JP4969211B2 - 改質方法、改質装置及び接合方法、接合装置 - Google Patents
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Description
図2は本発明の実施の形態1における改質処理に用いる改質装置を示す断面図である。図2において、21は反応室、Si(シリコン)からなる基板12は、基板台24の上に載置され、同様にSiからなる蓋部材13は、上部基板台25に固定される。
図8は本発明の実施の形態2における改質処理に用いる改質装置を示す断面図である。本実施の形態2において使用した改質装置は、前述の実施の形態1で説明した接合装置と構成は略同じであり、図2の光ファイバー37,40に代えて、発光用の光ファイバー43,45と受光用の光ファイバー44,46を設けた点で異なる。
本発明の実施の形態3における改質処理について説明する。本実施の形態3における改質装置の構成は、前述した実施の形態2の図8に示した改質装置と構成は同じである。異なる点は、光ファイバー43,45からの光を基板12及び蓋部材13に照射する位置が、基板12及び蓋部材13の外周部としたことである。これは、中性ビーム源29,30の照射の性質上、基板12及び蓋部材13の中央部が外周部より、より照射されることになるためである。改質能力の少ない外周部を観測することにより、汚染物の未除去を防止することができる。そして、本実施の形態3では、基板12及び蓋部材13の外周から内側に15mmの位置で測定を実施した。
11 半導体素子
12 基板
13 蓋部材
14 キャビティー部
15 溝加工
16 スルーホール
17 電極
21 反応室
24 基板台
25 上部基板台
26 静電チャック
27,38,41 ベローズ
28 真空排気口
29 基板用の中性ビーム源
30 蓋部材用の中性ビーム源
31,32 ガス供給配管
33,34 電力供給配線
35,36 供給コネクタ
37,40 光ファイバー
39 第1光ファイバーシステム
42 第2光ファイバーシステム
43,45 光ファイバー(発光側)
44,46 光ファイバー(受光側)
Claims (11)
- 基板を改質するための改質方法であって、エネルギー供給源によりプラズマ化したエネルギー波を前記基板に照射して洗浄する洗浄工程と、前記基板に光を照射して前記基板から反射された反射光の強度を観測する観測工程と、前記反射光の強度が所定量に達しているか否かを判定する判定工程とを有し、
前記観測工程の前記基板からの反射光の強度を観測する発光強度測定手段は、前記エネルギー波を停止したときに前記基板面上に移動し、前記観測の終了後には前記基板面上から前記エネルギー波が照射されない位置に移動し、
前記洗浄工程による基板の洗浄後に、前記観測工程で観測した前記反射光の強度が、前記判定工程において前記所定量以下のとき前記反射光の強度が前記所定量以上になるまで前記洗浄工程を繰り返し、前記所定量以上のとき処理完了と判定して前記洗浄工程を終了することを特徴とする改質方法。 - 請求項1記載の改質方法であって、前記基板に光を照射する位置は、前記基板の外周部であることを特徴とする改質方法。
- 請求項1または請求項2記載の改質方法であって、前記エネルギー波を照射する前に、前記基板に照射した光の反射光の強度を観測して、前記エネルギー波の停止を判定するための前記反射光強度の所定量を決定することを特徴とする改質方法。
- 請求項3記載の改質方法であって、前記エネルギー波の停止を判定するための反射光強度の所定量を、前記反射光強度から算出した反射率として、前記反射率を1.02以上としたことを特徴とする改質方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の改質方法であって、前記基板からの反射光を観測する波長は、450〜750nmの波長領域であることを特徴とする改質方法。
- 2枚の基板を接合するための接合方法であって、電子素子パッケージを形成する複数個の電子素子が形成された第1の基板と蓋となる第2の基板との接合面を、それぞれ第1のエネルギー供給源と第2のエネルギー供給源によりプラズマ化されたエネルギー波を照射して洗浄する第1の工程と、前記第1の基板と前記第2の基板それぞれに光を照射し、前記第1の基板と前記第2の基板から反射されたそれぞれの反射光の強度を観測する第2の工程と、観測したそれぞれの反射光の強度が所定量に達しているか否かを判定する第3の工程と、洗浄した前記接合面で前記第1の基板と前記第2の基板を接合する第4の工程とを有し、
前記第2の工程の前記基板からの反射光の強度を観測する発光強度測定手段は、前記エネルギー波を停止したときに前記接合面上に移動し、前記観測の終了後には前記接合面上から前記エネルギー波が照射されない位置に移動し、
前記第1の工程でエネルギー波の所定時間の照射後に、前記照射を停止して前記第2の工程で観測したそれぞれの反射光の強度が、前記第3の工程において前記所定量以下のときには前記反射光の強度が前記所定量以上になるまで前記第1の工程の洗浄処理を繰り返し、前記所定量以上のときには処理完了と判定して、前記第4の工程で前記第1の基板と前記第2の基板を接合することを特徴とする接合方法。 - 請求項6記載の接合方法であって、前記第1の基板と前記第2の基板それぞれに光を照射する位置は、前記第1の基板と前記第2の基板それぞれの外周部であることを特徴とする接合方法。
- 請求項6または請求項7記載の接合方法であって、前記エネルギー波を照射する前に、前記第1の基板と前記第2の基板それぞれに照射した光の反射光の強度を観測して、前記エネルギー波の停止を判断するための前記反射光強度の所定量をそれぞれ決定することを特徴とする接合方法。
- 請求項8記載の接合方法であって、前記エネルギー波の停止を判断するための反射光強度の所定量を、前記第1の基板と前記第2の基板それぞれの前記反射光強度から算出した反射率として、前記反射率が1.02以上としたことを特徴とする接合方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の改質方法により基板を改質する改質装置であって、
前記基板を搬入する反応室と、前記基板を設置する基板台と、前記基板にエネルギー波を照射するエネルギー照射源と、前記反応室を真空に保つ真空手段と、前記基板に光を照射する手段と、前記基板から反射された反射光の強度を観測する測定手段とを備えたことを特徴とする改質装置。 - 請求項6〜9のいずれか1項に記載の接合方法により2枚の基板を接合する接合装置であって、
前記2枚の基板を搬入する反応室と、互いに対面する位置に第1の基板と第2の基板を設置する基板台と、前記第1の基板と前記第2の基板それぞれにエネルギー波を照射するエネルギー照射源と、前記反応室を真空に保つ真空手段と、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる貼合機構と、前記第1の基板と前記第2の基板それぞれに光を照射する手段と、前記第1の基板と前記第2の基板から反射されたそれぞれの反射光の強度を観測する測定手段とを備えたことを特徴とする接合装置。
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