要素空間プロファイル、および、第2露光ステップにおいて第2サブフィールド群に亘って性能パラメータの空間変動を補正するためにリソグラフィ装置を制御するための第2要素空間プロファイルに分解することと、を備える。第1および第2要素空間プロファイルを使用してそれぞれに対応する露光ステップ中にリソグラフィプロセスを制御することは、露光フィールドに亘る性能パラメータの空間変動を軽減する。
項目66:
第1サブフィールド群および第2サブフィールド群は、レチクルまたはマスク等のパターニングデバイス上のダイのレイアウトと関連する、項目65に記載の方法。
項目67:
第1サブフィールド群は第1パターニングデバイスと関連し、第2サブフィールド群は第2パターニングデバイスと関連する、項目65または66に記載の方法。
項目68:
第1サブフィールド群および第2サブフィールド群は、パターニングデバイス上のダイのレイアウトと関連し、第2サブフィールド群は、リソグラフィプロセスにおいて使用される基板に対するパターニングデバイスの、第1サブフィールド群と関連する基板に対するパターニングデバイスの位置とは異なる位置と関連する、項目65または66に記載の方法。
項目69:
リソグラフィプロセスを制御することは、リソグラフィプロセス中に使用されるリソグラフィ装置のステージおよび/または投影レンズアクチュエータを制御することを含む、項目65から68のいずれかに記載の方法。
項目70:
第1サブフィールド群は、パターニングデバイス上のダイの第1グループと関連し、第2サブフィールド群は、前記または他のパターニングデバイス上のダイの第2グループと関連し、パターニングデバイスに対するダイの第1グループの相対位置は、前記または他のパターニングデバイスに対するダイの第2グループの位置に対してインターレースされている、項目65または66に記載の方法。
項目71:
制御インターフェイスを備えるリソグラフィツールであって、制御インターフェイスは、露光フィールド内に含まれるサブフィールドのサブセットの定義と関連する情報を受け取るように構成され、前記サブセットは、露光ステップにおいてリソグラフィツールによって露光される予定のサブフィールドと関連する。
Claims (20)
- 少なくともサブフィールドを備える基板上の露光フィールドにパターン形成するように構成されるリソグラフィ装置を制御するための方法であって、
基板上の第1層と関連する性能パラメータの露光フィールドの少なくとも前記サブフィールドに亘る空間変動と関連する初期空間プロファイルを取得することと、
初期空間プロファイルを、少なくとも、第1空間スケールで前記サブフィールドについてリソグラフィ装置を制御するための第1要素空間プロファイル、および、前記サブフィールドのサイズと関連する第2空間スケールで前記サブフィールドについてリソグラフィ装置を制御するための第2要素空間プロファイルに分解することと、
を備え、
分解することは、性能パラメータのサブフィールドに亘る空間変動の補正に基づいて、第1および第2要素空間プロファイルを共に最適化することを備える、
方法。 - 共に最適化することは更に結像品質メトリックに基づく、請求項1に記載の方法。
- 前記初期空間プロファイルを取得することは、ダイ内測定データおよびグローバル測定データを取得することを備え、
前記ダイ内測定データは、少なくとも前記初期空間プロファイルを備え、
前記分解することは、ダイ内測定データを、グローバル要素を備える前記第1要素空間プロファイルおよびサブフィールド要素を備える前記第2要素空間プロファイルに分解することを備え、
前記共に最適化することは、グローバル要素、サブフィールド要素、既知のリソグラフィ装置制御特性を使用することを備える、
請求項1に記載の方法。 - 共に最適化されたグローバル要素およびサブフィールド要素に基づいて、グローバル制御入力およびサブフィールド制御入力をリソグラフィ装置に供給することを更に備える、請求項3に記載の方法。
- 性能パラメータは、一または複数の他の層に対する第1層のオーバーレイを備える、または、に関する、請求項1に記載の方法。
- 性能パラメータはエッジ配置誤差を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記第1要素空間プロファイルは、前記初期空間プロファイル内に含まれる値の範囲より小さい範囲内の値に制限される、請求項1に記載の方法。
- 共に最適化することは、前記第1要素空間プロファイルをリソグラフィ装置の駆動可能範囲内に移動させることに更に基づく、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも第1要素空間プロファイルに関する一または複数の第1補正項および第2要素空間プロファイルに関する一または複数の第2補正項についての性能パラメータの補正を記述するメリット関数を取得することを更に備え、
共に最適化することは、前記第1要素空間プロファイルおよび前記第2要素空間プロファイルを決定するためにメリット関数を反復的に解くことに基づく、
請求項1に記載の方法。 - 前記共に最適化することは、初期空間プロファイルと関連する移動平均、移動標準偏差、移動平均および移動標準偏差の組合せの少なくともいずれかの最適化に更に基づく、請求項1に記載の方法。
- 前記初期空間プロファイルは既知のダイ内応力フィンガープリントから得られる、請求項1に記載の方法。
- サブフィールドは単一のダイまたはその機能領域に関する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1要素空間プロファイルは、リソグラフィ装置内のステージ位置決め制御およびリソグラフィ装置内の投影レンズ制御の一方または両方の制御において使用される、請求項1に記載の方法。
- 第1要素空間プロファイルは第1層にパターン形成する第1露光と関連し、第2要素空間プロファイルは第1層に更にパターン形成する第2露光と関連する、請求項1に記載の方法。
- 第1要素空間プロファイルは第1露光と関連する第1レチクルと関連し、第2空間プロファイルは第2露光と関連する第2レチクルと関連する、請求項14に記載の方法。
- 少なくともサブフィールドを備える基板上の露光フィールドにパターン形成するように構成されるリソグラフィ装置を制御可能なプログラム命令を備えるコンピュータプログラムであって、
プログラム命令は、
基板上の第1層と関連する性能パラメータの露光フィールドの少なくとも前記サブフィールドに亘る空間変動と関連する初期空間プロファイルを取得することと、
初期空間プロファイルを、少なくとも、第1空間スケールで前記サブフィールドについてリソグラフィ装置を制御するための第1要素空間プロファイル、および、前記サブフィールドのサイズと関連する第2空間スケールで前記サブフィールドについてリソグラフィ装置を制御するための第2要素空間プロファイルに分解することと、
を実行可能に構成され、
分解することは、性能パラメータのサブフィールドに亘る空間変動の補正に基づいて、第1および第2要素空間プロファイルを共に最適化することを備える、
コンピュータプログラム。 - 共に最適化することは更に結像品質メトリックに基づく、請求項16に記載のコンピュータプログラム。
- 前記初期空間プロファイル取得する命令は、ダイ内測定データおよびグローバル測定データを取得し、
前記ダイ内測定データは、少なくとも前記初期空間プロファイルを備え、
前記初期空間プロファイルを分解する命令は、ダイ内測定データを、グローバル要素を備える前記第1要素空間プロファイルおよびサブフィールド要素を備える前記第2要素空間プロファイルに分解し、
前記共に最適化することは、グローバル要素、サブフィールド要素、既知のリソグラフィ装置制御特性を使用することに基づく、
請求項16に記載のコンピュータプログラム。 - 共に最適化することは、前記第1要素空間プロファイルをリソグラフィ装置の駆動可能範囲内に移動させることに更に基づく、請求項16に記載のコンピュータプログラム。
- 請求項16に記載のコンピュータプログラムを保持する非一時的コンピュータプログラム保持装置。
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