JP4671900B2 - 接合方法および接合装置 - Google Patents
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Description
11 半導体素子
12 基板
13 蓋部材
20,40 反応室
21 ガス導入口
22,45 真空排気口
23 高周波電極
24,29 高周波発振器
27 上部高周波電極
33 アース電極
41 基板台
42 上部基板台
46,47 中性ビーム源
48,49 ガス供給配管
50,51 電力供給配線
Claims (11)
- 基板の接合面同士を接合させるための接合方法であって、
一方の基板の接合面と他方の基板の接合面を、水あるいは水蒸気の雰囲気中でエネルギ波を照射することにより洗浄する洗浄工程と、
前記エネルギ波を照射するための電力を徐々に減少させ、前記電力をゼロにして前記エネルギ波の照射を停止する工程と、
前記エネルギ波の照射を停止した後、前記一方の基板と前記他方の基板との洗浄された接合面を加圧しながら接合する接合工程とを有することを特徴とする接合方法。 - 前記洗浄工程を大気圧より低い圧力の減圧雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1記載の接合方法。
- 前記洗浄工程において、圧力が120Pa〜300Paの雰囲気中で洗浄することを特徴とする請求項1または2記載の接合方法。
- 前記洗浄工程の前に、アルゴンガスあるいは酸素ガスあるいはアルゴンガスと酸素ガスの混合ガスの雰囲気中で前記エネルギ波により洗浄することを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載の接合方法。
- 前記接合工程の後、接合された前記両基板を大気圧中で加熱する加熱工程を有することを特徴とする請求項1記載の接合方法。
- 前記エネルギ波として、プラズマ、イオンビーム、原子ビーム、ラジカルビームのいずれかを用いることを特徴とする請求項1または4記載の接合方法。
- 前記各基板の接合面を、水酸基を介在した状態で接合することを特徴とする請求項1記載の接合方法。
- 基板の接合面同士を接合させるための接合装置であって、
一方の基板の接合面と他方の基板の接合面を、水あるいは水蒸気の雰囲気中でエネルギ波を照射することにより洗浄する洗浄手段と、
前記洗浄終了後に、前記エネルギ波を照射するための電力を徐々に減少させ、前記電力をゼロにして前記エネルギ波の照射を停止する制御部と、
前記エネルギ波の照射を停止した後、前記一方の基板と前記他方の基板との洗浄された接合面を加圧しながら接合する接合手段とを備えたことを特徴とする接合装置。 - 前記制御部が、さらに、前記洗浄における雰囲気を、圧力が120Pa〜300Paである雰囲気に設定することを特徴とする請求項8記載の接合装置。
- 前記洗浄の前に、アルゴンガスあるいは酸素ガスあるいはアルゴンガスと酸素ガスの混合ガスの雰囲気中で前記エネルギ波により洗浄する手段を備えたことを特徴とする請求項8または9記載の接合装置。
- 前記エネルギ波が、プラズマ、イオンビーム、原子ビーム、ラジカルビームのいずれかであることを特徴とする請求項8または10記載の接合装置。
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