JP4783381B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態1では、液晶表示装置に使用されるLCD(Liquid Crystal Display)ドライバ(半導体装置)の製造方法について説明する。
前記実施の形態1では、縦方向のダイシングライン群と横方向のダイシングライン群の両方をステップカットで形成する例について説明した。本実施の形態2では、縦方向あるいは横方向のいずれか一方のダイシングライン群(第2ダイシングライン群)をシングルカットで形成し、他方のダイシングライン群(第1ダイシングライン群)をステップカットで形成する場合について説明する。
Claims (23)
- 半導体装置の製造方法であって、
(a)半導体ウェハの第1方向に沿ってダイシングすることにより複数の第1ダイシングラインからなる第1ダイシングライン群を形成する工程と、
(b)前記第1方向と直交する第2方向に沿って前記半導体ウェハをダイシングすることにより複数の第2ダイシングラインからなる第2ダイシングライン群を形成する工程と、を有し、
前記(a)工程は、前記半導体ウェハの外部からダイシングを開始し、前記半導体ウェハを切断した後、前記半導体ウェハの外部でダイシングを終了し、
前記(b)工程は、
(b1)前記半導体ウェハの外部からダイシングを開始し、前記半導体ウェハを切断した後、前記半導体ウェハの外部でダイシングを終了する工程と、
(b2)前記半導体ウェハの外部からダイシングを開始し、前記半導体ウェハの内部でダイシングを終了する工程と、を有し
前記(b2)工程は、前記半導体ウェハ内にある矩形形状をしたチップ領域の一辺を切断した後、前記半導体ウェハの外周部に形成される略三角形状の異形外周部を切断する前にダイシングを終了する半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記(b2)工程は、前記半導体ウェハの外周部に形成される略三角形状の前記異形外周部に達する前にダイシングを終了する。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハの外周部に形成される複数の前記異形外周部のうち、切断された場合に前記半導体ウェハ上に飛散するものについては、前記(b2)工程を実施して切断する前にダイシングを終了する。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法であって、
切断された場合に前記半導体ウェハ上に飛散する前記異形外周部は、ダイシングを行なうブレードが前記半導体ウェハを切り抜ける際に通過する前記半導体ウェハの外周部に形成されているものである。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記(a)工程を実施した後、前記(b)工程を実施する。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2ダイシングライン群のうち一部は、前記(b1)工程を実施することにより形成し、前記第2ダイシングライン群のうち他の一部は、前記(b2)工程を実施することにより形成する。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2ダイシングライン群のうち、前記(b1)工程を実施すると前記異形外周部を切断してしまうダイシングラインに対してだけ前記(b2)工程を実施し、それ以外のダイシングラインに対しては前記(b1)工程を実施する。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記(a)工程は、前記第1ダイシングライン群に含まれる前記複数の第1ダイシングラインのそれぞれを2段階の工程で形成し、前記(b)工程は、前記第2ダイシングライン群に含まれる前記複数の第2ダイシングラインのそれぞれを2段階の工程で形成する。 - 請求項8記載の半導体装置の製造方法であって、
前記2段階の工程は、
(c)前記半導体ウェハの厚さの途中まで切り込みを入れる工程と、
(d)途中まで切り込みを入れた前記半導体ウェハを切断して1つのダイシングラインを形成する工程からなる。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法であって、
前記(c)工程は、前記半導体ウェハを第1の幅で切り込み、
前記(d)工程は、前記第1の幅よりも狭い第2の幅で前記半導体ウェハを切断する。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2ダイシングライン群のうち一部のダイシングラインを形成する際、
前記(c)工程は、前記半導体ウェハの外部から処理を開始し、前記半導体ウェハに切り込みを入れた後、前記半導体ウェハの外部で処理を終了することにより実施し、
前記(d)工程は、前記半導体ウェハの外部から処理を開始し、前記半導体ウェハの内部で処理を終了することにより実施する。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法であって、
前記一部のダイシングラインは、前記(d)工程における前記半導体ウェハの切断を前記半導体ウェハの外部で終了するとした場合に、前記半導体ウェハの外周部に形成される前記異形外周部を切断するものである。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法であって、
前記(d)工程は、前記半導体ウェハの外周部に形成される前記異形外周部に達する前に前記半導体ウェハの切断を終了する。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記(a)工程は、前記第1ダイシングライン群に含まれる前記複数の第1ダイシングラインのそれぞれを2段階の工程で形成し、
前記(b)工程は、前記第2ダイシングライン群に含まれる前記複数の第2ダイシングラインのそれぞれを1段階の工程で形成する。 - 請求項14記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1ダイシングライン群に含まれる前記複数の第1ダイシングラインの間隔と、前記第2ダイシングライン群に含まれる前記複数の第2ダイシングラインの間隔とは異なるものである。 - 請求項15記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2ダイシングライン群に含まれる前記複数の第2ダイシングラインの間隔は、前記第1ダイシングライン群に含まれる前記複数の第1ダイシングラインの間隔よりも狭いものである。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
さらに、前記第1ダイシングライン群および前記第2ダイシングライン群を形成した前記半導体ウェハにおいて、前記第1ダイシングライン群に含まれる前記複数の第1ダイシングラインの幅および前記第2ダイシングライン群に含まれる前記複数の第2ダイシングラインの幅を拡張する工程を備える。 - 請求項17記載の半導体装置の製造方法であって、
さらに、前記複数の第1ダイシングラインの幅および前記複数の第2ダイシングラインの幅を拡張した前記半導体ウェハから、前記複数の第1ダイシングラインおよび前記複数の第2ダイシングラインで区分けされた複数の半導体チップを取得する工程を備える。 - 請求項18記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の半導体チップのそれぞれは、長方形の形状をしている。 - 請求項19記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の半導体チップのそれぞれは、短辺の長さと長辺の長さの比が1対8から1対12である。 - 請求項19記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の半導体チップのそれぞれは、長辺の長さが5mm以上である。 - 請求項18記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の半導体チップのそれぞれは、LCDドライバに使用されるものである。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハは、裏面にダイシングテープを貼り付けた状態でダイシングが行なわれ、前記半導体ウェハの裏面は研削されていない。
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