JP2001274539A - 電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法 - Google Patents
電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法Info
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- JP2001274539A JP2001274539A JP2000088051A JP2000088051A JP2001274539A JP 2001274539 A JP2001274539 A JP 2001274539A JP 2000088051 A JP2000088051 A JP 2000088051A JP 2000088051 A JP2000088051 A JP 2000088051A JP 2001274539 A JP2001274539 A JP 2001274539A
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- electronic device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温で長時間放置しても接合不良の生じない
電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法を提供
する。 【解決手段】 セラミックのプリント配線板１に形成し
た電極１０と、このプリント配線板１に実装した電子デ
バイス２の電極３を、非Ｐｂ系のＳｎを主成分とするは
んだペーストを塗布してリフロー炉で溶融することによ
ってはんだ接合するものであって、上記電子デバイス３
の電極３部にＮｉメッキを施し、さらに無電解メッキに
よりＮｉを主成分としたＮｉ−Ｐメッキで処理し、次い
で１５０℃以上で熱処理してＮｉ−Ｐの金属化合物を形
成した後に、その外側にＳｎメッキを施し、その後に、
この電子デバイス２の電極３と、プリント配線板１に形
成した電極１０を、上記はんだで接合する。
電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法を提供
する。 【解決手段】 セラミックのプリント配線板１に形成し
た電極１０と、このプリント配線板１に実装した電子デ
バイス２の電極３を、非Ｐｂ系のＳｎを主成分とするは
んだペーストを塗布してリフロー炉で溶融することによ
ってはんだ接合するものであって、上記電子デバイス３
の電極３部にＮｉメッキを施し、さらに無電解メッキに
よりＮｉを主成分としたＮｉ−Ｐメッキで処理し、次い
で１５０℃以上で熱処理してＮｉ−Ｐの金属化合物を形
成した後に、その外側にＳｎメッキを施し、その後に、
この電子デバイス２の電極３と、プリント配線板１に形
成した電極１０を、上記はんだで接合する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温の下で使用さ
れるセラミックのプリント配線板に形成した電極と、こ
のプリント配線板に実装した電子デバイスの電極を接合
する電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法に
関するものである。
れるセラミックのプリント配線板に形成した電極と、こ
のプリント配線板に実装した電子デバイスの電極を接合
する電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コンデンサーや半導体チップ等の電子デ
バイスの電極は、電極部にＮｉメッキを施した後に、こ
の電子デバイスを搭載するセラミックのプリント配線板
の電極とはんだ接合される。近年の環境問題の高まりに
伴い、上記はんだ接合は、Ｐｂを成分としたＰｂ−Ｓｎ
はんだに代わり、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ、または、Ｓ
ｎ−Ａｇはんだ等の非Ｐｂ系のＳｎを主成分とするはん
だを用いて行うようになってきた。
バイスの電極は、電極部にＮｉメッキを施した後に、こ
の電子デバイスを搭載するセラミックのプリント配線板
の電極とはんだ接合される。近年の環境問題の高まりに
伴い、上記はんだ接合は、Ｐｂを成分としたＰｂ−Ｓｎ
はんだに代わり、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ、または、Ｓ
ｎ−Ａｇはんだ等の非Ｐｂ系のＳｎを主成分とするはん
だを用いて行うようになってきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年の電子機器
の使用範囲が拡大することに伴い、このような電子デバ
イス搭載したセラミックのプリント配線板は、各種環境
で使用されるようになっている。そこで、電子デバイス
搭載プリント配線板において、高温で長時間放置するよ
うな過酷な試験に対しても、外観等に異常のないことが
求められている。ところが、上記非Ｐｂ系のＳｎを主成
分とするはんだを用いてはんだ接合した電子デバイス搭
載プリント配線板では、例えば、１５０℃の高温で３０
００時間放置を行うと、接合不良が発生し易いものであ
った。
の使用範囲が拡大することに伴い、このような電子デバ
イス搭載したセラミックのプリント配線板は、各種環境
で使用されるようになっている。そこで、電子デバイス
搭載プリント配線板において、高温で長時間放置するよ
うな過酷な試験に対しても、外観等に異常のないことが
求められている。ところが、上記非Ｐｂ系のＳｎを主成
分とするはんだを用いてはんだ接合した電子デバイス搭
載プリント配線板では、例えば、１５０℃の高温で３０
００時間放置を行うと、接合不良が発生し易いものであ
った。
【０００４】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、高温で長時間放置しても
接合不良の生じない電子デバイス搭載プリント配線板の
電極接合方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、高温で長時間放置しても
接合不良の生じない電子デバイス搭載プリント配線板の
電極接合方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の電子デバ
イス搭載プリント配線板の電極接合方法は、セラミック
のプリント配線板に形成した電極と、このプリント配線
板に実装した電子デバイスの電極を、非Ｐｂ系のＳｎを
主成分とするはんだペーストを塗布してリフロー炉で溶
融することによってはんだ接合する電子デバイス搭載プ
リント配線板の電極接合方法において、上記電子デバイ
スの電極部にＮｉメッキを施し、さらに無電解メッキに
よりＮｉを主成分としたＮｉ−Ｐメッキで処理し、次い
で１５０℃以上で熱処理してＮｉ−Ｐの金属化合物を形
成した後に、その外側にＳｎメッキを施し、その後に、
この電子デバイスの電極と、プリント配線板に形成した
電極を、上記はんだで接合することを特徴とする。
イス搭載プリント配線板の電極接合方法は、セラミック
のプリント配線板に形成した電極と、このプリント配線
板に実装した電子デバイスの電極を、非Ｐｂ系のＳｎを
主成分とするはんだペーストを塗布してリフロー炉で溶
融することによってはんだ接合する電子デバイス搭載プ
リント配線板の電極接合方法において、上記電子デバイ
スの電極部にＮｉメッキを施し、さらに無電解メッキに
よりＮｉを主成分としたＮｉ−Ｐメッキで処理し、次い
で１５０℃以上で熱処理してＮｉ−Ｐの金属化合物を形
成した後に、その外側にＳｎメッキを施し、その後に、
この電子デバイスの電極と、プリント配線板に形成した
電極を、上記はんだで接合することを特徴とする。
【０００６】本発明者は、上記目的を達成するために鋭
意研究を重ねた結果、接合層は、ＳｎとＮｉからなる金
属化合物が加熱により増大してくると共に、このＳｎと
Ｎｉからなる金属化合物と、非Ｐｂ系のＳｎを主成分と
するはんだ層の界面に多数のクラックが発生していると
の知見を得てさらに研究を行い、電子デバイスの電極部
にＮｉメッキを施し、さらに無電解メッキによりＮｉを
主成分としたＮｉ−Ｐメッキで処理し、次いで１５０℃
以上で熱処理してＮｉ−Ｐの金属化合物からなるＮｉ−
Ｐ金属化合物層を形成することで、このＮｉ−Ｐ金属化
合物層でＮｉの拡散が抑制され、ＳｎとＮｉからなる金
属化合物の形成を抑制し、高温で長時間放置しても非Ｐ
ｂ系のＳｎを主成分とするはんだ層の界面にクラックが
発生しないことを見出し、本発明の完成に至ったもので
ある。
意研究を重ねた結果、接合層は、ＳｎとＮｉからなる金
属化合物が加熱により増大してくると共に、このＳｎと
Ｎｉからなる金属化合物と、非Ｐｂ系のＳｎを主成分と
するはんだ層の界面に多数のクラックが発生していると
の知見を得てさらに研究を行い、電子デバイスの電極部
にＮｉメッキを施し、さらに無電解メッキによりＮｉを
主成分としたＮｉ−Ｐメッキで処理し、次いで１５０℃
以上で熱処理してＮｉ−Ｐの金属化合物からなるＮｉ−
Ｐ金属化合物層を形成することで、このＮｉ−Ｐ金属化
合物層でＮｉの拡散が抑制され、ＳｎとＮｉからなる金
属化合物の形成を抑制し、高温で長時間放置しても非Ｐ
ｂ系のＳｎを主成分とするはんだ層の界面にクラックが
発生しないことを見出し、本発明の完成に至ったもので
ある。
【０００７】請求項２記載の電子デバイス搭載プリント
配線板の電極接合方法は、請求項１記載の電子デバイス
搭載プリント配線板の電極接合方法において、上記Ｎｉ
を主成分としたＮｉ−Ｐメッキの層の厚みは、５〜１０
μｍの範囲で形成することを特徴とする。
配線板の電極接合方法は、請求項１記載の電子デバイス
搭載プリント配線板の電極接合方法において、上記Ｎｉ
を主成分としたＮｉ−Ｐメッキの層の厚みは、５〜１０
μｍの範囲で形成することを特徴とする。
【０００８】請求項３記載の電子デバイス搭載プリント
配線板の電極接合方法は、請求項１又は請求項２記載の
電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法におい
て、上記非Ｐｂ系のＳｎを主成分とするはんだペースト
が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ、または、Ｓｎ−Ａｇはん
だであることを特徴とする。
配線板の電極接合方法は、請求項１又は請求項２記載の
電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法におい
て、上記非Ｐｂ系のＳｎを主成分とするはんだペースト
が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ、または、Ｓｎ−Ａｇはん
だであることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、請求項１〜３に係る発明
に対応する方法の実施の形態の一例を示し、（ａ）は電
子デバイスの電極部の説明図、（ｂ）は電子デバイス搭
載したプリント配線板の説明図である。
に対応する方法の実施の形態の一例を示し、（ａ）は電
子デバイスの電極部の説明図、（ｂ）は電子デバイス搭
載したプリント配線板の説明図である。
【００１０】本発明は、セラミックのプリント配線板１
に形成した電極１０と、このプリント配線板１に実装し
た電子デバイス２の電極３を接合する方法である。上記
電子デバイス２としては、セラミックからなるコンデン
サーや半導体チップ等が挙げられ、高温の条件下で用い
られるものである。また、電子デバイス２の電極３、及
び、プリント配線板１の電極１０は、例えば、ニッケ
ル、銀、銅等の金属を塗布し焼き付けることにより形成
される。
に形成した電極１０と、このプリント配線板１に実装し
た電子デバイス２の電極３を接合する方法である。上記
電子デバイス２としては、セラミックからなるコンデン
サーや半導体チップ等が挙げられ、高温の条件下で用い
られるものである。また、電子デバイス２の電極３、及
び、プリント配線板１の電極１０は、例えば、ニッケ
ル、銀、銅等の金属を塗布し焼き付けることにより形成
される。
【００１１】上記接合方法は、上記電子デバイス２の電
極３にＮｉメッキを施し、厚み５〜１０μｍ程度のＮｉ
メッキ層４を形成する。さらに、Ｎｉメッキ層４を形成
した電極３に無電解メッキ法によりＮｉを主成分とした
Ｎｉ−Ｐメッキで処理をして、厚み５〜１０μｍ程度の
Ｎｉ−Ｐメッキ層５を形成する。上記Ｎｉ−Ｐメッキ
は、Pの含有量が６〜８重量％程度のものが汎用され
る。
極３にＮｉメッキを施し、厚み５〜１０μｍ程度のＮｉ
メッキ層４を形成する。さらに、Ｎｉメッキ層４を形成
した電極３に無電解メッキ法によりＮｉを主成分とした
Ｎｉ−Ｐメッキで処理をして、厚み５〜１０μｍ程度の
Ｎｉ−Ｐメッキ層５を形成する。上記Ｎｉ−Ｐメッキ
は、Pの含有量が６〜８重量％程度のものが汎用され
る。
【００１２】上記接合方法は、次いで、１５０℃以上で
熱処理してＮｉ−Ｐメッキ層５の表面にＮｉ−Ｐの金属
化合物からなるＮｉ−Ｐ金属化合物層６を形成するもの
である。上記熱処理は、温度１００〜２００℃、時間６
０〜１２０分程度が好適である。上記接合方法は、この
ようにして、Ｎｉメッキ層４、Ｎｉ−Ｐメッキ層５、及
び、Ｎｉ−Ｐ金属化合物層６の順にメッキ層８を形成し
た最外層にＳｎメッキを施し、Ｓｎメッキ層７を形成す
る。
熱処理してＮｉ−Ｐメッキ層５の表面にＮｉ−Ｐの金属
化合物からなるＮｉ−Ｐ金属化合物層６を形成するもの
である。上記熱処理は、温度１００〜２００℃、時間６
０〜１２０分程度が好適である。上記接合方法は、この
ようにして、Ｎｉメッキ層４、Ｎｉ−Ｐメッキ層５、及
び、Ｎｉ−Ｐ金属化合物層６の順にメッキ層８を形成し
た最外層にＳｎメッキを施し、Ｓｎメッキ層７を形成す
る。
【００１３】上記接合方法は、このように最外層にＳｎ
メッキ層７を形成した電子デバイス２に、非Ｐｂ系のＳ
ｎを主成分とするはんだペーストを塗布してリフロー炉
で溶融することにより接合が行われる。上記非Ｐｂ系の
Ｓｎを主成分とするはんだとしては、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ
はんだ、または、Ｓｎ−Ａｇはんだが例示され、具体的
にはＳｎ−３．５％Ａｇ−０．７％ＣｕのはんだやＳｎ
−３．５％Ａｇのはんだが挙げられる。上記はんだ接合
により、電子デバイス２の最外層に形成したＳｎメッキ
層７とはんだペーストとは溶融し、ＡｇやＣｕが散在し
たＳｎはんだ層９が形成される。
メッキ層７を形成した電子デバイス２に、非Ｐｂ系のＳ
ｎを主成分とするはんだペーストを塗布してリフロー炉
で溶融することにより接合が行われる。上記非Ｐｂ系の
Ｓｎを主成分とするはんだとしては、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ
はんだ、または、Ｓｎ−Ａｇはんだが例示され、具体的
にはＳｎ−３．５％Ａｇ−０．７％ＣｕのはんだやＳｎ
−３．５％Ａｇのはんだが挙げられる。上記はんだ接合
により、電子デバイス２の最外層に形成したＳｎメッキ
層７とはんだペーストとは溶融し、ＡｇやＣｕが散在し
たＳｎはんだ層９が形成される。
【００１４】上記接合方法で形成した接合層は、上記Ｎ
ｉ−Ｐ金属化合物層６が形成されているので、このＮｉ
−Ｐ金属化合物層６により、Ｓｎはんだ層９内にＮｉが
拡散することを抑制するものである。その結果、上記接
合方法は、Ｓｎはんだ層９の界面にＳｎとＮｉからなる
金属化合物の層が形成されることを抑制し、したがって
Ｓｎはんだ層９の界面でクラックが発生することを防止
することができるものである。、上記接合方法によっ
て、高温で長時間放置しても接合不良の生じない電子デ
バイス搭載プリント配線板を得ることができる。
ｉ−Ｐ金属化合物層６が形成されているので、このＮｉ
−Ｐ金属化合物層６により、Ｓｎはんだ層９内にＮｉが
拡散することを抑制するものである。その結果、上記接
合方法は、Ｓｎはんだ層９の界面にＳｎとＮｉからなる
金属化合物の層が形成されることを抑制し、したがって
Ｓｎはんだ層９の界面でクラックが発生することを防止
することができるものである。、上記接合方法によっ
て、高温で長時間放置しても接合不良の生じない電子デ
バイス搭載プリント配線板を得ることができる。
【００１５】
【実施例】（実施例１）電子デバイスの電極に厚み７〜
８μｍとなるようにしてＮｉめっきを施し、さらに無電
解めっきにより、Ｐ含有率７重量％含有したＮｉ−Ｐめ
っきを施して、厚みが７〜８μｍとなるようＮｉ−Ｐメ
ッキ層を形成した。次に、１５０℃で９０分間加熱し、
Ｎｉ−Ｐメッキ層の表面にＮｉ−Ｐ金属化合物層を形成
した。その後、この電子デバイスの電極の外側にＳｎめ
っきを行った。
８μｍとなるようにしてＮｉめっきを施し、さらに無電
解めっきにより、Ｐ含有率７重量％含有したＮｉ−Ｐめ
っきを施して、厚みが７〜８μｍとなるようＮｉ−Ｐメ
ッキ層を形成した。次に、１５０℃で９０分間加熱し、
Ｎｉ−Ｐメッキ層の表面にＮｉ−Ｐ金属化合物層を形成
した。その後、この電子デバイスの電極の外側にＳｎめ
っきを行った。
【００１６】プリント配線板にＡｕ／Ｎｉめっきで回路
及び電極を形成したセラミック基板を用いた。上記プリ
ント配線板の電極に、Ｓｎ−Ａｇ系はんだペースト（千
住金属工業株式会社製：Ｓｎ−３．５％Ａｇ−０．７％
Ｃｕ）を印刷し、上記電子デバイスを搭載し、２２０℃
で３０秒（ピーク温度２３０℃）のリフロー炉ではんだ
接合させ、電子デバイス搭載プリント配線板を得た。
及び電極を形成したセラミック基板を用いた。上記プリ
ント配線板の電極に、Ｓｎ−Ａｇ系はんだペースト（千
住金属工業株式会社製：Ｓｎ−３．５％Ａｇ−０．７％
Ｃｕ）を印刷し、上記電子デバイスを搭載し、２２０℃
で３０秒（ピーク温度２３０℃）のリフロー炉ではんだ
接合させ、電子デバイス搭載プリント配線板を得た。
【００１７】（比較例１）実施例１の１５０℃で９０分
間の加熱を行わなかった以外は実施例１と同様にして、
電子デバイス搭載プリント配線板を得た。
間の加熱を行わなかった以外は実施例１と同様にして、
電子デバイス搭載プリント配線板を得た。
【００１８】（評価）得られた実施例１及び比較例１を
１５０℃で３０００時間の処理条件で高温放置試験を行
った。処理後に接合層の断面をＳＥＭ観察を行った。図
２に実施例１の断面の模式図を示し、図３に比較例１の
断面の模式図を示す。
１５０℃で３０００時間の処理条件で高温放置試験を行
った。処理後に接合層の断面をＳＥＭ観察を行った。図
２に実施例１の断面の模式図を示し、図３に比較例１の
断面の模式図を示す。
【００１９】実施例１は、電子デバイスの電極３側か
ら、Ｎｉメッキ層４、Ｎｉ−Ｐメッキ層５、Ｎｉ−Ｐ金
属化合物層６、Ｓｎはんだ層９の順に形成されており、
Ｎｉ−Ｐ金属化合物層６とＳｎはんだ層９の間に、Ｓｎ
−Ｎｉ−Ｃｕからなる金属化合物の層１１が薄く１μｍ
程度形成されていたものの界面にクラックやボイド（気
泡）は発生していなかった。一方、比較例１は、電子デ
バイスの電極３側から、Ｎｉメッキ層４、Ｎｉ−Ｐメッ
キ層５が形成され、その外側にＮｉ−Ｐ金属化合物層６
が形成されているものの、、Ｎｉ−Ｐ金属化合物層６の
形成前にＳｎはんだ層９側にＮｉが拡散され、はんだ層
９との間にＳｎ−Ｎｉ−Ｃｕからなる金属化合物の層１
１が厚く５μｍ程度形成されていた。そしてこの金属化
合物の層１１とはんだ層９との界面にクラック１２やボ
イド（気泡）が発生していた。
ら、Ｎｉメッキ層４、Ｎｉ−Ｐメッキ層５、Ｎｉ−Ｐ金
属化合物層６、Ｓｎはんだ層９の順に形成されており、
Ｎｉ−Ｐ金属化合物層６とＳｎはんだ層９の間に、Ｓｎ
−Ｎｉ−Ｃｕからなる金属化合物の層１１が薄く１μｍ
程度形成されていたものの界面にクラックやボイド（気
泡）は発生していなかった。一方、比較例１は、電子デ
バイスの電極３側から、Ｎｉメッキ層４、Ｎｉ−Ｐメッ
キ層５が形成され、その外側にＮｉ−Ｐ金属化合物層６
が形成されているものの、、Ｎｉ−Ｐ金属化合物層６の
形成前にＳｎはんだ層９側にＮｉが拡散され、はんだ層
９との間にＳｎ−Ｎｉ−Ｃｕからなる金属化合物の層１
１が厚く５μｍ程度形成されていた。そしてこの金属化
合物の層１１とはんだ層９との界面にクラック１２やボ
イド（気泡）が発生していた。
【００２０】
【発明の効果】請求項１〜３記載の電子デバイス搭載プ
リント配線板の電極接合方法は、Ｎｉ−Ｐ金属化合物層
でＮｉの拡散が抑制され、ＳｎとＮｉからなる金属化合
物の形成を抑制し、高温で長時間放置しても接合不良の
生じない電子デバイス搭載プリント配線板を得ることが
できる。
リント配線板の電極接合方法は、Ｎｉ−Ｐ金属化合物層
でＮｉの拡散が抑制され、ＳｎとＮｉからなる金属化合
物の形成を抑制し、高温で長時間放置しても接合不良の
生じない電子デバイス搭載プリント配線板を得ることが
できる。
【図１】本発明の実施の形態の一例を示し、（ａ）は電
子デバイスの電極部の説明図、（ｂ）は電子デバイス搭
載したプリント配線板の説明図である。
子デバイスの電極部の説明図、（ｂ）は電子デバイス搭
載したプリント配線板の説明図である。
【図２】実施例１の接合層の断面の模式的に示した説明
図である。
図である。
【図３】比較例１の接合層の断面の模式的に示した説明
図である。
図である。
１ プリント配線板 ２ 電子デバイス ３ 電極 ４ Ｎｉメッキ層 ５ Ｎｉ−Ｐメッキ層 ６ Ｎｉ−Ｐ金属化合物層 ７ Ｓｎメッキ層 ９ Ｓｎはんだ層 １０ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックのプリント配線板に形成した
電極と、このプリント配線板に実装した電子デバイスの
電極を、非Ｐｂ系のＳｎを主成分とするはんだペースト
を塗布してリフロー炉で溶融することによってはんだ接
合する電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法
において、上記電子デバイスの電極部にＮｉメッキを施
し、さらに無電解メッキによりＮｉを主成分としたＮｉ
−Ｐメッキで処理し、次いで１５０℃以上で熱処理して
Ｎｉ−Ｐの金属化合物を形成した後に、その外側にＳｎ
メッキを施し、その後に、この電子デバイスの電極と、
プリント配線板に形成した電極を、上記はんだで接合す
ることを特徴とする電子デバイス搭載プリント配線板の
電極接合方法。 - 【請求項２】 上記Ｎｉを主成分としたＮｉ−Ｐメッキ
の層の厚みは、５〜１０μｍの範囲で形成することを特
徴とする請求項１記載の電子デバイス搭載プリント配線
板の電極接合方法。 - 【請求項３】 上記非Ｐｂ系のＳｎを主成分とするはん
だペーストが、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ、または、Ｓｎ
−Ａｇはんだであることを特徴とする請求項１又は請求
項２記載の電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088051A JP2001274539A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000088051A JP2001274539A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274539A true JP2001274539A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18603980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000088051A Pending JP2001274539A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 電子デバイス搭載プリント配線板の電極接合方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001274539A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849939B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-02-01 | Neomax Co., Ltd. | Electronic component package and method of manufacturing same |
| US7217645B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and electronic device and method for calculating connection condition |
| US7615255B2 (en) * | 2005-09-07 | 2009-11-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Metal duplex method |
| US20110038102A1 (en) * | 2009-08-12 | 2011-02-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Solid electrolytic condenser and method for preparing the same |
| JP2011082491A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-04-21 | Tdk Corp | 端子構造、プリント配線板、モジュール基板及び電子デバイス |
| US7969710B2 (en) * | 2007-12-17 | 2011-06-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
| US20120120554A1 (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Condenser element, solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| CN103695977A (zh) * | 2014-01-08 | 2014-04-02 | 苏州道蒙恩电子科技有限公司 | 一种令镀锡层平整且预防长锡须的电镀方法 |
| JP2016115825A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 株式会社村田製作所 | 被保護物の保護方法 |
| CN112469207A (zh) * | 2020-04-23 | 2021-03-09 | 苏州市杰煜电子有限公司 | 一种高质量锡膏印刷的高良率smt工艺 |
| JP7349317B2 (ja) | 2019-10-18 | 2023-09-22 | Koa株式会社 | チップ部品およびチップ部品の製造方法 |
| JP7372813B2 (ja) | 2019-10-18 | 2023-11-01 | Koa株式会社 | チップ部品 |
-
2000
- 2000-03-28 JP JP2000088051A patent/JP2001274539A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7166497B2 (en) | 2001-03-27 | 2007-01-23 | Neomax Materials Co., Ltd. | Electronic component package and method of manufacturing same |
| US6849939B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-02-01 | Neomax Co., Ltd. | Electronic component package and method of manufacturing same |
| US7217645B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and electronic device and method for calculating connection condition |
| US7615255B2 (en) * | 2005-09-07 | 2009-11-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Metal duplex method |
| US7969710B2 (en) * | 2007-12-17 | 2011-06-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
| US7993418B2 (en) | 2007-12-17 | 2011-08-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same |
| US8411417B2 (en) * | 2009-08-12 | 2013-04-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Solid electrolytic condenser with enhanced volumetric efficiency |
| US20110038102A1 (en) * | 2009-08-12 | 2011-02-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Solid electrolytic condenser and method for preparing the same |
| JP2011082491A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-04-21 | Tdk Corp | 端子構造、プリント配線板、モジュール基板及び電子デバイス |
| US20120120554A1 (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Condenser element, solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| CN102468053A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 三星电机株式会社 | 电容器元件、固体电解电容器及其制造方法 |
| US8780532B2 (en) * | 2010-11-12 | 2014-07-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Condenser element, solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| CN103695977A (zh) * | 2014-01-08 | 2014-04-02 | 苏州道蒙恩电子科技有限公司 | 一种令镀锡层平整且预防长锡须的电镀方法 |
| JP2016115825A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 株式会社村田製作所 | 被保護物の保護方法 |
| JP7349317B2 (ja) | 2019-10-18 | 2023-09-22 | Koa株式会社 | チップ部品およびチップ部品の製造方法 |
| JP7372813B2 (ja) | 2019-10-18 | 2023-11-01 | Koa株式会社 | チップ部品 |
| CN112469207A (zh) * | 2020-04-23 | 2021-03-09 | 苏州市杰煜电子有限公司 | 一种高质量锡膏印刷的高良率smt工艺 |
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