JP4752914B2 - 弾性波フィルタ装置 - Google Patents

弾性波フィルタ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4752914B2
JP4752914B2 JP2008549228A JP2008549228A JP4752914B2 JP 4752914 B2 JP4752914 B2 JP 4752914B2 JP 2008549228 A JP2008549228 A JP 2008549228A JP 2008549228 A JP2008549228 A JP 2008549228A JP 4752914 B2 JP4752914 B2 JP 4752914B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
elastic wave
wave resonator
filter device
band
acoustic wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008549228A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2008072439A1 (ja
Inventor
康政 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2008549228A priority Critical patent/JP4752914B2/ja
Publication of JPWO2008072439A1 publication Critical patent/JPWO2008072439A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4752914B2 publication Critical patent/JP4752914B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6483Ladder SAW filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

本発明は、例えば弾性表面波フィルタや弾性境界波フィルタを用いた弾性波フィルタ装置に関し、より詳細には、トラップ帯域の低域側に通過帯域を有する弾性波フィルタ装置に関する。
従来、通信機器の帯域フィルタとして弾性表面波装置や弾性境界波装置などの弾性波を利用したフィルタ装置が種々提案されている。例えば、携帯電話機のRF段の帯域フィルタとして、弾性表面波装置が広く用いられている。
近年、地上波デジタルテレビジョン放送が普及してきている。地上波デジタル放送では、1つのチャンネルは13のセグメントに分割されており、1つのチャンネル中央に配置された1つのセグメントが携帯電話機向けの送信帯域として用いられている。この1つのセグメントを用いた放送はいわゆるワンセグ放送と称されており、その送信帯域は470MHz〜770MHzである。
他方、携帯電話機の送信帯域としては、方式や通信会社によっても異なるが、830〜845MHzもしくは898MHz〜924MHzなどの800MHz以上の帯域、1.7GHzの帯域、あるいは1.9GHzの帯域などが用いられている。携帯電話機において、ワンセグ放送を受信したり、さらには録画したりする機能が備えられていることがある。このような携帯電話機において、電話の送信と、ワンセグ放送の受信・録画等とを同時に行った場合、送信電波の影響により受信された映像が乱れるおそれがある。そこで、上記携帯電話の送信帯域がトラップ帯域であり、かつトラップ帯域の低域側に通過帯域を有する、帯域阻止型のフィルタが求められている。
下記の特許文献1には、帯域阻止型の弾性表面波フィルタ装置の一例が開示されている。図14は、特許文献1に記載の弾性表面波フィルタ装置の回路構成を示す図である。
弾性表面波フィルタ装置501は、入力端子502と、出力端子503とを有する。入力端子502と出力端子503とを結ぶ直列腕に、インダクタ504が挿入されている。そして、インダクタ504の一端とグラウンド電位との間に、弾性表面波共振子505が接続されており、インダクタ504の他端とグラウンド電位との間に、弾性表面波共振子506が接続されている。すなわち、インダクタ504と、2つの弾性表面波共振子505,506とからなるπ型のフィルタ回路が構成されている。
弾性表面波フィルタ装置501では、目的とするフィルタ特性の減衰帯域に弾性表面波共振子505,506の共振周波数を配置し、共振周波数における電気信号をグラウンド電位に落とすことにより、減衰特性が得られている。すなわち、弾性表面波共振子505,506の共振周波数において、トラップ帯域が構成されている。
特開2004−129238号公報
弾性表面波装置501では、弾性表面波共振子505,506の共振周波数は、トラップが設けられる周波数域に配置され、それによって上記トラップ帯域が形成されている。しかしながら、共振周波数の電気信号がグラウンド電位に落とされるまでには、該電気信号は、弾性表面波フィルタ装置501を構成している圧電基板やパッケージ上において、共通インダクタンス成分を有する。従って、弾性表面波共振子505,506を通して、信号が漏洩し、トラップ帯域において十分な減衰特性を得ることができなかった。従って、例えば、前述したワンセグ放送の受信機能を備えた携帯電話機において、ワンセグ放送受信段の帯域阻止型のフィルタとして用いた場合、ワンセグ放送受信時や録画時に、携帯電話機の送信電波を確実に減衰させることが困難であった。
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、通過帯域近傍におけるトラップ帯域の減衰特性が急峻であり、かつ大きな減衰量を得ることを可能とする弾性波フィルタ装置を得ることにある。
願の第1の発明は、トラップ帯域と、該トラップ帯域の低域側に通過帯域を有する弾性波フィルタ装置であって、入力端と出力端とを有し、入力端と出力端とを結ぶ直列腕において、直列に接続されている複数のインダクタと、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている複数の第1の弾性波共振子とを備え、前記複数のインダクタの内の少なくとも1つのインダクタと、該少なくとも1つのインダクタの両端とグラウンド電位との間にそれぞれ接続された前記第1の弾性波共振子とからなるフィルタ回路が、前記入力端から出力端に向かって複数構成されており、前記直列腕に挿入された第2の弾性波共振子をさらに備え、前記複数のフィルタ回路が隣り合う部分の少なくとも1箇所において該第2の弾性波共振子により隣り合うフィルタ回路が電気的に接続されており、前記トラップ帯域が前記第1の弾性波共振子の共振周波数により形成され、前記第2の弾性波共振子の***振周波数が前記トラップ帯域に位置しており、前記複数の第1の弾性波共振子の内、少なくとも1つの第1の弾性波共振子の共振周波数が、前記トラップ帯域外の周波数とされていることを特徴とする。また、本願の第2の発明は、トラップ帯域と、該トラップ帯域の低域側に通過帯域を有する弾性波フィルタ装置であって、入力端と出力端とを有し、入力端と出力端とを結ぶ直列腕において、直列に接続されている複数のインダクタと、前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている複数の第1の弾性波共振子とを備え、前記複数のインダクタの内の少なくとも1つのインダクタと、該少なくとも1つのインダクタの両端とグラウンド電位との間にそれぞれ接続された前記第1の弾性波共振子とからなるフィルタ回路が、前記入力端から出力端に向かって複数構成されており、前記直列腕に挿入された第2の弾性波共振子をさらに備え、前記複数のフィルタ回路が隣り合う部分の少なくとも1箇所において該第2の弾性波共振子により隣り合うフィルタ回路が電気的に接続されており、前記トラップ帯域が前記第1の弾性波共振子の共振周波数により形成され、前記第2の弾性波共振子の***振周波数が前記トラップ帯域に位置しており、前記第2の弾性波共振子の***振周波数がトラップ帯域を形成する前記第1の弾性波共振子の共振周波数より低く設定されていることを特徴とする。
本発明に係る弾性波フィルタ装置では、好ましくは、フィルタ回路同士が隣り合っている部分の全ての箇所において、前記第2の弾性波共振子により隣り合うフィルタ回路同士が電気的に接続されている。この場合には、トラップ帯域における減衰量をより大きくし、かつ減衰特性をより急峻化することができる。
また、本発明に係る弾性波フィルタ装置では、複数のフィルタ回路として、第1,第2のフィルタ回路のみが形成されてもよく、その場合、第1,第2のフィルタ回路が1つの第2の弾性波共振子により電気的に接続され、従って、小型であり、単純な回路構成の弾性波フィルタ装置を提供することができる。
より好ましくは、前記共振周波数がトラップ帯域外の周波数とされている前記第1の弾性波共振子が出力端とグラウンドとの間に接続されている。この場合には、上記共振周波数がトラップ帯域外の周波数とされている第1の弾性波共振子は、上記トラップ帯域において容量性となり、そのインピーダンスが高くなる。従って、上記トラップ帯域における漏洩信号が出力端子に共振周波数がトラップ帯域外の周波数とされている第1の弾性波共振子を経由してつながり難い。よって、減衰帯域における減衰量がより一層大きく、かつ減衰量周波数特性の急峻性をより一層高めることができる。
本発明の他の特定の局面では、弾性波フィルタ装置は、圧電基板をさらに備え、前記第1,第2の弾性波共振子が前記圧電基板において形成されている。
発明の効果)
本発明に係る弾性波フィルタ装置では、直列腕に挿入された複数のインダクタ内の少なくとも1つのインダクタと、少なくとも1つの該インダクタの両端とグラウンド電位との間にそれぞれ接続されている第1の弾性波共振子とからなるフィルタ回路が、入力端から出力端に向って複数形成されており、複数のフィルタ回路が隣り合う部分の内、少なくとも1箇所において、隣り合うフィルタ回路同士が第2の弾性波共振子により電気的に接続されているので、比帯域が50%以上の広い通過帯域幅を実現でき、通過帯域近傍における減衰特性を急峻化し、さらに大きな減衰量を得ることが可能となる。従って、例えば、携帯電話機において、ワンセグ放送を受信したり、録画する機能を利用するに際し、同時に携帯電話機から送信を行った場合の送信電波による受信映像の乱れを確実に抑制することができる。すなわち、通過帯域近傍にトラップ帯域が配置されており、該トラップ帯域において大きな減衰量が要求される帯域阻止型フィルタとして好適な弾性波フィルタ装置を提供することが可能となる。
また、本願の第1の発明においては、前記複数の第1の弾性波共振子の内、少なくとも1つの第1の弾性波共振子の共振周波数が、前記トラップ帯域外の周波数とされている。従って、上記トラップ帯域外の周波数に共振周波数が設定されている第1の弾性波共振子は、トラップ帯域外に共振周波数を有するため、該少なくとも1つの弾性波共振子の共振周波数において、前記トラップ帯域とは別の減衰帯域を形成することができる。すなわち、複数の減衰帯域を有するフィルタ装置を提供することができる。
本願の第2の発明では、前記第2の弾性波共振子の***振周波数がトラップ帯域を形成する前記第1の弾性波共振子の共振周波数より低く設定されている。そのため、通過帯域からトラップ帯域にかけての減衰量周波数特性の急峻性をより改善することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の略図的平面図である。 図2は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。 図3は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置で用いられている各弾性波共振子のインピーダンス特性を示す図である。 図4は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置において信号の漏洩が低減されるメカニズムを示す模式的回路図である。 図5は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置において出力端子側に信号が漏洩する経路を説明するための回路図である。 図6は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図7は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図8は、第2の実施形態の弾性波フィルタ装置の回路図である。 図9は、第2の実施形態の弾性波フィルタ装置において用いられている複数の第1の弾性波共振子のインピーダンス特性を示す図である。 図10は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置1と、第2の実施形態の弾性波フィルタ装置21の減衰量周波数特性を示す図である。 図11は、第2の弾性波フィルタ装置において、インダクタ5,6におけるインダクタンスを変化させた場合の減衰特性の変化を示す図である。 図12は、圧電基板上にインダクタを構成するチップ型コイルが搭載されている変形例を示す模式的平面図である。 図13は、第1の実施形態の変形例に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。 図14は、従来の弾性表面波フィルタ装置の一例を示す回路図である。 図15は、従来の弾性表面波フィルタ装置における信号の漏洩経路を示す模式的回路図である。 図16は、第1の実施形態の変形例に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。 図17は、複数の第1の実施形態の弾性波フィルタ装置を弾性波共振子により多段接続した変形例に係る弾性波フィルタ装置の回路図である。 図18は、本発明の第3の実施形態の弾性波フィルタ装置と、第1の実施形態と同様に構成された第4の実施形態の弾性波フィルタ装置の各減衰量周波数特性を示す図である。
符号の説明
1…弾性波フィルタ装置
2…圧電基板
3…入力端子
4…出力端子
5,6…インダクタ
5A,6A…コイル部品
7〜10…第1の弾性波共振子
11…第2の弾性波共振子
11A…第2の弾性波共振子
12…インダクタンス
13,14…第1の弾性波共振子
15…リアクタンス素子
21…弾性波フィルタ装置
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の略図的平面図であり、図2はその回路図である。本実施形態の弾性波フィルタ装置1は、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタ装置である。
図1に示すように、弾性波フィルタ装置1は、圧電基板2を有する。圧電基板2としては、YカットX伝搬のLiNbO基板が用いられている。もっとも、圧電基板2は、他の結晶方位のLiNbOで形成されていてもよく、あるいはLiTaOや水晶などの他の圧電単結晶基板、あるいは圧電セラミックス基板により形成されていてもよい。
圧電基板2上に、AlやCuなどの金属もしくは合金からなる電極を形成することにより、図2に示す回路構成が実現されている。すなわち、図2に示すように、弾性波フィルタ装置1は、入力端子3と出力端子4とを結ぶ直列腕を有する。そして、この直列腕に、複数のインダクタ5,6が挿入されている。他方、直列腕とグラウンド電位とを結ぶように、複数の第1の弾性波共振子7〜11が接続されている。すなわち、第1の弾性表面波共振子7が直列腕とグラウンド電位との間に接続されて、1つの並列腕を構成している。同様に、他の各第1の弾性波共振子8〜10もまた、1つの並列腕を構成している。
本実施形態では、1つのインダクタ5と、インダクタ5の一端とグラウンド電位との間に接続された第1の弾性波共振子7と、インダクタ5の他端とグラウンド電位との間に接続された第1の弾性波共振子8とによりπ型の第1のフィルタ回路が構成されている。同様に、インダクタ6と、インダクタ6の一端とグラウンド電位との間に接続された第1の弾性波共振子9と、インダクタ6の他端とグラウンド電位との間に接続された第1の弾性波共振子10とによりπ型の第2のフィルタ回路が構成されている。そして、第1,第2のフィルタ回路を電気的に接続するように、直列腕に第2の弾性波共振子11が挿入されている。言い換えれば、第1,第2のフィルタ回路が隣り合っている部分において、直列腕に第2の弾性波共振子11が挿入されており、それによって、隣り合う第1,第2のフィルタ回路が電気的に接続されている。
図1では、上記第1の弾性波共振子7〜10及び第2の弾性波共振子11は、略図的に矩形の枠で示されている。各弾性波共振子は、圧電基板2上に、IDT電極と、IDT電極の表面波伝搬方向両側に配置された一対の反射器とを形成することにより構成されている。もっとも、各共振子を構成する電極構造は特に限定されるものではない。
図1に示すように、1枚の圧電基板2上に、上記弾性波共振子7〜11を形成することにより、小型の弾性表面波フィルタチップを構成することができる。なお、インダクタ5,6は、図1に示すように、圧電基板2に対して、外付けのインダクタンス部品により形成されている。もっとも、インダクタ5,6は、圧電基板2上あるいは圧電基板2内にインダクタンス素子部を形成することにより設けられてもよい。
図3は、第1の弾性波共振子7〜10のインピーダンス特性及び第2の弾性波共振子11のインピーダンス特性を示す。本実施形態では、第1の弾性波共振子7〜10、すなわち並列腕共振子の共振周波数におけるインピーダンスと、直列腕共振子としての第2の弾性波共振子11の***振周波数におけるインピーダンスを利用してトラップ帯域、すなわち減衰帯域が形成されている。
本実施形態の特徴は、上記第2の弾性波共振子11により、上記第1,第2のフィルタ回路が接続され、それによって、後述するように、通過帯域近傍におけるトラップ帯域の減衰量を大きくし、かつ減衰特性の急峻性を高めることができる。これをより具体的に説明する。
特許文献1に記載の前述の弾性表面波フィルタ装置501において、十分な減衰特性を得ることができないのは、以下の理由によると考えられる。すなわち、図14に示した弾性表面波フィルタ装置501では、弾性表面波共振子505,506が、インダクタ504により接続され、すなわちリアクタンスによって接続されている。この場合には、弾性表面波共振子505,506の共振周波数を利用して減衰特性が得られている。しかしながら、複数の並列腕共振子である弾性表面波共振子506,506の共振周波数が近くなり、かつ共振周波数における信号がグラウンド電位に落ちるまでには、弾性表面波共振子505または弾性表面波共振子506とグラウンド電位との間に共通インダクタンス成分を持つこととなる。この共通インダクタンス成分により、図15に矢印で示すように弾性表面波共振子505の共振周波数における信号は、共通インダクタンス及び他方の弾性表面波共振子506を通り、出力端子503側に漏洩する。そのため、減衰特性が悪化することとなる。なお、図15におけるインダクタンスLは、弾性波フィルタ装置1のグラウンド電位に接続される電極ランドとグラウンド電位との間に配線等により挿入されるインダクタンス分を示す。
これに対して、図2に示した回路構成の弾性波フィルタ装置1では、第1,第2のフィルタ回路が、直列腕共振子としての第2の弾性波共振子11により接続されている。この場合、減衰帯域は、前述したように、並列腕共振子としての第1の弾性波共振子7〜10の共振周波数と、直列腕共振子としての第2の弾性波共振子11の***振周波数を利用することにより得られている。
図3に示したように、第1の弾性波共振子7〜10の共振周波数付近に第2の弾性波共振子11の***振周波数が一致しているので、第1の弾性波共振子7の共振周波数の電気信号は、図4の矢印で示すように流れるが、第2の弾性波共振子11において、この信号の経路が絶たれることとなる。従って、第1の弾性波共振子7,8を通して、出力端子側に漏洩する信号を低減することができる。そのため、急峻であり、かつ高減衰量を有する減衰特性を得ることができる。
なお、図4におけるインダクタンスLは、弾性波フィルタ装置1のグラウンド電位に接続される電極ランドと、グラウンド電位との間に配線等により挿入されるインダクタンス分を示す。
図6及び図7は、本実施形態の弾性波フィルタ装置の減衰量周波数特性を示す図である。図6及び図7から明らかなように、820〜860MHzにおいて大きな減衰量の得られることがわかる。また、上記トラップ帯域よりも低域側に位置している通過帯域から上記トラップ帯域にかけての減衰量周波数特性の急峻化が果たされていることがわかる。
なお、上記弾性波フィルタ装置1を、例えば携帯電話機のワンセグ放送受信段の帯域フィルタとして用いる場合、RF段の送信帯域を減衰帯域とすることが多い。RF段における送信帯域としては800MHz帯、1.7GHz帯または1.9GHz帯などが挙げられる。図6及び図7に示す減衰量周波数特性から明らかなように、本実施形態によれば、これらの全ての周波数帯において、大きな減衰量を得ることができる。
なお、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置1では、第1,第2のフィルタ回路が1つの第2の弾性波共振子11により接続されていたが、図13に示すように、3以上のフィルタ回路が入力端子3と出力端子4との間に配置されていてもよい。
図13に示す変形例では、第1の実施形態の上記第1,第2のフィルタ回路の入力側に、さらに第3のフィルタ回路が配置されている。第3のフィルタ回路は、インダクタンス12と、並列腕共振子としての第1の弾性波共振子13,14とからなるπ型のフィルタ回路である。図13では、第3のフィルタ回路は、第2の弾性波共振子を介在させることなく、第1のフィルタ回路に接続されている。
また、図16は、第1の実施形態のさらに他の変形例を示す回路図である。図16に示す変形例では、図13に示した変形例の場合と同様に、第1の実施形態の上記第1,第2のフィルタ回路の入力側に、さらに第3のフィルタ回路が配置されている。ここでも、第3のフィルタ回路は、インダクタンス12と、並列腕共振子としての第1の弾性波共振子13,14とからなるπ型のフィルタ回路である。もっとも、図16では、上記第3のフィルタ回路は、第1のフィルタ回路の入力側に、弾性波共振子以外のリアクタンス素子15を介して接続されている。このリアクタンス素子15としては、インダクタやコンデンサなどを用いることができる。
図13及び図16に示した変形例から明らかなように、フィルタ回路同士が隣り合っている部分の少なくとも1箇所において、第2の弾性波共振子11により隣り合うフィルタ回路同士が接続されておればよく、その場合においても、第2の弾性波共振子11において、前述した第1の弾性波共振子を経由した信号の漏洩が遮断されるので、減衰特性の急峻化を図ることができ、かつ減衰帯域において大きな減衰量を得ることができる。
もっとも、複数のフィルタ回路において、2つのフィルタ回路同士が隣り合っている箇所の全てに第2の弾性波共振子が設けられていることが望ましい。このような望ましい変形例の回路図を図17に示す。
図17に示す変形例の弾性波フィルタ装置では、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置1が入力端子3から出力端子側に向って複数段接続されている。図17では、初段の弾性波フィルタ装置1と、次段の弾性波フィルタ装置1Aの一部とが図示されている。弾性波フィルタ装置1と弾性波フィルタ装置1Aとは、第2の弾性波共振子11Aを介して接続されている。従って、弾性波フィルタ装置1の第1,第2のフィルタ回路間が、第2の弾性波共振子11で接続されており、弾性波フィルタ装置1の第2のフィルタ回路と、次段の弾性波フィルタ装置1Aの第1のフィルタ回路とが、第1の弾性波共振子11Aにより電気的に接続されていることになる。このように、本変形例の弾性波フィルタ装置では、2つのフィルタ回路同士が隣り合っている箇所の全てに第2の弾性波共振子が設けられている。それによって、減衰特性の急峻化をより確実に図ることができ、かつ減衰帯域においてより大きな減衰量を得ることができる。
さらに、好ましくは、上記実施形態のように、2つのフィルタ回路を1つの第2の弾性波共振子に接続した構造が望ましく、部品点数をさほど増加させることなく、弾性波フィルタ装置1を構成することができる。従って、部品点数の低減、実装面積の低減及びコストの低減を果たすことができる。
上記のように、第2の弾性波共振子11により、漏洩信号の経路は絶たれるが、上記第1の実施形態では、図5に矢印で示すように、第1の弾性波共振子7から出力端側の第1の弾性波共振子10を経由した信号の漏洩は生じるおそれはある。しかしながら、上記のように、第1の弾性波共振子7及び第1の弾性波共振子8を経由した信号の流れが絶たれるため、共振特性の急峻化、並びに阻止域における大きな減衰量を実現することが可能とされている。
図5に示したように、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置1では、第1の弾性波共振子7から出力端側の第1の弾性波共振子10を経由して信号が漏洩するおそれがある。これに対して、図8は、このような信号の漏洩を防止した本発明の第2の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の回路構成を示す図である。
第2の実施形態の弾性波フィルタ装置21は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置1と同様に、第1の弾性波共振子7〜10及び第2の弾性波共振子11と、インダクタンス5,6とを有する点において共通する。
異なるところは、4個の第1の弾性波共振子7〜10の内、出力端子3に接続されている第1の弾性波共振子10の共振周波数が、他の第1の弾性波共振子7〜9の共振周波数と異なっており、かつ弾性波フィルタ装置21のトラップ帯域からずれた位置に配置されていることにある。そのため、トラップ帯域では、第1の弾性波共振子10は、単なる容量素子として機能することとなる。よって、図9に第2の実施形態における4つの第1の弾性波共振子のインピーダンス特性を示すように、減衰帯域付近では、第1の弾性波共振子10のインピーダンスは大きくなる。そのため、第1の弾性波共振子7〜9の共振周波数の電気信号は、第1の弾性波共振子10を通過し難くなり、それによって、図5に示した信号経路による信号の漏洩を効果的に抑制することができる。よって、第2の実施形態によれば、第1の実施形態よりもさらに大きな減衰量を得ることができ、かつ減衰特性の急峻化をより一層図ることができ、好ましい。
図10は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置1と、第2の実施形態の弾性波フィルタ装置21の減衰量周波数特性を示す図である。実線が第2の実施形態の結果を、破線が第1の実施形態の結果を示す。図10から明らかなように、第2の実施形態によれば、第1の実施形態よりも大きな減衰量を得ることができ、かつ減衰特性の急峻性を高め得ることがわかる。
上記のように、第2の実施形態では、複数の第1の弾性波共振子すなわち複数の並列腕共振子を、トラップ帯域において共振子としてあるいは容量素子として選択的に用いることができる。
また、本実施形態によれば、通過帯域近傍に複数のトラップ帯域を持つことができることが求められている帯域阻止型フィルタのような新たな市場要求を満足する帯域フィルタを提供することができる。例えば、携帯電話機RF段の送信帯域として、上記弾性波フィルタ装置21の通過帯域近傍の複数のトラップ周波数帯域が用いられることがある。
このような場合、複数のトラップ周波数帯域のうち最も低いトラップ周波数帯域を弾性波フィルタ装置21のトラップ帯域とする。そして、残りのトラップ周波数帯域に、トラップ帯域において容量素子として用いられる第1の弾性波共振子の共振周波数を位置させることにより、他のトラップ帯域を形成する。従って、複数の並列腕共振子、すなわち複数の第1の弾性波共振子の共振周波数を異ならせることにより、複数のトラップ帯域を形成することができる。従って、通過帯域の高域側に複数のトラップ帯域を持つ帯域阻止型のフィルタを構成することも可能となる。
また、本実施形態では、上記インダクタ5,6のインダクタンス値のばらつきによる減衰特性の変化も生じ難い。これを図11を参照して説明する。図11は、第2の実施形態弾性波フィルタ装置21において、インダクタ5,6のインダクタンス値が±5%ばらついた場合のフィルタ特性の変化を示す図である。実線が、基準となるインダクタンス値の場合を示し、破線がインダクタ5,6のインダクタンス値が+5%高くなった場合の特性を示し、一点鎖線が−5%低くなった場合のフィルタ特性を示す。図11から明らかなように、インダクタ5,6、すなわち外付けのインダクタンス部品のインダクタンス値が±5%ばらついたとしても、フィルタ特性にほとんど影響のないことがわかる。
なお、上記インダクタ5,6は、図12に略図的に示すように、圧電基板2に接合されるチップ型コイル部品5A,6Aにより構成することができ、その場合には、圧電基板上にチップ型コイル部品を例えば表面実装することにより、弾性表面波フィルタ装置1を容易に形成することができる。また、圧電基板2上に、あるいは圧電基板2内にインダクタス素子を形成した場合、上記チップ型コイルのような外付けの部品を実装する作業を省略することができるとともに、実装ばらつきによる特性のばらつきを低減することができ、望ましい。
次に、本発明の第3の実施形態を説明する。第3の実施形態の弾性波フィルタ装置は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置1と同様に、第1の弾性波共振子7〜10及び第2の弾性波共振子11と、インダクタンス5,6とを有する点で共通する。第3の実施形態の弾性波フィルタ装置の回路図は、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置1と同様に図2である。
異なるところは、トラップ帯域を構成する直列腕共振子としての第2の弾性波共振子11の***振周波数と第1の弾性波共振子の共振周波数との大小関係である。すなわち、第1の実施形態の第2の弾性波共振子11の***振周波数がトラップ帯域を形成する第1の弾性波共振子の共振周波数の最小値と最大値の間に設定されるのに対し、第3の実施形態の第2の弾性波共振子11の***振周波数は第1の弾性波共振子の共振周波数の最小値より低く設定されている。表1に、このように設定した弾性波フィルタ装置の第1,第2の弾性波共振子の共振周波数及び***振周波数を示す。
別に、第1の実施形態の弾性波フィルタ装置と同様の構成の第4の実施形態の弾性波フィルタ装置を作製した。表2に、第4の実施形態の第1,第2の弾性波共振子の共振周波数及び***振周波数を示す。
Figure 0004752914
Figure 0004752914
図18は、第3の実施形態の弾性波フィルタ装置及び第4の実施形態の弾性波フィルタ装置の各減衰量周波数特性を示す図である。図18の実線は、上記第3の実施形態の結果を、破線は第4の実施形態の結果を示す。
第3の実施形態の弾性波フィルタ装置では、第4の実施形態の弾性波フィルタ装置よりも、通過帯域からトラップ帯域にかけての減衰量周波数特性の急峻性がより一層改善されている。
なお、第2の弾性波共振子の***振周波数はトラップ帯域を形成する第1の弾性波共振子の共振周波数の最小値より低く、かつ最小値の0.95倍より高くすることが好ましい。第2の弾性波共振子の***振周波数がトラップ帯域から離れすぎると、トラップ帯域の減衰量が小さくなるからである。
なお、上記第1〜第4の実施形態では、弾性表面波フィルタ装置につき説明したが、本発明は、弾性表面波に代わり、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタ装置にも適用することができることを指摘しておく。

Claims (6)

  1. トラップ帯域と、該トラップ帯域の低域側に通過帯域を有する弾性波フィルタ装置であ
    って、
    入力端と出力端とを有し、入力端と出力端とを結ぶ直列腕において、直列に接続されている複数のインダクタと、
    前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている複数の第1の弾性波共振子とを備え、
    前記複数のインダクタの内の少なくとも1つのインダクタと、該少なくとも1つのインダクタの両端とグラウンド電位との間にそれぞれ接続された前記第1の弾性波共振子とからなるフィルタ回路が、前記入力端から出力端に向かって複数構成されており、
    前記直列腕に挿入された第2の弾性波共振子をさらに備え、前記複数のフィルタ回路が隣り合う部分の少なくとも1箇所において該第2の弾性波共振子により隣り合うフィルタ回路が電気的に接続されており、
    前記トラップ帯域が前記第1の弾性波共振子の共振周波数により形成され、前記第2の弾性波共振子の***振周波数が前記トラップ帯域に位置しており、
    前記複数の第1の弾性波共振子の内、少なくとも1つの第1の弾性波共振子の共振周波数が、前記トラップ帯域外の周波数とされていることを特徴とする、弾性波フィルタ装置。
  2. 前記共振周波数がトラップ帯域外の周波数とされている前記第1の弾性波共振子が出力
    端とグラウンドとの間に接続されている、請求項に記載の弾性波フィルタ装置。
  3. 圧電基板をさらに備え、前記第1,第2の弾性波共振子が前記圧電基板において形成さ
    れている、請求項1または2に記載の弾性波フィルタ装置。
  4. トラップ帯域と、該トラップ帯域の低域側に通過帯域を有する弾性波フィルタ装置であ
    って、
    入力端と出力端とを有し、入力端と出力端とを結ぶ直列腕において、直列に接続されている複数のインダクタと、
    前記直列腕とグラウンド電位との間に接続されている複数の第1の弾性波共振子とを備え、
    前記複数のインダクタの内の少なくとも1つのインダクタと、該少なくとも1つのインダクタの両端とグラウンド電位との間にそれぞれ接続された前記第1の弾性波共振子とからなるフィルタ回路が、前記入力端から出力端に向かって複数構成されており、
    前記直列腕に挿入された第2の弾性波共振子をさらに備え、前記複数のフィルタ回路が隣り合う部分の少なくとも1箇所において該第2の弾性波共振子により隣り合うフィルタ回路が電気的に接続されており、
    前記トラップ帯域が前記第1の弾性波共振子の共振周波数により形成され、前記第2の弾性波共振子の***振周波数が前記トラップ帯域に位置しており、
    前記第2の弾性波共振子の***振周波数がトラップ帯域を形成する前記第1の弾性波共振子の共振周波数より低く設定されている、弾性波フィルタ装置。
  5. フィルタ回路同士が隣り合っている部分の全ての箇所において、前記第2の弾性波共振
    子により隣り合うフィルタ回路同士が電気的に接続されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の弾性波フィルタ装置。
  6. 前記複数のフィルタ回路が、第1,第2のフィルタ回路であり、該第1,第2のフィル
    タ回路が1つの前記第2の弾性波共振子により電気的に接続されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波フィルタ装置。
JP2008549228A 2006-12-14 2007-11-12 弾性波フィルタ装置 Active JP4752914B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008549228A JP4752914B2 (ja) 2006-12-14 2007-11-12 弾性波フィルタ装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006337116 2006-12-14
JP2006337116 2006-12-14
PCT/JP2007/071887 WO2008072439A1 (ja) 2006-12-14 2007-11-12 弾性波フィルタ装置
JP2008549228A JP4752914B2 (ja) 2006-12-14 2007-11-12 弾性波フィルタ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008072439A1 JPWO2008072439A1 (ja) 2010-03-25
JP4752914B2 true JP4752914B2 (ja) 2011-08-17

Family

ID=39511464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008549228A Active JP4752914B2 (ja) 2006-12-14 2007-11-12 弾性波フィルタ装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8456254B2 (ja)
EP (1) EP2093881B1 (ja)
JP (1) JP4752914B2 (ja)
TW (1) TW200832905A (ja)
WO (1) WO2008072439A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2299595A4 (en) * 2008-06-30 2013-01-23 Murata Manufacturing Co NOTCH FILTER
SG183135A1 (en) * 2010-02-04 2012-09-27 Taiyo Yuden Kk Filter, duplexer, communication module, communication device
JP4835814B2 (ja) * 2010-03-01 2011-12-14 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
WO2012020595A1 (ja) * 2010-08-11 2012-02-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信機
DE102010048965B4 (de) * 2010-10-20 2015-01-22 Epcos Ag Bandsperrfilter mit einer Serienverschaltung von zumindest zwei pi-Gliedern
DE112011104653B4 (de) 2010-12-29 2016-07-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Oberflächenschallwellen-Bauelement
JP5723667B2 (ja) * 2011-04-27 2015-05-27 太陽誘電株式会社 ラダーフィルタ、分波器及びモジュール
JP5673818B2 (ja) 2011-06-17 2015-02-18 株式会社村田製作所 分波器
US9325294B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Resonant Inc. Microwave acoustic wave filters
US9331669B2 (en) * 2014-07-25 2016-05-03 Resonant Inc. High rejection surface acoustic wave duplexer
JP5999295B1 (ja) * 2015-04-01 2016-09-28 株式会社村田製作所 デュプレクサ
US11152232B2 (en) 2016-05-26 2021-10-19 Anand Deo Frequency and phase controlled transducers and sensing
US9536758B1 (en) 2016-05-26 2017-01-03 Anand Deo Time-varying frequency powered semiconductor substrate heat source
EP3818586A4 (en) * 2018-07-03 2021-09-15 Deo, Anand FREQUENCY CONTROL OF PLARAR TRANSMISSION LINE RESONATORS OF LOCALIZED TRANSDUCERS
JP6885376B2 (ja) * 2018-08-10 2021-06-16 株式会社村田製作所 フィルタおよびマルチプレクサ
CN109672421A (zh) * 2019-02-22 2019-04-23 安徽安努奇科技有限公司 滤波电路和多工器
US11729869B2 (en) 2021-10-13 2023-08-15 Anand Deo Conformable polymer for frequency-selectable heating locations

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11298283A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2003110404A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Tdk Corp 弾性表面波素子および弾性表面波装置
JP2004129238A (ja) * 2002-09-10 2004-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 帯域阻止型フィルタ、フィルタ装置、アンテナ共用器、通信機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08265087A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波フィルタ
US5632909A (en) * 1995-06-19 1997-05-27 Motorola, Inc. Filter
JPH1065489A (ja) * 1996-08-13 1998-03-06 Hitachi Ltd 弾性表面波素子を用いたフィルタおよび該フィルタを用いたアンテナ分波器
JP3227649B2 (ja) * 1997-08-07 2001-11-12 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
US6710677B2 (en) * 2002-02-12 2004-03-23 Nortel Networks Limited Band reject filters
DE10342991A1 (de) * 2002-09-18 2004-04-22 Nrs Technologies Inc. SAW-Filter
JP2004120016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Fujitsu Media Device Kk フィルタ装置
JP2004173245A (ja) * 2002-10-30 2004-06-17 Murata Mfg Co Ltd ラダー型フィルタ、分波器、および通信機
JP2005124139A (ja) * 2003-09-25 2005-05-12 Murata Mfg Co Ltd 分波器、通信機
JP4697229B2 (ja) * 2005-11-01 2011-06-08 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
KR101238358B1 (ko) * 2006-02-06 2013-03-04 삼성전자주식회사 대역 통과 필터 및 이를 구비한 듀플렉서

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11298283A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2003110404A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Tdk Corp 弾性表面波素子および弾性表面波装置
JP2004129238A (ja) * 2002-09-10 2004-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 帯域阻止型フィルタ、フィルタ装置、アンテナ共用器、通信機器

Also Published As

Publication number Publication date
US8456254B2 (en) 2013-06-04
EP2093881A4 (en) 2010-05-26
TW200832905A (en) 2008-08-01
JPWO2008072439A1 (ja) 2010-03-25
WO2008072439A1 (ja) 2008-06-19
EP2093881B1 (en) 2018-08-15
US20090256649A1 (en) 2009-10-15
EP2093881A1 (en) 2009-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4752914B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
US10727805B2 (en) Multiplexer including filters with resonators and parallel inductor
US9184782B2 (en) High-frequency module and communication device
US9356576B2 (en) Filter device
EP1944867B1 (en) Elastic wave filter apparatus
JP2010062816A (ja) 弾性波フィルタ
US10651821B2 (en) Multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication apparatus
US7486158B2 (en) Branching filter
US10715108B2 (en) Filter device and multiplexer
US20200280301A1 (en) Multiplexer
KR20130141520A (ko) 적어도 2개의 pi 소자들로 이루어진 직렬 회로를 포함하는 대역 차단 필터
JPWO2006040927A1 (ja) 分波器
US8988170B2 (en) Elastic wave filter device and communication apparatus equipped with the same
JPWO2006040923A1 (ja) 分波器
CN212163294U (zh) 提取器
JP2008312146A (ja) 帯域阻止フィルタ及びそれを備えた受信チューナ
CN112953456B (zh) 滤波器装置
US11239826B2 (en) Filter device
JP4401380B2 (ja) フィルタデバイス
JP2012034067A (ja) 弾性波フィルタ装置
CN109818594B (zh) 高频滤波器以及多工器
CN112217494A (zh) 发送滤波器电路以及复合滤波器装置
CN116783829A (zh) 滤波器装置、高频模块以及通信装置
JP2011103593A (ja) フィルタ、携帯端末及び電子部品
JP2007194897A (ja) 弾性表面波フィルタとこれを用いた電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101109

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101227

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110308

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110408

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110426

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110509

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4752914

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150