JP4734134B2 - 半田付け用フラックス及び半田付け用フラックスを用いた実装構造を有する半導体装置 - Google Patents
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Description
(付記1) 銅電極又は前記銅電極の表面に無電解ニッケルめっきが施された電極上に半田合金を半田付けするために用いられる半田付けフラックスであって、
当該フラックスは亜鉛の金属塩を含むことを特徴とする半田付けフラックス。
(付記2) 付記1記載の半田付けフラックスであって、
前記亜鉛の金属塩は有機酸亜鉛であることを特徴する半田付けフラックス。
(付記3) 付記1又は2記載の半田付けフラックスであって、
前記半田合金は鉛を含有し、
前記半田合金における前記鉛の含有量は0.001以上0.1wt%以下の範囲であることを特徴とする半田付けフラックス。
(付記4) 付記1乃至3いずれか一項記載の半田付けフラックスであって、
ロジン、溶剤、及び活性剤を含むことを特徴とする半田付けフラックス。
(付記5) 付記1乃至4いずれか一項記載の半田付けフラックスであって、
前記電極に金メッキが施されていることを特徴とする半田付けフラックス。
(付記6) 銅電極又は前記銅電極の表面に無電解ニッケルめっきが施された電極の上に、半田合金が半田付けされた半導体装置であって、
前記電極と前記半田合金との界面に、亜鉛を含む合金層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記7) 付記6記載の半導体装置であって、
前記半田合金は鉛を含有し、
前記半田合金における前記鉛の含有量は0.001以上0.1wt%以下の範囲であることを特徴とする半導体装置。
(付記8) 付記6又は7記載の半導体装置であって、
前記電極に金メッキが施されていることを特徴とする半導体装置。
2、12 半田合金
3 化合物層
4 カーケンダルボイド
13 半田付けフラックス
15 合金層
Claims (3)
- 銅電極又は前記銅電極の表面に無電解ニッケルめっきが施された電極上に、鉛の含有量が0.001以上0.1wt%以下の範囲である半田合金を半田付けするために用いられる、
ロジンと、
溶剤と、
活性剤と、
10%の有機酸亜鉛と
を含むことを特徴とする半田付けフラックス。 - 前記ロジンとして、ポリペールロジンを40%含み、
前記溶剤として、ブチルカルビトールを48%含み、
前記活性剤として、コハク酸を1%、セバシン酸を1%含み
前記有機酸亜鉛として、ステアリン酸亜鉛10%を含む
ことを特徴とする請求項1記載の半田付けフラックス。 - 銅電極又は前記銅電極の表面に無電解ニッケルめっきが施された電極の上に、半田合金が半田付けされた半導体装置であって、
前記半田合金は鉛の含有量が0.001以上0.1wt%以下の範囲であり、
ロジンと、
溶剤と、
活性剤と、
10%の有機酸亜鉛とを含む半田付けフラックスにより、
前記電極と前記半田合金との界面に、亜鉛を含む合金層が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
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