JP4741252B2 - 複合シート、積層体並びに圧着積層体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、導体パターン層及び誘電体層からなる複合シート、積層体、並びに導体パターン層及び誘電体層の積層体を加圧してなる圧着積層体の製造方法に関するものである。

従来、誘電体層と内部電極層とが多数積層されて積層体を形成し、内部電極層が交互に積層体の異なる端面で外部電極に接続されてなる積層セラミックコンデンサは、以下のようにして製造されていた。

図６に示すように、支持体上に誘電体スラリーを塗布乾燥後に、内部電極となる導体ペーストを印刷した電極付きシート１７を、所定の積層数になるまで順次積層する。

このような製造方法によると、積層数が多くなればなるほど、内部電極の厚みによって内部電極の印刷部と内部電極の非印刷部との厚みの差に起因する段差、すなわちコンデンサの中央部と端部における段差が大きくなり、焼成後にデラミネーションなどの層間剥離が発生するという問題が生じていた。

かかる問題を解決する方法として、内部電極の印刷部と内部電極の非印刷部との厚みの差に起因する段差を防ぐ為に、図７に示すように、誘電体層上に印刷された導体パターン層のすき間にあたる部分に、誘電体と同じ組成の誘電体埋込インクをあらかじめ埋め込んで積層する方法が提案されている。この方法によると、加圧積層工程及び積層後のプレス工程において、内部電極の印刷の有無による段差を小さくすることが可能となるため、段差によって加圧時に内部電極の印刷部及び非印刷部に加わる圧力の差を小さくして層間剥離を効果的に防止している（例えば、特許文献１参照）。
特開平２−３６５１４号公報 特開昭５９−２２８７１１号公報

しかしながら、このような製造方法では、誘電体層上に印刷された導体パターン層のすき間に誘電体埋込インクを埋め込む工程が別途必要となり、それに加えて埋め込みの際に高精度の位置合せが要求されることとなる。

また、このような工程を無くすために、図８に示すように、まず支持体上に導体パターン層を印刷後、その上を覆うように誘電体を塗布する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

しかしながら、このような製造方法では、誘電体が乾燥するにつれて、内部電極の非印刷部の誘電体厚みが内部電極の印刷部の誘電体厚みよりも薄くなり、最終的に、表面に段差が生じてしまう。

本発明の目的は、誘電体層上に印刷された導体パターン層の非形成領域（すき間部分）に誘電体埋込インクを埋め込むことなく、導体パターン層の厚みの差に起因する段差を抑制する複合シートを提供することにある。

本発明の複合シートは、導体パターン層と誘電体層とを重ねて成る複合シートにおいて、前記導体パターン層の硬さおよび前記誘電体層の硬さの両方を、有機バインダ、分散剤および可塑剤の含有量の調整により、前記導体パターン層の表面硬さａと前記誘電体層の表面硬さｂとが｜ａ−ｂ｜≦９８ＭＰａの関係式を満たすようにすることを特徴とするものである。

さらに、前記導体パターン層の表面硬さａ及び前記誘電体層の表面硬さｂは、共に６８．６ＭＰａ以上であることことを特徴とする。

また本発明の積層体は、導体パターン層と誘電体層とを多数積層してなる積層体において、前記導体パターン層の硬さおよび前記誘電体層の硬さの両方を、有機バインダ、分散剤および可塑剤の含有量の調整により、前記導体パターン層の表面硬さａと前記誘電体層の表面硬さｂとが｜ａ−ｂ｜≦９８ＭＰａの関係式を満たすようにすることを特徴とするものである。

さらに、前記積層体の前記導体パターン層の表面硬さａ及び前記誘電体層の表面硬さｂは、共に６８．６ＭＰａ以上であることを特徴とする。

また本発明の圧着積層体の製造方法は、請求項１に記載の複合シートを複数積層して、導体パターン層の非形成領域に対応する疎部及びそれ以外の領域に対応する密部からなる積層体を形成する工程と、前記積層体を積層方向に加圧し、前記導体パターン層及び前記誘電体層の一部を前記密部から前記疎部へ移動させることによって圧着積層体を形成する工程とを有してなる。

また、前記複合シートは、支持体上に形成され、且つ、該支持体とともに積層された後に支持体のみを剥離する工程を繰り返して積層体を形成することを特徴とする。

さらに、前記複合シートは、支持体上に形成され、且つ、該支持体から剥離された状態で積層されることを特徴とする。

さらに本発明の圧着積層体の製造方法は、導体パターン層と誘電体層とを積層して、前記導体パターン層の非形成領域に対応する疎部及びそれ以外の領域に対応する密部からなる請求項４に記載の積層体を形成する工程と、前記積層体を積層方向に加圧し、前記導体パターン層及び前記誘電体層の一部を前記密部から前記疎部へ移動させることによって圧着積層体を形成する工程とを有してなる。

本発明の複合シートによれば、導体パターン層と誘電体層とを重ねて成る複合シートにおいて、導体パターン層の硬さと誘電体層の硬さとを略等しく設定したことから、複合シートを加圧する際、導体パターン層の非形成領域に対応する段差に起因して加圧力に大小が存在しても、導体パターン層及び誘電体層が加圧力の大きい部位から小さい部位へ移動・変形し、上述の段差が緩和されることによって、複合シート全体を均一に加圧圧着することが可能となる。特に、導体パターン層の表面硬さａと誘電体層の表面硬さｂとが｜ａ−ｂ｜≦９８ＭＰａの関係式を満たす場合、導体パターン層及び誘電体層の上記移動・変形がより効果的に生じ、複合シート全体を均一に加圧圧着することが可能となる。

また、導体パターン層の表面硬さａ及び誘電体層の表面硬さｂは、共に６８．６ＭＰａ以上であるように設定することにより、導体パターン層及び誘電体層の過度な移動・変形を抑制してシート形状の保持を可能とすることができる。

また本発明の積層体によれば、導体パターン層と誘電体層とを多数積層してなる積層体において、導体パターン層の硬さと誘電体層の硬さとを略等しく設定したことから、積層体を加圧する際、導体パターン層の非形成領域に対応する段差に起因して加圧力に大小が存在しても、導体パターン層及び誘電体層が加圧力の大きい部位から小さい部位へ移動・変形し、上述の段差が緩和されることによって、積層体全体を均一に加圧圧着することが可能となる。特に、導体パターン層の表面硬さａと誘電体層の表面硬さｂとが｜ａ−ｂ｜≦９８ＭＰａの関係式を満たす場合、導体パターン層及び誘電体層の上記移動・変形がより効果的に生じ、積層体全体を均一に加圧圧着することが可能となる。

また、導体パターン層の表面硬さａ及び誘電体層の表面硬さｂは、共に６８．６ＭＰａ以上であるように設定することにより、導体パターン層及び誘電体層の過度な移動・変形を抑制して積層体形状の保持を可能とすることができる。積層数が多くなればなるほど当該効果はより効果的である。

さらに本発明の圧着積層体の製造方法は、導体パターン層と誘電体層とを重ねて複合シートを形成する工程と、複合シートを複数積層して、導体パターン層の非形成領域に対応する疎部及びそれ以外の領域に対応する密部からなる積層体を形成する工程と、積層体を積層方向に加圧し、導体パターン層及び誘電体層の一部を密部から疎部へ移動させることによって圧着積層体を形成する工程と、を有する圧着積層体の製造方法において、導体パターン層の硬さと誘電体層の硬さとを略等しく設定したことから、複合シート又は積層体を加圧する際、導体パターン層の非形成領域に対応する段差に起因して加圧力に大小が存在しても、導体パターン層及び誘電体層が加圧力の大きい密部から小さい疎部へ移動・変形し、導体パターン層の厚みによる段差が緩和されることによって、積層体全体の均一な加圧圧着が可能となり、焼成後を含めて層間剥離が発生することを効果的に抑制することができる。

また、前記複合シートは、支持体上に形成され、且つ、該支持体とともに積層された後に支持体のみを剥離する工程を繰り返して積層体を形成することを特徴とする。

さらに、前記複合シートは、支持体上に形成され、且つ、該支持体から剥離された状態で積層されることを特徴とする。

また更に本発明の圧着積層体の製造方法によれば、導体パターン層と誘電体層とを積層して、導体パターン層の非形成領域に対応する疎部及びそれ以外の領域に対応する密部からなる積層体を形成する工程と、積層体を積層方向に加圧し、導体パターン層及び誘電体層の一部を密部から疎部へ移動させることによって圧着積層体を形成する工程と、を有する圧着積層体の製造方法において、導体パターン層の硬さと誘電体層の硬さとを略等しく設定したことから、積層体を加圧する際、導体パターン層の非形成領域に対応する段差に起因して加圧力に大小が存在しても、導体パターン層及び誘電体層が加圧力の大きい密部から小さい疎部へ移動・変形し、導体パターン層の厚みによる段差が緩和されることによって、積層体全体の均一な加圧圧着が可能となり、焼成後を含めて層間剥離が発生することを効果的に抑制することができる。

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。

図３は、本発明の一実施形態に係る積層体を用いて形成された積層セラミックコンデンサ（積層電子部品）を表す断面図であり、積層セラミックコンデンサ１は、大略的に、絶縁層２と、内部電極（導体パターン層）３と、誘電体層４と、外部電極５とで構成されている。

積層セラミックコンデンサ１は、内部電極３と所定の誘電率を有した誘電体層４とを交互に積層してなる圧着積層体１´の上下両主面に、誘電体層４と同一材料からなる絶縁層２を形成し、その両端部に内部電極３と電気的に接続される外部電極５を被着・形成した構造を有している。かかる積層セラミックコンデンサ１は、外部電極５を介して隣合う内部電極間３−３に所定の電圧を印加し、内部電極間３−３に配されている誘電体層４に所定の静電容量を形成することによってコンデンサとして機能する。

なお、誘電体層４や内部電極３の積層数は適宜設定すればよく、例えば３０層〜６００層に設定される。また、誘電体層４の材質や厚み、並びに内部電極３の対向面積などは、所望の静電容量に応じて適宜決定すればよい。

誘電体層４は、誘電体スラリーをドクターブレード法等で塗布し乾燥させることによって形成され、この誘電体スラリーは、誘電体材料、有機バインダ、有機溶剤、分散剤及び可塑剤などを混合してなる。

誘電体材料は、一般的なセラミックコンデンサに用いられるものであれば特に限定されず、温度補償用材料や高誘電率系材料も用いられる。例えばチタン酸バリウム系、鉛含有ペロブスカイト材料であってもよい。

有機バインダは、特に限定されず、ポリビニルブチラール、エチルセルロース、アクリル系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、エステル系ポリマー、イミド系ポリマー、ウレタン系ポリマー等の通常の各種有機バインダから適宜選択すればよい。

有機溶剤も特に限定されず、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、メタノール、エタノール、イソプロパノール、α−テルピネオール等のアルコール系溶剤、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、酢酸、プロピオン酸、ヘキサン酸、イソノナン酸、オクチル酸等のカルボン酸系溶剤の各種溶剤から適宜選択すればよく、これらの溶剤は、２種類以上を混合して使用することもできる。

この誘電体層４の硬さは、誘電体スラリーにおける有機バインダ、分散剤及び可塑剤等の含有量を変えることで調整することができる。ここで、誘電体層４の硬さとは、加圧による外形変化の度合いを意味し、例えば、三角錐状をした圧子を極低荷重にて押込む押込み試験において、荷重及び押込み深さの関係を表した荷重変位曲線より得られる表面硬さを用いることができる。押込み試験に用いる測定装置としては、極低荷重にて圧子が押込まれることによってできる微小圧痕の深さを計測できるものであれば特に限定されないが（例えば超微小押し込み硬さ試験機、走査型プローブ顕微鏡など）、本実施形態では高変位分解能を有するエリオニクス社製のナノインデンテーションテスターを使用した。なお、誘電体層４の硬さは、乾燥した状態、即ち溶剤の残量が１％未満の状態で測定される。

誘電体層４の硬さｂは、例えば６８．６〜３０３．８ＭＰａの範囲にすればよい。

導体パターン層３は、この導電ペーストをスクリーン印刷や塗布法等で塗布し乾燥させることによって形成され、この導電ペーストは、導電材料、有機バインダ、有機溶剤、分散剤及び可塑剤などを混合してなる。

導電材料は、上述の誘電体材料に適した電極材料を選択すればよく、ニッケル、銀、白金、パラジウム、金、銅等の各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記の導電材となる各種酸化物、有機金属化合物等を用いればよい。例えば、Ｐｂ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ等から選択された１種以上の貴金属またはその合金、またはＮｉ、Ｃｕ等の卑金属から適宜選択すればよい。

有機バインダは特に限定されず、ポリビニルブチラール、エチルセルロース、アクリル系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、エステル系ポリマー、イミド系ポリマー、ウレタン系ポリマー等の通常の各種有機バインダから適宜選択すればよいが、好ましくはポリビニルブチラールである。

有機溶剤もとくに限定されず、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、メタノール、エタノール、イソプロパノール、α−テルピネオール等のアルコール系溶剤、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、酢酸、プロピオン酸、ヘキサン酸、イソノナン酸、オクチル酸等のカルボン酸系溶剤の各種溶剤から適宜選択すればよく、これらの溶剤は、２種類以上を混合して使用することもできる。

導体パターン層３の硬さは、誘電体層４と同様、導電ペーストにおける有機バインダ、分散剤及び可塑剤等の含有量を変えることで調整することができ、また、誘電体層４と同様の測定手法で表面硬さを測定すればよい。

導体パターン層３の表面硬さａは、例えば６８．６〜３０３．８ＭＰａの範囲にすればよい。

ここで、導体パターン層３の硬さと誘電層４の硬さとは略等しくなるように設定されており、これによって、加圧する際、導体パターン層３の非形成領域に対応する段差に起因して加圧力に大小が存在しても、導体パターン層３及び誘電体層４が互いに他を拘束することなく加圧力の大きい部位から小さい部位へ移動・変形し、上述の段差が緩和されることによって、積層体１全体を均一に加圧圧着することが可能となる。

特に、導体パターン３の表面硬さａ及び上述の誘電体層４の表面硬さｂは、｜ａ−ｂ｜≦９８ＭＰａの範囲に設定することが好ましく、導体パターン層３及び誘電体層４の上記移動・変形がより効果的に生じ、積層体１全体を均一に加圧圧着することが可能となる。

外部電極５の材料は、特に限定されず、一般的に積層セラミックコンデンサに用いられるものを使用すればよい。

≪製造方法≫
以下、上述した積層セラミックコンデンサの製造方法について、図１乃至図３を用いて説明する。

ここで、図１は、本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）は複合シートを形成する工程を表す図、（ｂ）は複合シートを積層する工程を表す図、（ｃ）は積層体を表す図である。図２は、本発明の一実施形態に係る積層体を加圧する工程を表す断面図である。図３は、本発明の一実施形態に係る積層体を用いて形成された積層セラミックコンデンサを表す断面図である。

＜工程１＞
始めに、図１（ａ）に示すように、支持体６上に、上述の誘電体スラリーをドクターブレード法等で塗布し乾燥させることによって誘電体層４を形成し、誘電体層４上に上述の導電ペーストをスクリーン印刷や塗布法等で塗布し乾燥させて導体パターン層３を形成し、複合シート７とする。

ここで、導体パターン層３の硬さと誘電体層４の硬さとが略等しくなるように、有機バインダ、分散剤及び可塑剤等の含有量が調整されている。

なお、支持体６の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース誘導体、ポリアミド、ポリカーボネート等のプラスチック等を挙げることができる。抗張力及び耐熱性に優れる点でポリエチレンテレフタレートが好ましい。

＜工程２＞
次に、図１（ｂ）に示すように、誘電体層４と同じ組成でできた絶縁層２上に、吸着板１１を用いて複合シート７を支持体６とともに積層し、その後で支持体６のみを剥離する工程を複数回繰り返すことによって複合シート７を複数積層し、図１（ｃ）に示すように、導体パターン層３の非形成領域に対応する疎部８及びそれ以外の領域に対応する密部９を有する積層体１を形成する。

＜工程３＞
そして、図２に示すように、積層体１を積層方向に加圧し、導体パターン層３及び誘電体層４の一部を密部９から疎部８へ移動させることによって圧着積層体１´を形成する。

このように、積層体１（又は複合シート７）を加圧する際、導体パターン層３の非形成領域に対応する段差に起因して加圧力に大小が存在しても、導体パターン層３及び誘電体層４が加圧力の大きい密部９から小さい疎部８へ押し出されるように移動・変形し、導体パターン層３の厚みによる段差が緩和されることによって、積層体１全体の均一な加圧圧着が可能となる。また、このようにして形成された圧着積層体１´は、焼成後を含めて層間剥離の発生を効果的に抑制することができる。

以上のようにして形成された圧着積層体１´は、個々のチップ型の積層セラミック素体に分離されて１３４０℃で焼成される。その後、内部電極両端部に電気的に接続して電気を取り出すための外部電極を形成することによって、図３に示すような積層セラミックコンデンサ１を得た。

まず、誘電体層４は、セラミックの誘電体粉末１００重量部に対し、有機バインダとしてポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を９〜１３重量部と、可塑剤としてフタル酸ジイソノニル（ＤＩＮＰ）を１〜３重量部と、溶剤としてエタノールを１２０重量部と、を混合してなる誘電体スラリーを用意し、この誘電体スラリーを厚み３．０μｍで成形乾燥して形成した。

次に、金属ニッケル粉末１００重量部に対し、有機バインダとしてＰＶＢを４．５〜７．５重量部、可塑剤としてＤＩＮＰを０．５〜３重量部と、溶剤としてオクチル酸を９０重量部と、を混合してなる導電ペーストを用意し、この導電ペーストを誘電体層４上に厚み１．７μｍでスクリーン印刷法等により印刷乾燥して導体パターン層３とした。

これらの誘電体層４と内部電極３とを積層してなる複合シート７を、最外層となる絶縁層２上に順次３．９２ＭＰａの圧力で２４３層加圧積層した後、再び最外層の絶縁層２を積層して積層体１を形成した。そして、この積層体１全体を９８ＭＰａの圧力でプレスして圧着積層体１´を形成した。

このようにして得られた圧着積層体１´について、段差の大きさと変形率を定量的に測定したものを表１に示す。

表１中において、「段差」とは、図４（ａ）に示すように、プレス後の圧着積層体１´において、最上層及び最下層に位置する導体パターン層３（又は誘電体層４）の密部９及び疎部８における段差L１及びL２の大きさを測定しそれらを加えた値を表すものであり、また、「変形率」とは、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、平面形状１５０ｍｍ^２の圧着積層体１´の端部から２０ｍｍ内側の部位における、圧着積層体１´の厚みＴ１に対する最上層に位置する内部電極の長手方向への変形量Ｔ２の割合（Ｔ１／Ｔ２×１００）を表すものである。

これによれば、誘電体層４の硬さ及び導体パターン層３の硬さを６８．６〜３０３．８ＭＰａの範囲となるように調整すれば、積層後の積層セラミックコンデンサにおける段差が改善され、且つ、変形を抑制できることがわかる。特に、極低荷重の押込み試験により得られる導体パターン層３の表面硬さａと誘電体層４の表面硬さｂとが｜ａ−ｂ｜≦９８ＭＰａ、好ましくは｜ａ−ｂ｜≦２９．４ＭＰａとなるように調整すれば、より変形が抑えられ段差の少ない積層セラミックコンデンサが得られる。

なお、表１中の誘電体層４及び導体パターン層３の極低荷重の押込み試験により得られる表面硬さが同じである実施例Ｎｏ．５の誘電体層４及び導体パターン層３はそれぞれ、セラミックの誘電体粉末１００重量部に対し、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を１１．５重量部と、可塑剤としてフタル酸ジイソノニル（ＤＩＮＰ）を１．９重量部とを混合してなる誘電体スラリーを成形乾燥して誘電体層４と、金属ニッケル粉末１００重量部に対し、ＰＶＢを６．５重量部、可塑剤としてのＤＩＮＰを１．６重量部とを混合してなる導電ペーストを印刷乾燥した導体パターン層３である。

そして、上述のようにして形成された圧着積層体１´は、個々のチップ型の積層セラミック素体に分離されて１３４０℃で焼成される。その後、内部電極両端部に電気的に接続して電気を取り出すための外部電極を形成することで積層セラミックコンデンサを得た。

次に、以上のようにして形成された積層セラミックコンデンサ数十個について特性を調べた。なお、積層セラミックコンデンサとして上述の実施例Ｎｏ．５のものを用いた。

その結果、本発明によれば、誘電体インクによる埋め込みを行わなくても、図７に示すような従来の製造方法である誘電体インクによる埋め込みを行った積層セラミックコンデンサと同様な電気的特性をもち、且つ、電極の厚みに起因する段差によって生じるデラミネーション等の構造欠陥は全く見られないことが分かった。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

上述した実施形態においては、積層セラミックコンデンサを例にとって説明したが、その他の積層電子部品、すなわち配線基板、圧電部品、フィルタ、インダクタや抵抗体にも適用することができる。

また、上述の実施形態においては、複合シート７は支持体６とともに積層され、その後に支持体６のみを剥離するようにして積層体１を形成したが、これに代えて、図５に示すように、複合シート７を支持体６から剥離した状態で積層するようにしてもよい。

本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）は複合シートを形成する工程を表す図、（ｂ）は複合シートを積層する工程を表す図、（ｃ）は積層体を表す図である。 本発明の一実施形態に係る積層体を加圧する工程を表す断面図である。 本発明の一実施形態に係る積層体を用いて形成された積層セラミックコンデンサを表す断面図である。 本発明の一実施形態に係る圧着積層体を表す断面図であり、（ａ）はカット位置を示す図、（ｂ）は段差及び変形率を表す図である。 本発明の他の実施形態に係る積層体の製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）は複合シートを形成する工程を表す図、（ｂ）は複合シートを支持体から剥離する工程を表す図、（ｃ）は複合シートを積層して積層体を形成する工程を表す図である。 従来の積層体の製造方法を説明するための断面図であり、（ａ）は電極付きシートを形成する工程を表す図、（ｂ）は電極付きシートを積層して積層体を形成する工程を表す図である。 従来の電極付きシートを表す断面図であり、特に、電極のすき間部に誘電体埋込インクを埋込んだものを示すものである。 従来の電極付きシートを表す断面図であり、特に、乾燥により誘電体が凹むことを示すものである。

符号の説明

１０・・・・・・・積層セラミックコンデンサ（電子部品）
１・・・・・・・・積層体
１´・・・・・・・圧着積層体
２・・・・・・・・絶縁層
３、１３・・・・・内部電極（導体パターン層）
４、１４・・・・・誘電体層
５・・・・・・・・外部電極
６、１６・・・・・支持体
７・・・・・・・・複合シート
８・・・・・・・・疎部
９・・・・・・・・密部
１１・・・・・・・吸着板
１７・・・・・・・電極付きシート
１８・・・・・・・誘電体埋込インク

Claims (8)

1. 導体パターン層と誘電体層とを重ねて成る複合シートにおいて、
   前記導体パターン層の硬さおよび前記誘電体層の硬さの両方を、有機バインダ、分散剤および可塑剤の含有量の調整により、
   前記導体パターン層の表面硬さａと前記誘電体層の表面硬さｂとが｜ａ−ｂ｜≦９８ＭＰａの関係式を満たすようにすることを特徴とする複合シート。
2. 前記導体パターン層の表面硬さａ及び前記誘電体層の表面硬さｂは、共に６８．６ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１に記載の複合シート。
3. 導体パターン層と誘電体層とを多数積層してなる積層体において、
   前記導体パターン層の硬さおよび前記誘電体層の硬さの両方を、有機バインダ、分散剤および可塑剤の含有量の調整により、
   前記導体パターン層の表面硬さａと前記誘電体層の表面硬さｂとが｜ａ−ｂ｜≦９８ＭＰａの関係式を満たすようにすることを特徴とする積層体。
4. 前記導体パターン層の表面硬さａ及び前記誘電体層の表面硬さｂは、共に６８．６ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項３に記載の積層体。
5. 請求項１に記載の複合シートを複数積層して、導体パターン層の非形成領域に対応する疎部及びそれ以外の領域に対応する密部からなる積層体を形成する工程と、
   前記積層体を積層方向に加圧し、前記導体パターン層及び前記誘電体層の一部を前記密部から前記疎部へ移動させることによって圧着積層体を形成する工程と、を有する圧着積層体の製造方法。
6. 前記複合シートは、支持体上に形成され、且つ、該支持体とともに積層された後に支持体のみを剥離する工程を繰り返して積層体を形成することを特徴とする請求項５に記載の圧着積層体の製造方法。
7. 前記複合シートは、支持体上に形成され、且つ、該支持体から剥離された状態で積層されることを特徴とする請求項５に記載の圧着積層体の製造方法。
8. 導体パターン層と誘電体層とを積層して、前記導体パターン層の非形成領域に対応する疎部及びそれ以外の領域に対応する密部からなる請求項３に記載の積層体を形成する工程
   と、
   前記積層体を積層方向に加圧し、前記導体パターン層及び前記誘電体層の一部を前記密部から前記疎部へ移動させることによって圧着積層体を形成する工程と、を有する圧着積層体の製造方法。

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