JP4778150B2 - ZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法およびZnTe系化合物半導体単結晶 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法に関し、特にZnTe系化合物半導体単結晶を高抵抗化させる技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、ZnTe系化合物半導体単結晶は、純緑色の光発光素子に利用できる結晶として期待されており、光発光素子としての発光特性を高めるために結晶の導電性を高める工夫がなされている。一般的には、ZnTe系化合物半導体単結晶の導電性を高める方法として、リンや砒素などの不純物を結晶中に1017cm−3以上添加する方法が行われている。このようにして、光発光素子の発光特性を向上させるために導電性を高めたZnTe系化合物半導体単結晶が開発されたが、これは光発光素子の材料としてのみ使用される。
【0003】
つまり、使用目的によって要求される結晶の特性は異なり、例えば、テラヘルツ以上の超高周波の発振あるいは受信等に使用される電気光信号変換素子(以下、E/O素子と称する)には、比較的抵抗の高いZnTe系化合物半導体単結晶が使用される。
【0004】
ところで、一般にZnTe系化合物半導体単結晶は、石英のアンプル内の一端に原料となるZnTe多結晶を配置し、該ZnTe多結晶を加熱して融点近くの温度で昇華させるとともに石英アンプルの反対側に配置された基板上にZnTe単結晶を析出させる気相成長方法により成長させることが多い。この方法によれば、最大で20mm×20mm程度の矩形状のZnTe単結晶基板が得られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、気相成長法によるZnTe結晶育成中に所望の不純物を添加することは難しいので、ZnTe結晶の抵抗率を制御することができないという不具合があった。また、気相成長法ではZnTe結晶の成長速度が著しく遅いために十分な大きさの単結晶を得ることが困難であるという欠点があった。このような理由から、気相成長法によるZnTe化合物半導体単結晶の製造は、工業生産方法としては実用的でなかった。
【0006】
また、気相成長法により比較的大きなZnTe化合物半導体単結晶を成長させ20mm×20mm程度の基板が収得出来たとしても、基板自体が非常に高価なものとなるため、ZnTe化合物半導体単結晶を用いた素子開発の障壁になるという問題もあった。
【0007】
このような理由から、気相成長法によりテラヘルツ以上の超高周波の発振あるいは受信等に使用されるE/O素子の開発に必要な高抵抗のZnTe系化合物半導体単結晶を容易に得ることは困難であった。
【0008】
一方、ZnTe以外の化合物半導体の場合は大型の結晶を成長させる方法として、チョクラルスキー法、液体封止チョクラルスキー法(LEC法)、ブリッジマン法、垂直グラジエントフリージング法(VGF法)などが一般的に用いられる。
【0009】
これらのうち、LEC法やブリッジマン法は結晶育成時に不純物を添加することが可能であるため、不純物の添加により結晶の導電性を制御することが容易であるという利点があるので、GaAsなどの化合物半導体単結晶の工業的な生産方法として用いられている。しかし、これらの方法を用いて大型のZnTe化合物半導体単結晶が育成された例はほとんど無かった。
【0010】
そこで、本発明者らは大型のZnTe化合物半導体単結晶を育成する方法としてVGF法を利用した製法に着目して開発を進めた結果、直径80mm径の単結晶を作製するのに成功した。しかし、不純物を添加しない通常の結晶育成方法で得られる結晶の抵抗率は10Ωcm程度であるため、テラヘルツ検出等のE/O素子の材料として使用するには抵抗率が不十分であった。
【0011】
また、VGF法を利用した製法においてZnTe化合物半導体単結晶の純度を従来以上に上げる工夫を試みたが、化合物半導体では結晶内の固有欠陥の発生を抑制することが困難であることから、結晶の純度向上により高抵抗化を達成することはできなかった。
【0012】
このように、これまでに大型で且つ高抵抗のZnTe系化合物半導体単結晶を育成した事例はほとんど無く、E/O素子の材料として使用できるZnTe単結晶を得ることは容易ではなかった。
【0013】
本発明は上記問題点を解決するための方策を提案するもので、大型で且つ高抵抗のZnTe系化合物半導体単結晶の育成を可能にする化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、ZnTeあるいはZnTeを含む三元以上のZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法において、Al,Ga,In等の周期表3B族元素のいずれか一種類以上の元素またはCl,Br,I等のハロゲン元素のいずれか一種類以上の元素を不純物として結晶育成中に添加するようにした。
【0015】
これにより、ZnTe系化合物半導体単結晶を高抵抗化することができる。 すなわち、ZnTe系化合物半導体単結晶等のII−VI族化合物半導体単結晶が有する自己補償効果と呼ばれる作用を利用して、添加した不純物を電気的に補償するような空孔を発生させることにより高抵抗化が実現される。
【0016】
特に、化合物半導体単結晶原料を加熱融解した後、原料融液を徐々に冷却することにより化合物半導体単結晶を育成する融液成長法または溶液成長法を利用して、前記不純物を化合物半導体原料を入れる容器内に前記原料とともに投入して加熱融解することにより添加するとよい。例えば、チョクラルスキー法、液体封止チョクラルスキー法(LEC法)、ブリッジマン法、垂直グラジエントフリージング法(VGF法)などを利用することができる。
【0017】
さらに、前記不純物をZnTe系化合物半導体単結晶中の前記不純物濃度を5×1015〜1×1019cm−3とする量だけ添加するようにした。これにより、1000Ωcm以上の高抵抗のZnTe系化合物半導体単結晶を製造することができる。
【0018】
また望ましくは、前記不純物をZnTe系化合物半導体単結晶中の前記不純物濃度を1×1016〜1×1018cm−3とする量だけ添加するのがよい。これにより、105Ωcm以上の高抵抗のZnTe系化合物半導体単結晶を製造することができる。
【0019】
前記した製造方法により製造されたZnTe系化合物半導体単結晶は、抵抗率が1000Ωcm以上となるので、テラヘルツ以上の超高周波の発振あるいは受信等に使用されるE/O素子の材料とすることにより、高性能のE/O素子を作成することができる。
【0020】
以下に、本発明者らが本発明を完成するに至った過程について説明する。まず、半導体結晶の抵抗率は式(1)で表すことができる。
ρ=1/e(nμn+pμp)・・式(1)
ρ:抵抗率
e:電荷
n:電子濃度
p:正孔濃度
μn:電子移動度
μp:正孔移動度
【0021】
式(1)より、キャリア濃度(電子濃度nあるいは正孔濃度p)以外の項目はコントロールすることが出来ないが、キャリア濃度をコントロールすることで結晶の抵抗率を所望の値とすることができる。しかも、キャリア濃度は結晶中の不純物濃度によって変動することが知られているので、キャリア濃度は比較的容易にコントロールできる。例えば、Siなどのような単元素からなる半導体では、結晶中のキャリア濃度に影響する不純物濃度を極限まで下げることによって高抵抗化が成されている。
【0022】
また、式(1)より抵抗率ρが最も高くなるように不純物濃度を極限まで下げた場合、キャリア濃度は半導体の伝導帯と価電子帯の間のエネルギー差(エネルギーギャップEG)によって決まることが知られており、式(2)のように表すことができる。
【0023】
n=αT3/2exp(−EG/2kT)・・式(2)
α:物質固有の定数
T:温度(K)
EG:エネルギーギャップ
k:ボルツマン定数
【0024】
これらの式(1)、(2)より室温におけるZnTeの抵抗率は、エネルギーギャップEGが2.26eVであることから計算上1010Ωcm以上となるので、半絶縁性のZnTe単結晶を得ることは理論上可能である。
【0025】
しかし、一般に化合物半導体はSiやGeなどの単元素からなる単結晶ように結晶を高純度化することは困難である。そのうえ、結晶の熱力学的安定性を増加させるために構成元素の抜けた個所に点欠陥が容易に発生してしまい、この点欠陥に起因した電子あるいは正孔の発生によって電気伝導性が影響を受け、抵抗率が低下してしまう。このような理由からも化合物半導体単結晶を高抵抗化することは困難とされていた。
【0026】
そこで、化合物半導体では結晶中にエネルギーギャップの中心に近い位置にエネルギーレベルを作る不純物を添加することによって、電子と正孔の再結合を促進させることでキャリア濃度を減少させ高抵抗化を図る手法が採られている。特にII−VI族化合部半導体では、自己補償効果と呼ばれる作用によって添加した不純物を電気的に補償するような空孔が発生し、結晶が高抵抗化することが知られており、例えばCdTeなどでは不純物の添加によって結晶の高抵抗化が実現されている。
【0027】
このようなことから、CdTeと同様II−VI族化合物半導体であるZnTeの場合も不純物の添加によって高抵抗化が可能であると考えられるが、ZnTeについて系統的に高抵抗化の試みが成された事例はなかった。
【0028】
そこで本発明者らは、従来より開発中のVGF法を用いてZnTe単結晶を育成させ、育成中に適当な不純物を添加することで高抵抗のZnTe単結晶を得る方法について鋭意研究を重ねた。
【0029】
初めに、本発明者らはVGF法により育成した十数個のアンドープZnTe単結晶のキャリア濃度を調べ、その全ての結晶でキャリア濃度が5×1015〜10×1015cm−3の範囲にあることを確認した。一般にZnTe化合物半導体単結晶の導電型がp型であることから、原料中に含まれるp型の残留不純物かあるいは結晶成長時に発生したZnの空孔が導電性に影響すると考えられるが、上記したように不純物を添加しない場合は比較的再現性良く同程度のキャリア濃度を有する結晶が得られたことから、抵抗率も同程度となることが判明した。
【0030】
次に、添加する不純物の種類及び濃度が抵抗率にどのような影響を与えるのかを調べるため、ZnTe化合物半導体単結晶に対してn型の不純物となるAl、Ga、In等の周期表3B属元素やCl、Br、I等のハロゲン元素を、結晶中の不純物濃度が1×1015cm−3〜1×1019cm−3となるように所定の量だけ添加し、結晶育成を行った。
【0031】
この結果、ZnTe化合物半導体単結晶内の不純物濃度が少なくとも5×1015cm−3以上である場合に結晶の抵抗率が1000Ωcm以上となることを見いだした。また、前記不純物の添加量が増加するにつれて結晶の抵抗率が増加する傾向が見られ、ZnTe単結晶内の不純物濃度が1×1016cm−3のときには抵抗率が105Ωcm以上となることを見いだした。また、ZnTe単結晶内の不純物濃度が1×1018cm−3以上となるように不純物を添加した場合、結晶の光透過率が減少することも判明した。
【0032】
以上のことから、Al、Ga、In等の周期表3B属元素やCl、Br、I等のハロゲン元素を所定の量だけ添加して、結晶育成を行うことにより、大型で高抵抗のZnTe化合物半導体単結晶を得ることが可能であるとの知見を得て本発明を完成するに至った。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0034】
図1はVGF法を用いて結晶成長させたときの結晶成長の様子を表す状態遷移図であり、図2はルツボ内の概略的な温度変化を表す時間−温度グラフである。
【0035】
まず図1(a)のように、底部が円錐形のルツボ110内にZn10とTe20を等モル比となるように入れ、さらに、Al、Ga、In等の周期表3B属元素もしくはCl、Br、I等のハロゲン元素のいずれか一種類からなる不純物30を添加し、ルツボ110の上方から封止剤(B2O3)で封止する。このときに添加する不純物の量により、成長させるZnTe単結晶の抵抗率をコントロールすることができる。
【0036】
次に、該ルツボを高圧炉内の所定の場所に設置し、所定の圧力のもと炉内を不活性ガスで満たす。その後、高圧炉内のヒータで前記ルツボを加熱し(図2(A))、封止剤で原料表面を抑えながらZnとTeを直接合成させる。
【0037】
所定の温度に達した後、一定時間保持する(図2(B))ことによりZnTe原料は図1(b)のように融解されZnTe原料融液60となる。
【0038】
次に、融液の温度勾配を一定に保ちながら、図2(C)に示すように徐々にルツボ全体の温度を下げることにより結晶育成を開始させ、ZnTe原料融液の一端(図1では底部)から結晶化させてZnTe単結晶70を得る(図1(c))。そのまま、さらに温度を下げることにより図1(d)のようにZnTe原料融液をすべて結晶化させ育成が終了した後、図2(D)に示すように例えば100℃/hの降温速度でルツボ全体を冷却してZnTe単結晶の製造が完了する。
【0039】
なお、上記実施の形態においては、本発明をVGF法によるZnTe単結晶の育成に適用した場合について述べたが、LEC法やVB法などVGF法以外の融液成長法あるいは溶液成長法にも適用可能であることは言うまでもない。
【0040】
【実施例】
以下に、本実施の形態に基づく実施例を具体的に示し、本発明の特徴とするところを明かにする。図3は、本発明をVGF法に適用した際に使用される結晶成長炉の概略図である。
【0041】
本実施形態の結晶成長炉は、内壁に断熱材150を設けられた高圧容器160と、該高圧容器160内に設けられた上段ヒータ130、下段ヒータ140とで構成され、円錐形の底部を有する成長容器としてのpBN製のルツボ110が支持具120の上部に設けられた支持台に配置される。
【0042】
なお、高圧容器160にはガス導入管を介してガスを導入する導入口(図示しない)が設けられている。また、断熱材150はグラファイトフェルト製で、保温性に優れ高圧容器内の熱効率をよくするのに有効である。さらに、ルツボ110は蓋170により密閉され、該蓋170にはルツボ内の圧力を高圧容器内の圧力と同じにするため通気口(図示しない)が穿設されている。
【0043】
まず、原料のZnとTeが等モル比となるようにルツボ110内に99.9999%のZnを360g、Teを702g入れた。さらに、不純物として0.04gのInを入れ、それらの上を適量の封止剤(B2O3)で覆った。このInの添加量を適当に調節することにより、所望の抵抗率を有するZnTe化合物半導体単結晶を成長させることができる。
【0044】
次に、前記ルツボ110を高圧容器160内の支持具120の上部に配置し、炉内を不活性ガスN2で満たして所定の圧力となるように調整した。そして、封止剤で原料表面を抑えながら上段ヒータ130で該ルツボを加熱し、ZnとTeを直接合成させた。
【0045】
その後、原料を融解し一定時間保持した後、融液の温度勾配を維持しながら、一定の成長速度となるように徐々に全体の温度を下げ、融液の一端より結晶化させた。そして、さらに温度を下げることによりZnTe融液をすべて結晶化させた後、加熱炉全体を100℃/hの降温速度で冷却し、室温近くまで冷えた時点で加熱炉内からZnTe単結晶を取り出した。
【0046】
得られた結晶は、直径80mmで全長40mmのZnTe単結晶であり、結晶中のIn濃度は3×1016cm−3であり、抵抗率は1×106Ωcmであった。同様の方法により、添加する不純物の種類及び濃度を変えて結晶育成を試みたところ、結晶中の不純物濃度が5×1015cm−3以上の場合に1000Ωcm以上の高抵抗の単結晶を得ることができた。さらに、結晶中の不純物濃度を5×1016cm−3以上とした場合には、抵抗率は107Ωcm以上となった。
【0047】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例えば、上記各実施例では、VGF法によるZnTe化合物半導体単結晶の製造を例に挙げて説明したが、本発明はVGF法の他に大型の単結晶が得られる可能性のある融液成長法あるいは溶液成長法においても有効である。
【0048】
また、ZnTe化合物半導体単結晶に限らず、ZnTeを含む三元以上のZnTe系化合物半導体単結晶の製造においても本発明を適用することにより高抵抗単結晶を得ることができる。
【0049】
【発明の効果】
本発明によれば、ZnTeあるいはZnTeを含む三元以上のZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法において、Al,Ga,In等の周期表3B族元素のいずれか一種類以上の元素またはCl,Br,I等のハロゲン元素のいずれか一種類以上の元素を不純物として結晶育成中に添加するようにしたので、ZnTe系化合物半導体単結晶を高抵抗化することができるという効果を奏する。すなわち、ZnTe系化合物半導体単結晶等のII−VI族化合物半導体単結晶が有する自己補償効果と呼ばれる作用を利用して、添加した不純物を電気的に補償するような空孔を発生させることにより高抵抗化が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】VGF法を用いて結晶成長させたときの結晶成長の様子を表す状態遷移図である。
【図2】ルツボ110内の概略的な温度変化を表す時間−温度グラフである。
【図3】本発明をVGF法に適用した際に使用される結晶成長炉の概略図である。
【符号の説明】
10 Zn原料
20 Te原料
30 不純物
40 B2O3封止剤
60 ZnTe原料融液
70 ZnTe化合物半導体単結晶
Claims (2)
- ZnTeあるいはZnTeを含む三元以上のZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法において、
Al,Ga,In等の周期表3B族元素のいずれか一種類以上の元素またはCl,Br,I等のハロゲン元素のいずれか一種類以上の元素を不純物として結晶育成中に添加する際に、
化合物半導体単結晶原料を加熱融解した後、原料融液を徐々に冷却することにより化合物半導体単結晶を育成する融液成長法または溶液成長法を利用して、前記不純物を、化合物半導体原料を入れる容器内に前記原料とともに投入して加熱融解することにより添加するとともに、
前記不純物を、ZnTe系化合物半導体単結晶中の前記不純物濃度を5×10 15 cm −3 以上1×10 18 cm −3 以下とする量だけ添加することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。 - 請求項1に記載の製造方法により製造されたZnTe系化合物半導体単結晶であって、抵抗率が1000Ωcm以上であることを特徴とするZnTe系化合物半導体単結晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001031766A JP4778150B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | ZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法およびZnTe系化合物半導体単結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001031766A JP4778150B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | ZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法およびZnTe系化合物半導体単結晶 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002241199A JP2002241199A (ja) | 2002-08-28 |
JP4778150B2 true JP4778150B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=18895798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001031766A Expired - Lifetime JP4778150B2 (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | ZnTe系化合物半導体単結晶の製造方法およびZnTe系化合物半導体単結晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4778150B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8288255B2 (en) | 2011-02-04 | 2012-10-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | N-type doping of zinc telluride |
US20120202340A1 (en) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | N-type doping of zinc telluride |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10152393A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-09 | Japan Energy Corp | バルク結晶の成長方法及びバルク結晶成長用種結晶 |
JP2000228541A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Japan Energy Corp | 光電変換機能素子 |
US6791257B1 (en) * | 1999-02-05 | 2004-09-14 | Japan Energy Corporation | Photoelectric conversion functional element and production method thereof |
-
2001
- 2001-02-08 JP JP2001031766A patent/JP4778150B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002241199A (ja) | 2002-08-28 |
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Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080204 |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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