JP4729953B2 - 薄膜半導体装置の製造方法 - Google Patents
薄膜半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4729953B2 JP4729953B2 JP2005072588A JP2005072588A JP4729953B2 JP 4729953 B2 JP4729953 B2 JP 4729953B2 JP 2005072588 A JP2005072588 A JP 2005072588A JP 2005072588 A JP2005072588 A JP 2005072588A JP 4729953 B2 JP4729953 B2 JP 4729953B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- silicon thin
- film
- polycrystalline silicon
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
本発明は、結晶化する膜厚が厚いほど結晶粒の平均サイズが大きくなるという新たな知見に基づき、所望の膜厚より厚い膜で結晶化を行う。その後、所望の膜厚に薄くして用いるものである。また、厚膜化に従い表面の凹凸が著しくなる不都合を解消するため、結晶化後に平坦化の工程を付加しても良い。
02、10 拡散防止層
03 高融点金属層
04a、11a 非晶質シリコン薄膜
04b、11b 多結晶シリコン薄膜
04b’ 多結晶シリコン薄膜
05、12 固体レーザ光源
06、13 レーザ光
07 p型非晶質シリコン薄膜
08 透明電極
Claims (2)
- 異種基板上にシリコン薄膜を2μm以上の膜厚に形成するシリコン膜形成工程と、上記シリコン薄膜に対し連続波レーザ光を照射・走査し、上記シリコン薄膜を結晶化させ平均結晶粒面積500μm2以上の多結晶シリコン薄膜を形成すると共に、上記多結晶シリコン薄膜の表面に凹凸を形成する結晶化工程と、上記凹凸が形成された上記多結晶シリコン薄膜の表面に薄膜層を形成する薄膜形成工程と、上記薄膜層側からスパッタエッチングを施すことで上記薄膜層を除去すると共に、上記多結晶シリコン薄膜を薄くする薄膜化工程とを備え、
上記薄膜化工程において上記多結晶シリコン薄膜の表面に設けられた上記薄膜層を除去すると共に上記多結晶シリコン薄膜の表面に形成された凹凸を除去することで上記多結晶シリコン薄膜の表面を平坦化することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の薄膜半導体装置の製造方法において、
上記薄膜層を構成する材料は、ホトレジスト、半導体材料、無機絶縁材料、金属材料、有機材料、のいずれかであることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005072588A JP4729953B2 (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005072588A JP4729953B2 (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006261180A JP2006261180A (ja) | 2006-09-28 |
JP4729953B2 true JP4729953B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=37100132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005072588A Expired - Fee Related JP4729953B2 (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4729953B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9437719B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-09-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing semiconductor device having grooved surface |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5236912B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2013-07-17 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
WO2014178203A1 (ja) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | 株式会社 東芝 | 3次元半導体装置及びその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03145717A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Kyocera Corp | 半導体素子の製造方法 |
JPH06163588A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH10106951A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Sharp Corp | 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法 |
JPH10261799A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Sony Corp | 半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003203924A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2003224070A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4115582B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2008-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2000357798A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP3362689B2 (ja) * | 1999-02-12 | 2003-01-07 | ソニー株式会社 | 多結晶半導体の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-03-15 JP JP2005072588A patent/JP4729953B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03145717A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Kyocera Corp | 半導体素子の製造方法 |
JPH06163588A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH10106951A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Sharp Corp | 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法 |
JPH10261799A (ja) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Sony Corp | 半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003203924A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2003224070A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-08-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9437719B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-09-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing semiconductor device having grooved surface |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006261180A (ja) | 2006-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4814307B2 (ja) | 薄膜シリコンに基づいた光電池の製造方法 | |
US5584941A (en) | Solar cell and production process therefor | |
TW515101B (en) | Method for fabrication of field-effect transistor | |
JP5508535B2 (ja) | 半導体薄膜の形成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、基板及び薄膜基板 | |
JP4729953B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
US8704083B2 (en) | Photoelectric conversion device and fabrication method thereof | |
JP5282198B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法、多結晶シリコン薄膜基板および多結晶シリコン薄膜型太陽電池 | |
US8003423B2 (en) | Method for manufacturing a poly-crystal silicon photovoltaic device using horizontal metal induced crystallization | |
JP2001156026A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP2004342909A (ja) | 結晶シリコン系薄膜太陽電池の製造方法及びそれを用いて形成した太陽電池 | |
JP2006093212A (ja) | 多結晶層の形成方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
JP3102772B2 (ja) | シリコン系半導体薄膜の製造方法 | |
JP2001168363A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2006261182A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
WO2011161901A1 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の形成方法、多結晶シリコン薄膜基板、シリコン薄膜太陽電池及びシリコン薄膜トランジスタ装置 | |
JPH0282655A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
JP4534585B2 (ja) | 薄膜半導体基板及びその製造方法 | |
JP2001332494A (ja) | 半導体素子の製造方法および半導体素子 | |
JP2005158836A (ja) | 薄膜半導体装置及びその製造方法 | |
JP3065528B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI481042B (zh) | 太陽能電池之多晶矽質薄膜的製造方法 | |
JP3142836B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH04127482A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
JP2000357808A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法 | |
JP2833924B2 (ja) | 結晶太陽電池およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070518 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100716 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101130 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20101207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110225 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110404 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |