JP4711063B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板上に設けられた第1絶縁層と、
前記第1絶縁層に設けられた溝と、
少なくとも前記溝の側面および底面に設けられたバリア層と、
前記バリア層上に設けられた第2絶縁層と、
少なくとも前記バリア層および前記第2絶縁層の上に設けられた第1電極と、
前記第1電極の上方に設けられた強誘電体層と、
前記強誘電体層の上方に設けられた第2電極と、
を含む。
図1は、本発明の一実施の形態の半導体装置(強誘電体メモリ装置)100を模式的に示す断面図である。図2は、図1に示される第1および第2電極32,36、ならびに第2絶縁層22の平面パターンを模式的に示す図である。より具体的には、第1電極32の外周は、第1電極32の下面(第1電極32と、第2絶縁層22およびバリア層12との接続面)の外周を示し、第2電極36の外周は、第2電極36の上面36aの外周を示し、第2絶縁層22の外周は、第2絶縁層22の上面22aの外周を示す。
次に、図1に示す半導体装置100の製造方法の一例について、図面を参照して説明する。図3〜図6はそれぞれ、図1の半導体装置100の一製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図3〜図6においては、図1の半導体装置100のうち、バリア層12および強誘電体キャパシタ30が形成される領域の近傍のみを示している。
図7および図8はそれぞれ、図1に示す半導体装置100の一変形例を模式的に示す断面図である。図7および図8に示す半導体装置200,300によれば、図1に示す半導体装置100と同様の作用効果を有する。
図7に示す半導体装置200は、バリア層12の下にコンタクト部20が設けられ、このコンタクト部20を介して第2不純物領域19とバリア層12とが電気的に接続されている点で、図1に示す半導体装置100と異なる構成を有する。図7に示す半導体装置200において、上記の点以外の構成要素は、図1に示す半導体装置100と同様であるため、詳しい説明は省略する。
図8に示す半導体装置300は、バリア層12が引き出し部14を有していない点で、図1に示す半導体装置100と異なる構成を有する。図8に示す半導体装置300において、上記の点以外の構成要素は、図1に示す半導体装置100と同様であるため、詳しい説明は省略する。なお、図示しないが、図8に示す半導体装置300について、図7に示す半導体装置200と同様に、コンタクト部20を介してバリア層12と第2不純物層19とが電気的に接続されている構成にしてもよい。
Claims (2)
- 基板と、
前記基板上に設けられた第1絶縁層と、
前記第1絶縁層に設けられた溝と、
前記溝の底面および側面、ならびに前記第1絶縁層上にわたって設けられたバリア層と、
前記バリア層上であって、前記溝に埋め込まれた第2絶縁層と、
少なくとも前記バリア層および前記第2絶縁層の上に設けられた第1電極と、
前記第1電極の上方に設けられた強誘電体層と、
前記強誘電体層の上方に設けられた第2電極と、
を含み、
前記第2絶縁層の上面と、前記第1絶縁層上に設けられた前記バリア層の上面とは、同じ高さであり、
前記第1電極、前記強誘電体層、および前記第2電極は、強誘電体キャパシタを構成し、
前記強誘電体キャパシタは、前記第2電極の上面よりも前記第1電極の上面のほうが大きい四角錐台形状を有し、
前記第1電極は、前記第2電極の上面から鉛直下方に位置する領域において、前記第2絶縁層上にのみ形成され、
前記第1電極と前記バリア層の接続部は、前記領域以外の領域に設けられている、半導体装置。 - 請求項1において、
コンタクト部をさらに含み、
前記溝は前記コンタクト部の上に設けられ、
前記バリア層は、前記溝の底面にて前記コンタクト部と接続されている、半導体装置。
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