JP3675453B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、強誘電体キャパシタを備えた半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、強誘電体キャパシタを備えた半導体装置として、行状に配列された上部電極層と列状に配列された下部電極層との交差部に、複数の強誘電体キャパシタを配置したクロスポイント型FeRAMが注目されてきている(例えば、非特許文献1参照)。
【0003】
図5は、従来の半導体装置の一製造工程を示す断面図である。なお、図5は、行状に形成された上部電極層の長手方向に沿った断面図である。
このクロスポイント型FeRAMの製造方法は、まず、図5(a)に示すように、MOSトランジスタなどが形成された半導体基板(図示せず)の上面全体に、公知のCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて、層間絶縁層10を形成する。
【0004】
次いで、この層間絶縁層10の上面に、公知のスパッタ法を用いて、下部電極層形成用膜、強誘電体層形成用膜、及び上部電極補助層形成用膜(いずれも図示せず)をこの順で成膜した後、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、下部電極層20A、強誘電体層20B、及び上部電極補助層20Cとからなるキャパシタ形成用積層体を、下部電極層形成領域に列状に複数形成する。
【0005】
次いで、下部電極層形成領域にキャパシタ形成用積層体が形成された層間絶縁層10の上面全体に、公知のCVD法を用いて絶縁層30を形成する。
次いで、図5(b)に示すように、この絶縁層30の上面全体にエッチバックを行い、キャパシタ形成用積層体の上部電極補助層20Cの上面を露出させる。
次いで、上部電極補助層20Cの上面が露出した絶縁層30の上面全体に、公知のスパッタ法を用いて、上部電極層形成用膜(図示せず)を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、図5(c)に示すように、少なくとも上部電極層形成領域に上部電極補助層20Cを残すとともに、上部電極層形成領域に上部電極層20Dを行状に複数形成する。この際、エッチングは、下部電極層20Aの上面で止まる条件で行う。ここで、互いに格子状に配置された上部電極層20Dと下部電極層20Aとの各交差部に、複数の強誘電体キャパシタCを形成することができる。
【0006】
【非特許文献1】
T.Hayashi et.al,「A Novel Stack Capasitor Cell for High Density FeRAM Composible with CMOS Logic」,IEDM(International Electron Devices Meeting),2002年,session21.3
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したクロスポイント型FeRAMの製造方法においては、上部電極補助層形成用膜、強誘電体層形成用膜、及び下部電極層形成用膜を一括してエッチングしているため、三層の断面を垂直加工することが困難であり、エッチング工程に要する作業効率が良好ではないという不具合があった。
【0008】
また、下部電極層形成用膜のエッチング時には、その形成材料であるPtがエッチング断面に再付着し、強誘電体キャパシタCの上下電極層間の電気的ショートを誘発するおそれがあるため、上部電極補助層20Cの上面から下部電極層20Aの下面に向かって広がるテーパ形状の断面となるように、キャパシタ形成用積層体を形成する必要がある。そのため、上部電極補助層20Cの面積が下部電極層20Aの面積よりも小さくなってしまい、結果的に、上部電極補助層20Cと下部電極層20Aの積層領域のみに形成される強誘電体キャパシタCの有効面積も減少してしまうという不具合があった。
【0009】
さらに、上述したクロスポイント型FeRAMの製造方法においては、絶縁層30の上面全体にエッチバックを行うことで上部電極補助層20Cを露出させるようにしているため、絶縁層30の厚さやエッチバックレートが不均一であると、同一ウェハ内又は同一チップ内でのエッチング量が異なり、製品性能の劣化を誘発してしまうという不具合があった。
【0010】
また、絶縁層30の厚さやエッチバックレートによっては、上部電極補助層20Cがオーバーエッチング(過剰エッチング)されてしまうおそれがあった。このため、エッチバック条件を制限する必要があり、エッチバックに要する作業効率が良好ではないという不具合があった。
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、クロスポイント型FeRAMのキャパシタ面積を増大できるとともに、製品性能及び作業効率を向上できる半導体装置の製造方法を提供することを課題としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために、本発明に係る第一の半導体装置の製造方法は、一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、半導体基板上に、下部電極層形成用膜を成膜する工程と、前記下部電極層形成用膜上に、下部電極層形成用マスクを形成する工程と、前記下部電極層形成用マスクを利用して、前記下部電極層形成用膜を加工し、前記一の方向に延びる前記下部電極層を形成する工程と、前記下部電極層形成用マスクを残した状態で、前記下部電極層が形成された前記半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に平坦化処理を施し、前記下部電極層形成用マスクの上面を露出させる工程と、前記絶縁層は残るように、前記露出させた前記下部電極層形成用マスクを除去する工程と、前記下部電極層形成用マスクが除去された後の前記絶縁層に、エッチバック又はエッチングを行う工程と、前記エッチバック又は前記エッチングが行われた後の前記絶縁層上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極層形成用膜をこの順で成膜する工程と、を備えることを特徴とするものである。
【0012】
また、本発明に係る第二の半導体装置の製造方法は、一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、前記一の方向に延びる前記下部電極層が形成された半導体基板上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、前記絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記絶縁層に、エッチバック又はエッチングを行う工程と、前記エッチバック又は前記エッチングが行われた後の前記絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、を備えることを特徴とするものである。
【0013】
さらに、本発明に係る第三の半導体装置の製造方法は、一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、半導体基板上に、下部電極層形成用膜を成膜する工程と、前記下部電極層形成用膜上に、下部電極層形成用マスクを形成する工程と、前記下部電極層形成用マスクを利用して、前記下部電極層形成用膜を加工し、前記一の方向に延びる前記下部電極層を形成する工程と、前記下部電極層形成用マスクを残した状態で、前記下部電極層が形成された前記半導体基板上に、第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の絶縁層に平坦化処理を施し、前記下部電極層形成用マスクの上面を露出させる工程と、前記第一の絶縁層は残るように、前記露出させた前記下部電極層形成用マスクを除去する工程と、前記下部電極層形成用マスクが除去された後の前記第一の絶縁層に、エッチバック又はエッチングを行う工程と、前記エッチバック又は前記エッチングが行われた後の前記第一の絶縁層上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に、第二の絶縁層を形成する工程と、前記第二の絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、前記第二の絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記第二の絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記第二の絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、を備えることを特徴とするものである。
【0014】
さらに、本発明に係る第四の半導体装置の製造方法は、一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、半導体基板上に、下部電極層形成用膜を成膜する工程と、前記下部電極層形成用膜上に、下部電極層形成用マスクを形成する工程と、前記下部電極層形成用マスクを利用して、前記下部電極層形成用膜を加工し、前記一の方向に延びる前記下部電極層を形成する工程と、前記下部電極層形成用マスクを残した状態で、前記下部電極層が形成された前記半導体基板上に、第一の絶縁層を形成する工程と、前記第一の絶縁層に平坦化処理を施し、前記下部電極層形成用マスクの上面を露出させる工程と、前記第一の絶縁層は残るように、前記露出させた前記下部電極層形成用マスクを除去する工程と、前記下部電極層形成用マスクが除去された後の前記第一の絶縁層上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に、第二の絶縁層を形成する工程と、前記第二の絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、前記第二の絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記第二の絶縁層に、エッチバック又はエッチングを行う工程と、前記エッチバック又は前記エッチングが行われた後の前記第二の絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記第二の絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、を備えることを特徴とするものである。
【0015】
なお、本発明に係る第一、第三、及び第四の半導体装置の製造方法において、下部電極層形成用マスクを形成する材料は特に限定されないが、絶縁層中に埋め込んでも丈夫な材料で形成する必要がある。具体的には、レジスト材と絶縁層形成材料との両者と反応性が異なる材料で構成されるハードマスク材(例えば、シリコン酸化物膜やシリコン窒化膜などのセラミックスや、TiNやWなどの金属膜など)が挙げられる。
【0016】
また、本発明に係る第二乃至第四の半導体装置の製造方法において、上部電極補助層形成用マスクを形成する材料は特に限定されないが、上述した下部電極層形成用マスクと同様に、絶縁層中に埋め込んでも丈夫な材料で形成する必要がある。具体的には、レジスト材と絶縁層形成材料との両者と反応性が異なる材料で構成されるハードマスク材(例えば、シリコン酸化物膜やシリコン窒化膜などのセラミックスや、TiNやWなどの金属膜など)が挙げられる。
【0017】
このように、本発明に係る第一の半導体装置の製造方法によれば、まず、下部電極層の形状加工を一層のみで行い、その形状加工に適用した下部電極層形成用マスクパターンを利用して、下部電極層の露出を行うようにしたことによって、強誘電体キャパシタの加工精度を向上させるとともに、下部電極層へのオーバーエッチングを抑制することが可能となる。よって、強誘電体キャパシタの微細化及びS/N比(信号対雑音比:Signal to noise ratio)の改善を実現することが可能となる。
【0018】
また、本発明に係る第二の半導体装置の製造方法によれば、まず、下部電極層の形状加工を一層のみで行っておき、さらにその上面に積層した強誘電体層及び上部電極補助層の形状加工で適用した上部電極補助層形成用マスクパターンを利用して、上部電極補助層の露出を行うようにしたことによって、強誘電体キャパシタの加工精度を向上させるとともに、上部電極補助層へのオーバーエッチングを抑制することが可能となる。よって、強誘電体キャパシタの微細化及びS/N比の改善を実現することが可能となる。
【0019】
さらに、本発明に係る第三及び第四の半導体装置の製造方法によれば、第一及び第二の半導体装置の製造方法を両方行うことによって、強誘電体キャパシタの加工精度をさらに向上させることができるため、強誘電体キャパシタのさらなる微細化及びS/N比(信号対雑音比:Signal to noise ratio)を改善することが可能となる。
【0020】
また、本発明に係る第一乃至第四の半導体装置の製造方法によれば、下部電極層の形状加工を一層のみで行っておき、さらにその上面に強誘電体層及び上部電極補助層若しくは上部電極層の形状加工を後工程で行うようにしたことによって、三層を一括して形状加工する従来の方法で懸念されていた下部電極層形成材料の再付着に起因する問題が解決される。すなわち、上下電極層間の電気的ショートを抑制することができるため、半導体装置の製品性能を向上させることが可能となる。また、強誘電体キャパシタを上部電極補助層の上面から下部電極層の下面に向かって垂直形状に形成し、上部電極補助層と下部電極層との面積を略同一寸法にすることができるため、強誘電体キャパシタの有効面積を増加させることが可能となる。
【0021】
さらに、本発明に係る第一乃至第四の半導体装置の製造方法において、下部電極層形成用マスクや上部電極補助層形成用マスクを利用して、下部電極層や上部電極補助層の露出(頭出し)を行うようにしたことによって、下部電極層や上部電極補助層の上面に損傷を与えることなく、容易且つ確実に、下部電極層や上部電極補助層の露出を行うことができる。よって、半導体装置の製造工程における作業効率を向上させるとともに、半導体装置の製品性能を向上させることが可能となる。
【0022】
さらに、本発明に係る第一及び第三の半導体装置の製造方法において、下部電極層形成用マスクが除去された後の絶縁層(第一の絶縁層)に、エッチバック又はエッチングを行う工程を備えることによって、下部電極層形成用マスクが除去されることで絶縁層(第一の絶縁層)に形成される開口部の角がとれるため、下部電極層が露出した絶縁層(第一の絶縁層)の上全体に形成される強誘電体層形成用膜の被覆性(カバレッジ)を良好にすることが可能となる。よって、下部電極層と強誘電体層との接続を確実に行うことができるため、半導体装置の製品性能を向上させることが可能となる。
【0023】
同様に、本発明に係る第二及び第四の半導体装置の製造方法において、上部電極補助層形成用マスクが除去された後の絶縁層(第二の絶縁層)に、エッチバック又はエッチングを行う工程を備えることによって、上部電極補助層形成用マスクが除去されることで絶縁層(第二の絶縁層)に形成される開口部の角がとれるため、上部電極補助層が露出した絶縁層(第二の絶縁層)の上全体に形成される上部電極層形成用膜の被覆性(カバレッジ)を良好にすることが可能となる。よって、上部電極補助層と上部電極層との接続を確実に行うことができるため、半導体装置の製品性能を向上させることが可能となる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の半導体装置の製造方法で完成させた半導体装置の一構成例を示す平面図である。図2は、図1に示す半導体装置を示し、(a)は図1のA−A線に沿った断面図、(b)は図1のB−B線に沿った断面図である。
【0025】
本実施形態における半導体装置は、図1に示すように、半導体基板(図示せず)上に、列状に形成された下部電極層2A及び行状に形成された上部電極層2Dの各交差部に配置された複数の強誘電体キャパシタCと、この強誘電体キャパシタCの一部に接続されたMOSトランジスタ(図示せず)とを備えたクロスポイント型FeRAMを構成している。
【0026】
強誘電体キャパシタCは、図2に示すように、半導体基板(図示せず)上に形成された層間絶縁層1の上面に、下部電極層2Aと、強誘電体層2Bと、上部電極補助層2Cと、上部電極層2Dとがこの順で積層されている。
また、行状に形成された上部電極層2Dのうち、強誘電体キャパシタ形成領域X以外の下面には、図2(a)に示すように、上部電極補助層2C及び強誘電体層2Bを介して、第一の絶縁層3A及び第二の絶縁層3Bからなる絶縁層3が形成されている。一方、列状に形成された下部電極層2Aのうち、強誘電体キャパシタ形成領域X以外の上面には、図2(b)に示すように、強誘電体層2Bを介して、第一の絶縁層3A及び第二の絶縁層3Bからなる絶縁層3が形成されている。
【0027】
次に、本実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。
図3は、本発明における半導体装置の一製造工程を示す断面図である。図4は、図3に示す製造工程を経た後の半導体装置の一製造工程を示す断面図である。なお、図3は、各製造工程において、図1に示す半導体装置のA−A線に沿った断面方向から見た断面で示す。また、図4は、各製造工程において、図1に示すB−B線に沿った断面方向から見た断面で示す。
【0028】
本実施形態における半導体装置の製造方法は、まず、予めMOSトランジスタが形成された半導体基板の上面全体に、公知のCVD法を用いて、シリコン酸化膜などからなる層間絶縁層1を厚さ1500nmとなるように形成しておく。
次いで、図3(a)に示すように、層間絶縁層1の上面全体に、公知のスパッタ法などを用いて、Ptなどの下部電極層形成用膜200Aを厚さ200nmとなるように成膜した後、この下部電極層形成用膜200Aの上面全体に、公知のスパッタ法などを用いて、TiN膜やW膜などのハードマスク材からなる第一のマスク形成用膜M10を厚さ300nmとなるように成膜する。続いて、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、この第一のマスク形成用膜M10から、下部電極層2Aを列状に形成するための第一のマスクM1(下部電極層形成用マスク)を形成する。
【0029】
次いで、図3(b)に示すように、第一のマスクM1を利用して、下部電極層形成用膜200Aのエッチングを行い、層間絶縁層1上に下部電極層2Aを列状に形成する。
そして、下部電極層2A上に第一のマスクM1を残した状態で、層間絶縁層1の上面全体に、公知のCVD法を用いて、シリコン酸化膜などからなる第一の絶縁層3Aを厚さ1000nmとなるように形成する。
【0030】
次いで、図3(c)に示すように、第一の絶縁層3Aに、公知のCMP(Chemical Mechanical Policing)法で平坦化処理を行った後、さらに第一の絶縁層3AにCMP法或いはエッチバックを行い、第一の絶縁層3Aの上面に第一のマスク形成用膜M1の上面を露出させる。
次いで、図3(d)に示すように、公知の技術を用いて、第一の絶縁層3Aは残るように、下部電極層2Aの上面に形成された第一のマスクM1を除去する。
【0031】
次いで、図3(e)に示すように、第一のマスクM1が除去された後の第一の絶縁層3Aに、公知のエッチバック又はウェットエッチングを行い、第一のマスクM1が除去されることで第一の絶縁層3Aに形成された開口部H1の角を丸める。
ここで、開口部H1の角が取れるような条件とは、例えば、エッチバックを、Arなどの不活性ガスの組成比が多いガスを用い、且つ、ガス圧を高めに設定して等方性ドライエッチングにより行う方法などが挙げられる。
【0032】
次いで、図3(f)に示すように、下部電極層2Aの上面が露出した絶縁層3Aの上面全体に、公知のスパッタ法を用いて、SBT(SrBi2 Ta2 O9 )やPZT(Pb(ZrX Ti1-X )O3 )などの強誘電体層形成用膜200Bと、Ptなどの上部電極補助層形成用膜200Cとを各200nmの厚みとなるようにこの順で成膜する。
【0033】
次いで、図4(a)に示すように、層間絶縁層1上の下部電極層形成領域に順次積層された、下部電極層2A、強誘電体層形成用膜200B、および上部電極補助層形成用膜200Cのさらに上面に、公知のスパッタ法を用いて、TiN膜やW膜などのハードマスク材からなる第二のマスク形成用膜M20を厚さ300nmとなるように成膜する。続いて、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、この第二のマスク形成用膜M20から、強誘電体層2B及び上部電極補助層2Cを上部電極層形成領域に形成するための第二のマスク(上部電極補助層形成用マスク)M2を形成する。
【0034】
次いで、図4(b)に示すように、第二のマスクM2を利用して、上部電極層形成領域以外に形成された、少なくとも上部電極補助層形成用膜200Cのエッチングを行い、上部電極層形成領域となる下部電極層2A上方に強誘電体層2B及び上部電極補助層2Cを形成する。ここで、第二のマスクM2を利用したエッチングは、下部電極層2Aは除去せず、且つ、上部電極層形成領域以外の上部電極補助層形成用膜200Cは除去できるのであれば、上部電極層形成領域以外の強誘電体層形成用膜200Bは、全て残存させてもよいし、膜厚方向の途中まで残存させてもよいし、或いは、全て除去するようにしてもよい。
【0035】
そして、上部電極補助層2Cの上面に第二のマスクM2を残した状態で、層間絶縁層1の上面全体に、公知のCVD法を用いて、シリコン酸化膜などからなる第二の絶縁層3Bを厚さ1000nmとなるように形成する。
次いで、図4(c)に示すように、第二の絶縁層3Bに、公知のCMP(Chemical Mechanical Policing)法で平坦化処理を行った後、さらに第二の絶縁層3BにCMP法或いはエッチバックを行い、第二の絶縁層3Bの上面に第二のマスクM2の上面を露出させる。
【0036】
次いで、図4(d)に示すように、公知の技術を用いて、第二の絶縁層3Bは残るように、上部電極補助層2Cの上面に形成された第二のマスクM2を除去する。
次いで、図4(e)に示すように、第二のマスクM2が除去された後の第二の絶縁層3Bに、公知のエッチバック又はウェットエッチングを行い、第二のマスクM2が除去されることで第二の絶縁層3Bに形成された開口部H2の角を丸める。
【0037】
次いで、上部電極補助層2Cの上面が露出した第二の絶縁層3Bの上面全体に、公知のスパッタ法を用いて、Ptからなる上部電極層形成用膜(図示せず)を形成する。そして、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチングを用いて、図2に示すように、強誘電体層2B及び上部電極補助層2Cが形成されている上部電極層形成領域に、上部電極層2Dを行状に複数形成する。
【0038】
ここで、上部電極層2Dと下部電極層2Aとが格子状に配列され、この各交差部の強誘電体キャパシタ形成領域Xに、複数の強誘電体キャパシタCを完成させる。
そして、上部電極層2D及び下部電極層2Aと、MOSトランジスタとをそれぞれ接続して周辺回路を形成し、クロスポイント型FeRAMとして機能する半導体装置を完成させる。このクロスポイント型FeRAMは、周辺回路を介して上部電極層2D及び下部電極層2Aをそれぞれ選択することで、その交差部に配置された強誘電体キャパシタCの書き込み/読み出しを行うことが可能となる。
【0039】
このように、本実施形態における半導体装置の製造方法によれば、下部電極層2Aの形状加工と、強誘電体層2B及び上部電極補助層2Cの形状加工とを別工程で行うようにしたことによって、強誘電体キャパシタCの加工精度を向上させることができるため、強誘電体キャパシタの微細化及びS/N比(信号対雑音比:Signal to noise ratio)の改善を実現することが可能となる。
【0040】
同様に、下部電極層2Aの形状加工と、強誘電体層2B及び上部電極補助層2Cの形状加工とを別工程で行うようにしたことによって、下部電極層形成用膜200A、強誘電体層形成用膜200B、及び上部電極補助層形成用膜200Cを一括して形状加工していた従来の方法で懸念されていた下部電極層2A形成材料の再付着に起因する問題が解決できる。よって、強誘電体キャパシタCの上下電極層間の電気的ショートを抑制することができるため、半導体装置の製品性能を向上させることが可能となる。また、強誘電体キャパシタCを上部電極補助層2Cの上面から下部電極層2Aの下面に向かって垂直形状に形成し、上部電極補助層2C上面と下部電極層2A上面との面積を略同一寸法にすることができるため、強誘電体キャパシタCの有効面積を増加させることが可能となる。
【0041】
また、本実施形態における半導体装置の製造方法によれば、下部電極層2Aの上面に第一のマスクM1を残した状態で第一の絶縁層3Aを形成し、この第一のマスクM1の上面を第一の絶縁層3Aの上面より露出させた後、第一のマスクM1を除去するようにしたことによって、下部電極層2Aの上面に損傷を与えることなく、第一の絶縁層3Aの上面から下部電極層2Aの露出を容易且つ確実に行うことができる。よって、半導体装置の製造工程における作業効率を向上させるとともに、半導体装置の製品性能を向上させることが可能となる。
【0042】
同様に、上部電極補助層2Cの上面に第二のマスクM2を残した状態で第二の絶縁層3Bを形成し、この第二のマスクM2の上面を第二の絶縁層3Bの上面より露出させた後、第二のマスクM2を除去するようにしたことによって、上部電極補助層2Cの上面に損傷を与えることなく、第二の絶縁層3Bの上面から上部電極補助層2Cの露出を容易且つ確実に行うことができる。よって、半導体装置の製造工程における作業効率を向上させるとともに、半導体装置の製品性能を向上させることが可能となる。
【0043】
さらに、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第一のマスクM1が除去された後の第一の絶縁層3Aに、エッチバック又はエッチングを行う工程をさらに備えることによって、第一のマスクM1が除去されることで第一の絶縁層3Aに形成される開口部H1の角がとれるため、下部電極層2Aが露出した第一の絶縁層3Aの上全体に形成される強誘電体層形成用膜200Bの被覆性(カバレッジ)を良好にすることが可能となる。よって、下部電極層2Aと強誘電体層2Bとの接続を確実に行うことができるため、半導体装置の製品性能を向上させることが可能となる。
【0044】
同様に、第二のマスクM2が除去された後の第二の絶縁層3Bに、エッチバック又はエッチングを行う工程をさらに備えることによって、第二のマスクM2が除去されることで第二の絶縁層3Bに形成される開口部H2の角がとれるため、上部電極補助層2Cが露出した第二の絶縁層3Bの上全体に形成される上部電極層形成用膜の被覆性(カバレッジ)を良好にすることが可能となる。よって、上部電極補助層2Cと上部電極層2Dとの接続を確実に行うことができるため、半導体装置の製品性能を向上させることが可能となる。
【0045】
なお、本実施形態においては、強誘電体キャパシタCにMOSトランジスタが接続される場合について説明したが、強誘電体キャパシタCに接続可能な半導体素子であればこれに限らず適宜変更することができる。具体的には、MONOS(Metal−Oxide−Nitride−Oxide−Semiconductor)トランジスタなどその他のMIS(Metal InsulatorSemiconductor)型トランジスタなどが挙げられる。
【0046】
また、本実施形態においては、下部電極層2Aを第一の絶縁層3A上面に露出させる工程に第一のマスク(下部電極層形成用マスク)M1を利用するとともに、上部電極補助層2Cを第二の絶縁層3B上面に露出させる工程で第二のマスク(上部電極補助層形成用マスク)M2を利用するようにしたが、どちらか一方の工程で本発明を適用するようにしても構わない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本実施形態における半導体装置の一構成例を示す平面図である。
【図2】 図1の半導体装置を示し、(a)は図1のA−A線に沿った断面図、(b)は図1のB−B線に沿った断面図である。
【図3】 本実施形態における半導体装置の一製造工程を示す断面図である。
【図4】 本実施形態における半導体装置の一製造工程を示す断面図である。
【図5】 従来の半導体装置の一製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
1、10…層間絶縁層。2A、20A…下部電極層。2B、20B…強誘電体層。2C、20C…上部電極補助層。2D、20D…上部電極層。3、30…絶縁層。3A…第一の絶縁層。3B…第二の絶縁層。200A…下部電極層形成用膜。200B…強誘電体層形成用膜。200C…上部電極補助層形成用膜。C…強誘電体キャパシタ。H1…第一の開口部。H2…第二の開口部。M1…第一のマスク。M2…第二のマスク。M10…第一のマスク用形成膜。M20…第二のマスク用形成膜。X…強誘電体キャパシタ形成領域。
Claims (4)
- 一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に、下部電極層形成用膜を成膜する工程と、
前記下部電極層形成用膜上に、下部電極層形成用マスクを形成する工程と、
前記下部電極層形成用マスクを利用して、前記下部電極層形成用膜を加工し、前記一の方向に延びる前記下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層形成用マスクを残した状態で、前記下部電極層が形成された前記半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に平坦化処理を施し、前記下部電極層形成用マスクの上面を露出させる工程と、
前記絶縁層は残るように、前記露出させた前記下部電極層形成用マスクを除去する工程と、
前記下部電極層形成用マスクが除去された後の前記絶縁層に、エッチバック又はエッチングを行う工程と、
前記エッチバック又は前記エッチングが行われた後の前記絶縁層上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極層形成用膜をこの順で成膜する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、
前記一の方向に延びる前記下部電極層が形成された半導体基板上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、
前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、
前記絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記絶縁層に、エッチバック又はエッチングを行う工程と、
前記エッチバック又は前記エッチングが行われた後の前記絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、
前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に、下部電極層形成用膜を成膜する工程と、
前記下部電極層形成用膜上に、下部電極層形成用マスクを形成する工程と、
前記下部電極層形成用マスクを利用して、前記下部電極層形成用膜を加工し、前記一の方向に延びる前記下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層形成用マスクを残した状態で、前記下部電極層が形成された前記半導体基板上に、第一の絶縁層を形成する工程と、
前記第一の絶縁層に平坦化処理を施し、前記下部電極層形成用マスクの上面を露出させる工程と、
前記第一の絶縁層は残るように、前記露出させた前記下部電極層形成用マスクを除去する工程と、
前記下部電極層形成用マスクが除去された後の前記第一の絶縁層に、エッチバック又はエッチングを行う工程と、
前記エッチバック又は前記エッチングが行われた後の前記第一の絶縁層上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、
前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に、第二の絶縁層を形成する工程と、
前記第二の絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、
前記第二の絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記第二の絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、
前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記第二の絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 一の方向に延びる下部電極層と、他の方向に延びる上部電極層との交差部に強誘電体キャパシタが配置されてなる半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に、下部電極層形成用膜を成膜する工程と、
前記下部電極層形成用膜上に、下部電極層形成用マスクを形成する工程と、
前記下部電極層形成用マスクを利用して、前記下部電極層形成用膜を加工し、前記一の方向に延びる前記下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層形成用マスクを残した状態で、前記下部電極層が形成された前記半導体基板上に、第一の絶縁層を形成する工程と、
前記第一の絶縁層に平坦化処理を施し、前記下部電極層形成用マスクの上面を露出させる工程と、
前記第一の絶縁層は残るように、前記露出させた前記下部電極層形成用マスクを除去する工程と、
前記下部電極層形成用マスクが除去された後の前記第一の絶縁層上に、強誘電体層形成用膜及び上部電極補助層形成用膜をこの順で成膜する工程と、
前記上部電極補助層形成用膜上に、上部電極補助層形成用マスクを形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを利用して、前記上部電極補助層形成用膜を加工し、少なくとも強誘電体キャパシタ形成領域となる前記下部電極層上方に、前記上部電極補助層を形成する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクを残した状態で、前記上部電極補助層が形成された前記半導体基板上に、第二の絶縁層を形成する工程と、
前記第二の絶縁層に平坦化処理を施し、前記上部電極補助層形成用マスクの上面を露出させる工程と、
前記第二の絶縁層は残るように、前記露出させた前記上部電極補助層形成用マスクを除去する工程と、
前記上部電極補助層形成用マスクが除去された後の前記第二の絶縁層に、エッチバック又はエッチングを行う工程と、
前記エッチバック又は前記エッチングが行われた後の前記第二の絶縁層上に、上部電極層形成用膜を成膜する工程と、
前記上部電極層形成用膜を加工し、前記強誘電体キャパシタ形成領域を含む前記第二の絶縁層上に、前記他の方向に延びる前記上部電極層を形成する工程と、
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