JP4698387B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に係わり、特に、ＬＧＡ（Land Grid Array）型及びＢＧＡ（Ball Grid Array）型等グリッドアレイ型の半導体装置を製造する技術に適用して有効な技術に関する。

半導体装置の小型化を図る製品構造として、パッケージが半導体チップの大きさと一致または近似する半導体装置、いわゆるチップサイズパッケージ（以下、ＣＳＰと呼称）が知られている。
また、ＣＳＰ製品において、配線基板（回路基板）を用いたＢＧＡ（Ball Grid Array）製品にあっては、高価な回路基板に代えて安価な金属製のリードフレームを使用してＢＧＡ製品を製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。

特開平１０−５０９２２号公報

半導体装置は高機能化等に伴い、外部電極端子（ピン）の数はより増大の傾向にある。リードフレームを使用したＢＧＡ型の半導体装置は、その製造の最終段階で、リードフレームの封止体の内外に亘って延在するリードを封止体の外周縁で切断する。従って、ＢＧＡ型の半導体装置の外部電極端子の数は、封止体の周縁から延在するリードの数によって決まる。

従って、ピン数の増大を図るには、リード本数の増大を図る必要があり、製品サイズが大きくなってしまう。
そこで、本発明者は、封止体の周縁から延在するリードの本数を増大させることなくピン数の増大を図ることを検討し、本発明をなした。

本発明の目的は、外部電極端子数を増大できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、薄型の半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、小型の半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、安価な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）半導体装置は、
上面及び下面並びに前記上面と前記下面を繋ぐ側面を有する絶縁性樹脂からなる封止体と、
複数の電極を有する第１の面及び前記第１の面の反対側になる第２の面を有し、前記第１の面が前記封止体の下面側に位置する状態で前記封止体内に位置する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１の面に接着され、前記電極に対応する部分及び所定部が開口部となる両面に接着層を有するテープと、
前記テープの前記半導体チップが接着される面の反対面となる面に第１の面を介して接着され、前記第１の面の反対面となる第２の面の一部が他の部分よりも突出して前記封止体の下面寄りになる複数の導電性のリードと、
前記リードの前記突出した面に形成され、前記封止体の下面に露出する導電性のメッキ膜と、
前記封止体内に位置し、前記開口部を貫通し、一端が前記電極に接続され、他の一端が前記リードに接続される導電性の接続体とを有し、
一部の前記リードは一端が前記封止体の前記側面に露出し他の一端が前記テープ面上に位置し、一部の複数本の前記リードは一端が前記封止体の前記側面に露出し他の一端が前記所定部の開口部分に位置し、残りの前記リードは一端が前記所定部の開口部分に位置し他の一端が前記テープ面上に位置していることを特徴とする。

また、前記メッキ膜の露出する面に重ねて突起電極が形成されている。前記残りのリードは前記一端が前記所定部の前記開口部に突出した構造になっている。前記テープに設けられる前記所定部の前記開口部は前記テープの中央に設けられている。前記接続体は曲線を描いて延在するワイヤからなり、前記ワイヤは前記リードの前記突出する部分以外のリード部分に接続されている。前記ワイヤは前記電極に最初に接続され、その後前記リードに接続された構造になっている。前記ワイヤが接続される前記リードの表面には接続用メッキ膜が形成されている。前記リードは階段状に一段屈曲し、前記リードの第２の面の一部が他のリード部分の第２の面よりも前記封止体の下面寄りになっている。前記封止体の下面寄りでない面に前記ワイヤが接続されている。

このような半導体装置は、以下の工程を有する製造方法で製造される。
半導体装置は、
（ａ）複数の電極を有する第１の面及び前記第１の面の反対側になる第２の面を有する半導体チップを準備する工程、
（ｂ）矩形状の枠と、前記枠の内側から前記枠内に延在する複数のリードと、前記枠の所定部に設けられ一部の前記リードに支持される連結部と、前記連結部から前記枠側に延在する複数のリードとからなる製品形成部を有し、前記製品形成部には前記半導体チップが重ねられる構造となり、前記リードの第２の面の一部は前記第２の面側に突出し、前記突出した面にはメッキ膜が設けられているリードフレームを準備する工程、
（ｃ）前記製品形成部に対応する単位テープ部を有する両面に接着層を有する絶縁性のテープであり、前記単位テープ部には前記半導体チップの前記電極に対応する部分及び前記連結部に対応する部分に開口部を有するテープを準備する工程、
（ｄ）前記連結部に対応する前記開口部に前記連結部の周縁が露出する状態で前記リードフレームの前記第２の面の反対面となる第１の面に前記テープを接着する工程、
（ｅ）前記開口部内の前記連結部を除去して前記連結部で繋がる前記リードを分離する工程、
（ｆ）前記半導体チップの前記電極が前記開口部内に位置するように前記半導体チップが第１の面を介して前記テープに接着する工程、
（ｇ）前記開口部に位置する各電極と前記テープに接着された前記リードの所定部分を導電性の接続体で接続する工程、
（ｈ）前記リードフレームの前記メッキ膜を露出させる状態で前記リードフレーム、前記半導体チップ及び前記接続体を絶縁性の樹脂からなる樹脂層で覆う工程、
（ｉ）前記樹脂層及び前記リードフレームを縦横に切断するとともに前記枠を除去して前記樹脂層によって形成される封止体の側面に前記リードの切断端が露出する複数の半導体装置を形成する工程を経て製造される。

また、前記工程（ｈ）の後、前記樹脂層から露出する前記メッキ膜に突起電極を形成する。前記工程（ｂ）では、前記連結部を前記枠の中央に設ける。前記工程（ｂ）では、前記接続体を接続する前記リードの表面に接続用メッキ膜を形成しておき、前記工程（ｇ）では、前記接続体としてワイヤを使用し、前記ワイヤの一端を前記電極に接続し、その後前記ワイヤの途中部分を前記リードに接続し、かつ前記ワイヤを前記リードの接続部分から切断する。前記工程（ｂ）では、前記リードを部分的に一段階段状に屈曲させ、前記メッキ膜が形成される前記リードの第２の面を他のリード部分の第２の面よりも突出させる。

（２）上記（１）の構成において、前記メッキ膜は前記封止体内に位置することなく、前記メッキ膜は前記封止体の下面から突出した構造になっている。このような半導体装置は、前記工程（ｂ）において前記リードの第２の面の突出した面にはメッキ膜を設けず、前記工程（ｈ）において前記リードの前記突出する面を露出させる状態で前記リードフレーム、前記半導体チップ及び前記接続体を絶縁性の樹脂からなる樹脂層で覆い、前記工程（ｉ）を行う前に前記樹脂層の表面に露出する前記リードの突出した面にメッキ膜を形成することによって製造される。

（３）上記（１）の構成において、半導体装置にあっては、前記リードは前記第２の面を部分的に突出させることなくリードを平坦な構造（平板状）とし、前記リードの第２の面に部分的に前記メッキ膜を形成した構造になっている。

このような半導体装置は、上記（１）の構成の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）にあっては、矩形状の枠と、前記枠の内側から前記枠内に延在する複数のリードと、前記枠の所定部に設けられ一部の前記リードに支持される連結部と、前記連結部から前記枠側に延在する複数のリードとからなる製品形成部を有し、前記製品形成部には前記半導体チップが重ねられる構造となり、前記リードの第２の面の外部電極端子が形成される部分にはメッキ膜が設けられている平板状のリードフレームを準備することによって製造される。

また、前記工程（ｇ）の前記接続体による前記リードと前記電極との接続において、接続体としてワイヤを使用する場合には、上記（１）の構成の半導体装置の製造方法と同様に、前記工程（ｂ）にあっては前記接続体を接続する前記リードの表面に接続用メッキ膜を形成しておき、前記工程（ｇ）にあっては前記ワイヤの一端を前記電極に接続し、その後前記ワイヤの途中部分を前記リードに接続し、かつ前記ワイヤを前記リードの接続部分から切断する。また、前記ワイヤが封止体の表面に露出しないように、前記工程（ｂ）にあっては前記メッキ膜の厚さを厚く形成しておく。

（４）上記（１）乃至（３）の構成において、半導体装置は、前記リードと前記電極をワイヤで接続することなく、代りに前記テープの前記開口部内にそれぞれ位置する前記リードと前記電極が前記接続体を介して重ねて接続されている構造になっている。例えば、前記接続体は圧接材料で形成されている構造になっている。また、前記開口部に位置する前記リード部分は一段階段状に屈曲して前記テープ上に位置するリード部分に比較して前記半導体チップに近接する構造になっている。

このような半導体装置は、上記（１）乃至（３）の構成の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｇ）にあっては前記ワイヤ接続に代えて前記テープの前記開口部内にそれぞれ位置する前記電極と前記リードを前記接続体を介して重ねて接続することによって製造される。前記接続体として圧接材料を用いる。前記開口部における前記リードと前記半導体チップの前記電極との間隔が大きい場合には、前記工程（ｂ）にあっては前記開口部に位置する前記リード部分を前記第１の面側に一段階段状に突出するように屈曲させることによって製造される。

（５）上記（１）及び（２）の構成において、半導体装置にあっては、前記リードは階段状に屈曲する構造ではなく、前記リードの一部の第２の面が所定厚さエッチングされ、エッチングされない前記リードの第２の面が前記封止体の下面寄りになる構造になっている。

このような半導体装置は、上記（１）及び（２）の構成の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）にあっては前記リードの第２の面を部分的にエッチング除去し、前記メッキ膜が形成される前記リードの第２の面を他のリード部分の第２の面よりも突出させることによって製造される。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
前記（１）の手段によれば、（ａ）半導体装置の製造方法においては、製品形成部の枠の内側から枠の中央側に延在する複数のリードと、枠の中央に設けられる連結部から枠側に延在する複数のリードを有するリードフレームが準備される。その後、このリードフレームに、半導体チップの電極に対応する部分及び連結部に対応する部分に開口部を有するテープが接着される。さらに、前記開口部に露出する連結部は切除される。この切除によって連結部によって一体となっていたリードは分離されるが、テープに支持される状態になる。そして、このようなテープ付きのリードフレームを使用して半導体装置を製造する結果、封止体の周縁から内側に亘って延在するリードに外部電極端子（ピン）が形成されるばかりではなく、開口部から延在しテープに支持されるリードにも外部電極端子（ピン）を形成することができ、ピン数の増大を図ることができる。従って、封止体の周縁から延在するリードの本数を増大させなくともピン数の増大を図ることができる。換言するならば、封止体のサイズとの関係において、封止体の周縁に並ぶリードの配置が最大限の本数となっている状態においても、封止体の中央に一端を臨ませテープの途中部分に他の一端を位置するように延在するリードにも外部電極端子（ピン）を形成することができるため、ピン数の増大を図ることができる。即ち、封止体のサイズを大きくすることなくピン数の増大を図ることができる。

（ｂ）半導体装置においては、ワイヤは半導体チップの電極に最初に接続され（第１ボンディング）、その後リードに接続（第２ボンディング）された構造になっている。また、ワイヤは階段状に一段屈曲したリードの低い面（第２の面）に接続（第２ボンディング）される。第２ボンディングは接続部からの高さが第１ボンディング部分に比較して充分低くできるため、リードの低い面（第２の面）からメッキ膜の露出する表面側に至る深さに形成される封止体を構成する樹脂内に入り、ワイヤは所定の厚さの樹脂で確実に覆われることになる。この結果、ワイヤの封止体による封止性能が低下しなくなる。例えば、０．１ｍｍの厚さのリードに直径が２０μｍのワイヤを使用してネイルヘッドワイヤボンディングを行った場合、リードを階段状に一段屈曲する段差を０．１ｍｍとすれば、第２ボンディング部からワイヤのループの頂点までの高さが２０マイクロｍ程度となるワイヤは充分な厚さの樹脂で覆われることになる。

（ｃ）半導体装置は、電極を有する半導体チップの第１の面とリードの第１の面を電極に対応する開口部を有するテープで接着し、かつ電極とリードの第２の面を前記開口部を貫通するワイヤで接続する構造となっている。従って、半導体チップの第２の面を覆う封止体を構成する樹脂の厚さを薄くすることができる。また、リードの第２の面に接続されるワイヤも上記（ｂ）に記載したようにリードの段差内に納まることから、封止体を薄くでき、半導体装置の薄型化を図ることができる。

（ｄ）半導体装置の製造方法において、樹脂層及びリードフレームの切断時、切断位置を樹脂層内に位置する半導体チップの周縁に近接する位置にすることによって、封止体のサイズを半導体チップのサイズに近づけることができ、半導体装置のＣＳＰ化、即ち、小型化が達成できる。

（ｅ）半導体装置の製造方法において、樹脂層の形成の後、樹脂層から露出するメッキ膜に突起電極を形成して外部電極端子を形成することから、ＢＧＡ型の半導体装置が製造される。この製造方法において、突起電極を形成せずに樹脂層からメッキ膜を露出させるだけの構造とすることによって、ＬＧＡ型の半導体装置を製造することができる。ＬＧＡ型の半導体装置はＢＧＡ型の半導体装置に比較して薄型となる。

（ｆ）半導体装置の製造方法において、リードフレームに設ける連結部は枠の中央に設けられる。この結果、中央から周辺の枠に向かって均一にリードを延在させることができ、連結部から延在するリードの数を多くすることができ、半導体装置のピン数の増大を図ることができる。

前記（２）の手段によれば、上記（１）の手段による効果に加え、メッキ膜が封止体の外（下面）に突出することから、外部電極端子の高さ（厚さ）が高くなり、半導体装置の実装特性が向上するという効果がある。また、メッキ膜に突起電極を形成しない場合に形成されるＬＧＡ型の半導体装置では、封止体の下面に外部電極端子となるメッキ膜が突出することから、ＬＧＡ型の半導体装置の実装特性が向上する。

前記（３）の手段によれば、上記（１）の手段による効果に加え、リードが平坦な構造（平板状）となっていることから、半導体装置の薄型化を図ることができるという効果がある。前記（３）の手段では、メッキ膜の厚さが上記（１）の手段による場合に比較して厚くしても（例えば、１０μｍ）、この厚さはリードを階段状に段差（例えば、１００μｍ）を付ける場合よりも小さくなることから封止体の厚さを薄くでき、半導体装置の薄型化を図ることができる。

前記（４）の手段によれば、（ａ）リードと電極は開口部内において接続体を介して重ねて接続される構造（半導体チップのフェイスダウンボンディング構造）となっていることから、封止体によるリードと電極との封止性能が高くなる。また、リードと電極をワイヤで接続する場合は、ワイヤのループ高さを低くするように注意を払ってワイヤボンディングを行わなければならないが、フェイスダウンボンディングではこのような注意は不要となり、半導体装置の生産性が向上する。接続体として圧接材料を使用する場合は、圧接処理によってリードの接続用メッキ膜と電極が電気的に接続されるため、さらに生産性が高い。

（ｂ）開口部に位置するリード部分を一段階段状に屈曲させてテープ上に位置するリード部分に比較して半導体チップ（電極）に近接させる構造の場合、接続体によるリードと電極の接続がさらに確実となる。この構造は、テープが厚い場合はさらに有効である。

前記（５）の手段によれば、リードの上下面のそれぞれ所定部分を所定厚さエッチングして段差構造のリードを形成するため、プレスで屈曲させて段差構造のリードを形成する場合に比較して精密に形成することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

図１乃至図２１は本発明の実施例１の半導体装置及びその製造方法に係わる図であり、図１乃至図５は半導体装置の構造に係わる図である。図１は半導体装置の外観を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は図２の一部を示す拡大断面図、図４は半導体装置の底面図である。また、図５は半導体装置における半導体チップ、半導体チップの電極、リード及びワイヤの位置関係を示す模式図である。

実施例１の半導体装置１は、図１及び図４に示すように、外観的には偏平な四角形の封止体２と、前記封止体２の下面にグリッドアレイ状に設けられた複数の外部電極端子３とからなっている。封止体２は上面及び下面並びに前記上面と前記下面を繋ぐ側面を有する構造になっている。外部電極端子３は、突起電極となり、例えば、直径０.３ｍｍの半田ボールで形成したバンプ電極となっている。外部電極端子３は、特に限定はされないが、図４に示すように、枠状に３列並んで配置されている。外部電極端子３のピッチは、例えば、５００μｍである。

封止体２の内部には、図２及び図３に示すように、四角形の半導体チップ４が封止されている。半導体チップ４は、複数の電極５を有する第１の面４ａ及び第１の面４ａの反対側になる第２の面４ｂを有し、第１の面４ａが封止体２の下面側に位置する状態で封止体２内に位置している。第２の面４ｂは半導体（例えば、シリコン）からなる平坦な面になっている。半導体チップ４は、例えば、１５０μｍ程度の厚さになっている。また、電極５は、例えば、一辺が８０μｍの正方形になっている。半導体チップ４の周縁と封止体２の周縁との間隔は、例えば、５０μｍ程度となり、半導体装置１の耐湿性を維持するに必要にして最小限の厚さとなっている。これによって、半導体装置１の外形は半導体チップ４の大きさに近似させることができ、半導体装置１の小型化を図ることができる。

半導体チップ４の第１の面４ａに設けられる複数の電極５は、特に限定はされないが、図５に示すように、半導体チップ４の周縁に近接した位置に、かつ各辺に沿って１列に配置されている。半導体チップ４は、半導体装置１を実装基板等に実装する際の状態において、図２に示すように、第１の面４ａを下面とし、第２の面４ｂを上面とする状態で封止体２内に封止されている。

半導体チップ４の第１の面４ａには、図２に示すように、テープ６が接着されている。テープ６は絶縁性の樹脂製のテープ（心材）からなり、両面に図示しない絶縁性の接着層を有する構造になっている。テープ６には、半導体チップ４の電極５に対応する部分に開口部７を有するとともに、所定部に開口部８を有している。図５に示すように、電極５に対応する開口部７は、半導体チップ４にテープ６を貼り合わせた際、半導体チップ４の各辺に一列に並ぶ電極５の一列全体が開口部７内に位置するように四角形のテープ６の各辺に沿ってそれぞれ設けられている。また、前記所定部に設けられる開口部８の一例として、図５に示すように、四角形のテープ６の中央部に四角形の開口部８が設けられている。開口部８はテープ６の四角形の外周に対して相似形の関係にある。一例を挙げるならば、テープ６の厚さは全体で１００μｍ程度となる。この内訳は心材が５０μｍで、その心材の両面に設けられる接着層の厚さが２５μｍ程度となる。心材はポリイミド系樹脂で形成され、接着層は熱硬化性樹脂で形成されている。

封止体２内において、テープ６の半導体チップ４が接着される面の反対面となる面に導電性のリード９が複数接着されている。リード９はテープ６の図示しない接着層によって接着される。リード９は、後述する金属板をパターニングしたリードフレームの各部を切断することによって形成される。リードフレームは第１の面と、この第１の面の反対面になる第２の面を有している。従って、リード９となった状態でもリードフレームの第１の面をリードの第１の面とし、リードフレームの第２の面をリードの第２の面とすることになる。リードフレームは、鉄−ニッケル系の合金板、銅合金板等、半導体装置の製造で一般に用いる０．１〜０．１２５ｍｍの厚さの金属板で形成される。実施例では、リードフレームは，０．１ｍｍの厚さの４２アロイで形成されている。

リード９は、図３及び図２に示すように、第２の面９ｂの一部が他の部分よりも突出して封止体２の下面寄りになる構造となっている。即ち、リード９は階段状に一段屈曲して突出し、この突出したリード部分の第２の面９ｂの一部が他のリード部分の第２の面９ｂよりも封止体２の下面寄りになっている。そして、リード９の突出した部分の突出面（突出端面）には封止体２の下面に露出する導電性のメッキ膜１０が形成されている。実施例１では、メッキ膜１０に重ねて突起電極１１が形成されて外部電極端子３が形成されて、ＢＧＡ型の半導体装置１が形成されている。前記メッキ膜１０は、例えば、２層構造となっている。下層は厚さ１５μｍの銅層であり、上層は厚さ５μｍのニッケル層である。また、図２及び図３に示すように、突出部分が形成されないリード部分の第１の面９ａがテープ６に接着されている。

図５はテープ６の開口部７，８と、リード９及び半導体チップ４の電極５との位置関係が分かるように封止体２を部分的に除去して示す模式図である。従って、図５はリード９の第２の面９ｂが表れる図である。図５に示す図の最外郭線は四角形（正方形）になっているが、この四角形は封止体２の外郭線であり、かつテープ６の外郭線でもある。これは、後述するが、半導体装置の製造において、テープ６を封止する樹脂層を縦横に切断して封止体２を形成するためである。テープ６にはリード９が接着されていることから、リード９もこの切断によって切断される。

四角形の封止体２及びテープ６の外郭線の僅か内側に二点鎖線で示す四角形が半導体チップ４の外郭線である。半導体チップ４の４辺（外郭線）の内側には、テープ６に形成された細長い開口部７がそれぞれ位置している。これら４本の開口部７のそれぞれの中央に沿って電極５が一列に並んで配列されている。

テープ６の外郭線である４辺からそれぞれ中央に向かって細いリード９が複数延在している。リード９は平面において必要に応じて屈曲させられている。また、リード９の内端あるいはその途中部分は膨らんだパターン９ｄとなっている。実施例では膨らんだパターン９ｄは円形となっている。この膨らんだパターン９ｄ部分が階段状に突出する部分であり、前述のように膨らんだパターン９ｄの第２の面９ｂには、メッキ膜１０が形成され、かつ突起電極１１が形成されて外部電極端子３が形成される（図３参照）。

一方、これが本発明の特徴の一つであるが、図５及び図２に示すように、四角形のテープ６の中央には開口部８が設けられている。そして、この開口部８の僅か内側からテープ６の表面に沿ってリード９が延在している。これら開口部８部分から延在するリード９も平面において必要に応じて屈曲させられている。開口部８部分から延在するリード９の一部は、その先端をテープ６の外郭線まで延在させることなくテープ６の途中の位置までとなっている。テープ６の途中で止まるリード９においてもメッキ膜１０を形成するための膨らんだパターン（円形）９ｄが設けられている。これら膨らんだパターン９ｄは四角形枠状に３列に配置されている。また、開口部８部分から延在するリード９の一部は、テープ６の外郭線まで延在している。特に限定はされないが、開口部８部分からテープ６の外郭線まで延在するリード９は、図５では四角形の左の上下の角部近傍と右の上の角部近傍の３箇所から延びている。

前記開口部８部分から延在するリード９は、図５には示されないが、開口部８の内側に位置し、既に切断除去された連結部から延在していたものである。そして、開口部８部分からテープ６の外郭線まで延在する前記３本のリード９は、連結部が除去される前は連結部を支持する支持リード９ｆを構成していたものである。リードフレームにテープ６を接着した後、連結部は除去される。

このように連結部から延在するリードにも外部電極端子を形成することによって、封止体の各辺から延在するリードの数よりも多くの外部電極端子を形成することができる。封止体の各辺に最大限の本数のリードを配置した場合においても、連結部からリードを延在させる構造を採用することによってさらに外部電極端子（ピン）の数を増大させることができる。図５では、３本の支持リード９ｆを設けられているが、四角形の対角線に沿うように４本の支持リード９ｆを配置してさらに連結部を安定支持するようにしてもよい。

図５に示すリード９は、換言するならば、一部のリード９は一端が封止体２の側面に露出し他の一端がテープ６面上に位置し、一部のリード９は一端が封止体２の側面に露出し他の一端が開口部８に位置し、残りのリード９は一端が開口部８に位置し他の一端がテープ６面上に位置している構造になっている。

また、図５に示すように、開口部７に露出する各電極５と、所定のリード９の前記突出する部分以外のリード部分は曲線を描いて延在する導電性のワイヤ１２で接続されている。ワイヤ１２は、開口部８を貫通し、一端が電極５に接続され、他の一端がリード９に接続される構造になっている。

また、実施例では、リード９に接続されるワイヤ１２の高さを低くするため、ワイヤ１２は電極５に最初に接続（第１ボンディング）され、その後リード９に接続（第２ボンディング）される。一般に、金線を用いる超音波振動を伴う熱圧着法では、第１ボンディング部分のワイヤループ高さは高くなる。第２ボンディングでは、引き回したワイヤをボンディングツールの先端で押し潰すことになるため、第２ボンディング部分のワイヤの高さは低くできる。ワイヤボンディング時は、リード９の第２の面９ｂが上面となる状態でワイヤボンディングが行われる。この結果、ワイヤボンディング時はリード９を接続するリード面はリード９の突出面（突出端面）よりも一段低い位置になる。従って、一段低い高さ（段差）のテープ６に接続されるワイヤ１２は、リード９の表面に沿って極めて小さい傾斜角度で延在し、その先端がリード９に接続されることになる。この結果、第２ボンディング部分でのワイヤ１２の表面と、一段高く突出したリード９の表面との間の間隔は、リード９の段差を０.１ｍｍ、ワイヤ１２の直径を２０μｍ、ワイヤのループ高さ（第１ボンディング位置からの高さ）を２２０μｍとした場合、８０μｍ程度となる。そして、この４００μｍにメッキ膜１０の厚さを加える厚さが封止体２を構成する樹脂の厚さとなる。従って、ワイヤ１２は充分な厚さの樹脂で覆われることになり、封止体２による半導体装置１の耐湿性は充分なものとなる。なお、電極５とリード９を電気的に接続する接続体はワイヤ１２に限定されるものではない。

このような半導体装置１を実装基板に実装した図を図６に示す。半導体装置１の実装においては、所定の電子装置を構成する実装基板１５の上面に半導体装置１の外部電極端子３に対応して導電性のランド１６を設けておく。そして、半導体装置１をその外部電極端子３が前記ランド１６上に重なるように実装基板１５上に載置した後、半田のバンプ電極からなる外部電極端子３を一次的に加熱処理（リフロー）して、外部電極端子３でランド１６にメッキ膜１０を電気的に接続する。

つぎに、半導体装置１の製造方法について、図７乃至図２１を参照して説明する。半導体装置１は、図７に示すフローチャートのように、リードフレーム・テープ等準備（Ｓ０１）、テープ貼り付け（接着）（Ｓ０２）、リードフレーム部分的除去（Ｓ０３）、チップボンディング（Ｓ０４）、ワイヤボンディング（Ｓ０５）、モールディング（Ｓ０６）、バンプ電極（突起電極）形成（Ｓ０７）、切断（個片化：Ｓ０８）の各工程を経て製造される。

Ｓ０１工程では、リードフレーム、テープ及び半導体チップがそれぞれ準備される。半導体チップ４は、既に説明したとおり、図５に示すように、第１の面４ａに複数の電極５を有する。四角形の半導体チップ４の各辺に沿う第１の面４ａには、一列に複数の電極５が配列されている。半導体チップ４の第２の面４ｂは、図２に示すように、平坦な半導体面になっている。

リードフレーム２０は、図８に示すように、厚さ０．１ｍｍの４２アロイ板を所定パターンに形成した四角形（正方形）の製品形成部２１を複数有する構造になっている。図８のリードフレーム２０では、製品形成部２１が２列３行にマトリックス状に配置された構造になっている。

製品形成部２１は、矩形状の枠２２と、この枠２２の内側に形成される複数のリード等からなっている。図９は枠２２を省略した製品形成部２１を示す図である。以後の説明においても、単独の製品形成部２１の説明部分では図から枠２２を省略した図で説明することが多い。リードフレーム２０の状態では、図８に示すように、隣接する製品形成部２１は枠２２を共有している。また、リードフレーム２０の外周部分の枠は隣接する製品形成部２１の枠部分よりも太くなっている。これはリードフレーム２０の強度向上のためである。また、図示しないが、リードフレーム２０の移送やリードフレーム２０の位置決めに使用する円形孔や長孔等によるガイド孔を、リードフレーム２０の外周部分の枠に設けてある。

製品形成部２１は、図８に示すように、矩形状の枠２２と、枠２２の内側から枠内に片持ち梁状に延在する複数のリード９と、枠内の所定部（中央部）に設けられる連結部２３と、この連結部２３を支持する枠２２から延在するリード９（支持リード９ｆ）と、連結部２３から枠側に延在する片持ち梁構造の複数のリード９とからなっている。この製品形成部２１には、製品形成部２１よりも僅かに小さい半導体チップ４が重ねられて固定されるようになっている。四角形（正方形）の半導体チップ４の中心は四角形（正方形）の製品形成部２１の中心と一致するようになっている。連結部２３は製品形成部２１の中央に設けられている。図９は製品形成部２１の拡大図であり、支持リード９ｆは、四角形の左の上下の角部近傍と、四角形の右の下部分の角部近傍から延在して連結部２３を支持している。枠２２及び連結部２３から延在するリード９の途中部分は所定箇所に膨らんだパターン９ｄが設けられている。実施例では、膨らんだパターン９ｄは円形となっている。この膨らんだパターン９ｄは円形以外のパターンであってもよい。例えば、膨らんだパターン９ｄは、半導体チップ４の電極５に対応するように四角形であってもよい。膨らんだパターン９ｄ部分は、図１０に示すように、リード９の第２の面９ｂ側に一段階段状に突出した部分である。階段状に一段突出させるための段差は、例えば、０.１ｍｍである。また、突出した部分の面（先端面）には、メッキ膜１０が形成されている。メッキ膜１０は、例えば、２層構造となっている。下の層は厚さ１５μｍの銅層であり、上層は厚さ５μｍのニッケル層である。リード９に段差を設けることは、メッキ膜１０の表面が封止体２の下面に露出させ、外部電極端子を形成するためである。

また、リード９には導電性のワイヤが接続される。このワイヤが接続されるリード表面には、ワイヤとの接続性を良好とするためのメッキ膜が形成されている。このメッキ膜は図では省略する。ワイヤとして金線を用いる場合、メッキ膜は５μｍ程度の厚さが使用される。

また、リード９の幅は６０〜６５μｍ幅が望ましい。実施例ではリード９の幅は６０μｍとなっている。また、枠２２から延在するリード９の狭い箇所のリードピッチは１３０μｍである。

Ｓ０１工程で準備するテープ６は、絶縁性の樹脂製のテープ（心材）からなり、両面に図示しない絶縁性の接着層を有する構造になっている。テープ６は、図１１に示すように、リードフレーム２０の製品形成部２１に対応して単位テープ部２６を有している。テープ６は半導体装置の製造工程で樹脂層及びリードフレーム共々切断されて、単位テープ部２６は、図２及び図３で説明したテープ形状になる。従って、単位テープ部２６には、半導体チップ４の電極５に対応する部分に開口部７を有するとともに、四角形（正方形）の単位テープ部２６の所定部、即ち、中央部に開口部８を有している。開口部８は四角形の単位テープ部２６の外周に対して相似形の関係にある。また、一例を挙げるならば、テープ６の厚さは全体で１００μｍ程度となる。この内訳は心材が５０μｍで、その心材の両面に設けられる接着層の厚さが２５μｍ程度となる。心材はポリイミド系樹脂で形成され、接着層は熱硬化性樹脂で形成されている。

半導体チップ４を単位テープ部２６に位置決めして接着（貼り合わせ）した場合、半導体チップ４の各辺に沿って一列に並ぶ電極５が各開口部７の中央に沿って配列されるように単位テープ部２６のパターンが形成されている。また、リードフレーム２０にテープ６を位置決めして接着（貼り合わせ）すると、図１２に示すように、リードフレーム２０の連結部２３が開口部８内に位置し、連結部２３の周縁から延在するリード９の付け根部分が開口部８内に露出し、各開口部７にリード９が並んで露出するように単位テープ部２６のパターンが形成されている。

Ｓ０１工程で半導体チップ４、リードフレーム２０及びテープ６を準備した後、図１２に示すように、リードフレーム２０にテープ６を位置決めして、テープ６の接着層を使用してリードフレーム２０とテープ６を接着する（Ｓ０２）。図１３は接着された単位テープ部２６と製品形成部２１を示す拡大図である。この接着によって、図１２及び図１３に示すように、リードフレーム２０の連結部２３が開口部８内に位置し、連結部２３の周縁から延在するリード９の付け根部分が開口部８内に露出する。また、各開口部７にはリード９が並んで露出する。

つぎに、図１４に示すように、リードフレームの部分的除去を行い、各単位テープ部２６の開口部８内に位置する連結部２３を除去する（Ｓ０３）。この連結部２３の除去によって、連結部２３から延在する各リード９は分離される。除去は、プレス切断またはエッチングによって行う。連結部２３から延在するリード９の付け根部分の切断またはエッチングによって連結部２３が除去される。これにより、図１４及び図１５に示すように、開口部８の周囲にリード９の一端（内端）が突出延在することになる。図１５は単位テープ部２６と製品形成部２１を示す拡大図である。プレス切断及びエッチングによってリード９の内端を開口部８の縁に合わせることができる。また、エッチングの場合、テープ６の表面に形成するエッチング用マスクのパターンによって、リード９の内端を開口部８の外側であるテープ上に位置させることができる。

つぎに、テープ６のリードフレーム２０が接着された面と反対となるテープ面において、製品形成部２１（単位テープ部２６）に対して半導体チップ４を位置決めし、半導体チップ４の電極５を有する第１の面４ａをテープ６に接着する（チップボンディング：Ｓ０４）。このチップボンディングによって、図１６に示すように、単位テープ部２６の各開口部７の中央に沿って一列に電極５が位置する。また、電極５は開口部７を横切るリード９に接触することなく、リード９とリード９の間、あるいはリード９から外れた位置に位置する。

つぎに、開口部７内に露出する電極５とリード９を導電性の接続体で接続する。接続体として、例えば、直径２０μｍの金線からなるワイヤを使用して接続を行う（ワイヤボンディング：Ｓ０５）。図１７及び図１８に電極５とリード９をワイヤ１２で接続した状態を示す。図１７は平面的な図であり、図１８は断面図である。また、図１８（ａ）はリード９と電極５の接続を説明するための模式的な断面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）の一部を拡大し、かつリード９の表面部分に接続用メッキ膜３０を設け、この接続用メッキ膜３０上にワイヤ１２を接続した例を示す。

実施例では、超音波振動を伴う熱圧着法でワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディング時、リードフレーム２０はリード９の第２の面９ｂが上面となる状態でワイヤボンディングが行われる。この際、前述のように、リード９に接続されるワイヤ１２部分の高さを低くするため、開口部７に露出する電極５に最初にワイヤ１２の一端を接続（第１ボンディング）し、その後リード９にワイヤの途中部分を接続（第２ボンディング）する。接続後、ワイヤを第２ボンディング部分から切断させる。これにより、ワイヤ１２は一端を電極５に接続し、開口部７を貫通してループを描いてリード９に接続されることになる。この接続方法によって、第２ボンディング部分でのワイヤ１２の表面（上面）と、一段高く突出したリード９の表面（上面）との間の間隔は、リード９の段差を０.１ｍｍ、ワイヤ１２の直径を２０μｍ、ワイヤのループ高さ（第１ボンディング位置からの高さ）を２２０μｍとした場合、８０μｍ程度とすることができる。この結果、ワイヤ１２の上面と、一段高く突出したリード９の上面との間の間隔（８０μｍ）と、この間隔の寸法にメッキ膜１０の厚さ（１０μｍ）を加える厚さが、後述するモールディング時に形成される樹脂層を構成する樹脂の厚さとなり、最終的には封止体２を構成するワイヤ１２を覆う樹脂の厚さとなる。

つぎに、ワイヤボンディングが終了したリードフレーム２０の上下面をモールディングによって絶縁性樹脂で覆って一定厚さの樹脂層３２を形成する（Ｓ０６）。図１９はトランスファモールディング装置における成形金型の下型３４と上型３５との間にワイヤボンディングが終了したリードフレーム２０等を型締めしてトランスファモールディングを行った状態を示す一部の断面図である。下型３４と上型３５とによって形成されるキャビティ３８に図示しないゲートから溶けた絶縁性の樹脂を圧入することによって、キャビティ３８部分に樹脂層３２が形成される。このモールディング時、リードフレーム２０が下側となり、半導体チップ４が上側となる状態で下型３４及び上型３５の型締めが行われる。リードフレーム２０のリード９の突出した部分の先端面に形成されたメッキ膜１０の表面が下型３４に接触するようになる。

しかし、実施例では、被モールディング体（リードフレーム２０等）と下型３４及び上型３５との間に弾性体からなるシート３６，３７を介在させてモールディングを行う。下型３４にメッキ膜１０が直接接触するようにした場合、下型３４とメッキ膜１０との間に隙間が発生すると、樹脂層を形成する樹脂が入り込み、メッキ膜１０の表面に付着してしまう。下型３４とメッキ膜１０の間に弾力的に作用するシート３６を介在させることによって、メッキ膜１０の表面は保護されるため、メッキ膜１０のシート３６に接触する表面に樹脂が付着しなくなる。

つぎに、図２０に示すように、メッキ膜１０に半田ボールを重ねて供給した後、リフロー処理して半田ボールによって突起電極（バンプ電極）１１を形成して外部電極端子３を形成する。半田ボールは直径０.３ｍｍとなり、リフロー処理後には、高さ０.２５ｍｍの外部電極端子３が形成される（バンプ電極形成：Ｓ０７）。

つぎに、図２１に示すように、２枚ブレード構造のダイシングブレード４０によって樹脂層３２を縦横に切断する。この切断において、樹脂層３２によって覆われるリードフレーム２０及びテープ６も同時に切断される。２枚ブレードのダイシングブレード４０を用いることによって、切断幅ａは広くなる。また、２枚ブレードのダイシングブレード４０を用いることによって、枠２２を直接切断することなく、枠２２から突出するリード９を横切るように切断することができ、製品形成部２１（単位テープ部２６）の個片化が達成できる（切断（個片化）：Ｓ０８）。この切断によって樹脂層３２は封止体２になる。また、この切断によって、封止体２の側面にリード９及びテープ６の切断端が露出する。

これにより、図１に示すＢＧＡ型の半導体装置１を複数製造することができる。なお、樹脂層３２の形成後、突起電極１１の形成を行わずに樹脂層３２の切断を行うことによって、図２２に示すように、ＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置１を製造することができる。図２２の半導体装置１は、封止体２の下面にメッキ膜１０が露出し、平板状のメッキ膜１０が外部電極端子３を構成することになる。

本実施例１によれば以下の効果を有する。
（１）半導体装置１の製造方法においては、製品形成部２１の枠２２の内側から枠２２の中央側に延在する複数のリード９と、枠２２の中央に設けられる連結部２３から枠側に延在する複数のリード９を有するリードフレーム２０が準備される。その後、このリードフレーム２０に、半導体チップ４の電極５に対応する部分及び連結部２３に対応する部分に開口部７，８を有するテープ６が接着される。さらに、前記開口部８に露出する連結部２３は切除される。この切除によって連結部２３によって一体となっていたリード９は分離されるが、テープ６に支持される状態になる。そして、このようなテープ付きのリードフレームを使用して半導体装置１を製造する結果、封止体２の周縁から内側に亘って延在するリード９に外部電極端子（ピン）３が形成されるばかりではなく、開口部８から延在しテープ６に支持されるリード９にも外部電極端子（ピン）３を形成することができ、ピン数の増大を図ることができる。従って、封止体の周縁から延在するリードの本数を増大させなくともピン数の増大を図ることができる。換言するならば、封止体２のサイズとの関係において、封止体２の周縁に並ぶリード９の配置が最大限の本数となっている状態においても、封止体２の中央に一端を臨ませテープの途中部分に他の一端を位置するように延在するリード９にも外部電極端子（ピン）３を形成することができるため、ピン数の増大を図ることができる。即ち、封止体２のサイズを大きくすることなくピン数の増大を図ることができる。

（２）半導体装置１においては、ワイヤ１２は半導体チップ４の電極５に最初に接続され（第１ボンディング）、その後リード９に接続（第２ボンディング）された構造になっている。また、ワイヤ１２は階段状に一段屈曲したリード９の低い面（第２の面）に接続（第２ボンディング）される。第２ボンディングは接続部からの高さが第１ボンディング部分に比較して充分低くできるため、リード９の低い面（第２の面）からメッキ膜１０の露出する表面側に至る深さに形成される封止体２を構成する樹脂内に入り、ワイヤ１２は所定の厚さの樹脂で確実に覆われることになる。この結果、ワイヤ１２の封止体２による封止性能が低下しなくなる。例えば、０．１ｍｍの厚さのリードに直径が２０μｍのワイヤを使用してネイルヘッドワイヤボンディングを行った場合、リードを階段状に一段屈曲する段差を０．１ｍｍとすれば、第２ボンディング部からワイヤのループの頂点までの高さが２０μｍ程度となるワイヤは充分な厚さの樹脂で覆われることになる。

（３）半導体装置１は、電極５を有する半導体チップ４の第１の面４ａと、リード９の第１の面９ａを電極５に対応する開口部７を有するテープ６で接着し、かつ電極５とリード９の第２の面９ｂを前記開口部７を貫通するう１２で接続する構造となっている。従って、半導体チップ４の第２の面４ｂを覆う封止体２を構成する樹脂の厚さを薄くすることができる。また、リード９の第２の面９ｂに接続されるワイヤ１２も上記（２）に記載したようにリード９の段差内に納まることから、封止体２を薄くでき、半導体装置１の薄型化を図ることができる。

（４）半導体装置１の製造方法において、樹脂層３２及びリードフレーム２０の切断時、切断位置を樹脂層内に位置する半導体チップ４の周縁に近接する位置にすることによって、封止体２のサイズを半導体チップ４のサイズに近づけることができ、半導体装置１のＣＳＰ化、即ち、小型化が達成できる。

（５）半導体装置１の製造方法において、樹脂層３２の形成の後、樹脂層３２から露出するメッキ膜１０に突起電極１１を形成して外部電極端子３を形成することから、ＢＧＡ型の半導体装置１が製造される。この製造方法において、突起電極を形成せずに樹脂層３２からメッキ膜１０を露出させるだけの構造とすることによって、ＬＧＡ型の半導体装置１を製造することができる。ＬＧＡ型の半導体装置はＢＧＡ型の半導体装置に比較して薄型となる。

（６）半導体装置１の製造方法において、リードフレーム２０に設ける連結部２３は枠２２の中央に設けられる。この結果、中央から周辺の枠に向かって均一にリード９を延在させることができ、連結部２３から延在するリード９の数を多くすることができ、半導体装置１のピン数の増大を図ることができる。

図２３乃至図２９は本発明の実施例２である半導体装置及びその製造方法に係わる図である。図２３は実施例２である半導体装置の断面図、図２４は図２３の一部を示す拡大断面図である。図２５は実施例２の半導体装置の製造方法を示すフローチャート、図２６乃至図２９は実施例２の半導体装置の製造方法に係わる図である。

実施例１の半導体装置１は、封止体２の下面とメッキ膜１０の下面が略同じ平面上に位置した構造になっているが、実施例２の半導体装置は、図２３及び図２４に示すように、階段状に突出したリード９の突出した面（突出端面）と封止体２の下面が略同じ平面上に位置し、メッキ膜１０は封止体２の下面から突出した構造になっている。即ち、リード９の突出端面は封止体２の下面に露出している。

実施例２の半導体装置１の他の各部分は実施例１の半導体装置１と同じである。従って、図２３及び図２４に示すように、ＢＧＡ型の半導体装置１にした場合、封止体２の下面から突出する外部電極端子３の突出長さが、メッキ膜１０の厚さに突起電極１１の厚さを加えた長さとなり、実装基板に対する実装性能が高くなる。

実施例２の半導体装置１は、図２５のフローチャートに示す工程を経て製造される。即ち、実施例２の半導体装置１は、リードフレーム・テープ等準備（Ｓ１１）、テープ貼り付け（接着）（Ｓ１２）、リードフレーム部分的除去（Ｓ１３）、チップボンディング（Ｓ１４）、ワイヤボンディング（Ｓ１５）、モールディング（Ｓ１６）、メッキ処理（Ｓ１７）、バンプ電極（突起電極）形成（Ｓ１８）、切断（個片化：Ｓ１９）の各工程を経て製造される。

実施例２の半導体装置１の製造においては、リードフレームを準備するＳ１１工程では、リードフレーム２０のリード９の第２の面９ｂ側に階段状に突出した突出面にメッキ膜を設けないリードフレーム２０を準備する。そして、実施例１の場合のモールディング（Ｓ０６）とバンプ電極（突起電極）形成（Ｓ０７）との間にメッキ処理を行って、リード９の突出面にメッキ膜を設けることを特徴とする。

実施例２の半導体装置１の製造においては、リード９の突出面にメッキ膜を設けないリードフレーム２０を準備した後、実施例１の場合と同様にテープ貼り付け（Ｓ１２）、リードフレーム部分的除去（Ｓ１３）、チップボンディング（Ｓ１４）、ワイヤボンディング（Ｓ１５）、モールディング（Ｓ１６）を順次行う。

このモールディング時、図示はしないが、リード９の第２の面９ｂ側に突出した突出面（突出端面）は、トランスファモールディング装置の下型３４上に配置されたシート３６によって覆われる。この結果、図２６に示すように、リード９の突出端面９ｇは樹脂層３２の下面と略同一面となり、樹脂層３２の表面に露出する。

つぎに、メッキ処理（Ｓ１７）を行い、図２７に示すように、樹脂層３２の表面に露出するリード９の突出端面９ｇにメッキ膜１０を形成する。このメッキ膜１０は、特に限定はされないが、実施例１の場合と同様に下層は厚さ１５μｍの銅層であり、上層は厚さ５μｍのニッケル層である。メッキ膜１０は樹脂層３２の下面から突出する。

つぎに、実施例１と同様に、図２８に示すように、樹脂層３２の表面に突出するメッキ膜１０に重ねて突起電極１１を形成して外部電極端子３を形成する（バンプ電極形成：Ｓ１８）。

つぎに、実施例１と同様に、図２９に示すように、ダイシングブレード４１によって樹脂層３２を縦横に切断（切断：Ｓ１９）して複数の半導体装置１を製造する。実施例２では、広い切断幅ａを得るため、ダイシングブレード４１の幅は切断幅ａよりも僅かに狭い幅広のダイシングブレード４１を使用する。

これにより、図２３に示すＢＧＡ型の半導体装置１を複数製造することができる。なお、メッキ膜１０の形成後、突起電極１１の形成を行わずに樹脂層３２の切断を行うことによって、図３０に示すように、ＬＧＡ型の半導体装置１を製造することができる。図３０の半導体装置１は、封止体２の下面に平板状のメッキ膜１０が突出し、このメッキ膜１０が外部電極端子３を構成することになる。外部電極端子３は突起電極１１の厚さ分封止体２の下面から突出するため、実装基板への実装性能は良好になる。

図３１乃至図３７は本発明の実施例３である半導体装置及びその製造方法に係わる図である。図３１及び図３２は半導体装置の構造を示す図であり、図３３乃至図３７は半導体装置の製造方法を示す断面図である。

実施例３の半導体装置１は図３１に示す断面構造になっている。図３２は図３１の一部を示す拡大断面図である。図３２に示すように、実施例３の半導体装置１は、リード９を階段状に屈曲させた実施例１の半導体装置１とは異なり、リード９は平坦な平板状構造となっている。そして、リード９の第２の面９ｂを所定深さ部分的にエッチングして除去し、エッチングしないリード部分（メッキ膜１０を形成する予定の部分）の第２の面９ｂをエッチングしたリード部分の第２の面９ｂよりも突出させてある。これにより、実施例１の場合と同様に突出部分が形成される。従って、この突出した部分の突出端面９ｇに実施例１の半導体装置１と同様にメッキ膜１０を重ねて形成し、さらにメッキ膜１０に重ねて突起電極１１を形成して外部電極端子３を形成する構造になっている。実施例３の半導体装置１の他の各部分は実施例１の半導体装置１と同じである。

実施例３の半導体装置１は、図７のフローチャートで示す実施例１の半導体装置１の製造工程と同じ工程で製造される。実施例３の半導体装置１の製造において、実施例１と異なる点は、使用するリードフレーム２０が異なるだけである。リードフレーム２０の製品形成部２１のリードパターンは実施例１と同じである。しかし、リード９の断面構造が実施例１の場合とは異なる。

実施例３の半導体装置１は、図３３で示すようなリードフレーム２０を用いて製造される。図３３で示すリードフレーム２０はテープ６に第１の面が接着されたリードフレーム２０の製品形成部２１を示すものである。図３３のリードフレーム２０は、既に連結部が除去された状態のものである。製品形成部２１のリードパターンは実施例１と同様である。従って、図３３で示すリード９の各断面は図３１と同じ断面となる。しかし、図３３では、リード９とリード９に接続するワイヤ１２との接続が明瞭となるように簡略に表示した模式図としてある。従って、図３４乃至図３７の半導体装置１の製造方法を示す断面図も図３３に対応した図としてある。

図３３に示すリードフレーム２０の製品形成部２１において、リード９は第２の面９ｂが部分的に所定深さエッチングされて薄くなっている。リード９は、実施例１と同様に０．１ｍｍの厚さとなり、前記エッチングはハーフエッチングとなり、エッチングされた部分は０．０５ｍｍの厚さになっている。従って、エッチングされない部分の第２の面９ｂと、エッチングされて現れた第２の面９ｂとの段差は０．０５ｍｍとなる。これにより、実施例３で用いるリードフレーム２０におけるリード９の第２の面９ｂに選択的に突出部分を形成することができる。この突出部分は実施例１の場合と同じである。そして、この突出した部分の突出端面９ｇには実施例１の場合と同様に２０μｍの厚さのメッキ膜１０が形成されている。

実施例３の半導体装置１の製造においては、実施例１の場合と同様にリードフレーム・テープ等準備（Ｓ０１）、テープ貼り付け（Ｓ０２）、リードフレーム部分的除去（Ｓ０３）と作業が進む。図３３はＳ０１〜Ｓ０３が終了したリードフレーム２０の製品形成部２１を示す。

つぎに、実施例１と同様にチップボンディング（Ｓ０４）、ワイヤボンディング（Ｓ０５）を行う。図３４はＳ０４、Ｓ０５が終了したリードフレーム２０の製品形成部２１を示す。半導体チップ４の電極５とリード９を接続するワイヤ１２において、ワイヤ１２のループ高さを１２０μｍ以下と低くする。半導体チップ４の電極５の表面からメッキ膜１０の表面までの高さは、電極５の表面が半導体チップ４の表面と同じとした場合、テープ６の厚さが１００μｍ、リード９の厚さが０．１ｍｍ、メッキ膜１０の厚さが１０μｍとなることから、２１０μｍとなる。封止体２を構成する樹脂はメッキ膜１０の表面まで形成されることから、ワイヤ１２のループ高さをできるだけ低くし、所定厚さ（例えば、５０μｍ）の樹脂でワイヤ１２が覆われるようにする。

つぎに、実施例１と同様に、モールディング（Ｓ０６）を行う。このモールディングによって、図３５に示すように、リード９の突出した部分に形成されたメッキ膜１０の表面は樹脂層３２の表面と略同一面となり、樹脂層３２の表面に露出する。

つぎに、実施例１と同様に、図３６に示すように、樹脂層３２の表面に露出するメッキ膜１０に重ねて突起電極１１を形成して外部電極端子３を形成する（バンプ電極形成：Ｓ０７）。

つぎに、実施例１と同様に、図示しないダイシングブレード４０によって樹脂層３２を縦横に切断（切断：Ｓ０８）して複数のＢＧＡ型の半導体装置１を製造する。図３７は製造された半導体装置１を示す。図３７のリード９の断面は模式的であり、実施例１に対応する半導体装置１は図３１に示す断面構造になる。

なお、上記半導体装置の製造方法において、樹脂層３２の形成後、突起電極１１の形成を行わずに樹脂層３２の切断を行うことによって、図３８に示すように、ＬＧＡ型の半導体装置１を製造することができる。図３８は図３１のＢＧＡ型半導体装置１に対応するＬＧＡ型半導体装置１を示す図である。

実施例３の半導体装置１及びその製造方法においては、実施例１と同様な効果を有する。また、実施例３においては、リード９の上下面のそれぞれ所定部分を所定厚さエッチングして段差構造のリード９を形成するため、プレスで屈曲させて段差構造のリード９を形成する場合に比較して精密に形成することができる。

図３９は本発明の実施例４である半導体装置の封止体の端部分のリード及び半導体チップの電極並びにワイヤの相関を示す模式図である。
図３９は実施例４の半導体装置１の一部を示す図である。この図は四角形の半導体装置１の１辺部分を示すものであり、かつ封止体２を構成する樹脂を部分的に除去してリード９及び半導体チップ４の電極５並びに電極５とリード９を接続するワイヤ１２の関係を示す模式図である。

実施例１の半導体装置１は、図５に示すように、一列に並ぶ電極５の列の外側のリード９部分（封止体２の縁側）にワイヤ１２を接続する構造となっている。これに対して、実施例４の半導体装置１は、電極５よりも半導体チップ４の中央寄りのリード９部分にワイヤ１２を接続する構造としてある。これにより、実施例１の半導体装置１に比較して、実施例４の半導体装置１では、一列に並ぶ電極５の列の外側のリード９部分はワイヤ１２を接続するための領域（ボンディング部分）が不要となり、電極列の外側に延在するリード部分を短く（例えば、長さｊ）することができる。従って、実施例４によれば半導体装置１の小型化が達成できる。図３９には、電極５の外側のリード部分にワイヤ１２を接続する半導体装置の封止体２の外郭線を二点鎖線で示してある。そして、電極５の外側のリード部分に接続するワイヤ１２を、図の左下に１本点線で示してある。なお、図３９では開口部７は省略する。

図４０乃至図４７は本発明の実施例４である半導体装置及びその製造方法に係わる図である。図４０乃至図４２は半導体装置の構造を示す図であり、図４０は半導体チップの電極とリードとの接続状態を示す模式図、図４１は図４０のＣ−Ｃ線に沿う完成品状態の半導体装置の断面図、図４２は図４１の一部の拡大断面図である。また、図４３乃至図４７は半導体装置の製造方法を示す図である。

実施例５の半導体装置１は、リード９と電極５を接続する導電性の接続体はワイヤでなく、図４１及び図４２に示すように、代りにテープ６の開口部７内にそれぞれ位置するテープ６と電極５を導電性の接続体４５を介して重ねて接続する構造になっている。即ち、図４２に示すように、半導体チップ４の電極５をリード９の表面に設けた導電性の接続用メッキ膜４６にフェイスダウンボンディング（フリップ・チップ接続）する構造になっている。従って、実施例５の半導体装置１は、実施例１の半導体装置１においてフェイスダウンボンディングに対応するように改造を加えてあるが、その他の部分は実施例１と同様である。図４０では、接続体４５の位置が分かるように四角形を黒く塗り潰して示してある。実際には接続体４５はリード９の下に位置するため、図４０では見ることができない。また、図４１、図４６及び図４７の断面図でも接続体４５は四角形を黒く塗り潰して示してある。

実施例５の半導体装置１は、図４１に示すように、リード９の断面構造は実施例３の構造（エッチングによるリード構造）を採用している。また、実施例５の半導体装置１は、図４０及び図４５に示すように、開口部７内に位置する電極５に、開口部７を横切るリード９が重なるようにリードパターン及び半導体チップ４の電極配列パターンを変更してある。さらに、図４０、図４１、図４４乃至図４７に示すように、開口部８から延在する片持ち梁状のリード９を電極５に接続するため、テープ６には開口部８の周囲に新たな開口部７を設け、これら新たな開口部７内での電極５とリード９の接続を可能とする変更もなされている。

実施例５の半導体装置１におけるリードパターンは、図４４に示すように、基本的には実施例１の場合のパターンに近似したパターンとなっている。実施例１のリードパターンの場合、ワイヤ１２を接続するため、開口部８から延在するリード９は途中部分に設けた円形の膨らんだパターン９ｄからさらに延び，この延びた部分にワイヤ１２を接続するパターンになっている。しかし、実施例５の場合は、ワイヤを接続する部分は不要となることから、開口部８から片持ち梁状に延在するリード９においては、膨らんだパターン９ｄから先端は設けないパターンとなっている。開口部８から延在し封止体２の縁に至る支持リード９ｆは膨らんだパターン９ｄの両側にリード部分が延在する構造となっている。さらに、実施例５では、開口部８から延在するリード９及び一部の支持リード９ｆと電極５を接続するために、開口部８の各４辺の外側に帯状の開口部７が設けられている。

四角形の半導体チップ４の第１の面４ａには、実施例１と同様に各辺の近傍に各辺に沿って電極５が１列配置されているが、さらに前記開口部８の周囲の開口部７に位置するように新たに電極５が配置されている。これら電極５は、テープ６を介して半導体チップ４及びリードフレーム２０（リード９）が接着された場合、各電極５は各開口部７内において、各開口部７を横切るリード９に対面するようになっている。半導体チップ４の電極５は、図４２でのみ示してある。図４２から分かるように、電極５は接続体４５に覆われる。従って、各図で示す黒く塗り潰した四角形部分（接続体４５）内に電極５が存在することになる。

図４２は実施例５の半導体装置１の半導体チップ４の電極５とリード９を接続する部分を示す一部の拡大断面図である。テープ６の開口部７を横切るリード９は、半導体チップ４の電極５に対面している。また、電極５に対面するリード９の第１の面９ａには接続用メッキ膜４６が形成されている。そして、開口部７内において、電極５と接続用メッキ膜４６は圧接材料４５で電気的に接続されている。接続用メッキ膜４６は、例えば、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕからなっている。半導体チップ４の電極５は一辺が８０μｍとなる正方形となり、幅６５μｍのリード９の表面に形成される接続用メッキ膜４６の厚さは３０μmとなっている。

実施例５では、接続体として圧接材料を用いる。圧接材料としては、ペースト系のＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）、ＮＣＰ（Non Conductive Resin Paste）と、フィルム系のＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）、ＮＣＦ（Non Conductive Resin Film）がある。実施例５ではいずれのタイプの圧接材料も使用できるが、実施例５では、厚さが１００μｍ程度のＮＣＦを使用する。なお、接続体４５として圧接材料を使用せず、電極５に金バンプ電極を形成しておき、この金バンプ電極を接続用メッキ膜４６にフリップ・チップ接続するようにしてもよい。

つぎに、半導体装置１の製造方法について、図４３乃至図４７を参照して説明する。半導体装置１は、図４３に示すフローチャートのように、リードフレーム・テープ等準備（Ｓ２１）、テープ貼り付け（接着）（Ｓ２２）、リードフレーム部分的除去（Ｓ２３）、フェイスダウンボンディング（Ｓ２４）、モールディング（Ｓ２５）、バンプ電極形成（Ｓ２６）、切断（個片化：Ｓ２７）の各工程を経て製造される。工程的には、実施例１の半導体装置の製造方法において行うチップボンディングとワイヤボンディングを、実施例５の半導体装置の製造方法では一回のフェイスダウンボンディングで行うものである。

図４４は、リードフレーム・テープ等準備（Ｓ２１）、テープ貼り付け（接着）（Ｓ２２）、リードフレーム部分的除去（Ｓ２３）が終了した製品形成部２１（単位テープ部２６）を示す図である。リードパターンにおいて、テープ６の中央部に設けた開口部８に一端を配し開口部８の周囲に設けた開口部７を横切るリード９、製品形成部２１（単位テープ部２６）の縁に一端を配し製品形成部２１の周縁に沿って延在する開口部７を横切るリード９が設けられている。

このようなリードフレーム２０にテープ６を介して半導体チップ４を接着する（フェイスダウンボンディング：Ｓ２４）。この接着によって、半導体チップ４の第１の面４ａに設けた電極５は、テープ６の開口部７に位置し、開口部７を横切るリード９の接続用メッキ膜４６に圧接材料からなる接続体４５を介して重なり、電極５と接続用メッキ膜４６は電気的に接続される。この接着は半導体チップ４のフェイスダウンボンディングとなる。開口部７を横切るリード部分の真下に接続体４５が位置する。

なお、フェイスダウンボンディングに先立って、開口部７に露出するリード９の第１の面９ａに帯状の接続体４５を配置し、この接続体４５に半導体チップ４の電極５が重なるようにし、さらに所定の温度で所定時間加圧して接続体４５によって電極５とリード９の接続用メッキ膜４６を電気的に接続する。

つぎに、図４６に示すように、実施例１と同様に、半導体チップ４及びリードフレーム２０を樹脂層３２で覆う（モールディング：Ｓ２５）。この際、メッキ膜１０の表面が樹脂層３２の表面に露出する。
つぎに、図４７に示すように、実施例１と同様に、リードフレーム２０の外部電極端子形成箇所に突起電極（バンプ電極）１１を形成して外部電極端子３を形成する（バンプ電極形成：Ｓ２６）。
つぎに、樹脂層３２をリードフレーム２０及びテープ６共々縦横に切断して、図４１に示すようなＢＧＡの半導体装置１を複数製造する（切断（個片化）：Ｓ２７）。

図４８は実施例５の変形例である半導体装置の一部を示す拡大断面図である。図４８は図４２に対応する図であり、半導体チップ４の電極５とリード９を接続する部分を示す図である。この変形例では、開口部７に位置するリード９部分を半導体チップ４の電極５が設けられる第１の面４ａ側に一段階段状に突出するように屈曲させた構造になっている。この突出部５０の表面（突出面）には接続用メッキ膜４６が設けられている。そして、接続用メッキ膜４６と半導体チップ４の電極５は圧接材料からなる接続体４５で電気的に接続される。

この変形例は、リード９と半導体チップ４の電極５との間隔が大きい場合、例えば、テープ６が厚い場合には有効であり、接続用メッキ膜４６と電極５との距離を短くできる（近接）ため、圧接材料からなる接続体４５によってリード９と電極５を確実に接続することができる。この変形例では圧接材料による接続の信頼性が高くなる。

図４９は実施例５の半導体装置の製造において、モールディング工程の後、バンプ電極を形成しないで切断工程を行う結果製造される半導体装置１の一部を示す図であり、ＬＧＡ型の半導体装置１となる。リード９の突出端面９ｇに形成された平坦なメッキ膜１０の表面が封止体２の下面に露出して外部電極端子３となる。

実施例５によれば、リード９と電極５は、開口部７内において接続体４５を介して重ねて接続される構造（半導体チップのフェイスダウンボンディング構造）となっていることから、封止体２によるリード９と電極５との封止性能が高くなる。また、リード９と電極５をワイヤ１２で接続する場合は、ワイヤ１２のループ高さを低くするように注意を払ってワイヤボンディングを行わなければならないが、フェイスダウンボンディングではこのような注意は不要となり、半導体装置１の生産性が向上する。接続体４５として圧接材料を使用する場合は、圧接処理によってリード９の接続用メッキ膜４６と電極５が電気的に接続されるため、さらに生産性が高くなる。

図５０は本発明の実施例６である半導体装置の断面図、図５１は図５０の一部の拡大断面図である。
実施例６は実施例１の半導体装置１において、リード９を階段状に屈曲させたり、リードの表面をハーフエッチングしたりせず、リードを平坦とする構造の半導体装置１である。厚さが一定のリード９を使用することから、リード９の第２の面９ｂに設けるメッキ膜１０の厚さを全体で３０μｍと厚くし、メッキ膜１０を設けないリード部分の第２の面９ｂにワイヤ１２を接続させる構造である。メッキ膜１０が３０μｍと厚く、ワイヤ１２のループ高さを２１０μｍと低くし、リード９にはワイヤ１２を第２ボンディングによって接続することによって、ワイヤ１２は封止体２内に位置し、封止体２を構成する樹脂は２０μｍ程度の厚さでワイヤ１２を覆うため、半導体装置１の耐湿性は良好となる。

実施例６によれば、リードを階段状に屈曲する作業及びリード表面をエッチングする作業が不要となり、リードフレームの製造コストを安価にできることから、半導体装置１の製造コストの低減が可能になる。

図５２は本発明の実施例７である半導体装置の断面図、図５３は図５２の一部の拡大断面図である。
実施例７の半導体装置１は、実施例６の半導体装置１において、ワイヤを使用しないで実施例５の場合と同様に、図５２及び図５３に示すように、リード９と半導体チップ４の電極５の接続を開口部７内において接続体４５で電気的に接続する構造である。図５３に示すように、テープ６の開口部７を横切るリード９の半導体チップ４に対面する面（第１の面９ａ）には、前記電極５に対応して接続用メッキ膜４６が設けられている。そして、この接続用メッキ膜４６と電極５は圧接材料からなる接続体４５によって電気的に接続されている。

実施例７の半導体装置１は、半導体チップ４をフェイスダウンボンディングによってリード９に接続する構造であることから、実施例６のようにワイヤを使用しない。従って、リード９の第２の面９ｂ側に設けられるメッキ膜１０の厚さは、実施例６の半導体装置１に比較して薄くすることができる。メッキ膜１０の厚さはリード９の第２の面９ｂを覆う樹脂の厚さとなることから、例えば、メッキ膜１０の厚さは３０μｍ程度が採用される。実施例７の半導体装置１は、メッキ膜１０の表面を封止体２の下面に露出させて外部電極端子３とするＬＧＡ型の半導体装置となっている。

実施例７の半導体装置１は、リードは平坦なものを使用し、メッキ膜１０も薄くなることから半導体装置１の薄型化が達成できる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

本発明の実施例１である半導体装置の外観を示す斜視図である。 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 図２の一部を示す拡大断面図である。 実施例１の半導体装置の底面図である。 実施例１の半導体装置において、半導体チップ、半導体チップの電極、リード及びワイヤの位置関係を示す模式図である。 実施例１の半導体装置の実装状態を示す断面図である。 実施例１の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施例１の半導体装置の製造に用いるリードフレームの平面図である。 前記リードフレームの一部を示す拡大平面図である。 図９のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 実施例１の半導体装置の製造に用いるテープの平面図である。 前記テープを貼り付けた前記リードフレームの平面図である。 前記テープとリードフレームによって形成される製品形成部を示す拡大平面図である。 前記製品形成部の中央のリードフレームによる連結部を除去した平面図である。 前記連結部を除去した製品形成部を示す拡大平面図である。 実施例１の半導体装置の製造において、リードフレームに半導体チップを貼り付けた状態を示す製品形成部の模式図である。 実施例１の半導体装置の製造において、半導体チップの電極とリードをワイヤで接続した状態の製品形成部を示す模式図である。 実施例１の半導体装置の製造において、チップボンディング及びワイヤボンディングが終了した製品形成部の断面図である。 実施例１の半導体装置の製造において、トランスファモールディングによって製品形成部を樹脂層で封止する状態を示す断面図である。 実施例１の半導体装置の製造において、リードフレームの外部電極端子形成箇所にバンプ電極を形成した状態を示す製品形成部の断面図である。 実施例１の半導体装置の製造において、樹脂層を切断して半導体装置を形成する状態を示す製品形成部の断面図である。 実施例１の半導体装置の製造において、バンプ電極を形成しない場合に製造されるＬＧＡ型の半導体装置を示す断面図である。樹脂層を切断して半導体装置を形成する状態を示す製品形成部の断面図である。 本発明の実施例２である半導体装置の断面図である。 図２３の一部を示す拡大断面図である。 実施例２の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施例２の半導体装置の製造において、半導体チップ及びリードフレームを樹脂層で覆った状態を示す一部の断面図である。 実施例２の半導体装置の製造において、樹脂層の表面に露出するリードフレーム部分にメッキ膜を形成した状態を示す断面図である。 実施例２の半導体装置の製造において、リードフレームの外部電極端子形成箇所にバンプ電極を形成した状態を示す断面図である。 実施例２の半導体装置の製造において、樹脂層を切断して半導体装置を形成する状態を示す断面図である。 実施例２の半導体装置の製造において、バンプ電極を形成しない場合に製造されるＬＧＡ型の半導体装置を示す断面図である。 本発明の実施例３である半導体装置の断面図である。 図３１の一部を示す拡大断面図である。 実施例３の半導体装置の製造において、テープを貼り付けたリードフレームの製品形成部分を示す断面図である。 実施例３の半導体装置の製造において、リードフレームに半導体チップを貼り付け、かつワイヤボンディングを行った状態の製品形成部を示す断面図である。 実施例３の半導体装置の製造において、半導体チップ及びリードフレームを樹脂層で覆った状態を示す製品形成部の断面図である。 実施例３の半導体装置の製造において、リードフレームの外部電極端子形成箇所にバンプ電極を形成した状態を示す製品形成部の断面図である。 実施例３の半導体装置の製造において製造された半導体装置の断面図である。 実施例３の半導体装置の製造において、バンプ電極を形成しない場合に製造されるＬＧＡ型の半導体装置を示す断面図である。 本発明の実施例４である半導体装置の封止体の端部分のリード及び半導体チップの電極並びにワイヤの相関を示す模式図である。 本発明の実施例５である半導体装置において、半導体チップの電極とリードとの接続状態を示す模式図である。 図４０のＣ−Ｃ線に沿う完成品状態の半導体装置の断面図である。 図４１の一部の拡大断面図である。 実施例５の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施例５の半導体装置の製造において、リードフレームにテープを貼り付けて形成された製品形成部を示す模式図である。 実施例５の半導体装置の製造において、リードフレームに半導体チップをフリップ・チップ接続した状態を示す模式図である。 実施例５の半導体装置の製造において、半導体チップ及びリードフレームを樹脂層で覆った状態を示す断面図である。 実施例５の半導体装置の製造において、リードフレームの外部電極端子形成箇所にバンプ電極を形成した状態を示す断面図である。 実施例５の変形例である半導体装置の一部を示す拡大断面図である。 実施例５の半導体装置の製造において、バンプ電極を形成しない場合に製造されるＬＧＡ型の半導体装置を示す断面図である。 本発明の実施例６である半導体装置の断面図である。 図５０の一部の拡大断面図である。 本発明の実施例７である半導体装置の断面図である。 図５２の一部の拡大断面図である。

符号の説明

１…半導体装置、２…封止体、３…外部電極端子、４…半導体チップ、４ａ…第１の面、４ｂ…第２の面、５…電極、６…テープ、７，８…開口部、９…リード、９ａ…第１の面、９ｂ…第２の面、９ｆ…支持リード、９ｇ…突出端面、１０…メッキ膜、１１…突起電極、１２…ワイヤ、１５…実装基板、１６…ランド、２０…リードフレーム、２１…製品形成部、２２…枠、２３…連結部、２６…単位テープ部、３０…接続用メッキ膜、３２…樹脂層、３４…下型、３５…上型、３６，３７…シート、３８…キャビティ、４０，４１…ダイシングブレード、４５…接続体、４６…接続用メッキ膜、５０…突出部

Claims (45)

1. 上面及び下面並びに前記上面と前記下面を繋ぐ側面を有する絶縁性樹脂からなる封止体と、
   複数の電極を有する第１の面及び前記第１の面の反対側になる第２の面を有し、前記第１の面が前記封止体の下面側に位置する状態で前記封止体内に位置する半導体チップと、前記半導体チップの前記第１の面に接着され、前記電極に対応する部分及び所定部が開口部となる両面に接着層を有するテープと、
   前記テープの前記半導体チップが接着される面の反対面となる面に第１の面を介して接着され、前記第１の面の反対面となる第２の面の一部が他の部分よりも突出して前記封止体の下面寄りになる複数の導電性のリードと、
   前記リードの前記突出した面に形成され、前記封止体の下面に露出する導電性のメッキ膜と、
   前記封止体内に位置し、前記開口部を貫通し、一端が前記電極に接続され、他の一端が前記リードに接続される導電性の接続体とを有し、
   一部の前記リードは一端が前記封止体の前記側面に露出し他の一端が前記テープ面上に位置し、一部の前記リードは一端が前記封止体の前記側面に露出し他の一端が前記所定部の開口部分に位置し、残りの前記リードは一端が前記所定部の開口部分に位置し他の一端が前記テープ面上に位置していることを特徴とする半導体装置。
2. 前記メッキ膜の露出する面に重ねて突起電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記メッキ膜は前記封止体の下面から突出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記リードの前記突出した部分の突出端面は前記封止体の下面に露出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記残りのリードは前記一端が前記所定部の前記開口部に突出した構造になっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
6. 前記テープに設けられる前記所定部の前記開口部は前記テープの中央に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記接続体は曲線を描いて延在するワイヤからなり、前記ワイヤは前記リードの前記突出する部分以外のリード部分に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
8. 前記ワイヤは前記電極に最初に接続され、その後前記リードに接続された構造になっていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記電極と前記リードを接続する前記ワイヤの前記リードに接続される位置は、前記電極よりも前記半導体チップの中央寄りの位置であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
10. 前記ワイヤが接続される前記リードの表面には接続用メッキ膜が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
11. 前記テープの前記開口部内にそれぞれ位置する前記リードと前記電極が前記接続体を介して重ねて接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
12. 前記接続体が接続される前記リードの表面には接続用メッキ膜が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
13. 前記開口部に位置する前記リード部分は一段階段状に屈曲して前記テープ上に位置するリード部分に比較して前記半導体チップに近接していることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
14. 前記リードは階段状に一段屈曲し、前記リードの第２の面の一部が他のリード部分の第２の面よりも前記封止体の下面寄りになっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
15. 前記リードはリードの一部の第２の面が所定厚さエッチングされた構造となり、エッチングされない前記リードの第２の面が前記封止体の下面寄りになっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
16. 上面及び下面並びに前記上面と前記下面を繋ぐ側面を有する絶縁性樹脂からなる封止体と、
    複数の電極を有する第１の面及び前記第１の面の反対側になる第２の面を有し、前記第１の面が前記封止体の下面側に位置する状態で前記封止体内に位置する半導体チップと、
    前記半導体チップの前記第１の面に接着され、前記電極に対応する部分及び所定部が開口部となる両面に接着層を有するテープと、
    前記テープの前記半導体チップが接着される面の反対面となる面に第１の面を介して接着される複数の導電性のリードと、
    前記リードの前記第１の面の反対面となる第２の面に部分的に形成され、前記封止体の下面に露出する導電性のメッキ膜と、
    前記封止体内に位置し、前記開口部を貫通し、一端が前記電極に接続され、他の一端が前記リードに接続される導電性の接続体とを有し、
    一部の前記リードは一端が前記封止体の前記側面に露出し他の一端が前記テープ面上に位置し、一部の前記リードは一端が前記封止体の前記側面に露出し他の一端が前記所定部の開口部分に位置し、残りの前記リードは一端が前記所定部の開口部分に位置し他の一端が前記テープ面上に位置していることを特徴とする半導体装置。
17. 前記メッキ膜の露出する面に重ねて突起電極が形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
18. 前記残りのリードは前記一端が前記所定部の前記開口部に突出した構造になっていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
19. 前記テープに設けられる前記所定部の前記開口部は前記テープの中央に設けられていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
20. 前記接続体は曲線を描いて延在するワイヤからなり、前記ワイヤは前記リードの前記メッキ膜が設けられない面に接続されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
21. 前記ワイヤは前記電極に最初に接続され、その後前記リードに接続された構造になっていることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置。
22. 前記電極と前記リードを接続する前記ワイヤの前記リードに接続される位置は、前記電極よりも前記半導体チップの中央寄りの位置であることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置。
23. 前記ワイヤが接続される前記リードの表面には接続用メッキ膜が形成されていることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置。
24. 前記テープの前記開口部内にそれぞれ位置する前記リードと前記電極が前記接続体を介して重ねて接続されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
25. 前記接続体が接続される前記リードの表面には接続用メッキ膜が形成されていることを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置。
26. 前記開口部に位置する前記リード部分は一段階段状に屈曲して前記テープ上に位置するリード部分に比較して前記半導体チップに近接していることを特徴とする請求項２４に記載の半導体装置。
27. （ａ）複数の電極を有する第１の面及び前記第１の面の反対側になる第２の面を有する半導体チップを準備する工程、
    （ｂ）矩形状の枠と、前記枠の内側から前記枠内に延在する複数のリードと、前記枠の所定部に設けられ一部の前記リードに支持される連結部と、前記連結部から前記枠側に延在する複数のリードとからなる製品形成部を有し、前記製品形成部には前記半導体チップが重ねられる構造となり、前記リードの第２の面の一部は前記第２の面側に突出し、前記突出した面にはメッキ膜が設けられているリードフレームを準備する工程、
    （ｃ）前記製品形成部に対応する単位テープ部を有する両面に接着層を有する絶縁性のテープであり、前記単位テープ部には前記半導体チップの前記電極に対応する部分及び前記連結部に対応する部分に開口部を有するテープを準備する工程、
    （ｄ）前記連結部に対応する前記開口部に前記連結部の周縁が露出する状態で前記リードフレームの前記第２の面の反対面となる第１の面に前記テープを接着する工程、
    （ｅ）前記開口部内の前記連結部を除去して前記連結部で繋がる前記リードを分離する工程、
    （ｆ）前記半導体チップの前記電極が前記開口部内に位置するように前記半導体チップが第１の面を介して前記テープに接着する工程、
    （ｇ）前記開口部に位置する各電極と前記テープに接着された前記リードの所定部分を導電性の接続体で接続する工程、
    （ｈ）前記リードフレームの前記メッキ膜を露出させる状態で前記リードフレーム、前記半導体チップ及び前記接続体を絶縁性の樹脂からなる樹脂層で覆う工程、
    （ｉ）前記樹脂層及び前記リードフレームを縦横に切断するとともに前記枠を除去して前記樹脂層によって形成される封止体の側面に前記リードの切断端が露出する複数の半導体装置を形成する工程、
    とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
28. 前記工程（ｈ）の後、前記樹脂層から露出する前記メッキ膜に突起電極を形成することを特徴とする請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
29. 前記工程（ｂ）では、前記連結部を前記枠の中央に設けることを特徴とする請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
30. 前記工程（ｂ）では、前記接続体を接続する前記リードの表面に接続用メッキ膜を形成しておき、
    前記工程（ｇ）では、前記接続体としてワイヤを使用し、前記ワイヤの一端を前記電極に接続し、その後前記ワイヤの途中部分を前記リードに接続し、かつ前記ワイヤを前記リードの接続部分から切断することを特徴とする請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
31. 前記工程（ｂ）では、前記接続体を接続する前記リードの表面に接続用メッキ膜を形成しておき、
    前記工程（ｇ）では、前記テープの前記開口部内にそれぞれ位置する前記電極と前記リードを前記接続体を介して重ねて接続することを特徴とする請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
32. 前記工程（ｂ）では、前記開口部に位置する前記リード部分を前記第１の面側に一段階段状に突出するように屈曲させることを特徴とする請求項３１に記載の半導体装置の製造方法。
33. 前記接続体として圧接材料を用いることを特徴とする請求項３１に記載の半導体装置の製造方法。
34. 前記工程（ｂ）では、前記リードを部分的に一段階段状に屈曲させ、前記メッキ膜が形成される前記リードの第２の面を他のリード部分の第２の面よりも突出させることを特徴とする請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
35. 前記工程（ｂ）では、前記リードの第２の面を部分的にエッチング除去し、前記メッキ膜が形成される前記リードの第２の面を他のリード部分の第２の面よりも突出させることを特徴とする請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
36. （ａ）複数の電極を有する第１の面及び前記第１の面の反対側になる第２の面を有する半導体チップを準備する工程、
    （ｂ）矩形状の枠と、前記枠の内側から前記枠内に延在する複数のリードと、前記枠の所定部に設けられ一部の前記リードに支持される連結部と、前記連結部から前記枠側に延在する複数のリードとからなる製品形成部を有し、前記製品形成部には前記半導体チップが重ねられる構造となり、前記リードの第２の面の一部が前記第２の面側に突出しているリードフレームを準備する工程、
    （ｃ）前記製品形成部に対応する単位テープ部を有する両面に接着層を有する絶縁性のテープであり、前記単位テープ部には前記半導体チップの前記電極に対応する部分及び前記連結部に対応する部分に開口部を有するテープを準備する工程、
    （ｄ）前記連結部に対応する前記開口部に前記連結部の周縁が露出する状態で前記リードフレームの前記第２の面の反対面となる第１の面に前記テープを接着する工程、
    （ｅ）前記開口部内の前記連結部を除去して前記連結部で繋がる前記リードを分離する工程、
    （ｆ）前記半導体チップの前記電極が前記開口部内に位置するように前記半導体チップが第１の面を介して前記テープに接着する工程、
    （ｇ）前記開口部に位置する各電極と前記テープに接着された前記リードの所定部分を導電性の接続体で接続する工程、
    （ｈ）前記リードフレームの前記リードの前記突出する部分を露出させる状態で前記リードフレーム、前記半導体チップ及び前記接続体を絶縁性の樹脂からなる樹脂層で覆う工程、
    （ｉ）前記樹脂層の表面に露出する前記リードの前記突出部分にメッキ膜を形成する工程、
    （ｊ）前記樹脂層及び前記リードフレームを縦横に切断するとともに前記枠を除去して前記樹脂層によって形成される封止体の側面に前記リードの切断端が露出する複数の半導体装置を形成する工程、
    とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
37. 前記工程（ｈ）の後、前記樹脂層から露出する前記メッキ膜に突起電極を形成することを特徴とする請求項３６に記載の半導体装置の製造方法。
38. 前記工程（ｂ）では、前記接続体を接続する前記リードの表面に接続用メッキ膜を形成しておき、
    前記工程（ｇ）では、前記接続体としてワイヤを使用し、前記ワイヤの一端を前記電極に接続し、その後前記ワイヤの途中部分を前記リードに接続し、かつ前記ワイヤを前記リードの接続部分から切断することを特徴とする請求項３７に記載の半導体装置の製造方法。
39. 前記工程（ｂ）では、前記接続体を接続する前記リードの表面に接続用メッキ膜を形成しておき、
    前記工程（ｇ）では、前記テープの前記開口部内にそれぞれ位置する前記電極と前記リードを前記接続体を介して重ねて接続することを特徴とする請求項３６に記載の半導体装置の製造方法。
40. 前記工程（ｂ）では、前記リードを部分的に一段階段状に屈曲させ、前記メッキ膜が形成される前記リードの第２の面を他のリード部分の第２の面よりも突出させることを特徴とする請求項３６に記載の半導体装置の製造方法。
41. 前記工程（ｂ）では、前記リードの第２の面を部分的にエッチング除去し、前記メッキ膜が形成される前記リードの第２の面を他のリード部分の第２の面よりも突出させることを特徴とする請求項３６に記載の半導体装置の製造方法。
42. （ａ）複数の電極を有する第１の面及び前記第１の面の反対側になる第２の面を有する半導体チップを準備する工程、
    （ｂ）矩形状の枠と、前記枠の内側から前記枠内に延在する複数のリードと、前記枠の所定部に設けられ一部の前記リードに支持される連結部と、前記連結部から前記枠側に延在する複数のリードとからなる製品形成部を有し、前記製品形成部には前記半導体チップが重ねられる構造となり、前記リードの第２の面の外部電極端子が形成される部分にはメッキ膜が設けられている平板状のリードフレームを準備する工程、
    （ｃ）前記製品形成部に対応する単位テープ部を有する両面に接着層を有する絶縁性のテープであり、前記単位テープ部には前記半導体チップの前記電極に対応する部分及び前記連結部に対応する部分に開口部を有するテープを準備する工程、
    （ｄ）前記連結部に対応する前記開口部に前記連結部の周縁が露出する状態で前記リードフレームの前記第２の面の反対面となる第１の面に前記テープを接着する工程、
    （ｅ）前記開口部内の前記連結部を除去して前記連結部で繋がる前記リードを分離する工程、
    （ｆ）前記半導体チップの前記電極が前記開口部内に位置するように前記半導体チップが第１の面を介して前記テープに接着する工程、
    （ｇ）前記開口部に位置する各電極と前記テープに接着された前記リードの所定部分を導電性の接続体で接続する工程、
    （ｈ）前記リードフレームの前記メッキ膜を露出させる状態で前記リードフレーム、前記半導体チップ及び前記接続体を絶縁性の樹脂からなる樹脂層で覆う工程、
    （ｉ）前記樹脂層及び前記リードフレームを縦横に切断するとともに前記枠を除去して前記樹脂層によって形成される封止体の側面に前記リードの切断端が露出する複数の半導体装置を形成する工程、
    とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
43. 前記工程（ｈ）の後、前記樹脂層から露出する前記メッキ膜に突起電極を形成することを特徴とする請求項４２に記載の半導体装置の製造方法。
44. 前記工程（ｂ）では、前記接続体を接続する前記リードの表面に接続用メッキ膜を形成しておき、
    前記工程（ｇ）では、前記接続体としてワイヤを使用し、前記ワイヤの一端を前記電極に接続し、その後前記ワイヤの途中部分を前記リードに接続し、かつ前記ワイヤを前記リードの接続部分から切断することを特徴とする請求項４２に記載の半導体装置の製造方法。
45. 前記工程（ｂ）では、前記接続体を接続する前記リードの表面に接続用メッキ膜を形成しておき、
    前記工程（ｇ）では、前記テープの前記開口部内にそれぞれ位置する前記電極と前記リードを前記接続体を介して重ねて接続することを特徴とする請求項４２に記載の半導体装置の製造方法。

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