JP4696518B2 - 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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また、特許文献1に開示された方法では、単結晶粒が絶縁膜上に碁盤の目状に配列されるため、絶縁膜上に形成される単結晶層に粒界が発生するとともに、単結晶層の平坦化が研磨にて行われるため、単結晶層の膜厚の制御性が良くないという問題があった。
これにより、半導体層の熱酸化により半導体層を酸化膜上に形成することが可能となるとともに、素子分離を図ることが可能となり、コスト増を抑制しつつ、半導体層上にSOIトランジスタを形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法によれば、半導体基板の表面の一部に配置された第1半導体層を形成する工程と、前記第1半導体層が覆われるようにして前記第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層を前記半導体基板上に形成する工程と、前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口部を前記第2半導体層に形成する工程と、前記開口部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去された空洞部を前記第2半導体層下に形成する工程と、前記開口部を介して前記第2半導体層および前記半導体基板の熱酸化を行うことにより、前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。
さらに、前記埋め込み酸化膜を形成した後、高温アニールを行い、前記埋め込み酸化膜をリフローさせる工程を備えても良い。
さらに、前記埋め込み酸化膜および前記素子分離酸化膜を形成する工程の後、残存していた前記酸化防止膜および前記犠牲酸化膜を除去する工程と、前記半導体基板の全面にシリコン酸化膜を堆積して前記素子分離酸化膜の凹んだ部分を埋め、CMPにより表面を平坦化して前記第2半導体層の表面と前記素子分離酸化膜の表面とを同一の高さにする工程と、を備えても良い。
また、本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法によれば、半導体基板の表面の一部に配置された第1半導体層を形成する工程と、前記第1半導体層が覆われるようにして前記第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層を前記半導体基板上に形成する工程と、前記第1半導体層上に配置され、前記第1半導体層よりも幅の狭い酸化防止膜を前記第2半導体層上に形成する工程と、前記酸化防止膜の側方に配置され、前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口部を第2半導体層に形成する工程と、前記開口部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去された空洞部を前記第2半導体層下に形成する工程と、前記酸化防止膜をマスクとして前記第2半導体層および前記半導体基板の熱酸化を行うことにより、前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成するとともに、前記第2半導体層の周囲に素子分離酸化膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体基板の表面の一部に配置された第1半導体層を形成する工程と、前記第1半導体層が覆われるようにして前記第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層を前記半導体基板上に形成する工程と、前記第1半導体層の端部の一部を露出させる開口部を前記第2半導体層に形成する工程と、前記開口部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去された空洞部を前記第2半導体層下に形成する工程と、前記開口部を介して前記第2半導体層および前記半導体基板の熱酸化を行うことにより、前記空洞部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、前記第2半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の両側にそれぞれ配置されたソース/ドレイン層を前記第2半導体層に形成する工程とを備えることを特徴とする。
図1(a)〜図8(a)は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図、図1(b)〜図8(b)は、図1(a)〜図8(a)のA1−A1´〜A8−A8´線でそれぞれ切断した断面図、図1(c)〜図8(c)は、図1(a)〜図8(a)のB1−B1´〜B8−B8´線でそれぞれ切断した断面図である。
また、第1半導体層2の端部の一部を露出させる場合、第1半導体層2の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、第1半導体層2をオーバーエッチングして第1半導体層2に凹部を形成するようにしてもよい。あるいは、開口部6内の第1半導体層2を貫通させて半導体基板1の表面を露出させるようにしてもよい。ここで、第1半導体層2のエッチングを途中で止めることにより、開口部6内の半導体基板1の表面が露出されることを防止することができる。このため、第1半導体層2をエッチング除去する際に、開口部6内の半導体基板1がエッチング液またはエッチングガスに晒される時間を減らすことが可能となり、開口部6内の半導体基板1のオーバーエッチングを抑制することができる。
ここで、第1半導体層2の端部の一部を露出させる開口部6を第2半導体層3に形成することにより、第2半導体層3下の第1半導体層1にエッチングガスまたはエッチング液を接触させることが可能となり、半導体基板1と第2半導体層3との間に空洞部7を形成することができる。また、第1半導体層2の端部の残りの一部は第2半導体層3で覆われたままにすることにより、第2半導体層3をアーチ状に残すことを可能としつつ、第2半導体層3下の第1半導体層1を除去することが可能となり、第2半導体層3を自分自身で半導体基板1上に支持することを可能としつつ、第2半導体層3下に空洞部7を形成することが可能となる。
Claims (4)
- 半導体基板の表面に第1半導体層を形成する工程と、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて前記第1半導体層をパターニングする工程と、
前記第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層を、前記パターニングされた第1半導体層を覆うように、前記第1半導体層上と前記第1半導体層が除去されて表面が露出した前記半導体基板上とにわたって形成する工程と、
前記第2半導体層を熱酸化することにより前記第2半導体層の表面に犠牲酸化膜を形成する工程と、
前記犠牲酸化膜上であって前記第1半導体層の上方に対応する位置に、前記第1半導体層の平面形状の一方向において前記第1半導体層よりも幅の狭い酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜の前記一方向における側方に位置する前記犠牲酸化膜の一部および前記第2半導体層の一部を除去することにより、前記第1半導体層の前記一方向の端部の表面を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去されてなる空洞部を前記第2半導体層の下方に形成し、前記一方向と交差する方向において前記空洞部の上方の前記酸化防止膜と前記犠牲酸化膜と前記第2半導体層とが前記第2半導体層で支持された状態とする工程と、
前記酸化防止膜をマスクとして前記第2半導体層および前記半導体基板の熱酸化を行うことにより、前記空洞部内に前記空洞部の上方の第2半導体層および前記半導体基板が熱酸化されてなる埋め込み酸化膜を形成するとともに、前記空洞部の上方に位置する前記第2半導体層の周囲に、前記空洞部の周囲の第2半導体層および前記半導体基板が熱酸化されてなる素子分離酸化膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記埋め込み酸化膜を形成した後、高温アニールを行い、前記埋め込み酸化膜をリフローさせる工程を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記埋め込み酸化膜および前記素子分離酸化膜を形成する工程の後、
残存していた前記酸化防止膜および前記犠牲酸化膜を除去する工程と、
前記半導体基板の全面にシリコン酸化膜を堆積して前記素子分離酸化膜の凹んだ部分を埋め、CMPにより表面を平坦化して前記第2半導体層の表面と前記素子分離酸化膜の表面とを同一の高さにする工程と、を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体基板の製造方法。 - 半導体基板の表面に第1半導体層を形成する工程と、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて前記第1半導体層をパターニングする工程と、
前記第1半導体層よりもエッチング時の選択比が小さな第2半導体層を、前記パターニングされた第1半導体層を覆うように、前記第1半導体層上と前記第1半導体層が除去されて表面が露出した前記半導体基板上とにわたって形成する工程と、
前記第2半導体層を熱酸化することにより前記第2半導体層の表面に犠牲酸化膜を形成する工程と、
前記犠牲酸化膜上であって前記第1半導体層の上方に対応する位置に、前記第1半導体層の平面形状の一方向において前記第1半導体層よりも幅の狭い酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜の前記一方向における側方に位置する前記犠牲酸化膜の一部および前記第2半導体層の一部を除去することにより、前記第1半導体層の前記一方向の端部の表面を露出させる開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去されてなる空洞部を前記第2半導体層の下方に形成し、前記一方向と交差する方向において前記空洞部の上方の前記酸化防止膜と前記犠牲酸化膜と前記第2半導体層とが前記第2半導体層で支持された状態とする工程と、
前記酸化防止膜をマスクとして前記第2半導体層および前記半導体基板の熱酸化を行うことにより、前記空洞部内に前記空洞部の上方の第2半導体層および前記半導体基板が熱酸化されてなる埋め込み酸化膜を形成するとともに、前記空洞部の上方に位置する前記第2半導体層の周囲に、前記空洞部の周囲の第2半導体層および前記半導体基板が熱酸化されてなる素子分離酸化膜を形成する工程と、
前記第2半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側にそれぞれ配置されたソース/ドレイン層を前記第2半導体層に形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JPH01307241A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JPH02205339A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003324200A (ja) * | 2002-05-02 | 2003-11-14 | Tokyo Inst Of Technol | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
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