JP4725145B2

JP4725145B2 - Alloy plating method and alloy plating apparatus

Info

Publication number: JP4725145B2
Application number: JP2005076356A
Authority: JP
Inventors: 敬治井手
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2005-03-17
Filing date: 2005-03-17
Publication date: 2011-07-13
Anticipated expiration: 2025-03-17
Also published as: JP2006257492A

Description

本発明は、合金の電解めっき方法とそれを実施するための合金めっき装置に関し、特に、半導体装置用リードフレームの外装めっき、半導体ウェハ上へのバンプめっきやプリント配線板などのパターンめっき等における鉛フリーめっきに代表される合金めっきの方法とそれを実施するための電解めっき装置に関する。 The present invention relates to an alloy electroplating method and an alloy plating apparatus for carrying out the same, and in particular, lead in exterior plating of lead frames for semiconductor devices, bump plating on semiconductor wafers, pattern plating of printed wiring boards, and the like. The present invention relates to an alloy plating method represented by free plating and an electrolytic plating apparatus for carrying out the method.

近年、地球環境保全への関心の高まりに伴い、電子部品の表面処理に従来使用されてきたＳｎ−Ｐｂはんだめっきは今後廃止される傾向にあり、これに代わって、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金などの鉛フリーはんだめっきが主流となってきている。従来のＳｎ−Ｐｂ（はんだ）めっきである場合、所定の組成比に調合した合金自体を可溶性陽極として電解めっきを行う方法や、Ｓｎ、Ｐｂそれぞれの純物質からなる可溶性陽極を個別に使用し、それぞれの陽極に目的とする合金組成に対応した電流を流してめっきを行う方法が用いられてきた。Ｓｎ−Ｐｂ（はんだ）めっきの場合はＳｎ、Ｐｂの標準電極電位がほぼ等しいため、上記のいずれの方法を用いても合金めっきが可能である。 In recent years, Sn-Pb solder plating, which has been conventionally used for surface treatment of electronic components, has been abolished in the future due to increasing interest in global environmental conservation. Instead, Sn-Zn, Sn-Ag Lead-free solder plating such as Sn-Cu and Sn-Ag-Cu alloys has become the mainstream. In the case of conventional Sn—Pb (solder) plating, a method of performing electrolytic plating using the alloy itself prepared in a predetermined composition ratio as a soluble anode, or a soluble anode made of pure materials of Sn and Pb, respectively, A method has been used in which each anode is plated by applying a current corresponding to the target alloy composition. In the case of Sn—Pb (solder) plating, the standard electrode potentials of Sn and Pb are almost equal, so that any of the above methods can be used for alloy plating.

しかしながら、鉛フリーはんだめっきをはじめ殆どの合金において、合金を構成する金属それぞれの標準電極電位は異なっており、その結果、上記のような方法ではいずれの方法を用いても標準電極電位が卑な金属が優先的にめっき液中に溶解し、標準電極電位が貴な金属は殆ど溶出しないため、被めっき材に対して目的とする組成で合金を析出させることができないという問題が発生する。このため、従来、標準電極電位が卑である（標準電極電位が低い）金属のみを純金属にて供給し、標準電極電位が貴である金属は化合物の溶液として供給する方法がとられている（第１の従来例：例えば、特許文献１、２参照）。あるいは、標準電極電位が貴である（標準電極電位が高い）金属は電解槽において純金属の陽極にて供給し、標準電極電位が卑である金属は別に設けられた電解槽ないし溶解槽において純金属にて供給しそれぞれの槽にて生成された溶液を混合して作製されためっき液が用いられる（第２の従来例：例えば、特許文献３、４参照）。
特開平１０−２８８０００号公報特開２００１−１４４２４０号公報特開２００３−５５７９８号公報特開２００３−１６０９００号公報 However, in most alloys including lead-free solder plating, the standard electrode potential of each metal constituting the alloy is different, and as a result, the standard electrode potential is low in any of the above methods. Since the metal is preferentially dissolved in the plating solution and the metal having a standard electrode potential is rarely eluted, there arises a problem that the alloy cannot be deposited with a target composition on the material to be plated. For this reason, conventionally, only a metal whose standard electrode potential is base (low standard electrode potential) is supplied as pure metal, and a metal whose standard electrode potential is noble is supplied as a compound solution. (First conventional example: see, for example, Patent Documents 1 and 2). Alternatively, a metal having a standard electrode potential noble (high standard electrode potential) is supplied from a pure metal anode in an electrolytic cell, and a metal having a standard electrode potential is pure in a separate electrolytic cell or dissolution bath. A plating solution prepared by mixing a solution supplied in metal and generated in each tank is used (second conventional example: see, for example, Patent Documents 3 and 4).
Japanese Patent Laid-Open No. 10-288000 JP 2001-144240 A JP 2003-55798 A JP 2003-160900 A

第１の従来例の方法では、可溶性陽極を使用していない標準電極電位が貴な金属のイオンは陽極の溶出により自動的に補給されることがないため、めっきにより金属イオンが消費されるとめっき液中の濃度が減少してしまう。このため、標準電極電位が貴な金属のイオンの薬液を用意しておき、めっき品質を一定に保つため、金属イオン濃度を監視して頻繁に標準電極電位が貴な金属のイオンを補給して溶液の濃度管理を行う必要があり、管理コストが増大してしまうという問題が発生する。
一方、第２の従来例の方法では、複数の電解槽を用意しておきそれらの間で薬液を循環させなければならず、多くのスペースを必要とするほか薬液循環システムの構築が必要になるなど装置の大規模化、複雑化を伴い、装置が高価なものになってしまう。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解決することであって、その目的は、鉛フリーはんだ等の合金めっきを、大規模で複雑な装置を必要とすることなく、かつ、管理コストの増大を招くことなく行い得るようにすることである。 In the method of the first conventional example, ions of a metal having a standard electrode potential having no standard soluble potential and noble anode are not automatically replenished by elution of the anode. The concentration in the plating solution will decrease. Therefore, in order to keep the plating quality constant by preparing a chemical solution of metal ions with a standard electrode potential noble, monitor the metal ion concentration and replenish metal ions with a standard electrode potential frequently. It is necessary to manage the concentration of the solution, which causes a problem that the management cost increases.
On the other hand, in the method of the second conventional example, a plurality of electrolytic cells must be prepared and the chemical solution must be circulated between them, which requires a lot of space and requires the construction of a chemical solution circulation system. As the apparatus becomes larger and more complicated, the apparatus becomes expensive.
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and its purpose is to manage alloy plating such as lead-free solder without requiring a large-scale and complicated apparatus. It is to be able to perform without increasing the cost.

上記の目的を達成するため、本発明によれば、電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき方法であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、複数の可溶性固体陽極に同時に電流が供給されることがない態様にてそれぞれの可溶性固体陽極に間欠的に電流を供給することを特徴とする合金めっき方法、が提供される。
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき方法であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、それぞれの可溶性固体陽極に間欠的に電流を供給し、複数の可溶性固体陽極に同時に間欠的電流が供給されている時間の和は、一つの可溶性固体陽極にのみ間欠的電流が供給されている時間の和の１／１０以下であることを特徴とする合金めっき方法、が提供される。 In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided an alloy plating method for plating an alloy on an object to be plated by an electrolytic plating method, wherein all metal elements constituting the alloy are the same as individual soluble solid anodes. An alloy plating method is provided, wherein the current is intermittently supplied to each of the soluble solid anodes in such a manner that the current is not supplied simultaneously to the plurality of soluble solid anodes. Is done.
Further, in order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided an alloy plating method for plating an alloy on an object to be plated by an electrolytic plating method, wherein all metal elements constituting the alloy are individually soluble solid anodes. Are arranged in the same plating tank, intermittently supplying current to each soluble solid anode, and the sum of the time when intermittent current is simultaneously supplied to a plurality of soluble solid anodes is There is provided an alloy plating method characterized in that it is 1/10 or less of the sum of the time during which only intermittent current is supplied.

また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき方法であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、各可溶性固体陽極間に配置し、標準電極電位の高い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に高い電圧を印加し標準電極電位の低い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に低い電圧を印加することを特徴とする合金めっき方法、が提供される。 Further, in order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided an alloy plating method for plating an alloy on an object to be plated by an electrolytic plating method, wherein all metal elements constituting the alloy are individually soluble solid anodes. Placed in the same plating tank, placed between each soluble solid anode , applied a relatively high voltage to the soluble solid anode of the metal element having a high standard electrode potential, and soluble solid of the metal element having a low standard electrode potential An alloy plating method is provided, wherein a relatively low voltage is applied to the anode.

また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき装置であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、複数の可溶性固体陽極に同時に電流が供給されることがない態様にてそれぞれの可溶性固体陽極に間欠的に電流を供給することができる電源装置を具備したことを特徴とする合金めっき装置、が提供される。
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき装置であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、それぞれの可溶性固体陽極に間欠的に電流を供給することができる電源装置を具備し、複数の可溶性固体陽極に同時に間欠的電流が供給されている時間の和は、一つの可溶性固体陽極にのみ間欠的電流が供給されている時間の和の１／１０以下であることを特徴とする合金めっき装置、が提供される。 In order to achieve the above object, according to the present invention, an alloy plating apparatus for plating an alloy on an object to be plated by an electrolytic plating method, wherein all the metal elements constituting the alloy are separated into individual soluble solid anodes. As a power supply device that can be intermittently supplied to each soluble solid anode in such a manner that the current is not supplied simultaneously to a plurality of soluble solid anodes. An alloy plating apparatus is provided.
In order to achieve the above object, according to the present invention, an alloy plating apparatus for plating an alloy on an object to be plated by an electrolytic plating method, wherein all the metal elements constituting the alloy are separated into individual soluble solid anodes. As a sum of the time during which intermittent currents are simultaneously supplied to a plurality of soluble solid anodes. Provides an alloy plating apparatus characterized in that it is 1/10 or less of the sum of the time during which intermittent current is supplied only to one soluble solid anode.

また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき装置であって、合金を構成する各金属元素よりそれぞれ構成された可溶性固体陽極が同一のめっき槽内に配置され、各可溶性固体陽極間に絶縁壁が配置され、標準電極電位の高い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に高い電圧の電源が接続され標準電極電位の低い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に低い電圧の電源が接続されていることを特徴とする合金めっき装置、が提供される。

In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided an alloy plating apparatus for plating an alloy on an object to be plated by an electrolytic plating method, wherein each of the soluble solids is composed of each metal element constituting the alloy. An anode is placed in the same plating tank , an insulating wall is placed between each soluble solid anode, a relatively high voltage power source is connected to the soluble solid anode of a metal element having a high standard electrode potential, and There is provided an alloy plating apparatus characterized in that a relatively low voltage power source is connected to a soluble solid anode of a low metal element.

本発明による合金めっき方法は、各可溶性陽極に時間分離して独立に電流を供給するものであるので、あるいは各可溶性陽極にそれぞれの標準電極電位に応じた電圧印加するものであるので、電解槽（めっき槽）は１個のみで済ますことが可能になり、めっき装置を大幅に小型化、簡素化することが可能になる。また、本発明によれば、標準電極電位が貴な金属も化合物の溶液として供給する必要がなくなり、めっき液の管理が飛躍的に容易になる。よって、本発明によれば、容易にかつ低コストにて合金めっきを行うことが可能となる。 Since the alloy plating method according to the present invention supplies current independently to each soluble anode in a time-separated manner, or applies voltage corresponding to each standard electrode potential to each soluble anode. Only one (plating tank) can be used, and the plating apparatus can be greatly downsized and simplified. Further, according to the present invention, it is not necessary to supply a metal having a standard electrode potential noble as a compound solution, and the management of the plating solution is greatly facilitated. Therefore, according to the present invention, alloy plating can be performed easily and at low cost.

次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態のめっき装置の概略構成図であって、本実施の形態は、二元合金のめっき装置に係るものである。説明に先立ち、目的とする合金を構成する金属をM、Nとし、構成金属Mの方が、構成金属Nよりも標準電極電位が貴であるものとする。
めっき槽1内には、目的とするめっき合金に対応しためっき液2が満たされており、めっき液2の中には、被めっき材からなる陰極3、合金を構成する金属のうち標準電極電位が貴な方の金属Ｍの純物質からなる可溶性陽極4、および、合金を構成する金属のうち標準電極電位が卑な方の金属Ｎの純物質からなる可溶性陽極5が浸漬されている。陰極3と可溶性陽極4、陰極3と可溶性陽極5の間にはそれぞれ独立して整流器a1、a2が配置されている。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a plating apparatus according to a first embodiment of the present invention, and the present embodiment relates to a binary alloy plating apparatus. Prior to the description, it is assumed that metals constituting the target alloy are M and N, and that the constituent metal M has a higher standard electrode potential than the constituent metal N.
The plating tank 1 is filled with a plating solution 2 corresponding to a target plating alloy. The plating solution 2 includes a cathode 3 made of a material to be plated and a standard electrode potential among metals constituting the alloy. The soluble anode 4 made of a pure material of the metal M having the noble metal and the soluble anode 5 made of a pure material of the metal N having a lower standard electrode potential among the metals constituting the alloy are immersed. Rectifiers a1 and a2 are arranged independently between the cathode 3 and the soluble anode 4 and between the cathode 3 and the soluble anode 5, respectively.

ここで、整流器a1、a2は、制御極付き整流器であって、それぞれの可溶性陽極4、5に対して任意の波形の電流を供給することが可能となっている。そして、それぞれの可溶性陽極に対し、目的とする合金の組成に対応した積算電流値で電流を供給するために、電流値および通電時間を任意に制御することが可能である。また、整流器a1、a2は、互いに同期を取りながら各可溶性陽極に電流を供給することができるものである。
上記のめっき装置を用いて、合金めっきを行う場合にそれぞれの可溶性陽極に供給する電流が同時に重なることがないよう制御することにより、同時に複数の可溶性陽極に電流が供給されることを防止することができる。このように、各可溶性陽極に独立して電流を供給することにより、標準電極電位が貴な金属と、標準電極電位が卑な金属を任意の割合でめっき液中に溶出させることが可能となる。
本実施の形態により、合金を構成する金属材料M、Nそれぞれの供給を全て可溶性陽極にて行うことが可能となる。合金めっき皮膜生成に消費された金属イオンは可溶性陽極の溶出により補われ、化合物の溶液として補給せずともめっき液中の金属イオン濃度はほぼ一定に保たれるため、めっき液管理は格段に容易になる。また、本発明によれば、一つのめっき槽1内において、両方の金属イオンを供給することができるため、めっき装置を極めて簡素に構成することができる。よって、本発明によれば、合金めっきに係る装置コストおよびランニングコストを大幅に削減することができる。 Here, the rectifiers a1 and a2 are rectifiers with control poles, and can supply a current having an arbitrary waveform to the soluble anodes 4 and 5, respectively. And in order to supply an electric current with each integrated current value corresponding to the composition of the target alloy with respect to each soluble anode, it is possible to arbitrarily control an electric current value and energization time. The rectifiers a1 and a2 can supply current to each soluble anode while synchronizing with each other.
Using the above plating apparatus, when performing alloy plating, by controlling so that the current supplied to each soluble anode does not overlap at the same time, to prevent the current from being supplied to a plurality of soluble anodes simultaneously Can do. As described above, by independently supplying a current to each soluble anode, it becomes possible to elute a metal having a standard electrode potential noble and a metal having a standard electrode potential base in an arbitrary ratio in the plating solution. .
According to the present embodiment, it becomes possible to supply all of the metal materials M and N constituting the alloy by the soluble anode. The metal ions consumed to form the alloy plating film are compensated by the elution of the soluble anode, and the metal ion concentration in the plating solution can be kept almost constant without replenishing as a compound solution. become. Further, according to the present invention, both metal ions can be supplied in one plating tank 1, so that the plating apparatus can be configured extremely simply. Therefore, according to this invention, the apparatus cost and running cost which concern on alloy plating can be reduced significantly.

図２は、図１に示した第１の実施の形態のめっき装置に対する電流供給の一例を示す電流プロファイルである。同図に示されるように、可溶性陽極4および可溶性陽極5それぞれに電流が供給される時間が重複しないように整流器a1、a2が制御されており、かつ、可溶性陽極4と可溶性陽極5にはそれぞれ貴な金属Ｍと卑な金属Nとの組成比に従った時間幅の電流が供給されている。
図２に示した例では矩形波を各陽極に印加していたが、可溶性陽極4および可溶性陽極5に供給する電流プロファイルは矩形波に限らず任意の曲線で表される波形に変更してもよい。また、供給する電流は必ずしも１方向のみに流れる必要はなく、一時的にマイナス方向に流れる場合があってもよい。また、本実施の形態においては、それぞれの可溶性陽極に供給する電流が時間的に重なることがないようにすることが基本であるが、若干の時間両方の電極へ同時に電流の供給が行われることを排除するものではない。この場合に、複数の電極に同時に電流が供給されている時間の合計が、一の電極にのみ電流を供給している時間の合計の１／１０以下とすることが望ましい。また、電流供給の切り換えは同期して行うことが基本であるが、若干の時間いずれの陽極に対しても電流が供給されることがないように制御してもよい。 FIG. 2 is a current profile showing an example of current supply to the plating apparatus of the first embodiment shown in FIG. As shown in the figure, the rectifiers a1 and a2 are controlled so that the time during which current is supplied to each of the soluble anode 4 and the soluble anode 5 does not overlap, and each of the soluble anode 4 and the soluble anode 5 has A current having a time width according to the composition ratio between the noble metal M and the base metal N is supplied.
In the example shown in FIG. 2, a rectangular wave is applied to each anode. However, the current profile supplied to the soluble anode 4 and the soluble anode 5 is not limited to the rectangular wave, and can be changed to a waveform represented by an arbitrary curve. Good. In addition, the supplied current does not necessarily have to flow only in one direction, and may temporarily flow in the negative direction. In the present embodiment, it is fundamental that the currents supplied to the respective soluble anodes do not overlap in time, but the currents are supplied simultaneously to both electrodes for a short time. Is not to be excluded. In this case, it is desirable that the total time during which currents are simultaneously supplied to a plurality of electrodes be 1/10 or less of the total time during which currents are supplied only to one electrode. The switching of the current supply is basically performed synchronously, but it may be controlled so that no current is supplied to any anode for some time.

図３は、本発明の第２の実施の形態の二元合金めっき装置の概略構成図である。図３において、図１に示した第１の実施の形態の装置と同等の部分には同一の参照記号が付せられているので、重複する説明は省略する。本実施の形態においては、陰極3と可溶性陽極4との間には電源ｂ１とスイッチｓ１が、また陰極3と可溶性陽極5との間には電源ｂ２とスイッチｓ２が接続されている。ここで、スイッチｓ１とｓ２とは相補的に動作する。従って、可溶性陽極4と可溶性陽極５に供給される電流のプロファイルは図２に示す通りである。 FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a binary alloy plating apparatus according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same reference numerals are given to the same parts as those in the apparatus of the first embodiment shown in FIG. In the present embodiment, a power source b1 and a switch s1 are connected between the cathode 3 and the soluble anode 4, and a power source b2 and a switch s2 are connected between the cathode 3 and the soluble anode 5. Here, the switches s1 and s2 operate in a complementary manner. Therefore, the profile of the current supplied to the soluble anode 4 and the soluble anode 5 is as shown in FIG.

図４は、本発明の第３の実施の形態の二元合金めっき装置の概略構成図である。図４において、図１に示した第１の実施の形態の装置と同等の部分には同一の参照記号が付せられているので、重複する説明は省略する。本実施の形態においては、陰極3と可溶性陽極4および可溶性陽極５との間には電源ｂ１とスイッチｓ３が共通に接続されている。ここで、スイッチｓ３の可動接点は可溶性陽極4と可溶性陽極５とのいずれかに選択的に接続されるように構成されている。従って、可溶性陽極4と可溶性陽極５に供給される電流のプロファイルは図２に示す通りである。 FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a binary alloy plating apparatus according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 4, the same reference numerals are given to the parts equivalent to those of the apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1, and the duplicate description is omitted. In the present embodiment, a power source b1 and a switch s3 are connected in common between the cathode 3, the soluble anode 4 and the soluble anode 5. Here, the movable contact of the switch s3 is configured to be selectively connected to either the soluble anode 4 or the soluble anode 5. Therefore, the profile of the current supplied to the soluble anode 4 and the soluble anode 5 is as shown in FIG.

図５は、本発明の第４の実施の形態の二元合金めっき装置の概略構成図である。図５において、図１に示した第１の実施の形態の装置と同等の部分には同一の参照記号が付せられているので、重複する説明は省略する。本実施の形態においては、陰極3と可溶性陽極4との間には電源ｂ１とスイッチｓ１が、また陰極3と可溶性陽極5との間には電源ｂ１とスイッチｓ２が接続されている。すなわち、電源ｂ１は、可溶性陽極4と可溶性陽極５の両方に共通に接続されている。ここで、スイッチｓ１とｓ２とは相補的に動作する。従って、可溶性陽極4と可溶性陽極５に供給される電流のプロファイルは図２に示す通りである。
図３〜図５に示される実施の形態では、陰極3−陽極４、５間の電流の供給は直流電源によって行っていたが、これを整流器に置き換えてもよい。この場合、必ずしも制御極付きの整流器を用いなくてもよい。 FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a binary alloy plating apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same reference numerals are given to the same parts as those of the apparatus of the first embodiment shown in FIG. In the present embodiment, a power source b1 and a switch s1 are connected between the cathode 3 and the soluble anode 4, and a power source b1 and a switch s2 are connected between the cathode 3 and the soluble anode 5. That is, the power source b1 is connected to both the soluble anode 4 and the soluble anode 5 in common. Here, the switches s1 and s2 operate in a complementary manner. Therefore, the profile of the current supplied to the soluble anode 4 and the soluble anode 5 is as shown in FIG.
In the embodiment shown in FIG. 3 to FIG. 5, the current supply between the cathode 3 and the anode 4, 5 is performed by a DC power supply, but this may be replaced by a rectifier. In this case, a rectifier with a control pole is not necessarily used.

図６は、本発明の第５の実施の形態のめっき装置の概略構成図であって、本実施の形態は、三元合金のめっき装置に係る。ここで、三元合金は金属Ｍ、Ｒ、Ｎにより構成されており、この内Ｍが標準電極電位が最も貴な金属であり、Ｎが標準電極電位が最も卑な金属である。そして、ＲはＭより卑でＮより貴な金属である。めっき槽1内には、金属Ｍ、Ｒ、Ｎのイオンを含むめっき液2が満たされており、めっき液2の中には、被めっき材からなる陰極3、合金を構成する金属のうち標準電極電位が最も貴な金属Ｍの純物質からなる可溶性陽極4、合金を構成する金属のうち標準電極電位が最も卑な金属Ｎの純物質からなる可溶性陽極5、および、合金を構成する金属のうち標準電極電位がＭより卑でＮより貴の金属Ｒの純物質からなる可溶性陽極６が浸漬されている。陰極3と可溶性陽極4、陰極3と可溶性陽極5、および、陰極3と可溶性陽極６の間にはそれぞれ整流器a1、a2、a３が配置されている。 FIG. 6: is a schematic block diagram of the plating apparatus of the 5th Embodiment of this invention, Comprising: This Embodiment concerns on the plating apparatus of a ternary alloy. Here, the ternary alloy is composed of metals M, R, and N, where M is the metal having the highest standard electrode potential and N is the metal having the lowest standard electrode potential. R is a metal that is less basic than M and noble than N. The plating tank 1 is filled with a plating solution 2 containing ions of metals M, R, and N. The plating solution 2 includes a cathode 3 made of a material to be plated and a standard of metals constituting an alloy. A soluble anode 4 made of a pure material of the metal M having the highest electrode potential, a soluble anode 5 made of a pure material of the metal N having the lowest standard electrode potential among the metals constituting the alloy, and a metal constituting the alloy Among them, a soluble anode 6 made of a pure material of metal R whose standard electrode potential is lower than M and higher than N is immersed. Rectifiers a1, a2, and a3 are disposed between the cathode 3 and the soluble anode 4, the cathode 3 and the soluble anode 5, and the cathode 3 and the soluble anode 6, respectively.

ここで、整流器a1、a2およびa３は、制御極付き整流器であって、それぞれの可溶性陽極4、５および６に対して任意の波形の電流を供給することが可能となっている。そして、それぞれの可溶性陽極に対し、目的とする合金の組成に対応した積算電流値で電流を供給するために、電流値および通電時間を任意に制御することが可能である。また、各整流器a1〜a３は、互いに同期を取りながら各可溶性陽極に電流を供給することができるものである。 Here, the rectifiers a1, a2 and a3 are rectifiers with control poles, and can supply a current having an arbitrary waveform to the respective soluble anodes 4, 5 and 6. And in order to supply an electric current with each integrated current value corresponding to the composition of the target alloy with respect to each soluble anode, it is possible to arbitrarily control an electric current value and energization time. Moreover, each rectifier a1-a3 can supply an electric current to each soluble anode, synchronizing with each other.

図７は、図６に示した第５の実施の形態のめっき装置に対する電流供給の一例を示す電流プロファイルである。同図に示されるように、可溶性陽極4、可溶性陽極5および可溶性陽極６それぞれに電流が供給される時間が重複しないように整流器a1、a2、a３が制御されており、かつ、可溶性陽極4と可溶性陽極5と可溶性陽極６にはそれぞれ金属Ｍと金属Nと金属Ｒとの組成比に従った時間幅の電流が供給されている。
図７に示した例では矩形波を各陽極に印加していたが、可溶性陽極4ないし可溶性陽極６に供給する電流プロファイルは矩形波に限らず任意の曲線で表される波形に変更してもよい。また、供給する電流は必ずしも１方向のみに流れる必要はなく、一時的にマイナス方向に流れる場合があってもよい。また、本実施の形態においては、それぞれの可溶性陽極に供給する電流が時間的に重なることがないようにすることが基本であるが、若干の時間両方の電極へ同時に電流の供給が行われることを排除するものではない。この場合に、複数の電極に同時に電流が供給されている時間の合計が、一の電極にのみ電流を供給している時間の合計の１／１０以下とすることが望ましい。また、電流供給の切り換えは同期して行うことが基本であるが、若干の時間いずれの陽極に対しても電流が供給されることがないように制御してもよい。 FIG. 7 is a current profile showing an example of current supply to the plating apparatus of the fifth embodiment shown in FIG. As shown in the figure, the rectifiers a1, a2, and a3 are controlled so that the time for supplying current to the soluble anode 4, the soluble anode 5 and the soluble anode 6 does not overlap with each other. The soluble anode 5 and the soluble anode 6 are supplied with a current having a time width according to the composition ratio of the metal M, the metal N, and the metal R, respectively.
In the example shown in FIG. 7, a rectangular wave is applied to each anode. However, the current profile supplied to the soluble anode 4 or the soluble anode 6 is not limited to the rectangular wave, and may be changed to a waveform represented by an arbitrary curve. Good. In addition, the supplied current does not necessarily have to flow only in one direction, and may temporarily flow in the negative direction. In the present embodiment, it is fundamental that the currents supplied to the respective soluble anodes do not overlap in time, but the currents are supplied simultaneously to both electrodes for a short time. Is not to be excluded. In this case, it is desirable that the total time during which currents are simultaneously supplied to a plurality of electrodes be 1/10 or less of the total time during which currents are supplied only to one electrode. The switching of the current supply is basically performed synchronously, but it may be controlled so that no current is supplied to any anode for some time.

図８は、本発明の合金めっき方法の他の一例を示す電流プロファイルである。この電流供給形態では、標準電極電位が卑な金属Nの可溶性陽極表面に標準電極電位が貴な金属Mが置換析出するのを抑えるため、標準電極電位が卑な金属Nからなる可溶性陽極5にはめっきのための電流供給を行っていない時にも微弱な電流を供給する。そして、可溶性陽極４への電流の供給が行われないときに可溶性陽極５へのめっきのための電流の供給が行われる。図８に示される電流プロファイルは、例えば図１に示されるめっき装置において、整流器ａ２と並列に微弱電流を流す直流電源を接続することによって実現が可能である。 FIG. 8 is a current profile showing another example of the alloy plating method of the present invention. In this current supply mode, in order to suppress the displacement and deposition of the metal M having the standard electrode potential noble on the surface of the soluble anode of the metal N having the standard electrode potential, the soluble anode 5 composed of the metal N having the standard electrode potential is used. Supplies a weak current even when no current is supplied for plating. When the current is not supplied to the soluble anode 4, the current for plating to the soluble anode 5 is supplied. The current profile shown in FIG. 8 can be realized, for example, by connecting a direct current power source for supplying a weak current in parallel with the rectifier a2 in the plating apparatus shown in FIG.

図９は、本発明の第６の実施の形態の二元合金めっき装置の概略構成図である。本実施の形態のめっき装置は、図８に示される電流プロファイルを実現するための、上述した第１の実施の形態の変更例とは異なる構成の装置である。図９において、図１に示した第１の実施の形態の装置と同等の部分には同一の参照記号が付せられているので、重複する説明は省略する。本実施の形態においては、陰極３と可溶性陽極4との間には電源ｂ１とスイッチｓ１が接続されている。そして、陰極３と可溶性陽極5との間には、電源ｂ２とスイッチｓ２との直列回路と微弱電流を供給するための電源ｂ３とが並列に接続されている。ここで、スイッチｓ１とｓ２とは相補的に動作する。 FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a binary alloy plating apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. The plating apparatus of the present embodiment is an apparatus having a configuration different from that of the above-described modification of the first embodiment for realizing the current profile shown in FIG. In FIG. 9, the same reference numerals are given to the same parts as those of the apparatus of the first embodiment shown in FIG. In the present embodiment, a power source b1 and a switch s1 are connected between the cathode 3 and the soluble anode 4. A series circuit of a power source b2 and a switch s2 and a power source b3 for supplying a weak current are connected in parallel between the cathode 3 and the soluble anode 5. Here, the switches s1 and s2 operate in a complementary manner.

図１０は、本発明の第７の実施の形態の二元合金めっき装置の概略構成図である。本実施の形態のめっき装置は、図８に示される電流プロファイルを実現するための別の構成の装置である。図１０において、図１に示した第１の実施の形態の装置と同等の部分には同一の参照記号が付せられているので、重複する説明は省略する。本実施の形態においては、陰極３と可溶性陽極４との間には電源ｂ１とスイッチｓ１が接続されている。そして、陰極３と可溶性陽極５との間には、電源ｂ２と、スイッチｓ２と抵抗Ｒとからなる並列回路と、の直列回路が接続されている。ここで、抵抗Ｒの回路は、可溶性陽極5に常時微弱電流を供給するためのものである。また、スイッチｓ１とスイッチｓ２とは相補的に動作する。 FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a binary alloy plating apparatus according to the seventh embodiment of the present invention. The plating apparatus of the present embodiment is an apparatus having another configuration for realizing the current profile shown in FIG. In FIG. 10, the same reference numerals are given to the same parts as those of the apparatus of the first embodiment shown in FIG. In the present embodiment, a power source b1 and a switch s1 are connected between the cathode 3 and the soluble anode 4. Between the cathode 3 and the soluble anode 5, a series circuit of a power source b2 and a parallel circuit composed of a switch s2 and a resistor R is connected. Here, the circuit of the resistor R is for constantly supplying a weak current to the soluble anode 5. The switches s1 and s2 operate in a complementary manner.

図１１は、本発明の第８の実施の形態の二元合金めっき装置の概略構成図である。本実施の形態のめっき装置は、図８に示される電流プロファイルを実現するための更に別の構成の装置である。図１１において、図１に示した第１の実施の形態の装置と同等の部分には同一の参照記号が付せられているので、重複する説明は省略する。本実施の形態においては、陰極３には、電源ｂ１の負極側が接続されている。そして、電源ｂ１の正極側と可溶性陽極４との間にはスイッチｓ１が接続されている。また、電源ｂ１の正極側と可溶性陽極5との間には、スイッチｓ２と抵抗Ｒとからなる並列回路が接続されている。ここで、抵抗Ｒの回路は、可溶性陽極5に常時微弱電流を供給するためのものである。また、スイッチｓ１とスイッチｓ２とは相補的に動作する。
図９〜図１１に示される実施の形態では、陰極3−陽極４、５間の電流の供給は直流電源によって行っていたが、これを整流器に置き換えてもよい。この場合、必ずしも制御極付きの整流器を用いなくてもよい。 FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a binary alloy plating apparatus according to an eighth embodiment of the present invention. The plating apparatus of the present embodiment is an apparatus having still another configuration for realizing the current profile shown in FIG. In FIG. 11, the same reference numerals are given to the same parts as those of the apparatus of the first embodiment shown in FIG. In the present embodiment, the negative electrode side of the power supply b1 is connected to the cathode 3. A switch s1 is connected between the positive electrode side of the power source b1 and the soluble anode 4. Further, a parallel circuit composed of a switch s2 and a resistor R is connected between the positive electrode side of the power source b1 and the soluble anode 5. Here, the circuit of the resistor R is for constantly supplying a weak current to the soluble anode 5. The switches s1 and s2 operate in a complementary manner.
In the embodiment shown in FIG. 9 to FIG. 11, the current supply between the cathode 3 and the anode 4, 5 is performed by a DC power supply, but this may be replaced by a rectifier. In this case, a rectifier with a control pole is not necessarily used.

図１２は、本発明の第９の実施の形態の二元合金めっき装置の概略構成図である。図１２において、図１に示した第１の実施の形態の装置と同等の部分には同一の参照記号が付せられているので、重複する説明は省略する。
被めっき物が半導体リードフレームのように表裏がありしかも比較的面積が広い場合、可溶性陽極4および可溶性陽極5が１個ずつの第１の実施の形態のめっき装置では、均一の合金組成を実現することが困難になる。本実施の形態は、これに対処したものであって、貴な金属用の可溶性陽極および卑な金属用の可溶性陽極を、それぞれ可溶性陽極４_１〜４_６および可溶性陽極5_１〜５_６の６個ずつの陽極に分割し、それらを交互に配置しかつ陰極３を中心としてこれを取り囲むように陽極群を配置さする。このように構成することにより、被めっき物の部位による合金めっきの品質のばらつきを抑えることができる。なお、本実施の形態において可溶性陽極の分割数や形状などは、被めっき物の形状等に応じて適宜変更できるものである。また、可溶性陽極の供給方式も適宜に変更できるものである。例えば、チタンケースにボール状の可溶性陽極を入れ、ケース側に整流器を接続することにより間接的に陽極に電流を供給するようにしてもよい。この点は、他の実施の形態についても同様である。 FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a binary alloy plating apparatus according to the ninth embodiment of the present invention. In FIG. 12, the same reference symbols are given to the same parts as those of the apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1, and the duplicate description is omitted.
When the object to be plated is front and back like a semiconductor lead frame and has a relatively large area, the plating apparatus of the first embodiment having one soluble anode 4 and one soluble anode 5 realizes a uniform alloy composition. It becomes difficult to do. In the present embodiment, a soluble anode for a noble metal and a soluble anode for a base metal are designated as soluble anodes 4 ₁ to 4 ₆ and soluble anodes 5 _{1 to} 5 ₆ , respectively. The anodes are divided into individual anodes, which are alternately arranged, and an anode group is arranged so as to surround the cathode 3 as a center. By comprising in this way, the dispersion | variation in the quality of the alloy plating by the site | part of to-be-plated object can be suppressed. In addition, in this Embodiment, the division | segmentation number, shape, etc. of a soluble anode can be suitably changed according to the shape etc. of to-be-plated object. Moreover, the supply system of a soluble anode can also be changed suitably. For example, a ball-like soluble anode may be placed in a titanium case, and a current may be indirectly supplied to the anode by connecting a rectifier to the case side. This also applies to the other embodiments.

図１３は、本発明の第１０の実施の形態の二元合金めっき装置の概略構成図である。図１３において、図１２に示した第９の実施の形態の装置と同等の部分には同一の参照記号が付せられているので、重複する説明は省略する。
合金を構成するそれぞれの金属からなる陽極に交互に電流を印加する場合、電気が流れていない側（電気回路的に浮いている電極）には電流が流れている側から溶出した金属が析出してしまう場合がある（すなわち、陽極間で電流が流れてしまう）。連続的にこの現象が続くと、本来純物質からなるはずの陽極が２種の金属の合金と同じような状態となり、液中の金属濃度を安定に保つことができなくなる。この対策として、本実施の形態のめっき装置では、合金を構成するそれぞれの金属からなる可溶性陽極４_１〜４_６および可溶性陽極5_１〜５_６の間にそれぞれ絶縁壁７を配置し、陽極同士の間で電流が流れ別の金属が析出するのを防止する。 FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a binary alloy plating apparatus according to the tenth embodiment of the present invention. In FIG. 13, the same reference numerals are given to the same parts as those in the apparatus of the ninth embodiment shown in FIG.
When an electric current is applied alternately to the anode made of each metal constituting the alloy, the metal eluted from the side where the current flows is deposited on the side where the electricity does not flow (the electrode floating in the electric circuit). (That is, current flows between the anodes). If this phenomenon continues continuously, the anode, which should be made of a pure substance, will be in the same state as an alloy of two kinds of metals, and the metal concentration in the liquid cannot be kept stable. As a countermeasure, in the plating apparatus of the present embodiment, insulating walls 7 are arranged between the soluble anodes 4 ₁ to 4 ₆ and the soluble anodes 5 _{1 to} 5 ₆ made of the respective metals constituting the alloy, and the anodes are connected to each other. Current flows between them to prevent the deposition of another metal.

図１４は、本発明の第１１の実施の形態の二元合金めっき装置の概略構成図である。図１４において、図１３に示した第１０の実施の形態の装置と同等の部分には同一の参照記号が付せられているので、重複する説明は省略する。
図１４に示されるように、本実施の形態においては、陰極3と可溶性陽極4_１〜４_６との間には電源ｂ１とスイッチｓ１が、また陰極3と可溶性陽極5_１〜５_６との間には電源ｂ２とスイッチｓ２が接続されている。可溶性陽極を構成する２種の金属の標準電極電位差が大きい場合、標準電極電位が貴な金属側にはより高い電圧を印加することが望ましい。そこで、本実施の形態では、貴な金属の可溶性陽極4_１〜４_６に電流を供給する電源ｂ１の電源電圧の方が、卑な金属の可溶性陽極５_１〜５_６に電流を供給する電源ｂ２の電源電圧より高く設定されている。スイッチｓ１とｓ２とは相補的に動作させてもよい。また、両方のスイッチを閉成させておくこともできる。更には、一方のスイッチのみを開・閉動作させるようにしてもよい(他方のスイッチは連続閉成)。
スイッチｓ１を常時閉成させるように動作させる場合、貴な金属の可溶性陽極4_１〜４_６と卑な金属の可溶性陽極５_１〜５_６とを同一の配置構成とすると、所望の組成比の合金が得られない可能性がある。この点に対処には、可溶性陽極4_１〜４_６−陰極間の抵抗を可溶性陽極５_１〜５_６−陰極間のそれより高くして電流を調整するようにすればよい。具体的方策としては、下記の（ａ）、（ｂ）のいずれかあるいは両方の手段を講じることが考えられる。
（ａ）図１４に示されるように、可溶性陽極４_１〜４_６を囲むように絶縁壁を設ける。
（ｂ）可溶性陽極４_１〜４_６の形状や分割個数を可溶性陽極５_１〜５_６のそれとは異ならせる。 FIG. 14 is a schematic configuration diagram of a binary alloy plating apparatus according to an eleventh embodiment of the present invention. In FIG. 14, the same reference numerals are given to the same parts as those of the apparatus of the tenth embodiment shown in FIG.
As shown in FIG. 14, in this embodiment, a power source b1 and a switch s1 are provided between the cathode 3 and the soluble anodes 4 ₁ to 4 _6, and a cathode 3 and the soluble anodes 5 _{1 to} 5 ₆ are provided. A power supply b2 and a switch s2 are connected between them. When the standard electrode potential difference between the two kinds of metals constituting the soluble anode is large, it is desirable to apply a higher voltage to the metal side where the standard electrode potential is noble. Therefore, in this embodiment, the power supply voltage of the power supply b1 that supplies current to the noble metal soluble anodes 4 ₁ to 4 ₆ is the power supply that supplies current to the base metal soluble anodes 5 _{1 to} 5 _6. It is set higher than the power supply voltage of b2. The switches s1 and s2 may be operated complementarily. It is also possible to keep both switches closed. Furthermore, only one switch may be opened and closed (the other switch is continuously closed).
When the switch s1 is operated so as to be normally closed, if the noble metal soluble anodes 4 ₁ to 4 ₆ and the base metal soluble anodes 5 _{1 to} 5 ₆ have the same arrangement configuration, a desired composition ratio is obtained. An alloy may not be obtained. In order to cope with this point, the resistance may be adjusted by making the resistance between the soluble anodes 4 ₁ to 4 ₆ -cathode higher than that between the soluble anodes 5 _{1 to} 5 ₆ and the cathode. As a specific measure, it is conceivable to take one or both of the following (a) and (b).
(A) As shown in FIG. 14, an insulating wall is provided so as to surround the soluble anodes 4 ₁ to 4 ₆ .
(B) The shape and the number of divisions of the soluble anodes 4 ₁ to 4 ₆ are different from those of the soluble anodes 5 _{1 to} 5 ₆ .

本発明の合金めっき装置の第１の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 1st Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の第１の実施の形態のめっき装置の一例の電流プロファイル。The current profile of an example of the plating apparatus of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の合金めっき装置の第２の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 2nd Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の合金めっき装置の第３の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 3rd Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の合金めっき装置の第４の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 4th Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の合金めっき装置の第５の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 5th Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の第５の実施の形態のめっき装置の一例の電流プロファイル。The current profile of an example of the plating apparatus of the 5th Embodiment of this invention. 本発明のめっき方法の他の一例の電流プロファイル。The current profile of other examples of the plating method of the present invention. 本発明の合金めっき装置の第６の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 6th Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の合金めっき装置の第７の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 7th Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の合金めっき装置の第８の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 8th Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の合金めっき装置の第９の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 9th Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の合金めっき装置の第１０の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 10th Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention. 本発明の合金めっき装置の第１１の実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows 11th Embodiment of the alloy plating apparatus of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１めっき槽
２めっき液
３被めっき物からなる陰極
４、４_１〜４_６標準電極電位が貴な金属Mからなる可溶性陽極
５、５_１〜５_６標準電極電位が卑な金属Nからなる可溶性陽極
６標準電極電位が中間的な金属Ｒからなる可溶性陽極
７絶縁壁
a１〜a３整流器
ｂ１〜ｂ３電源
ｓ１〜ｓ３スイッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plating tank 2 Plating solution 3 Cathode which consists of to-be-plated object 4, 4 ₁ to 4 ₆ Soluble anode which consists of noble metal M with standard electrode potential 5, 51 _{1 to} 5 ₆ Solubility which consists of metal N whose base electrode potential is base Anode 6 Soluble anode made of metal R with intermediate standard electrode potential 7 Insulating wall
a1-a3 rectifier b1-b3 power supply s1-s3 switch

Claims

電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき方法であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、複数の可溶性固体陽極に同時に電流が供給されることがない態様にてそれぞれの可溶性固体陽極に間欠的に電流を供給することを特徴とする合金めっき方法。 An alloy plating method in which an alloy is plated on an object to be plated by an electrolytic plating method, in which all metal elements constituting the alloy are arranged as individual soluble solid anodes in the same plating tank, and a plurality of soluble solid anodes are arranged. An alloy plating method, wherein current is intermittently supplied to each soluble solid anode in such a manner that current is not supplied simultaneously.

電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき方法であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、それぞれの可溶性固体陽極に間欠的に電流を供給し、複数の可溶性固体陽極に同時に間欠的電流が供給されている時間の和は、一つの可溶性固体陽極にのみ間欠的電流が供給されている時間の和の１／１０以下であることを特徴とする合金めっき方法。 An alloy plating method in which an alloy is plated on an object to be plated by an electrolytic plating method, in which all metal elements constituting the alloy are arranged as individual soluble solid anodes in the same plating tank, and each soluble solid anode is The sum of the time during which intermittent current is supplied and the intermittent current is simultaneously supplied to a plurality of soluble solid anodes is 1/10 of the sum of the time during which intermittent current is supplied only to one soluble solid anode. An alloy plating method characterized by:

一つの可溶性固体陽極には、常時微弱電流が流されており、この微弱電流に重畳されて間欠的電流が供給されることを特徴とする請求項１または２に記載の合金めっき方法。 The alloy plating method according to claim 1 or 2, wherein a weak current is constantly applied to one soluble solid anode, and an intermittent current is superposed on the weak current.

標準電極電位の高い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に高い電圧を印加し標準電極電位の低い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に低い電圧を印加することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の合金めっき方法。 2. A relatively high voltage is applied to a soluble solid anode of a metal element having a high standard electrode potential, and a relatively low voltage is applied to a soluble solid anode of a metal element having a low standard electrode potential. 4. The alloy plating method according to any one of items 1 to 3.

電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき方法であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、各可溶性固体陽極間に絶縁壁を配置し、標準電極電位の高い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に高い電圧を印加し標準電極電位の低い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に低い電圧を印加することを特徴とする合金めっき方法。 This is an alloy plating method in which an alloy is plated on an object to be plated by an electrolytic plating method, in which all metal elements constituting the alloy are arranged as individual soluble solid anodes in the same plating tank, and between each soluble solid anode. An insulating wall is arranged so that a relatively high voltage is applied to a soluble solid anode of a metal element having a high standard electrode potential and a relatively low voltage is applied to a soluble solid anode of a metal element having a low standard electrode potential. A characteristic alloy plating method.

各可溶性固体陽極の形状および大きさ並びに前記絶縁壁の形状を調整することにより各可溶性固体陽極に流れる電流が調整されることを特徴とする請求項５に記載の合金めっき方法。 6. The alloy plating method according to claim 5, wherein the current flowing through each soluble solid anode is adjusted by adjusting the shape and size of each soluble solid anode and the shape of the insulating wall.

めっきされる合金が鉛フリー半田であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の合金めっき方法。 The alloy plating method according to claim 1, wherein the alloy to be plated is lead-free solder.

めっきされる合金がＳｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの中のいずれかであることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の合金めっき方法。 The alloy plating method according to any one of claims 1 to 6, wherein the alloy to be plated is one of Sn-Bi, Sn-Ag, Sn-Cu, and Sn-Ag-Cu.

電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき装置であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、複数の可溶性固体陽極に同時に電流が供給されることがない態様にてそれぞれの可溶性固体陽極に間欠的に電流を供給することができる電源装置を具備したことを特徴とする合金めっき装置。 An alloy plating apparatus for plating an object to be plated by an electrolytic plating method, in which all the metal elements constituting the alloy are arranged as individual soluble solid anodes in the same plating tank, and a plurality of soluble solid anodes are arranged. An alloy plating apparatus comprising a power supply device capable of intermittently supplying current to each soluble solid anode in a mode in which no current is supplied at the same time.

電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき装置であって、合金を構成する全ての金属元素を個別の可溶性固体陽極として同一のめっき槽内に配置し、それぞれの可溶性固体陽極に間欠的に電流を供給することができる電源装置を具備し、複数の可溶性固体陽極に同時に間欠的電流が供給されている時間の和は、一つの可溶性固体陽極にのみ間欠的電流が供給されている時間の和の１／１０以下であることを特徴とする合金めっき装置。An alloy plating apparatus for plating an alloy to be plated by an electrolytic plating method, in which all metal elements constituting the alloy are arranged as individual soluble solid anodes in the same plating tank, and each soluble solid anode It has a power supply device that can supply current intermittently, and the sum of the time when intermittent current is supplied simultaneously to a plurality of soluble solid anodes is that intermittent current is supplied only to one soluble solid anode An alloy plating apparatus characterized by being 1/10 or less of the sum of the remaining time.

前記電源装置が、陰極と各可溶性固体陽極との間に接続された制御極付整流器により、または、整流器とその整流器の接続を各可溶性固体陽極に切り換えるスイッチにより構成されていることを特徴とする請求項９または１０に記載の合金めっき装置。 The power supply device is configured by a rectifier with a control pole connected between a cathode and each soluble solid anode, or a switch for switching the connection between the rectifier and the rectifier to each soluble solid anode. The alloy plating apparatus according to claim 9 or 10 .

前記電源装置が、各可溶性固体陽極毎に設けられた直流電源、または、全可溶性固体陽極に共通に設けられた直流電源と、その直流電源の各可溶性固体陽極への接続を制御するスイッチを備えていることを特徴とする請求項９または１０に記載の合金めっき装置。 The power supply device includes a DC power source provided for each soluble solid anode, or a DC power source commonly provided for all soluble solid anodes, and a switch for controlling connection of the DC power source to each soluble solid anode. The alloy plating apparatus according to claim 9 or 10 , wherein the apparatus is an alloy plating apparatus.

一つの可溶性固体陽極には、常時微弱電流を流す電源が備えられていることを特徴とする請求項９から１２のいずれかに記載の合金めっき装置。 For one thing the soluble solid anode, alloy plating apparatus according to claim 9, wherein 1 2 that is provided with a power source to flow a constant weak current.

電解めっき法にて被めっき対象に合金をめっきする合金めっき装置であって、合金を構成する各金属元素よりそれぞれ構成された可溶性固体陽極が同一のめっき槽内に配置され、各可溶性固体陽極間に絶縁壁が配置され、標準電極電位の高い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に高い電圧の電源が接続され標準電極電位の低い金属元素の可溶性固体陽極には相対的に低い電圧の電源が接続されていることを特徴とする合金めっき装置。 An alloy plating apparatus for plating an object to be plated by an electrolytic plating method, wherein soluble solid anodes each composed of each metal element constituting the alloy are arranged in the same plating tank, and between each soluble solid anode A relatively high voltage power supply is connected to a soluble solid anode of a metal element having a high standard electrode potential, and a relatively low voltage power supply to a soluble solid anode of a metal element having a low standard electrode potential. An alloy plating apparatus characterized by being connected.

各可溶性固体陽極間には、可溶性固体陽極相互間に流れる電流を抑制する絶縁壁が配置されていることを特徴とする請求項９から１３のいずれかに記載の合金めっき装置。 Between each soluble solids anode, alloy plating apparatus according to any one of the current flowing between the soluble solids anode mutual suppressing insulating walls are arranged from claim 9, wherein 1 3.

各可溶性固体陽極が複数に分割されていることを特徴とする請求項９から１５のいずれかに記載の合金めっき装置。 Alloy plating apparatus according to any one of claims 9 to 1 5 in which each soluble solids anode, characterized in that it is divided into a plurality.

陰極を囲むように複数に分割された可溶性固体陽極が配置されていることを特徴とする請求項９から１６のいずれかに記載の合金めっき装置。 The alloy plating apparatus according to any one of claims 9 to 16 , wherein a soluble solid anode divided into a plurality of parts is disposed so as to surround the cathode.