JP4690380B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によってなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、及び、放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

[0003] 近年、リソグラフィ投影装置内の基板を、比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）に浸漬し、投影システムの最終エレメントと基板との間の空間を満たすことが提案されている。これは、液体中では露光放射の波長が短くなり、より微細なフィーチャの結像が可能になるためである。液体を使用することにより、１以上の開口数を有する投影システムの使用が可能になるという効果が生まれる。また、個体粒子（例えばクォーツ）が浮遊する水又は炭化水素流体を含む、他の液浸液も提案されている。

[0004] しかし、基板、又は、基板及び基板テーブルを液体の浴部に浸漬すること（例えば、米国特許第４５０９８５２号を参照。本記載により同特許全体が本明細書に組み込まれる）は、スキャン露光中に大量の液体を加速させなければならないことを意味する。これには追加の又はより強力なモータが必要となり、また、液体の乱流によって不都合かつ予測不可能な影響が出る可能性もある。

[0005] 提案されている解決策の１つは、液体供給システムを設けてこれを使用することにより、基板の局所エリア上のみ、及び、投影システムの最終エレメントと基板との間に液体を供給する方法である（通常、基板の表面エリアは、投影システムの最終エレメントの表面エリアよりも大きい）。この構成について提案された方法の１つが、ＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ９９／４９５０４号（本記載により同特許出願全体が本明細書に組み込まれる）に開示されている。図２及び図３に示すように、液体は、少なくとも１つのインレットＩＮにより、好適には最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って、基板上に供給され、投影システムの下方を通過した後、少なくとも１つのアウトレットＯＵＴによって除去される。つまり、基板が最終エレメントの下方で−Ｘ方向へスキャンされるのと同時に、液体が同最終エレメントの＋Ｘ側で供給されかつ−Ｘ側で除去される。図２の概略構成図では、液体が、インレットＩＮを介して供給されるとともに、最終エレメントの反対側にてアウトレットＯＵＴにより除去される。なお、このアウトレットＯＵＴは低圧力源に連結されている。図２では、液体が、最終エレメントに対する基板の移動方向に沿って供給されるが、液体の供給はこの場合に限らない。最終のエレメントの周囲に配されるインレット及びアウトレットの配向及び数はどのようなものであってもよい。図３に示す例では、１つのインレットとその両側に配された２つのアウトレットからなるセットが４つ、最終エレメントの周囲に規則的に設けられている。

[0006] 初期の液浸リソグラフィ機構では、投影システムの最終エレメントと基板との間に供給する液体として、水を使用していた。水の屈折率は約１．４であり、比較的安価である。次世代のリソグラフィ液浸装置では、水より高い屈折率を有する液体が使用される可能性が高い。しかし、水より高い屈折率を持つ液浸液を使用する際、メーカーによって及び／又はバッチによって正確な屈折率が異なるという困難を伴う。リソグラフィ装置の投影システムは、ある一定の屈折率での使用に最適化されて設計されているため、かかる困難は重大な問題となる。

[0007] 例えば、異なるソースから供給される１つ以上の液浸液とともに使用されうる液浸リソグラフィ装置を提供することが望ましい。

[0008] 本発明の一態様によると、第一屈折率を有する第一液体を供給するように構成された第一液体供給システムと、前記第一屈折率よりも低い第二屈折率を有する第二液体を供給するように構成された第二液体供給システムと、前記第一液体と第二液体とを混合して、前記第一屈折率又は前記第二屈折率よりも所望の屈折率に近い屈折率を有する混合液を得るように構成されたコンバイニングユニットと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0009] 本発明の一態様によると、第一屈折率を有する第一液体と、前記第一屈折率よりも低い第二屈折率を有する第二液体とを混合することにより、前記第一屈折率又は前記第二屈折率よりも所望の屈折率に近い屈折率を有する混合液を得ること、及び、前記混合液を介して基板上にパターン付き放射ビームを投影することであって、前記混合液が前記基板と前記パターン付きビームの投影に使用する投影システムとの間に供給されること、を備えるデバイス製造方法が提供される。

[0010] 以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。

[0019] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の概略図である。このリソグラフィ装置は、

[0020] 放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、

[0021] パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに連結された、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、

[0022] 基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに連結された、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、

[0023] フレームＲＦによって保持され、かつ、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された、投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。

[0024] 照明システムは、放射を誘導、形成、又は制御するため、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他の型の光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せ等の様々な種類の光コンポーネントを含むことができる。

[0025] サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、例えば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム若しくはテーブルであってよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書で使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。

[0026] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを創出する等の目的で放射ビームの断面にパターンを付ける際に使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けられたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けられたパターンは、集積回路等の、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

[0027] パターニングデバイスは、透過型又は反射型であってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが挙げられる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、並びに、各種ハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配置を採用しており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向へ反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0028] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学システム、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる種類の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書で使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えてよい。

[0029] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイ又は反射マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0030] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のサポート構造）を有する種類のものであってよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブル及び／又はサポート構造を並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブル及び／又はサポート構造で実施しつつ、別の１つ以上のテーブル及び／又はサポート構造を露光に使用することもできる。

[0031] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別々の構成要素であってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源が水銀ランプである場合は、放射源をリソグラフィ装置の一体部分としてもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要であれば、ビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼ぶことができる。

[0032] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えうる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯ等、他の各種コンポーネントを備えてもよい。イルミネータを使って放射ビームを調整することにより、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。

[0033] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射し、このパターニングデバイスによってパターン形成される。放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、投影システムＰＳを通過し、当該投影システムＰＳによって、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームが集束される。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使用して基板テーブルＷＴを正確に動かすことにより、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置付けることができる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されない）を使用することにより、例えば、マスクライブラリからの機械検索後又はスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢのパスに対して正確に位置付けることができる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して行われる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第二ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して行われる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに連結、あるいは、固定してよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２、及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。図示するように、基板アライメントマークはそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分の間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、１つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

[0034] 例示のリソグラフィ装置は、以下の１つ以上のモードで使用できる。

[0035] １． ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静的露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴはＸ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズよって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0036] ２． スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決まる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決定される。

[0037] ３． 別のモードにおいては、サポート構造ＭＴを、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で基本的に静止状態に保ち、また、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0038] 上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0039] 図４は、局所的な液体供給システムを備えることによる液浸リソグラフィの解決策を示している。液体は、投影システムＰＬの両側に配された２つの溝インレットＩＮによって供給され、また、同インレットＩＮの半径方向外側に配された複数の離散的アウトレットＯＵＴから除去される。インレットＩＮ及びアウトレットＯＵＴは中心に穴の開いたプレートに設けることができ、投影ビームはこの穴を通って投影される。液体は、投影システムＰＬの一方の側にある１つの溝インレットＩＮから供給され、他方の側にある複数の離散的アウトレットＯＵＴから除去されるため、投影システムＰＬと基板Ｗとの間を、液体からなる薄膜が流れる。どちらのインレットＩＮとアウトレットＯＵＴからなる組合せを選択するかは、基板Ｗの移動方向に依存する（選択されなかったインレットＩＮとアウトレットＯＵＴからなる組合せは、非アクティブ状態となる）。

[0040] 既に提案されている、局所的な液体供給システムを備えることによる液浸リソグラフィの別の解決策としては、投影システムの最終エレメントと基板テーブルとの間にできる空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造を備える、液体供給システムを提供することである。図５はかかる解決策の図である。液体閉じ込め構造は、ＸＹ面においては投影システムに対してほぼ静止状態となるが、Ｚ方向（光軸の方向）においては相対的に移動することもある。ある実施形態では、液体閉じ込め構造と基板の表面との間にシールが形成される。このシールは、ガスシール等の非接触シールであってよい。

[0041] 液体閉じ込め構造１２によって、少なくとも部分的に、投影システムＰＬの最終エレメントと基板Ｗとの間の空間１１に液体が閉じ込められる。基板に対する非接触シール１６は、投影システムのイメージフィールドの周囲で形成されるため、基板表面と投影システムの最終エレメントとの間の空間に液体が閉じ込められる。当該空間は、少なくとも部分的には、投影システムＰＬの最終エレメントの下方かつその周囲に配された液体閉じ込め構造１２によって形成される。液体は、液体インレット１３によって、投影システムの下方かつ液体閉じ込め構造１２の内側の空間へ供給され、また液体アウトレット１３によって同空間から除去される。液体閉じ込め構造１２の高さは投影システムの最終エレメントより少し高くてもよく、液体の液位が最終エレメントより高く上昇することにより、液体のバッファが提供される。ある実施形態では、液体閉じ込め構造１２の内周の上端部が、投影システム又はその最終エレメントの形状にほぼ一致する形状、例えば、円形である。また当該内周の下端部は、イメージフィールドの形状にほぼ一致する形状、例えば、矩形である（必ずしもこれに限定されない）。

[0042] 液体は、リソグラフィ装置の使用中に液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって、空間１１内に閉じ込められる。ガスシールはガス（例えば、空気又は合成空気。ある実施形態では、Ｎ_２又は別の不活性ガス）から形成されており、インレット１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板との間のギャップへ加圧下で供給されるとともに、アウトレット１４を介して抽出される。ガスインレット１５内の加圧、アウトレット１４内の真空レベル、及び、上記ギャップの形態は、液体を閉じ込めるための高速ガス流が形成されるように調整される。これらのインレット／アウトレットは空間１１を取り囲む環状溝であってよく、ガス１６流は、液体を空間１１内に閉じ込めるのに有効である。米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号（本記載により同米国特許出願の全体が本明細書に組み込まれる）にはこのようなシステムが開示されている。

[0043] 欧州特許出願公開第１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号（本記載により、両特許出願全体が本明細書に組み込まれる）には、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このようなリソグラフィ装置は、基板を支持するためのテーブルを２つ備えている。液浸液が存在しない第一位置にあるテーブルではレベリング測定が行われ、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルでは露光が行われる。あるいは、このリソグラフィ装置は、テーブルを１つのみ有するものであってもよい。

[0044] 本発明の一実施形態は、特に、次世代の高屈折率液体等の液浸液に適している。これらの流体は、デカリン等の炭化水素流体である可能性が高い。候補となる流体としては、Ｄｕｐｏｎｔ社製のＩＦ１３１及びＩＦ１３２、ＪＳＲ社製のＨＩＬ−１及びＨＩＬ−２、又はＭｉｔｓｕｉ社製にのＤｅｌｐｈｉが挙げられる。その他の候補は、ナノ粒子が浮遊した流体の混合液、又は、リン酸等の酸の混合液である。これら高屈折率液浸液の使用には、各種メーカーが製造する異なるバッチの液体によって又は実際に異なるタイプ（あるいは同一タイプ）の液体によって屈折率が異なる、という困難が伴う。リソグラフィ装置の投影システムは、特定の屈折率を有する液浸液の使用に合わせて設計されているため、かかる困難が問題となる。使用する液浸液の屈折率について厳格な制限を設けることもできるが、高屈折率液浸液を製造するメーカーが複数存在し、コストが低く保たれているのが理想的である。また、流体の屈折率はレーザ放射下で変化することもある。第二の流体を加えることで流体の屈折率を変えることができれば、流体の寿命を延ばすことができる。

[0045] 上記の問題に取り組むため、本発明の一実施形態では、供給される液浸液の屈折率を調節できるユニットをリソグラフィ装置内に設けることにより、同屈折率を、リソグラフィ装置の投影システムが設計上意図された屈折率に近づけるようにしている。

[0046] 図６は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の概略図である。こここでは２つの液浸液が供給される。第一の液浸液は、第一の液体供給システム４１０によって供給される。この第一液浸液は高い屈折率を有する。バッチ、及び／又は、メーカーあるいは実際の組成によって正確な屈折率が異なる液体が、この第一液浸液である。

[0047] 第二の液浸液は、第二の液体供給システム４２０によって供給される。第二液浸液は、第一液浸液よりも低い屈折率を有する。したがって、第一液浸液と第二液浸液とをコンバイニングユニット（混合ユニット）４３０で混合することにより、第一屈折率よりも低くかつ第二屈折率よりも高い屈折率を有する、混合液浸液を得ることができる。以下の式から正確な屈折率を算出できる。

同式において、χは第二液浸液のフラクション（fraction）、ｄηは第一液浸液の屈折率に必要とされる変化量、η_１は第一液浸流体の屈折率、η_２は第二液浸液の屈折率である。

[0048] したがって、第一液浸液と第二液浸液とを特定の割合で混合することにより、混合液浸液の屈折率を、第一液浸流体の第一屈折率及び第二液浸流体の第二屈折率よりも投影システムＰＳが最適化がされた屈折率に近づけるよう調節することができる。

[0049] 混合液浸液は液体供給システムＩＨに供給される。液体供給システム（例えば、図２乃至図５又は図７に示す種類のものであってよい）は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体を供給するため、投影システムＰＳから出たビームＢは、基板に衝突する前に、この液浸液を通過することになる。

[0050] その後、混合液浸液はリサイクルユニット４４０へ供給される。リサイクルユニット４４０は、第一液浸液と第二液浸液とを分離し、分離した第一液浸液を第一液体供給システム４１０へ戻すとともに、第二液浸液を例えば第二液体供給システム４２０へ戻す。廃棄物があれば処分してもよい。

[0051] 正しい分量の第一液浸液と第二液浸液とを混合するため、フィードバックループを使用してもよい。例えば、コンバイニングユニット４３０の上流側において、屈折率測定ユニット４５０により、第一液浸液の屈折率をリアルタイムに測定してもよい。第一液浸液の屈折率の測定結果に基づいて弁４６０を開閉することにより、適切な量の第二液浸流体を液体供給システム４２０から混合ユニット４３０へ供給することができる。

[0052] あるいは又は上記に加え、コンバイニングユニット４３０の下流側において、混合液浸液の屈折率を測定し、この測定情報を使用して、混合ユニット４３０へ供給する第二液浸液（又は第一液浸液）の量を調節してもよい。

[0053] また、投影システムＰＳによる測定結果（例えば、透過イメージセンサ（ＴＩＳ）、ＩＬＩＡＳセンサ等による測定結果）を使用したフィードバックループも可能である。

[0054] 第一液浸液と第二液浸液とを混合しても、第一液浸液の屈折率を投影システムＰＳにとって適切な屈折率となるように正確に調節できない場合がある。そこで、装置を最終調節するため、さらに２つの手段を組み合わせて又は個別に使用することができる。一つ目の手段は、混合液浸液の温度を変化させる温度コントローラ４７０である。温度は、混合液浸液の屈折率を変化させる効果を有する。したがって、混合液浸液の屈折率を所望の屈折率とするか又はそれに近づけるため、混合液浸液の温度を変化させることによって屈折率を僅かに変化させることができる。また、温度コントローラ４７０は、上述したコンバイニングユニット４３０への入力と同一又は異なる入力を行うことにより、フィードバックに寄与することもできる。混合液浸液の屈折率は、温度コントローラ４７０の上流又は下流側で測定することができる。

[0055] リソグラフィ装置において、混合液浸液の屈折率を、投影システムＰＳが最適化されている屈折率と一致するように正確に変更できない場合は、リソグラフィ装置の１つ以上のＺマニピュレータ４８０を使用して、所望の屈折率と実際の混合液浸液の屈折率との間の僅かな差を補償することもできる。マニピュレータ４８０は、通常、投影システム又は照明システム（及び／又はパターニングデバイス又は基板）の１つ以上の光エレメントの垂直位置を移動させることにより、収差を調節する。この方法は、ｄη値が最大０．００２までの場合に使用できる。

[0056] ある実施形態では、第一液浸液の屈折率は、所望の屈折率になるべく近くかつそれより高いことが望ましい。一方、第二液浸液の屈折率はなるべく低いことが望ましく、そうすれば、第一液浸液に追加する第二液浸液の量が少なくて済む（また、所望の屈折率を実現できる可能性が高くなる）。ある実施形態では、第二液浸液の屈折率は１．４以下、又は約１．３以下である。したがって、例えば、第一屈折率が１．６４、所望の屈折率が１．６３５、第二液浸流体の屈折率が１．３である場合、上記式を使用すると、混合液浸液には第二液浸液が１．４７％のみ必要となるだけである。また、ある実施形態では、同様の（あるいは異なる）屈折率を有する２つの液浸液を使用すると都合がよい。この方法によると、第一液浸流体の混合量と第二液浸流体の混合量とが５０／５０に近くなるため、混合液浸流体の屈折率の細部調節がより簡単になる。

[0057] 第二液浸液の例として、フッ化炭化水素（テフロン（登録商標）オイル、フォンブリンタイプ、クライトックスタイプ、等）が挙げられる。低屈折率を有する液体に特有の性質として、これらの液体は低い放射吸収度を有し、上述のような高屈折率の液体とよく混ざる。別の例としては、シクロヘキサン等の（完全）単環式飽和炭化水素、又は、わずかにフッ素化されたデカリンが挙げられる。

[0058] 以下で明らかになるように、本発明の一実施形態は、２つ以上の液体を使用する場合にも適用でき、例えば、３又は４つの液体を適切な割合いで混合することにより所望の屈折率を実現してもよい。

[0059] 図８及び図９に記載される実施形態をより良く理解するため、まずは図７を参照しながら典型的な液体供給システムを説明する。明らかなように、液浸リソグラフィ装置では、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間（この空間において、液浸液は少なくとも部分的に液体供給システムＩＨによって閉じ込められる）にある液浸液は、複数の異なるパスを通して除去することができる。上記空間から除去された液浸液を再び上記空間へ再循環させる前に、除去時に通過するパスに応じて、液浸液を個別に処理すると都合が良い。これは、液浸液が通過するパスによって液浸液に含まれうるコンタミが決まるためであり、例えば、コンタミに合わせて液体浄化法をカスタマイズしてもよい。液浸液は、液体供給システム（バリア部材１２の形状であることが多い）を介して抽出されるが、これに加えて又はこれに代えて、基板テーブルＷＴを介して除去してもよく、特に、基板Ｗの端部と基板テーブルＷＴとの間のギャップに浸透した液体を除去するようにしてもよい。

[0060] 図７は、液体供給システムＩＨの一部であるバリア部材１２を示している。このバリア部材（シール部材と呼ばれることもある）１２は、投影システムＰＳの最終エレメントの周囲に延在しているため、例えば、全体の形状はほぼ環状である。

[0061] バリア部材１２の機能は、少なくとも部分的に、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間に液体を保持する又は閉じ込めることによって、ビームＢが同液体中を通過するようにすることである。液体の最上液位は、単純にバリア部材１２の存在によって閉じ込められており、上記空間内の液体の液位は、液体がバリア部材１２の上部を越えて流れ出さない程度に保たれている。バリア部材１２の底部と基板Ｗとの間には、シールが設けられている。図７では、このシールは非接触シールであり、いくつかのコンポーネントによって形成される。投影システムＰＳの光軸の半径方向外側で作用しているのは（任意の）流れ制御プレート５０であり、このプレートは上記空間内へ延在している（ただし、ビームＢのパス内には延在していない）ため、インレット２０から出た液浸液が、上記空間全体に流れた後、反対側でかつインレットと同じ高さにあるアウトレット（図示されない）から出る、という液浸液の水平な流れを維持するのに役立っている（これによって、液浸液は、投影システムの最終エレメントと基板との間の空間全体に行き渡ることになる）。流れ制御プレート５０には１つ以上のスルーホール５５が開いているため、バリア部材１２が投影システムＰＳ及び／又は基板Ｗに対して光軸方向に移動する際の抵抗が少ない。バリア部材１２の底部に沿って半径方向外側へ移動すると、そこにはインレット６０が設けられており、このインレット６０は液体を、光軸とほぼ平行に、基板へ向かって流す。この液体の流れを使用して、基板Ｗの端部と、基板を支持する基板テーブルＷＴとの間のギャップをすべて埋めることができる。ギャップが液体で満たされていない場合、基板Ｗの端部がバリア部材１２の下方を通過する際に、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間内の液体に気泡が入りやすい。これは、イメージの品質を低下させる可能性があるため、望ましくない。

[0062] インレット６０の半径方向外側には、バリア部材１２と基板Ｗとの間から液体を抽出するように構成された、抽出器アセンブリ７０が設けられている。この抽出器７０については後に詳述するが、バリア部材１２と基板Ｗとの間に形成される非接触シールの一部を形成する。

[0063] 抽出器アセンブリの半径方向外側には窪み（リセス）８０があり、この窪み８０は、アウトレット８２を介して雰囲気に連結されるとともに、インレット８４を介して低圧力源に連結されている。この窪み８０の半径方向外側にはガスナイフ９０が設けられている。抽出器、窪み、及びガスナイフの配置は、米国特許出願公開第２００６−０１５８６２７号に開示されている（本記載により、同特許出願全体が本明細書に組み込まれる）。しかし、この米国特許出願公開では、抽出器アセンブリの配置が異なっている。

[0064] 抽出器アセンブリ７０は、米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号（本記載により、同特許出願全体が本明細書に組み込まれる）に記載されるような液体除去デバイス、抽出器、又はアウトレット（１００）を備える。液体抽出器は、どのような種類のものであってもよい。ある実施形態では、液体除去デバイス１００が多孔性材料１１０で覆われたアウトレットを備え、当該多孔性材料１１０は、ガスから液体を分離させて、単一液相抽出を実現するのに使用される。多孔性材料１１０の下流側にあるチャンバ１２０は、少し加圧された状態で保たれ、液体で満たされている。チャンバ１２０内の圧力は、多孔性材料の孔内で形成されるメニスカスによって、周囲のガス（例えば、空気）が液体除去デバイス１００のチャンバ１２０内へ引き込まれるのを防ぐ程度のものである。一方、多孔性材料１１０が液体と接触する場合、流れを制限するメニスカスは存在しないので、液体は、液体除去デバイス１００のチャンバ１２０内へ自由に流入できる。多孔性材料１１０は、バリア部材１２（並びに上記空間）に沿って半径方向内側に延在しており、その抽出率は、多孔性材料１１０がどの程度液体に覆われているかによって変化する。

[0065] 液体除去デバイス１００と基板Ｗとの間にはプレート２００が設けられており、これによって、液体抽出機能とメニスカス制御機能とを分離でき、バリア部材１２をそれぞれに対して最適化することができる。プレート２００とは、液体除去デバイス１００と基板Ｗとの間の空間を２つのチャネル、つまり、上部チャネル２２０と下部チャネル２３０とに分割する機能を有するディバイダ又はその他の部材であり、上部チャネル２２０は、プレート２００の上面と液体除去デバイス１００との間に位置し、下部チャネル２３０は、プレート２００の下面と基板Ｗとの間に位置する。各チャネルは、半径方向最内端部において、上記空間に対して開放状態にある。

[0066] 上部チャネル２２０については、例えば、１つ以上の通気孔２５０を介して雰囲気へ開放する代わりに、上部チャネル２２０に圧力を印加してもよい。そうすることによって、上部チャネル２２０の幅を広くすることができる。

[0067] このように、プレート２００によって２つのメニスカス３１０及び３２０が形成される。第一メニスカス３１０は、プレート２００上方において、多孔性材料１１０とプレート２００の上面との間に形成され、第二メニスカス３２０は、プレート２００下方において、プレート２００と基板Ｗとの間に形成される。このように、抽出器アセンブリ７０は、例えば、最適な液体抽出のために第一メニスカスを制御するとともに、第二メニスカス３２０に対する粘性抵抗（viscous drag length）が少なくなるよう第二メニスカス３２０の位置を制御するように構成される。例えば、抽出器アセンブリの特徴、特にプレート２００の特徴を最適化すれば、メニスカス３２０をプレート２００に付着した状態に保つのにエネルギー上有利であり、それによって、バリア部材１２下方における基板Ｗのスキャン速度を上げることができる。第二メニスカス３２０に作用する毛細管力は外方向への力であり、メニスカスに隣接する液体内の圧力によって均衡されるため、メニスカス３２０は静止状態となる。例えば粘性抵抗や慣性によってメニスカスに負荷がかかると、メニスカスと表面との接触角が小さくなる。

[0068] 上述したように、プレート２００の半径方向最外端部に１つ以上のブリージングホール２５０を設けることにより、多孔性材料１１０の下方において、第一メニスカス３１０は自由に内側及び外側へ移動するため、液体除去デバイスの抽出率は、多孔性材料１１０がどの程度液体で覆われているかによって変化することになる。図７に示すように、第二メニスカス３２０は、プレート２００の最内下端部に付着している。図７では、プレート２００の最内下端部が鋭くなっているので、第二メニスカス３２０を正しい位置に留めておくことができる。

[0069] 図７には特に示していないが、液体供給システムは、液体の液位の変化に対応するメカニズムを備えている。このメカニズムによって、投影システムＰＳとバリア部材１２との間で増加した液体が処理されるため、液体がこぼれることはない。このような液体の増加は、投影システムＰＳに対するバリア部材１２の相対的移動（後述する）中に発生する。この液体を処理する方法の一つが、大きなバリア部材１２を設けて、投影システムＰＳに対してバリア部材１２が移動する間、バリア部材１２の周囲に圧力勾配が無いようにすることである。別の又は追加の構成では、例えば、抽出器７０に類似した単相抽出器等の抽出器を使用して、バリア部材１２の上部から液体を除去している。

[0070] なお、本発明の１つ以上の実施形態は、どのような種類の液体供給システムＩＨにも適用することができる。

[0071] 図７から分かるように、投影システムの最終エレメントと基板との間の空間から液浸液を除去する方法はいくつか存在する。いずれの方法においても、液浸液は、インレット２０から上記空間全体に広がり、インレット２０の反対側にあるアウトレット（図示しない）内へと流れる。この液浸液は、ビームＢの作動タイミングによって照射される場合とされない場合がある。抽出器７０によって除去される液浸液は、単相である可能性が高い。抽出器７０から漏れた他の液浸液は、窪み８０とガス（又は流体-不活性ガス）ナイフ９０からなる組合せによって収集される。この組合せによって抽出される液浸液は、液体とガスとの混合物である可能性が高い。また、液体は、基板テーブルＷＴを通って、基板Ｗの端部と基板テーブルＷＴとの間の空間から除去されることもある。この液体は、大量のガスを含んでいる可能性が高い。基板の上面（つまりレジスト）と接触した液体は溶出によって汚染される可能性があるため、後述するように、この液体を他の液体とは異なる方法で処理するのが望ましい。

[0072] リサイクルパス又はリサイクル回路において、少なくとも２つの液浸液用ソースを別々に処理することが可能であり、その２つの実施形態を記載する。本発明の一実施形態の原理は、リサイクルシステムに適用することができる。ソースによって汚染レベルが異なり、汚染がひどいほどリサイクルが困難かつ費用がかかる。

[0073] 以下の実施形態では、主に３種類の液体が液体供給システムで除去されると仮定する。つまり、液体供給システムと接触した照射後又は未照射の単相液浸液と、液体供給システムと接触した二相液浸液（つまり、ガスナイフ抽出器によって抽出される液浸液）と、基板テーブルＷＴと接触しかつ二相の可能性が高い液浸液、との３種類の液体である。図では、これらの液体の流れがそれぞれ、符号１００６、１００４、１００２で示されている。

[0074] 図８は、一実施形態に係る液体供給システムＩＨの概略図であり、同図において、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に支持されている。実線の矢印は、液体回路１０００における液浸液の様々な流路を示している。図示するように、液体は液体準備モジュール１１５０内で準備され、ライン１０５０を通って、液体供給システムＩＨへ供給される。液体供給システムＩＨは、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間をこの液体で満たす。

[0075] 本実施形態及び他の実施形態では、３種類の液浸液が上記空間から除去される様子が示されているが、液浸液の種類は３つ以下でもよい。３種類の液体とは、基板テーブルＷＴを通って上記空間から抽出される液体１００２、例えばガスナイフ抽出器を通って上記空間から抽出される液体１００４、及び、例えばバリア部材１２側のアウトレットを通って抽出される液体１００６である。これらの液体はそれぞれ、専用のパラレル液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６をリサイクルシステム内に有する。パラレル液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６は、各液浸液に存在しうるコンタミの種類に合わせて液浸液の流れを処理するように、最適化されている。

[0076] したがって、基板テーブルＷＴから抽出された液浸液１００２を処理するパラレル液体処理ユニット１１０２は、通過する液浸液からガス抜きをするガス抜きユニットと、液浸液を浄化する浄化器とを有する。この浄化器は、基板テーブルＷＴと接触した液浸液を浄化するように最適化される。パラレル液体処理ユニット１１０２はさらに１つ以上のパーティクルフィルタを有する。これらのパーティクルフィルタは、基板テーブルＷＴ内で液浸液を汚染したパーティクルを抽出するように最適化されている。上記３つのパラレル液体処理ユニットにおいて、パーティクルフィルタは粗粒子を取り除くためのものである。

[0077] 同様に、例えば液体供給システムのガスナイフ抽出器を通って抽出される液体１００４を処理するためのパラレル液体処理ユニット１１０４もまた、ガス抜きユニットと、浄化器と、１つ以上のパーティクルフィルタとを有する。パラレル液体処理ユニット１１０４の浄化器及び１つ以上のパーティクルフィルタは、液体供給システムＩＨ（例えばバリア部材１２）と接触した液浸液用に最適化される。また、パラレル液体処理ユニット１１０４は、パーティクルを除去するとともに、例えば、ガスナイフ特有の不純物及びパーティクルによって汚染された液浸液を浄化するように最適化される。

[0078] 上記の内容から分かるように、液体１００２は液体供給システムＩＨと接触した可能性もあり、液体１００４は基板テーブルＷＴの上面と接触した可能性もある。

[0079] 液体１００６は、単に上記空間を通過しただけなので、上記空間から単相として除去されやすく、液体処理ユニット１１０６によって処理される。この液体処理ユニット１１０６は、ガス抜きユニットは備えない（液体にガスが混入する機会がなく、よって液体がガスを含まないため）が、浄化器と、液体供給システム内に存在するパーティクルを除去するように最適化された１つ以上のパーティクルフィルタとを備える。

[0080] 上記３つの液体の流れは一例にすぎない。この他の流れ、例えば、液体供給システムＩＨと基板Ｗとの間の抽出器（抽出器７０等）を通って抽出された単相の流れがあってもよい。

[0081] パラレル液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６から出たそれぞれの液体の流れは流体サイクルインテグレータ１１１０によって統合されると、流れ１０１０としてコンテナ又はバッファ１１２０へ供給され、後に流体準備ユニット１１５０によって使用されるまで同コンテナ又はバッファ１１２０内に保存される。流体準備ユニット１１５０は、液体を液体供給システムＩＨへ供給する前に処理するためのユニットを複数備えることができる。この流体準備ユニット１１５０は、コンテナ１１２０から出たリサイクル液浸液がすべて流路１０２０を介して自身を通過するという意味において、シリアル液体処理ユニットとして見なすことができる。流体準備ユニット１１５０は、ガス抜きユニットと、温度制御ユニットと、流れ制御ユニットと、屈折率制御ユニットとを備えることができる。図８に示す実施形態では、流体準備ユニット１１５０は目の細かいパーティクルフィルタユニットを備えているので、各パラレル液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６内の１つ以上の目の粗いフィルタによるろ過の後に、最終のろ過を行うことができる。当然のことであるが、流体準備ユニット１１５０内の部品のいずれかを、流路１０１０又は１０２０上に配することもできる。

[0082] また、流体準備ユニット内（又は回路内の別の場所）にパーティクルカウンタを設けて、液浸液内のパーティクルの数及び／又はサイズを検出するようにしてもよい。そのようなシステムは、所望数より多くの又は所望サイズより大きなパーティクルが検出された場合に、液浸液が自動的にパーティクルフィルタ（別個のパーティクルフィルタ、又は、液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６等の別のコンポーネントの一部であるパーティクルフィルタ）を通過するように構成することができる。この追加的態様は、上述したどの実施形態にも適用可能である。

[0083] 流体準備ユニット１１５０のエレメントは、センサ１２１２、１２１４を用いて基板テーブルＷＴで行われた測定結果に基づき、フィードバック制御することができる。例えば、センサ１２１２は波面センサであり、センサ１２１４は強度（吸収）センサである。これらセンサの測定結果に基づいて、流体準備ユニット１１５０及びリソグラフィ装置内の他の部分を、正しい波面位置及びドーズを実現するように制御してもよい。これは、制御信号２２１２、２２１４を介して実現される。流体準備ユニット１１５０は、液浸流体を液体供給システムＩＨへ供給するに先立ち、同液浸流体をどのように準備するかを変更し、それによって、（例えば温度を変更するなどして）屈折率を制御する。また、上記センサの一方又は両方を使用して、回路１０００内の液浸液の交換時期を決定してもよい。言うまでもなく、吸収を所定の最大許容レベル以下とし、屈折率を安定させることが望ましいが、そうでない場合、必要な光学補正が行われるように屈折率を調整するのが望ましい。あるいは又はこれに加えて、回路１０００内の液体の定期的交換のために、規則的なプログラムを使用してもよい。

[0084] 回路１０００内のいくつかの部分は液浸リソグラフィ装置の本体に設けてもよく、その他の部分、特にパラレル処理ユニットは、液浸リソグラフィ装置とは別個のユニットとして設けてもよい。

[0085] 本実施形態及び他の実施形態のリソグラフィ装置は、クローズドシステム又は非完全クローズドシステムの一部であってよい。これは、リソグラフィ装置から除去された液浸液が処分されるか又はオフラインで再加工されリソグラフィ装置へ再供給されるオープンシステムとは対照的なシステムである。クローズドシステムでは、リソグラフィ装置内の液体は連続的にリサイクルされ、同液体の使用中は新しい液体が補充されない。また、リサイクルシステムの一部が何らかの理由により動作不能になった場合に備えて、クローズドシステム（及び半クローズドシステム）内で流体がリサイクルされる際に通過するパスを２本設けることが必要となりうる。したがって、例えば、液体処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６、流体サイクルインテグレータ１１１０、コンテナ１１２０、及び流体準備ユニット１１５０の１つ以上から、同一のコンポーネントを備える別の回路へ液体の流れを切り替えるためのバルブが1つ以上あると効果的である。バルブは、必要に応じて、上記デバイスのうち１つ以上のデバイスの一部であってもよいし、又は、上記デバイスのうち１つ以上のデバイスの前又は後ろに位置するパス内にあってもよい。半クローズドシステムでは、（例えば、リサイクルシステムの作動中、コンテナ１１２０へ）新しい液体を加えてもよい。液体供給システムＩＨ又は基板テーブルＷＴから除去された液体は、処分のため、又は、コンテナ１１２０へ再供給される前にオフラインで再処理するために、その流れを切り替えてもよい。このシステムを使用すれば、液浸液の流れを妨げることなく新しい液浸液を回路１０００へ追加できるため、リソグラフィ装置全体をダウンさせることなく新しい液浸液を追加できる。

[0086] ある実施形態では、リソグラフィ装置において、流体準備ユニット１１５０から圧力制御ユニット１１１５へ制御信号２１１５が送られる。これにより、流体準備ユニット１１５０が液浸液を正しい流量で受けることができる。この構成は、流体リサイクルインテグレータ１１１０及びパラレル処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６が回路１０００の他の部分とは別の機械の一部である場合に、特に有用である。

[0087] さらに、コンテナ１１２０から流体準備ユニット１１５０へのパス１０２０内に、２つのセンサ１２１６、１２１８を設けてもよい。これらのセンサは、液浸液の屈折率を直接測定するか又は液浸液の吸収を測定するものである。

[0088] センサ２２１６、２２１８の出力は、流体リサイクルインテグレータ（及び／又はパラレル処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６のうちの１つ以上）へ送られるため、流体準備ユニット１１５０へ供給される液浸液に所望の屈折率及び／又は吸収を実現するべく、必要な調整を行うことができる。このように、流体準備ユニット１１５０へ流入する以前の液浸液に追加的制御を行うことにより、液体供給システムＩＨへ供給する液浸液の特性をより制御することができる。

[0089] したがって、パラレル処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６は、異なる屈折率を有する液体を提供する液体供給デバイスとして見なすことができる。したがって、センサ１２１６、１２１８からのフィードバック２２１６、２２１８は、所望の屈折率を実現するために流体リサイクルインテグレータ１１１０へ提供されるフィードバックであると見なすことができる。流体準備ユニット１１５０は、例えば投影システムと関係するセンサ１２１２、１２１４の出力に基づいて、液浸液の温度を変更することができる。したがって、図８の実施形態は、図６の実施形態とは異なって見えるが、同じ原理に基づいて動作している。

[0090] 図９は別の実施形態の図である。この実施形態は、以下に記載する点を除き、図８の実施形態と同様である。

[0091] パラレル処理ユニット１１０２、１１０４、１１０６をリソグラフィ装置の残りの部分から簡単に切り離せるようにするため、本実施形態では、ガスを含みうる液浸液を処理するために使用されるパラレル処理ユニット１１０２、１１０４は、ガス抜きユニットを持たない。代わりに、各パラレル処理ユニット１１０２、１１０４につながっている液浸液のパス１００２、１００４に、別個のガス抜きユニット１０１４、１０１２が設けられている。これにより、複雑なユニットであるガス抜きユニットをリソグラフィ装置の一部として形成でき、平衡液体処理ユニットをリソグラフィ装置から容易に切り離すことができる。

[0092] 本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドの製造といった他の用途を有することが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような他の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語がすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であると考えてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又は、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語が、既に多層処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0093] 本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折及び反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのうちいずれか１つ又は組合せを指すことができる。

[0094] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施することも可能である。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能な指示のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又は、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記録媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。

[0095] 本発明の１つ以上の実施形態は、液浸液が浴部として設けられているか又は基板の局所的な表面エリア上のみに設けられているかに関わらず、あらゆる液浸リソグラフィ装置に適用でき、特に、上述のタイプの液浸リソグラフィ装置に適用できる（しかしこれに限定されない）。本明細書で考察される液体供給システムは、広く解釈されるべきものである。ある実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間の空間に液体を供給する機構又は構造の組合せであってよい。液体供給システムは、１つ以上の構造、１つ以上の液体インレット、１つ以上のガスインレット、１つ以上のガスアウトレット、及び／又は液体を上記空間へ供給する１つ以上の液体アウトレットからなる組み合わせを備えうる。一実施形態では、上記空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部であるか、又は、上記空間の表面によって基板及び／又は基板テーブルの表面が完全に覆われているか、又は、上記空間によって基板及び／又は基板テーブルが包囲された状態となっている。また、任意であるが、液体供給システムは、液体の位置、量、質、形状、流量、又は、その他の特徴を制御するエレメントを１つ以上含んでよい。

[0096] リソグラフィ装置で使用される液浸液は、所望の特性及び使用される露光放射の波長に応じて異なる組成を有するものであってよい。１９３ｎｍの露光波長に対しては超純水又は水性の組成物が使用されるため、液浸液をしばしば水と呼ぶことがあり、また、親水性、疎水性、湿度等の水に関連する用語を使用してもよい。

[0097] 本明細書の１つ以上の実施形態における１つ以上の特徴又は態様は、本明細書の他の１つ以上の実施形態における１つ以上の特徴又は態様と組み合わせて、又はこれに代えて使用することができる。

[0098] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。

[0011] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の図である。 [0012] 図２は、リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムの図である。 [0012] 図３は、リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムの図である。 [0013] 図４は、リソグラフィ投影装置内で使用する別の液体供給システの図である。 [0014] 図５は、リソグラフィ投影装置内で使用するさらに別の液体供給システムの断面図である。 [0015] 図６は、本発明の一実施形態の概略図である。 [0016] 図７は、本発明の一実施形態で使用できる、さらに別の種類の液体供給システムの断面図である。 [0017] 図８は、本発明の別の実施形態の概略図である。 [0018] 図９は、本発明のさらに別の実施形態の概略図である。

Claims (13)

1. 第一屈折率を有する第一液体を供給するように構成された、第一液体供給システムと、
   前記第一屈折率よりも低い第二屈折率を有する第二液体を供給するように構成された、第二液体供給システムと、
   前記第一液体と第二液体とを混合して、前記第一屈折率又は前記第二屈折率よりも所望の屈折率に近い屈折率を有する混合液を得るように構成された、コンバイニングユニットと、
   前記第一液体及び前記第二液体を使用後の前記混合液から分離し、分離した前記第一液体を前記第一液体供給システムへ戻すとともに、前記第二液体を前記第二液体供給システムへ戻すように構成された流体リサイクルシステムと、を備え、
   前記混合液の屈折率及び／又は前記第一液体の屈折率の測定結果に基づいて、前記コンバイニングユニットに供給する前記第二液体の供給量を調整する、
   リソグラフィ装置。
2. 基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された、投影システムと、
   前記投影システムと基板との間の空間に前記混合液を供給するように構成された、液体供給システムと、
   をさらに備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記混合液が前記第二液体を１０％以下で含む、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記混合液が前記第一液体を３０％〜７０％含む、請求項１乃至３いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
5. 投影システムのＺマニピュレータを制御することにより前記混合率の屈折率と前記所望の屈折率との差分を補償するように構成されたＺコントローラをさらに備え、前記投影システムは、基板のターゲット部分上にパターン付きビームを投影するように構成されている、請求項１乃至４いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記コンバイニングユニットは、前記所望の屈折率から０．００２の範囲内の屈折率を有する混合液を得るように構成されている、請求項１乃至５いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記第二液体は、フッ素化炭化水素、フォンブリン、クライトックス（Krytox）タイプのオイル、デカリン、単環式飽和炭化水素、シクロヘキサン、フッ素化デカリン、又はその他炭化水素からなる群から選択される１つ以上の液体である、請求項１乃至６いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記混合液の屈折率を前記所望の屈折率にするために前記混合液の温度を変更するように構成された温度コントローラをさらに備える、請求項１乃至７いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記第一屈折率は、前記第二屈折率よりも前記所望の屈折率に近い、請求項１乃至８いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記混合液の屈折率を変化させるために前記混合液を調節するよう構成された液体コンディショナをさらに備える、請求項１乃至９いずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
11. 第一屈折率を有する第一液体と、前記第一屈折率よりも低い第二屈折率を有する第二液体とを混合することにより、前記第一屈折率又は前記第二屈折率よりも所望の屈折率に近い屈折率を有する混合液を得ること、
    前記混合液を介して基板上にパターン付き放射ビームを投影することであって、前記混合液が前記基板と前記パターン付きビームの投影に使用する投影システムとの間に供給されること、
    前記第一液体及び前記第二液体を使用後の前記混合液から分離すること、及び、
    前記混合液の屈折率及び／又は前記分離した第一液体の屈折率を測定した測定結果に基づいて、前記分離した第二液体の液体量を調整すること、
    を備える、デバイス製造方法。
12. （ｉ）前記第一液体の屈折率、（ｉｉ）前記第二液体の屈折率、（ｉｉｉ）前記混合液の屈折率、又は、（ｉｖ）前記（ｉ）−（ｉｉｉ）のいずれかの組合せの屈折率を測定すること、及び、前記第二液体と混合された前記第一液体のフラクションを変化させて前記所望の屈折率により近い屈折率を実現すること、をさらに備える、請求項１１に記載の方法。
13. 前記混合液の屈折率と前記所望の屈折率との差分を補償するために前記投影システムのＺマニピュレータを使用することをさらに備える、請求項１１又は１２に記載の方法。

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