JP4675854B2 - パターン評価方法と評価装置及びパターン評価プログラム - Google Patents
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Description
W.C. Wang et al."Mask pattern fidelity quantification method " SPIE Vol.5256(2003) p.p.266-275
発明の実施形態を説明する前に、本発明の参考例として、従来技術から推定されるパターン評価方法について、図4のフローチャート及び図5のパターン図を基に説明する。
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
オフセットXa-A=xa−xA
オフセットYa-A=ya−yA
である。
オフセットXa’-A’ =xa’− xA’
オフセットYa’-A’ =ya’− yA’
である。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態ではマスクパターンの画像取得にSEMを上げたが、光学画像、原子間力顕微鏡(AFM)像などパターンの形状が認識できれば手段を限るものではない。また、位置誤差の補正についてもマスクパターン輪郭データとマスクデータとの間で求めた位置オフセットを保持しておき予測ウェハパターンと所望ウェハパターンとの間の比較測定時に位置誤差の補正処理を行っているが、マスクパターン輪郭データを形成するポリゴンデータの頂点座標に位置オフセット値の加算を行うことで、測定位置が原点となるように予め補正を加えておき、結果として予測ウェハパターンを形成するポリゴンデータの頂点座標が測定値と一致するようにすることもできる。
2…マスクパターンデータ
3…露光用マスク製作部
4…露光用マスク
5…測定位置選定部
6…測定位置データ
7…画像取得部
8…パターン輪郭抽出部
9…マスクパターン輪郭データ
10…リソグラフィ・シミュレーション部
11…予測ウェハパターンデータ
12…オフセット測定部
13…位置オフセット値
14…ウェハパターンデータ作成部
15…所望ウェハパターンデータ
16…位置誤差補正部
17…比較・差分測定部
18…測定結果
31…評価位置入力部
32…所望ウェハパターンデータ入力部
33…マスクパターン入力部
34…画像取得部
35…輪郭データ生成部
36…オフセット測定部
37…リソグラフィ・シミュレーション部
38…位置誤差補正部
39…比較部
Claims (5)
- 露光用マスクに形成されたマスクパターンを評価するパターン評価方法であって、
前記マスクパターンの評価すべき評価位置を指定する工程と、
前記露光用マスクを製作するための設計データから、前記評価位置に対応するウェハ転写パターンの所望の形状を示す所望ウェハパターンデータを生成する工程と、
前記評価位置に対応するマスクパターンの画像を取得する工程と、
前記取得したマスクパターンの画像からマスクパターン輪郭データを生成する工程と、
前記設計データから得られる前記評価位置に対応するマスクパターンデータと前記マスクパターン輪郭データとの位置オフセットを求める工程と、
前記マスクパターン輪郭データからリソグラフィ・シミュレーションを行い、前記マスクパターンがウェハ上に転写された場合のウェハ転写パターンの形状を示す予測ウェハパターンデータを生成する工程と、
前記位置オフセットに基づいて、前記所望ウェハパターンデータと前記予測ウェハパターンデータとの間の位置誤差を補正する工程と、
前記位置誤差が補正された状態で、前記所望ウェハパターンデータと前記予測ウェハパターンデータとを比較する工程と、
を含むことを特徴とするパターン評価方法。 - 露光用マスクに形成されたマスクパターンを評価するパターン評価方法であって、
前記マスクパターンの評価すべき評価位置を指定する工程と、
前記露光用マスクを製作するための設計データから、前記評価位置に対応するウェハ転写パターンの所望の形状を示す所望ウェハパターンデータを生成する工程と、
前記評価位置に対応するマスクパターンの画像を取得する工程と、
前記取得したマスクパターンの画像からマスクパターン輪郭データを生成する工程と、
前記設計データから得られる前記評価位置に対応するマスクパターンデータと前記マスクパターン輪郭データとの位置オフセットを求める工程と、
前記マスクパターン輪郭データを形成する点列の座標値に前記位置オフセットを加算する工程と、
前記位置オフセットが加算されたマスクパターン輪郭データからリソグラフィ・シミュレーションを行い、前記マスクパターンがウェハ上に転写された場合のウェハ転写パターンの形状を示す予測ウェハパターンデータを生成する工程と、
前記所望ウェハパターンデータと前記予測ウェハパターンデータとを比較する工程と、
を含むことを特徴とするパターン評価方法。 - 前記位置誤差を補正する工程として、前記所望ウェハパターンデータ及び予測ウェハパターンデータの少なくとも一方の点列の座標値に前記位置オフセットを加算することを特徴とする請求項1記載のパターン評価方法。
- 露光用マスクに形成されたマスクパターンを評価するパターン評価装置であって、
前記マスクパターンの評価すべき位置である評価位置を入力する手段と、
前記評価位置に対応するウェハ転写パターンの所望の形状を示す所望ウェハパターンデータを入力する手段と、
前記評価位置に対応するマスクパターンデータを入力する手段と、
前記評価位置に対応するマスクパターンの画像を取得する手段と、
前記取得したマスクパターンの画像からマスクパターン輪郭データを生成する手段と、
前記マスクパターンデータと前記マスクパターン輪郭データとの位置オフセットを求める手段と、
前記マスクパターン輪郭データからリソグラフィ・シミュレーションを行い、前記マスクパターンがウェハ上に転写された場合のウェハ転写パターンの形状を示す予測ウェハパターンデータを生成する手段と、
前記位置オフセットに基づいて、前記所望ウェハパターンデータと前記予測ウェハパターンデータとの間の位置誤差を補正する手段と、
前記位置誤差が補正された状態で、前記所望ウェハパターンデータと前記予測ウェハパターンデータとを比較する手段と、
を具備してなることを特徴とするパターン評価装置。 - 露光用マスクに形成されたマスクパターンを評価する方法をコンピュータに実行させるためのパターン評価プログラムであって、
前記マスクパターンの評価すべき評価位置に対応するウェハ転写パターンの所望の形状を示す所望ウェハパターンデータを生成する手順と、
前記評価位置に対応するマスクパターンの画像からマスクパターン輪郭データを生成する手順と、
前記評価位置に対応するマスクパターンデータと前記マスクパターン輪郭データとの位置オフセットを演算する手順と、
前記マスクパターン輪郭データからリソグラフィ・シミュレーションを行い、前記マスクパターンがウェハ上に転写された場合のウェハ転写パターンの形状を示す予測ウェハパターンデータを生成する手順と、
前記位置オフセットに基づいて、前記所望ウェハパターンデータと前記予測ウェハパターンデータとの間の位置誤差を補正する手順と、
前記位置誤差が補正された状態で、前記所望ウェハパターンデータと前記予測ウェハパターンデータとを比較する手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするパターン評価プログラム。
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