JP4739360B2 - 不揮発磁気薄膜メモリ装置 - Google Patents
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Description
(第1の実施例)
図1は第1の実施例のトンネル磁気抵抗効果素子の構成要素である磁性膜の飽和磁化の温度変化を示す図である。また、図2は第1の実施例の磁性膜における保磁力の温度変化を示す図である。
本実施例では、MRAMのメモリセルアレイの端に、MOS−FETを設けて温度センサとする。
(第3の実施例)
第3の実施例では、MRAMのメモリセルアレイのマージン領域のメモリセルを試し書きメモリセルとして試し書きを行うことにより、情報の書き込みを環境温度に合わせて段階的に制御するものである。すなわち、任意のメモリセルに、ある電流値で書き込みを行ない、記録の確認を行なった後に、情報の記録動作を開始する。試し書きの際に正常な記録動作が行なわれているかどうかを確認することによって、メモリセルの状況を判断することができる。
42 書き込み線
43 ビット線
44 書き込み線用デコーダ
45 ビット線用デコーダ
61 ソース
62 ドレイン
63 ゲート
64 メモリセルアレイ
65 温度センサ
81 トンネル磁気抵抗効果素子
82 書き込み線
83 ビット線
84 書き込み線用デコーダ
85 ビット線用デコーダ
86 試し書き用メモリセル
S51〜S53、S91〜S96 ステップ
Claims (4)
- 基板上にトランジスタと磁気抵抗効果素子を含むメモリセルがアレイ状に配され、該磁気抵抗効果素子に情報を書き込むための金属配線を備えた不揮発磁気薄膜メモリにおいて、
前記金属配線に流す電流値を段階的に制御する制御手段と、
前記磁気抵抗効果素子の温度を検知する温度センサとを備え、
前記温度センサが、前記基板上に配されたMOS−FETを含んで構成され、
前記制御手段は、前記温度センサにより検知した温度により前記金属配線に流す電流を制御することを特徴とする不揮発磁気薄膜メモリ装置。 - 前記温度センサがメモリセルアレイの駆動用のMOS−FETと同一工程で形成されることを特徴とする請求項1記載の不揮発磁気薄膜メモリ装置。
- 前記温度センサがMOS−FETのゲートのしきい値電圧の温度変化から検知することを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の不揮発磁気薄膜メモリ装置。
- 前記磁気抵抗効果素子がトンネル磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の不揮発磁気薄膜メモリ装置。
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