JP4710123B2 - 半導体レーザ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザに関するものであり、例えば、車間距離を計測するレーダ光源として用いると好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体レーザを用いて自動車間の距離を測定し、車間距離を一定に保ったり前方の車に接近しすぎた場合に警報を発する、あるいはブレーキをかけるというようなシステムが検討されている。このようなシステムでは通常、出射した光ビームを上下または左右方向に走査させることにより前方の情報を広範囲に取得することを可能にしている。
【0003】
また、このような用途で使用される半導体レーザは、発光部の幅が100μm以上と大きく、光出力も10W以上と大出力である。このため、半導体レーザの長期信頼性を確保することが重要であり、特に大電流駆動によって発生する熱を抑制することが長期信頼性を確保するのに有効である。一般には、駆動によって発生する熱を抑制するためには、駆動電流を下げるか駆動デューティ(パルス幅/パルス周期)を小さくするのが効果的である。しかし、単純に駆動電流を下げたり駆動デューティを小さくすると発光強度や発光エネルギーが低下するため検知距離が短くなってしまうという問題がある。従って、発光領域を電気的に複数に分離して順次発光させるようにすれば、発光のデューティを変えることなく、分割した各発光部分個々の駆動デューティを分割した数の分だけ減らすことができ、駆動によって発生する熱が低減されて素子全体の長寿命化が可能になる。また、発光領域の一つが故障しても他の発光部分が健在であれば発光素子としての機能は損なわれず、フェールセーフとしての機能も付与できる。
【0004】
半導体発光チップの発光領域を電気的に複数に分離する構造については特開平6−96468号公報に提案されている。この構造は、1つの半導体発光素子の中に複数の分離溝を設けて発光領域を分離した構造となっており、それぞれを独立で駆動することが可能である。しかし、この構造では活性層をも分離溝により分離しているため、各発光領域の境目は全く発光しない部分となってしまう。この素子を車間距離制御システムに用いると、全く発光しない部分が出射ビームに反映されて、先行車を見落とす可能性があるという問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、電流注入領域を複数に分離して各々を独立に駆動することができ、かつ、各電流注入領域に対応した発光領域は各々の境目でも十分な強度で発光する構造を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、各電流注入領域がそれぞれ光出射面に垂直な方向である光の共振方向に連続した一連の領域からなって、かつ、各電流注入領域を互いに分離するための非電流注入領域の平面形状として、非電流注入領域での光出射面において電流注入領域を分離する幅が10μ以下の非電流注入領域が光の共振方向とは異なる方向に延びる形状をなすことを特徴としている。
【0007】
このように、非電流注入領域を光出射面に垂直な方向である共振方向に延びる帯状としないことにより、各電流注入領域に対応した発光領域の各々の境目からも発光させることができる。また、電流注入領域を複数に分離して各々を独立に駆動することにより、各電流注入領域に対応した発光領域は各々の境目でも十分な強度で発光させることができる。
【0008】
つまり、活性層を分離する方法で電流注入領域を分離する構造とした場合、光出射面側(発光端面側)から見て各電流注入領域に対応した発光領域の各々の境目部分には共振方向に全く電流注入領域が存在しないため利得領域が全くなく、この境目部分は発光しない。また、活性層は分離しないが共振方向に延びる帯状の非電流注入領域で電流注入領域を分離する構造とした場合、光出射面側(発光端面側)から見て各電流注入領域に対応した発光領域の各々の境目部分には共振方向に電流注入領域が存在しないため利得領域がなく、この境目部分が広い場合は電流の滲み出しにより若干の発光が得られるのみである。この場合でも、電流注入領域を分離する非電流注入領域が共振方向に延びない形状、すなわち共振方向とは異なる方向に延びる形状にした場合、光出射面側(発光端面側)から見た場合に、各電流注入領域に対応した発光領域の各々の境目部分から出射すべき光の共振経路上にも電流注入領域が存在する。従って、この境目部分からも十分な強度の発光を得ることができる。この場合は非電流注入領域の幅を狭小化する必要がないため、製造工程の高精度化がそれほど要求されず、製造上のマージンを確保する上で非常に好ましい。
【0009】
さらに、請求項1に記載の半導体レーザにおいて、請求項2に記載のように、非電流注入領域の中心線が1本の直線であったり、請求項3に記載のように、非電流注入領域の中心線が2本の直線を繋いだ形状であったり、請求項4に記載のように、非電流注入領域の中心線が2本の直線を少なくとも1本の直線で繋いだ形状であったり、請求項5に記載のように、非電流注入領域の中心線が2本の直線を1本以上の直線または曲線で繋いだ形状であったり、請求項6に記載のように、非電流注入領域の中心線が曲線であったり、請求項7に記載のように、非電流注入領域の中心線が少なくとも1本以上の曲線部分を含むものとすることができる。
【0010】
また、請求項8に記載のように、請求項1〜7のいずれかの半導体レーザにおいて、電流注入領域が2つ設けられているものとすることができる。
【0011】
さらには、請求項9に記載のように、請求項1〜8のいずれかの半導体レーザにおいて、半導体基板上に形成された絶縁層上に上部電極を延設し、当該絶縁層の下の半導体基板に非電流注入領域が形成されているようにすることもできる。
【0012】
また、請求項10に記載のように、請求項1〜9のいずれかの半導体レーザにおいて、半導体基板上に絶縁層を介して上部電極を配置するとともに、この電極上にボンディングワイヤーを設けると、ワイヤーボンディング時に絶縁層によりワイヤー直下の活性層にダメージが加わりにくくなる。
【0013】
さらに、請求項11に記載のように、請求項1〜9のいずれかの半導体レーザにおいて、半導体基板上に接するように上部電極を配置するとともに、この電極上にボンディングワイヤーを設けると、電流注入領域における電流分布の均一化を図ることができる。
【0014】
さらには、請求項12に記載のように、請求項1〜11のいずれかの半導体レーザにおいて、電流注入領域と、その間の非電流注入領域との合計の発光領域の幅を100μm以上にすると、実用上好ましいものとなる。
【0015】
【発明の実施の形態】
(比較例)
以下、この発明を具体化した実施の形態の説明に先立ち、比較例を図面に従って説明する。
【0016】
図1には、本比較例における半導体レーザの斜視図を示す。図2には、半導体レーザの正面図を示す。図3には、半導体レーザの平面図を示す。
図1,2に示すように、半導体基板1の上面表層側において活性層2が埋設され、この活性層2は所定の深さでの面方向に連続する状態で広がっている。基板材料としては、Si、GaAs、InP、GaN等を用いることができる。半導体基板1の上面には上部電極3a,3bが離間して配置されている。上部電極3a,3bにはワイヤー4a,4bがボンディングされ、ワイヤー4a,4bを通して上部電極3a,3bには所定の正の電圧E1,E2(図3参照)が印加される。半導体基板1の下面(裏面)には裏面電極5が全面に形成され、裏面電極5には負の電圧が印加される。
【0017】
半導体基板1の上面における上部電極3aと接する部位が第1の電流注入領域Z1となり、また、半導体基板1の上面における上部電極3bと接する部位が第2の電流注入領域Z2となる。この電流注入領域Z1,Z2は電気的に2つに分離されている。つまり、半導体基板1の上面における第1の電流注入領域Z1と第2の電流注入領域Z2との間が非電流注入領域Z10となり、非電流注入領域Z10により第1と第2の電流注入領域Z1,Z2が互いに分離されている。この非電流注入領域Z10は図3に示すごとく直線的に延びる帯状をなし、かつ、光の共振方向に延びている。非電流注入領域Z10の幅Wは、図3に示すように、10μmとなっている。
【0018】
そして、両方の上部電極3a,3bと裏面電極5との間に電圧が印加されると、図1に示すように、上部電極3a,3bの下方における(第1と第2の電流注入領域Z1,Z2の下方における)活性層2からレーザ光が出力される。このとき、非電流注入領域Z10の幅Wを電流の滲み出しにより利得が得られる程度まで狭くしており(10μm)、各電流注入領域Z1,Z2に対応した発光領域の各々の境目からも発光させることができる。
【0019】
第1および第2の電流注入領域Z1,Z2と、その間の非電流注入領域Z10との合計の発光領域の幅WLは100μm以上となっている。
また、電流注入領域Z1,Z2を複数に分離して各々を独立に駆動することにより、図3に示すように、各電流注入領域Z1,Z2および非電流注入領域Z10からレーザ光が出力される。つまり、上部電極3aを印加することにより電流注入領域Z1および非電流注入領域Z10からレーザ光が出力され、また、上部電極3bを印加することにより電流注入領域Z2および非電流注入領域Z10からレーザ光が出力される。このように、電流注入領域Z1,Z2に対応した発光領域は各々の境目でも十分な強度で発光させることができる。
【0020】
また、図2に示すように、基板1上に接するように上部電極3a,3bを配置し、この上部電極3a,3b上にボンディングワイヤー4a,4bを設けており、これにより、電流注入領域Z1,Z2における電流分布を均一に保ち注入電流密度の均一化を図ることができる。
【0021】
なお、非電流注入領域Z10の幅Wは10μm以下、特に、図4に示すように、5μm以下とすれば電流が電流注入領域Z1,Z2から非電流注入領域Z10側へ滲み出す効果がより十分に非電流注入領域にも及び、特に有効である。
(第1の実施の形態)
次に、この発明を具体化した第1の実施の形態を、比較例との相違点を中心に説明する。
【0022】
図5には、本実施の形態における半導体レーザの平面図を示す。
図5において、非電流注入領域Z10の平面形状に関して、非電流注入領域Z10は直線的に延びる帯状をなし、かつ、光の共振方向に対し所定角度θだけ傾斜した方向に延設されている。
【0023】
ここで、非電流注入領域Z10の中心線X1が1本の直線であり、その中心線X1と共振方向とでなす角θが、共振器長L、非電流注入領域Z10の幅Wとの関係において、
θ>tan-1(L/W)
・・・(1)
を満足している。
【0024】
これにより、各電流注入領域Z1,Z2を互いに分離するための非電流注入領域Z10の平面形状として、非電流注入領域Z10での光出射面Pにおいて光の共振方向に電流注入領域Z1,Z2が在る形状をなすことになる。
【0025】
よって、光出射面(発光端面)Pから見た場合、電流注入の全く無い部分が無いため、発光しない部分が無い。
このように非電流注入領域Z10を共振方向に延びる帯状としないことにより、各電流注入領域Z1,Z2に対応した発光領域の各々の境目からも発光させることができる。また、電流注入領域Z1,Z2を複数に分離して各々を独立に駆動することにより、各電流注入領域Z1,Z2に対応した発光領域は各々の境目でも十分な強度で発光させることができる。
【0026】
なお、図5においては、
θ>tan-1(L/W)
・・・(1)
としたが、図6に示すように、
θ≦tan-1(L/W)
・・・(2)
であるが、印加電圧を高くして電流注入領域Z1,Z2から非電流注入領域側への注入電流の滲み出し領域を広くして、滲み出し領域Z50,Z51を形成し、この領域Z50,Z51で挟まれた領域Z60での幅Waが、
θ>tan-1(L/Wa)
・・・(3)
を満足している。これにより、図5の場合と同等の効果が得られる。要は、各電流注入領域Z1,Z2を互いに分離するための非電流注入領域の平面形状として、非電流注入領域Z60での光出射面において光の共振方向に電流注入領域Z1,Z2が在る形状をなすようにすればよい。
【0027】
この効果は非電流注入領域の幅Wが20μm以下、特に、10μm以下であれば効果的となり、さらに、5μm以下の場合は特に有効である。
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施の形態を、第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0028】
図7には、本実施の形態における半導体レーザの平面図を示す。
図5に対し、本実施形態では、図7において、電流注入領域(Z1,Z2)を分離する非電流注入領域(Z10)の中心線が2本の直線X10,X11からなり、この中心線X10,X11は、途中で折れた線、即ち、2本の直線X10,X11を繋いだ形状となっている。このようにしても第1の実施の形態と同様の効果を奏する。
【0029】
つまり、非電流注入領域(Z10)での光出射面をPとし、この光出射面Pを共振方向に延長したときの反射面Qを考えたとき、PとQを対向する2辺とする矩形領域内での共振方向に平行な直線が電流注入領域(Z1,Z2)を通る。
【0030】
なお、図7に対し図8に示すように、電流注入領域(Z1,Z2)から非電流注入領域(Z10)側へ滲み出す効果により、非電流注入領域(Z10)に滲み出し領域Z50,Z51を形成する。これにより、前述の(1)式を満足しない構造、即ち、PとQを対向する2辺とする矩形領域内に考え得る共振方向に平行な直線が電流注入領域(Z1,Z2)を通らない構造の場合でも、滲み出し領域Z50,Z51で挟まれた領域Z60が上述の(3)式を満たせば図6を用いて説明したように同等の効果が得られる。この効果は非電流注入領域(Z10)の幅Wが10μm以下であれば効果的となり、5μm以下の場合は特に有効である。
(第3の実施の形態)
次に、第3の実施の形態を、第2の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0031】
図9には、本実施の形態における半導体レーザの平面図を示す。
第2の実施形態に比べ、図9の本実施形態の場合には、電流注入領域を分離する非電流注入領域(Z10)の中心線が3本の直線X20,X21,X22からなり、2本の直線X20,X21を1本の直線X22で繋いだ形状となっている。
【0032】
非電流注入領域(Z10)における光出射面Pを共振方向に延長した反射面Qを考えたとき、PとQを対向する2辺とする矩形領域内に共振方向に平行な直線が電流注入領域(Z1,Z2)を通る。
【0033】
なお、図9では2本の直線X20,X21が共に共振方向に平行で、線X20,X21を繋ぐ直線X22はX20およびX21に垂直である例を示したが、必ずしもこのようにする必要はなく、例えば、図10に示すように、直線X25,X26,X27で示すように、PとQを対向する2辺とする矩形領域内に共振方向に平行な直線が電流注入領域(Z1,Z2)を通る構造であれば同等の効果が得られる。
【0034】
また、図11に示すように、PとQを対向する2辺とする矩形領域内に共振方向に平行な直線が電流注入領域(Z1,Z2)を通らない場合でも、電流注入領域(Z1,Z2)から非電流注入領域(Z10)側へ滲み出す効果により、非電流注入領域(Z10)において滲み出し領域Z50,Z51を形成して該領域Z50,Z51で挟まれた領域Z60が上述の(3)式を満たすようにすれば、同等の効果が得られる。この効果は非電流注入領域(Z10)の幅Wが10μm以下であれば効果的となり、5μm以下の場合は特に有効である。
(第4の実施の形態)
次に、第4の実施の形態を、比較例、第1〜第3の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0035】
図12には、本実施の形態における半導体レーザの正面図を示す。
半導体基板1の上面の一部領域に絶縁層10が形成され、絶縁層10の上に上部電極3a,3bが延設されている。この絶縁層10の下の基板1に非電流注入領域Z10が形成されている。このように、通常は活性層をエッチングで分断するが、図12に示すように、絶縁層10で分離すれば注入電流の滲み出しが期待でき、発光しない部分を無くすことができる。
【0036】
絶縁層10としては、蒸着、スパッタによる成膜、エッチングによるパターニングが容易な二酸化珪素、二酸化チタン、窒化珪素、三酸化二アルミニウム、窒化アルミニウム等が好適である。
(第5の実施の形態)
次に、第5の実施の形態を、比較例、第1〜第4の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0037】
図13には、本実施の形態における半導体レーザの正面図を示す。
半導体基板1上の一部領域には絶縁層20が形成されるとともに、絶縁層20の上に上部電極3a,3bが配置され、さらに、この上部電極3a,3b上にボンディングワイヤー4a,4bを設けている。このようにワイヤー4a,4bを絶縁層20上でボンディングすると、ワイヤーボンディング時に絶縁層20によりボンディングワイヤー4a,4bの直下の活性層2にダメージが加わりにくくすることができる。
【0038】
なお、図13ではワイヤー4a,4bの数を各々1本としたが、図14に示すように、ワイヤー数を2本以上としてワイヤー切断時のフェールセーフを確保しつつ、大電流、高デューティ駆動時にワイヤー1本あたりに流れる電流を低減し、ワイヤーが発熱源となり、ワイヤーが溶断することを防ぐようにすると実用上好ましいものとなる。
【0039】
また、基板1上に直接、電極3a,3bを設ける場合において、ワイヤー4a,4bの数は図15に示すように、2本以上としてワイヤー切断時のフェールセーフを確保しつつ、大電流、高デューティ駆動時にワイヤー1本あたりに流れる電流を低減してワイヤーが発熱源となってワイヤーが溶断するのを防止できるとともに、電流注入領域における電流分布の均一性を更に向上させる上でも非常に好ましい。
(第6の実施の形態)
次に、第6の実施の形態を、比較例、第1〜第5の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【0040】
図16には、本実施の形態における半導体レーザの正面図を示す。
本実施形態では、図16に示すごとく、電流注入領域を3つ(Z1,Z2,Z3)に分割して、非電流注入領域を2つ(Z10,Z11)にしている。
【0041】
図16では電流注入領域を3分割しているが、図17に示すように、4分割としたり、さらに5分割と分割数を増やしてもよく、これにより、駆動パターンの自由度が増すことになる。
【0042】
これまで説明してきたものの他にも下記のように実施してもよい。
図2,図12,図13,図14,図15,図16に示した構造を組み合わせて実施してもよい。これにより、それぞれの構造の長所を併せ持つ素子構造とすることができる。例えば、図18に示すように、絶縁層10を用いた非電流注入領域Z10を形成し、かつ、絶縁層20a,20b上に電極3a,3bを配置する。あるいは、図19に示すように、図18の構成に加えて、電流注入領域・非電流注入領域を細分化する。
【0043】
また、図1〜図19では活性層2が素子の左右両端に露出する構造となっているが、図20に示すように、素子の左右両端にメサエッチングを施したり、図21に示すように、埋め込み構造として、活性層2が露出しない構造とすることにより素子の信頼性を向上することができる。図21では符号30a,30bで示す埋込エピタキシャル層にて埋め込んでいる。このように、図20に示すようにメサ構造とすることにより、安価に活性層2の露出を防止でき、また、図21に示すように埋込エピタキシャル層30a,30bにて埋め込む場合には、高価であるが、界面準位を形成せずに活性層露出やリークを防止することができる。
【0044】
また、これまでの説明においては非電流注入領域Z10の中心線は直線であったが、曲線としてもよい(少なくとも1本以上の曲線部分を含むようにする)。例えば、図5に代わる図22のように、非電流注入領域Z10の中心線を曲線X30とする。あるいは、図9の2本の直線X20,X21を1本以上の曲線で繋いだ形状としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 比較例における半導体レーザの斜視図。
【図2】 比較例における半導体レーザの正面図。
【図3】 比較例における半導体レーザの平面図。
【図4】 別例の半導体レーザの平面図。
【図5】 第1の実施の形態における半導体レーザの平面図。
【図6】 別例の半導体レーザの説明図。
【図7】 第2の実施の形態における半導体レーザの平面図。
【図8】 別例の半導体レーザの平面図。
【図9】 第3の実施の形態における半導体レーザの平面図。
【図10】 別例の半導体レーザの平面図。
【図11】 別例の半導体レーザの平面図。
【図12】 第4の実施の形態における半導体レーザの正面図。
【図13】 第5の実施の形態における半導体レーザの正面図。
【図14】 別例の半導体レーザの斜視図。
【図15】 別例の半導体レーザの斜視図。
【図16】 第6の実施の形態における半導体レーザの正面図。
【図17】 別例の半導体レーザの正面図。
【図18】 別例の半導体レーザの正面図。
【図19】 別例の半導体レーザの正面図。
【図20】 別例の半導体レーザの正面図。
【図21】 別例の半導体レーザの平面図。
【図22】 別例の半導体レーザの平面図。
【符号の説明】
1…半導体基板、2…活性層、3a,3b…上部電極、4a,4b…ワイヤー、Z1,Z2…電流注入領域、Z10…非電流注入領域、W…幅、P…光出射面。
Claims (12)
- 活性層(2)が埋設された半導体基板(1)の上面に複数の上部電極(3a,3b)が離間して配置され、各上部電極(3a,3b)に接する半導体基板(1)での電流注入領域(Z1,Z2)が電気的に2つ以上に分離された半導体レーザであって、
各電流注入領域(Z1,Z2)がそれぞれ光出射面(P)に垂直な方向である光の共振方向に連続した一連の領域からなって、かつ、各電流注入領域(Z1,Z2)を互いに分離するための非電流注入領域(Z10)の平面形状として、光出射面(P)において電流注入領域(Z1,Z2)を分離する幅(W)が10μ以下の非電流注入領域(Z10)が光の共振方向とは異なる方向に延びる形状をなすことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1に記載の半導体レーザにおいて、
前記非電流注入領域(Z10)の中心線が、1本の直線(X1)であることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1に記載の半導体レーザにおいて、
前記非電流注入領域(Z10)の中心線が、2本の直線(X10,X11)を繋いだ形状であることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1に記載の半導体レーザにおいて、
前記非電流注入領域(Z10)の中心線が、2本の直線(X20,X21)を少なくとも1本の直線(X22)で繋いだ形状であることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1に記載の半導体レーザにおいて、
前記非電流注入領域(Z10)の中心線が、2本の直線を1本以上の直線または曲線で繋いだ形状であることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1に記載の半導体レーザにおいて、
前記非電流注入領域(Z10)の中心線が、曲線(X30)であることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1に記載の半導体レーザにおいて、
前記非電流注入領域(Z10)の中心線が、少なくとも1本以上の曲線部分を含むことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体レーザにおいて、
前記電流注入領域(Z1,Z2)は2つ設けられていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体レーザにおいて、
半導体基板(1)上に形成された絶縁層(10)上に上部電極(3a,3b)が延設され、当該絶縁層(10)の下の半導体基板(1)に非電流注入領域(Z10)が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体レーザにおいて、
半導体基板(1)上に絶縁層(20a,20b)を介して上部電極(3a,3b)が配置されるとともに、この電極(3a,3b)上にボンディングワイヤー(4a,4b)を設けたことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体レーザにおいて、
半導体基板(1)上に接するように上部電極(3a,3b)が配置されるとともに、この電極(3a,3b)上にボンディングワイヤー(4a,4b)を設けたことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体レーザにおいて、
電流注入領域(Z1,Z2)と、その間の非電流注入領域(Z10)との合計の発光領域の幅(WL)が100μm以上であることを特徴とする半導体レーザ。
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