JP4670566B2 - Semiconductor wafer double-head grinding apparatus, hydrostatic pad and double-head grinding method using the same - Google Patents

Semiconductor wafer double-head grinding apparatus, hydrostatic pad and double-head grinding method using the same Download PDF

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Description

本発明は半導体ウェーハの両頭研削装置および両頭研削方法に関し、特に原料ウェーハの両面に供給された流体の静圧により原料ウェーハをその両面で非接触支持する静圧パッドに関するものである。   The present invention relates to a double-sided grinding apparatus and a double-sided grinding method for a semiconductor wafer, and more particularly to a hydrostatic pad that supports a raw material wafer in a non-contact manner on both sides by a static pressure of a fluid supplied to both sides of the raw material wafer.

半導体シリコンウェーハ（以下, ウェーハと記す）においては、近年、「ナノトポグラフィ」と呼ばれる表面うねり成分の大小が問題となっている。このナノトポグラフィは、ウェーハの表面形状の中から「そり」や「Ｗａｒｐ」より波長が短く、「表面粗さ」よりは波長の長い、λ= ０．２〜２０ｍｍの波長成分を取り出したものであり、ＰＶ値は０．１〜０．２μｍ以下の極めて浅いうねりである。   In semiconductor silicon wafers (hereinafter referred to as “wafers”), the size of the surface waviness component called “nanotopography” has recently become a problem. This nanotopography is obtained by extracting the wavelength component of λ = 0.2 to 20 mm from the surface shape of the wafer, which has a shorter wavelength than “sledge” or “Warp” and a longer wavelength than “surface roughness”. Yes, the PV value is a very shallow wave of 0.1 to 0.2 μm or less.

ナノトポグラフィは一般に「光学干渉式」の測定機（商標名 ; Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒ（ＡＤＥ Ｃｏｒｐ.）やＤｙｎａｓｅａｒｃｈ（（株）レイテックス））によって測定されており、図６に測定例を示す。図６(a) はナノトポグラフィ・マップであり、その濃淡でナノトポグラフィの強度を定性的に表している。一方、図６(b) は４５°おきに測定した４断面（直径)上のナノトポグラフィの形状と定量的な強度を表しており、グラフの山谷はナノトポグラフィ・マップの濃淡に対応している。なお、図７はナノトポグラフィ・マップとナノトポグラフィ断面形状の対応を模式的に説明したものである。   Nanotopography is generally measured by an “optical interference type” measuring instrument (trade name: Nanomapper (ADE Corp.) or Dynasearch (Latex Co., Ltd.)). FIG. 6 shows an example of measurement. FIG. 6 (a) is a nanotopography map, and the intensity of the nanotopography is qualitatively expressed by the shading. On the other hand, Fig. 6 (b) shows the shape and quantitative intensity of nanotopography on four cross sections (diameters) measured every 45 °. The peaks and valleys in the graph correspond to the shading of the nanotopography map. . FIG. 7 schematically illustrates the correspondence between the nanotopography map and the nanotopography cross-sectional shape.

このナノトポグラフィはデバイス製造におけるＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）工程の歩留まりに影響するといわれている。ナノトポグラフィはウェーハの加工工程（スライス〜研磨）中で作り込まれるものであり、研削加工、特に両頭研削の影響が強い。   This nanotopography is said to affect the yield of STI (Shallow Trench Isolation) process in device manufacturing. Nanotopography is created during the wafer processing process (slicing to polishing) and is strongly influenced by grinding, particularly double-headed grinding.

両頭研削の概略を図８に模式的に示す。原料ウェーハＷ（スライス・ウェーハ）は、ガラスエポキシ製薄板（不図示）に穿ったウェーハとほぼ同径の孔に挿入され、図８(a)に示すように、左右２枚の概略ウェーハ径の金属製の厚板である静圧パッド１１、２１の間に、静圧パッドとウェーハの間隙ｈを有するように保持される。図８（ｃ）に示すように、静圧パッドは、その表面にランド１３（土手部分）とポケット１４（凹部）を有する。図８(ｄ)に示すように、ポケット１４には静圧水が供給され、これによってウェーハＷを回転自在に保持している。図８（ｃ）に示すように静圧パッドの一部は切り抜いてあり、ここに研削砥石１２、２２を挿入して、図８（ｂ）に示すようにウェーハＷおよび研削砥石１２、２２を回転させ、ウェーハＷを左右両面から同時に研削する。研削中、ウェーハＷは、例えばエッジ部分に駆動ローラを押し当てたり、ノッチ部にツメを引っかけて駆動することにより、数１０ｒｐｍで回転する。   The outline of double-head grinding is schematically shown in FIG. The raw wafer W (slice wafer) is inserted into a hole having substantially the same diameter as that of a wafer formed in a glass epoxy thin plate (not shown). As shown in FIG. Between the static pressure pads 11 and 21 which are metal thick plates, it hold | maintains so that it may have the clearance gap h of a static pressure pad and a wafer. As shown in FIG. 8C, the static pressure pad has lands 13 (bank portions) and pockets 14 (concave portions) on the surface thereof. As shown in FIG. 8D, static pressure water is supplied to the pocket 14 to hold the wafer W rotatably. As shown in FIG. 8 (c), a part of the static pressure pad is cut out, and the grinding wheels 12 and 22 are inserted therein, and the wafer W and the grinding wheels 12 and 22 are inserted as shown in FIG. 8 (b). The wafer W is rotated to grind the wafer W from both the left and right sides simultaneously. During grinding, the wafer W rotates at several tens of rpm, for example, by driving a driving roller against an edge portion or by hooking a notch portion.

このような両頭研削により研削されたウェーハについて、上述したようにＮａｎｏｍａｐｐｅｒ等でナノトポグラフィを測定する。このデータを演算プログラムにより処理して、ウェーハ面の４本の直径上のナノトポグラフィ測定値、すなわち８本の半径上のナノトポグラフィ測定値を得る（図９(a)）。得られた８本の半径上のナノトポグラフィ測定値を、半径方向の各位置における８点で平均し、図９(ｂ)に示す「平均値成分」を得る（半径方向の位置は図１１参照）。図９(a)で得られた８本の半径上のナノトポグラフィ測定値から、図９(ｂ)で得た平均値成分を半径方向の各位置における８点で差し引いて「残差成分」とする（図９(ｃ)）。   For the wafer ground by such double-head grinding, nanotopography is measured by Nanomapper as described above. This data is processed by a calculation program to obtain nanotopography measurement values on four diameters on the wafer surface, that is, nanotopography measurement values on eight radii (FIG. 9A). The obtained nanotopography measurement values on eight radii are averaged at eight points in each position in the radial direction to obtain an “average value component” shown in FIG. 9B (refer to FIG. 11 for the position in the radial direction). ). By subtracting the average value component obtained in FIG. 9 (b) at 8 points at each position in the radial direction from the nanotopography measurement values on the eight radii obtained in FIG. 9 (a), the “residual component” is obtained. (FIG. 9C).

ここで、平均値成分はウェーハ面にリング状に形成される表面うねり成分に対応し、すなわちリング状成分あるいは点対称成分と言うことができ、残差成分はナノトポグラフィ測定値からリング状成分を除いたウェーハ面内のばらつき成分と言うことができる。
さらに、平均値成分については、図９(ｂ)に示すように、ウェーハ中心からの距離によって両頭ヘソ、中央部凹凸、中間リング、最外周リング等に分けられることが分かっている。
これら各ナノトポグラフィの典型的な生成原因を、下記表１に示す。

Figure 0004670566
Here, the average value component corresponds to the surface waviness component formed in a ring shape on the wafer surface, that is, it can be said to be a ring-shaped component or a point-symmetric component, and the residual component is a ring-shaped component from a nanotopography measurement value. It can be said that it is a variation component in the excluded wafer surface.
Further, as shown in FIG. 9B, it is known that the average value component is divided into a double-headed chin, a central unevenness, an intermediate ring, an outermost ring, and the like depending on the distance from the wafer center.
Table 1 below shows typical generation causes of each of these nanotopographies.
Figure 0004670566

ナノトポグラフィの調整方法として最も広汎に使用される方法は以下に述べる「シフト調整」および「チルト調整」である。
たとえば、両頭研削中にウェーハ両面の切削加重のアンバランス等により研削されたウェーハに反りが発生することがあり、この反りの発生を抑えるためにウェーハと砥石の相対位置の調整を行う両頭研削方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このようなウェーハＷと砥石１２、２２の位置関係の調整方法の具体例を図１０に示す。ひとつは「シフト調整」と呼ばれ、ウェーハ面に対して垂直方向に砥石１２、２２を平行移動させる調整であり（図１０(a)）、もう一つは「チルト調整」と呼ばれ、ウェーハ面と砥石１２、２２の相対角度を変化させる調整である（図１０(b)）。 The most widely used methods for adjusting nanotopography are “shift adjustment” and “tilt adjustment” described below.
For example, a double-sided grinding method that adjusts the relative position of the wafer and the grindstone in order to suppress the occurrence of this warpage. Has been proposed (see, for example, Patent Document 1). A specific example of a method for adjusting the positional relationship between the wafer W and the grindstones 12 and 22 is shown in FIG. One is called “shift adjustment”, and is an adjustment for moving the grindstones 12 and 22 in a direction perpendicular to the wafer surface (FIG. 10A), and the other is called “tilt adjustment”. This adjustment is to change the relative angle between the surface and the grindstones 12 and 22 (FIG. 10 (b)).

しかし、これらの調整方法は各ナノトポグラフィの成分に対して必ずしも独立に作用するわけではない。すなわち、例えば「シフト調整」を行うと、「中央部凹凸」のみならず「最外周リング」の成分まで変化してしまう（表１参照）。「チルト調整」を行った場合も同様である。従って、原料ウェーハの形状によっては、これらの調整を組み合わせても修正しきれないナノトポグラフィ成分が残存してしまうという問題があった。   However, these adjustment methods do not necessarily work independently for each nanotopography component. That is, for example, when “shift adjustment” is performed, not only “center unevenness” but also “outermost ring” components are changed (see Table 1). The same applies when “tilt adjustment” is performed. Therefore, depending on the shape of the raw material wafer, there is a problem that nanotopography components that cannot be corrected even if these adjustments are combined remain.

国際公開第００／６７９５０号パンフレットInternational Publication No. 00/67950 Pamphlet

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、従来のチルト調整やシフト調整では解決できない両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを、最小化することができる半導体ウェーハの両頭研削装置および両頭研削方法を提供することを目的としたものである。   The present invention has been made in view of such problems, and a semiconductor wafer double-head grinding apparatus capable of minimizing nanotopography of a wafer after double-head grinding that cannot be solved by conventional tilt adjustment and shift adjustment, and The object is to provide a double-head grinding method.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、半導体ウェーハの両頭研削装置において、複数のポケットに供給される流体の静圧により原料ウェーハをその両面で非接触支持する静圧パッドであって、前記複数のポケットがそれぞれ流体の供給孔を具備して、各ポケットごとに供給する流体の静圧を調整できるものである静圧パッドを提供する。 The present invention has been made to solve the above problems, and in a double-sided grinding apparatus for semiconductor wafers, a static pressure pad that supports a raw material wafer in a non-contact manner on both sides by a static pressure of a fluid supplied to a plurality of pockets. The plurality of pockets each have a fluid supply hole, and provide a static pressure pad that can adjust the static pressure of the fluid supplied to each pocket .

このような複数のポケットがそれぞれ流体の供給孔を具備して、各ポケットごとに供給する流体の静圧を調整できるものである静圧パッドを用いて両頭研削を行えば、各ポケットごとに静圧を調整することによって、ウェーハ面内あるいは左右のパッドで支持する静圧を変更することができ、従来のチルト調整やシフト調整では解決できない両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを、最小化することができ、デバイス製造工程における歩留まりを改善することができる。   If such a plurality of pockets each have a fluid supply hole and the double-head grinding is performed using a static pressure pad that can adjust the static pressure of the fluid supplied to each pocket, the static pressure for each pocket is static. By adjusting the pressure, the static pressure supported by the wafer surface or the left and right pads can be changed, minimizing the nanotopography of the wafer after double-head grinding that cannot be solved by conventional tilt adjustment or shift adjustment And the yield in the device manufacturing process can be improved.

この場合、ポケットごとに供給する流体の静圧を、流体の流量および／または流体圧により調整するものとすることができる。 In this case, the static pressure of the fluid supplied for each pocket can be adjusted by the flow rate and / or fluid pressure of the fluid .

このように、上記静圧パッドのポケットごとに供給する流体の静圧は、流体の流量および／または流体圧により容易に調整することができる。   Thus, the static pressure of the fluid supplied to each pocket of the static pressure pad can be easily adjusted by the flow rate and / or the fluid pressure of the fluid.

また、本発明は、少なくとも、流体の静圧により原料ウェーハを支持し、該原料ウェーハの両面を同時に研削する半導体ウェーハの両頭研削装置であって、上記に記載の静圧パッドを具備することを特徴とする両頭研削装置を提供する。 Further, the present invention is a semiconductor wafer double-head grinding apparatus that supports at least a raw material wafer by a static pressure of a fluid and simultaneously grinds both surfaces of the raw material wafer, and includes the static pressure pad described above. A characteristic double-head grinding apparatus is provided .

このように、上記の複数のポケットがそれぞれ流体の供給孔を具備して、各ポケットごとに供給する流体の静圧を調整できるものである静圧パッドを具備した両頭研削装置であれば、従来のチルト調整やシフト調整では解決できない両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを、最小化することができ、デバイス製造工程における歩留まりを改善することができる。   As described above, if the double-headed grinding apparatus includes a static pressure pad in which each of the plurality of pockets includes a fluid supply hole and can adjust the static pressure of the fluid supplied to each pocket, Therefore, it is possible to minimize the nanotopography of the wafer after double-head grinding, which cannot be solved by the tilt adjustment and shift adjustment, and improve the yield in the device manufacturing process.

また、本発明は、半導体ウェーハの両頭研削方法であって、静圧パッドの複数のポケットにそれぞれ流体を供給することで、該ポケットごとに流体の静圧を調整して、該静圧により原料ウェーハをその両面で非接触支持しながら、該原料ウェーハを砥石で両頭研削することを特徴とする半導体ウェーハの両頭研削方法を提供する。 The present invention also relates to a double-sided grinding method for a semiconductor wafer, in which a fluid is supplied to each of a plurality of pockets of a static pressure pad so that the static pressure of the fluid is adjusted for each pocket, and the raw material is obtained by the static pressure. Provided is a double-sided grinding method for a semiconductor wafer, wherein the raw material wafer is double-sided ground with a grindstone while the wafer is supported on both sides in a non-contact manner .

このようにポケットごとに流体の静圧を調整すれば、ウェーハ面内あるいは左右のパッドによる静圧を微妙に調整できるので、従来のチルト調整やシフト調整では解決できない両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを、最小化することができ、デバイス製造工程における歩留まりを改善することができる。   By adjusting the static pressure of the fluid for each pocket in this way, the static pressure in the wafer surface or by the left and right pads can be finely adjusted, so that the nanotopography of the wafer after double-head grinding that cannot be solved by conventional tilt adjustment or shift adjustment Can be minimized, and the yield in the device manufacturing process can be improved.

この場合、ウェーハ面に対して垂直方向に前記砥石を平行移動させるシフト調整および／またはウェーハ面と前記砥石の相対角度を変化させるチルト調整を行ってから両頭研削を行うことが好ましい。 In this case, it is preferable to perform the double-disc grinding after performing tilt adjustment for changing the relative angle of the grinding wheel and the shift adjustment and / or the wafer surface to translate the grinding wheel in a direction perpendicular to the wafer surface.

このように、ポケットごとに流体の静圧を調整することに加えて、チルト調整やシフト調整も合わせて行うことにより、両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを、より一層最小化することができ、デバイス製造工程における歩留まりを改善することができる。   Thus, in addition to adjusting the static pressure of the fluid for each pocket, by performing tilt adjustment and shift adjustment together, the nanotopography of the wafer after double-head grinding can be further minimized, The yield in the device manufacturing process can be improved.

以上説明したように、本発明の静圧パッドまたは両頭研削方法を用いてウェーハの両頭研削を行うことで、ウェーハ面内あるいは左右のパッドでの支持圧を調整することができ、従来のチルト調整やシフト調整では解決できない両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを、最小化することができ、デバイス製造工程における歩留まりを改善することができる。   As described above, by performing double-sided grinding of the wafer using the hydrostatic pad or double-headed grinding method of the present invention, the support pressure in the wafer surface or on the left and right pads can be adjusted, and conventional tilt adjustment is performed. In addition, it is possible to minimize the nanotopography of the wafer after double-head grinding, which cannot be solved by shift adjustment, and improve the yield in the device manufacturing process.

以下、本発明についてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
両頭研削装置において、ウェーハを非接触支持する静圧パッドには数Ｌ/ｍｉｎの流量の静圧水が供給されている。元来、この静圧水は左右の静圧パッドの間隙でウェーハが「ばたつく」ことを軽減するための「押さえ」であり、かつ、静圧パッドの金属面とウェーハが直接接触することを防止する役割をしている。従って、従来は左右の静圧パッドに一本の給水管で均等な流量で給水していた。 Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.
In the double-head grinding apparatus, static pressure water having a flow rate of several L / min is supplied to a static pressure pad that supports the wafer in a non-contact manner. Originally, this hydrostatic water is a “presser” to reduce the “flapping” of the wafer in the gap between the left and right hydrostatic pads, and prevents the metal surface of the hydrostatic pad and the wafer from coming into direct contact. Have a role to play. Therefore, conventionally, water was supplied at an equal flow rate with a single water supply pipe to the left and right static pressure pads.

これに対して、本発明者らは、静圧パッドに供給する静圧水の流量（圧力）を面内で変化させたり、左右の静圧パッドに供給する静圧水の流量（圧力）に差をつけることで、研削したウェーハのナノトポグラフィを変化させることができることを見出した。   On the other hand, the present inventors change the flow rate (pressure) of the static pressure water supplied to the static pressure pad in the plane, or change the flow rate (pressure) of the static pressure water supplied to the left and right static pressure pads. It was found that the nanotopography of a ground wafer can be changed by making a difference.

図５は左右静圧パッドに具備した流体の供給孔に取り付けたノズル径を変えることで給水量（圧力）に差をつけて、ウェーハを左右静圧パッドの一方向に押しつけた状態で研削した例である。変更前には左右静圧パッドへほぼ同量の給水を行う設定であったが、変更後はウェーハ中央部付近の給水量を減らし、また一方の静圧パッドへの給水量を増加させる設定とした。これによって、同等の形状の原料ウェーハを使用した場合でも、ウェーハ中央部にあったＷａｒｐ形状の凹みが改善し、ひいてはナノトポグラフィが減少した。この知見をもとに本発明者らは本発明を完成させた。   FIG. 5 shows a difference in water supply amount (pressure) by changing the nozzle diameter attached to the fluid supply hole provided in the left and right hydrostatic pads, and the wafer was ground in a state where the wafer was pressed in one direction of the left and right hydrostatic pads. It is an example. Before the change, it was set to supply almost the same amount of water to the left and right static pressure pads, but after the change, the water supply amount near the center of the wafer was reduced and the water supply amount to one of the static pressure pads was increased. did. As a result, even when the raw material wafer having the same shape was used, the Warp-shaped dent at the center of the wafer was improved, and the nanotopography was reduced. Based on this knowledge, the present inventors have completed the present invention.

すなわち本発明の静圧パッドは、半導体ウェーハの両頭研削装置において、複数のポケットに供給される流体の静圧により原料ウェーハをその両面で非接触支持する静圧パッドであって、前記複数のポケットがそれぞれ流体の供給孔を具備して、各ポケットごとに供給する流体の静圧を調整できるものである静圧パッドである。   That is, the hydrostatic pad of the present invention is a hydrostatic pad that supports a raw material wafer on both surfaces thereof in a non-contact manner by static pressure of a fluid supplied to the plural pockets in a double-sided grinding apparatus for semiconductor wafers. Is a static pressure pad that has a fluid supply hole and can adjust the static pressure of the fluid supplied to each pocket.

この場合、流体の静圧の調整手段は特に限定されないが、たとえば、流体の流量および／または流体圧により簡便に調整することができる。   In this case, the means for adjusting the static pressure of the fluid is not particularly limited, but can be easily adjusted by, for example, the flow rate of the fluid and / or the fluid pressure.

前述のように、従来は、左右の静圧パッドにそれぞれ一本の給水管から均等な流量で給水していた。すなわち、ウェーハを支持する静圧パッドの静圧により、研削するウェーハのナノトポグラフィが影響されることは知られていなかった。そして、従来の研削では、シフト調整／チルト調整を行っても修正しきれないナノトポグラフィ成分が残存していた。   As described above, conventionally, water is supplied to each of the left and right static pressure pads at an equal flow rate from one water supply pipe. That is, it has not been known that the nanotopography of the wafer to be ground is affected by the static pressure of the static pressure pad that supports the wafer. In the conventional grinding, nanotopography components that cannot be corrected even after shift adjustment / tilt adjustment remain.

そこで本発明では、静圧パッドの複数のポケットに具備したそれぞれ流体の供給孔に供給管を接続して、各ポケットごとに供給する流体の静圧を調整できるようにすることで、研削中のウェーハの特定の部分の支持圧や位置を微調整することができるようになり、結果としてウェーハ両面を均一に研削できるようになる。たとえば研削砥石の周囲のウェーハを静圧パッドの一方の側に押しつけ、かつ、「ばたつかない」ように支持して研削することが可能になり、ナノトポグラフィの改善を達成した。   Therefore, in the present invention, by connecting a supply pipe to each fluid supply hole provided in each of the plurality of pockets of the static pressure pad so that the static pressure of the fluid supplied to each pocket can be adjusted, The supporting pressure and position of a specific portion of the wafer can be finely adjusted, and as a result, both sides of the wafer can be ground uniformly. For example, it became possible to press the wafer around the grinding wheel against one side of the hydrostatic pad and to support and grind it so that it did not flutter, thereby achieving improved nanotopography.

このような静圧パッドは特に限定されないが、たとえば、図１（ａ）および図１（ｂ）を挙げることができる。図１（ａ）の静圧パッドは、各ポケット２４にそれぞれ流体の供給孔１００を具備している。   Although such a static pressure pad is not specifically limited, For example, Fig.1 (a) and FIG.1 (b) can be mentioned. The hydrostatic pad shown in FIG. 1A has a fluid supply hole 100 in each pocket 24.

流体の供給孔１００はポケットごとに、図１（ｂ）の各給水管１０５に接続されている。各給水管１０５の流体圧はたとえば、各給水管１０５にバルブ１０６および圧力計（Ｐ）１０７を設けて、圧力計（Ｐ）１０７により流体圧を検出しながら、バルブ１０６の開度を変更することで個々に調整することができる。
また、各ポケットに設ける流体の供給孔の数や供給孔に取り付ける給水ノズルの径、給水管の径、水圧等を変化させることでも、流体の流量および／または流体圧を調整でき、結果として各ポケットごとに供給する流体の静圧を調整することができる。 The fluid supply hole 100 is connected to each water supply pipe 105 in FIG. 1B for each pocket. As for the fluid pressure of each water supply pipe 105, for example, a valve 106 and a pressure gauge (P) 107 are provided in each water supply pipe 105, and the opening degree of the valve 106 is changed while the fluid pressure is detected by the pressure gauge (P) 107. Can be adjusted individually.
In addition, the flow rate and / or the fluid pressure of the fluid can be adjusted by changing the number of fluid supply holes provided in each pocket, the diameter of the water supply nozzle attached to the supply hole, the diameter of the water supply pipe, the water pressure, etc. The static pressure of the fluid supplied for every pocket can be adjusted.

また、本発明によれば、少なくとも、流体の静圧により原料ウェーハを支持し、該原料ウェーハの両面を同時に研削する半導体ウェーハの両頭研削装置であって、上記に記載の静圧パッドを具備することを特徴とする両頭研削装置が提供される。   Further, according to the present invention, there is provided a semiconductor wafer double-head grinding apparatus that supports at least a raw material wafer by static pressure of a fluid and simultaneously grinds both surfaces of the raw material wafer, and includes the static pressure pad described above. A double-head grinding apparatus is provided.

上記静圧パッドを具備する両頭研削装置を、図２を参照して具体的に説明する。本発明に係る両頭研削装置は、上記本発明の静圧パッド３１、４１を具備する。上述したように、本発明の静圧パッド３１、４１の具体例としてはたとえば図１（ａ）および図１（ｂ）を挙げることができる。図１（ａ）に示すように、静圧パッドは、その表面にランド２３（土手部分）とポケット２４（凹部）を有し、各ポケットには流体の供給孔１００を有する。流体の供給孔１００には図１（ｂ）の給水管１０５が接続され、各ポケットごとに供給する水の静圧が調整できる。このようにして得られる水の静圧により、静圧パッド３１、４１は、ウェーハＷを回転自在に非接触保持することができる。静圧パッド３１、４１の一部は切り抜いてあり、ここに研削砥石１２、２２を挿入して、ウェーハＷおよび研削砥石１２、２２を回転させ、ウェーハＷを左右両面から同時に研削することができる。ウェーハＷは、例えばエッジ部分に駆動ローラを押し当てたり、ノッチ部にツメを引っかけて駆動することにより、数１０ｒｐｍで回転することができる。   A double-headed grinding apparatus provided with the above-described hydrostatic pad will be specifically described with reference to FIG. The double-head grinding apparatus according to the present invention includes the static pressure pads 31 and 41 according to the present invention. As described above, specific examples of the static pressure pads 31 and 41 of the present invention include, for example, FIG. 1 (a) and FIG. 1 (b). As shown in FIG. 1A, the static pressure pad has lands 23 (bank portions) and pockets 24 (concave portions) on the surface thereof, and fluid supply holes 100 in each pocket. A water supply pipe 105 in FIG. 1B is connected to the fluid supply hole 100, and the static pressure of water supplied to each pocket can be adjusted. Due to the static pressure of the water thus obtained, the static pressure pads 31 and 41 can hold the wafer W in a non-contact manner. A part of the static pressure pads 31 and 41 is cut out, and the grinding wheels 12 and 22 are inserted therein, and the wafer W and the grinding wheels 12 and 22 are rotated, so that the wafer W can be ground from both the left and right sides simultaneously. . The wafer W can be rotated at several tens of rpm by, for example, driving a driving roller against an edge portion or driving a claw on a notch portion.

このように各ポケットに流体の供給孔を具備する静圧パッドを用いて両頭研削を行えば、研削中のウェーハの特定の部分の位置調整を行い、結果としてウェーハ両面を均一に研削できる。従って、従来のチルト調整やシフト調整では解決できない両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを、最小化することができ、デバイス製造工程における歩留まりを改善することができる。   If double-headed grinding is performed using a hydrostatic pad having a fluid supply hole in each pocket in this way, the position of a specific portion of the wafer being ground can be adjusted, and as a result, both surfaces of the wafer can be ground uniformly. Therefore, the nanotopography of the wafer after double-head grinding that cannot be solved by the conventional tilt adjustment and shift adjustment can be minimized, and the yield in the device manufacturing process can be improved.

また、本発明は、半導体ウェーハの両頭研削方法であって、静圧パッドの複数のポケットにそれぞれ流体を供給することで、該ポケットごとに流体の静圧を調整して、該静圧により原料ウェーハをその両面で非接触支持しながら、該原料ウェーハを砥石で両頭研削することを特徴とする半導体ウェーハの両頭研削方法を提供する。   The present invention also relates to a double-sided grinding method for a semiconductor wafer, in which a fluid is supplied to each of a plurality of pockets of a static pressure pad so that the static pressure of the fluid is adjusted for each pocket, and the raw material is obtained by the static pressure. Provided is a double-sided grinding method for a semiconductor wafer, wherein the raw material wafer is double-sided with a grindstone while the wafer is supported on both sides in a non-contact manner.

上記両頭研削方法を図２を参照して具体的に説明する。原料ウェーハＷ（スライス・ウェーハ）を、ガラスエポキシ製薄板（不図示）に穿ったウェーハとほぼ同径の孔に挿入し、上記静圧パッド３１、４１の間に、静圧パッドとウェーハが間隙を有するようにウェーハを保持する。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、静圧パッドの各ポケット２４（凹部）の流体の供給孔１００に接続された給水管１０５を用いて水を供給し、各ポケットごとに流体の静圧を調整して、ウェーハの特定の部分の支持圧や位置の調整を行う。図１（ａ）に示すように静圧パッドの一部は切り抜いてあり、ここに研削砥石１２、２２を挿入して、図２（ｂ）に示すようにウェーハＷおよび研削砥石１２、２２を回転させ、ウェーハＷを左右両面から同時に研削する。研削中、ウェーハＷは、例えばエッジ部分に駆動ローラを押し当てたり、ノッチ部にツメを引っかけて駆動することにより、数１０ｒｐｍで回転する。   The above double-head grinding method will be specifically described with reference to FIG. A raw wafer W (slice wafer) is inserted into a hole having substantially the same diameter as a wafer formed in a glass epoxy thin plate (not shown), and the static pressure pad and the wafer are spaced from each other. Hold the wafer to have As shown in FIG. 1 (a) and FIG. 1 (b), water is supplied using a water supply pipe 105 connected to a fluid supply hole 100 of each pocket 24 (concave portion) of the static pressure pad, The static pressure of the fluid is adjusted to adjust the support pressure and position of a specific part of the wafer. As shown in FIG. 1 (a), a part of the hydrostatic pad is cut out, and the grinding stones 12 and 22 are inserted therein, and the wafer W and the grinding stones 12 and 22 are inserted as shown in FIG. 2 (b). The wafer W is rotated to grind the wafer W from both the left and right sides simultaneously. During grinding, the wafer W rotates at several tens of rpm, for example, by driving a driving roller against an edge portion or by hooking a notch portion.

このような両頭研削方法により両頭研削を行えば、研削中のウェーハの特定の部分の支持圧や位置の調整を行い、ウェーハ両面を均一に研削できる。結果として、従来のチルト調整やシフト調整では解決できない両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを、最小化することができ、デバイス製造工程における歩留まりを改善することができる。   If double-headed grinding is performed by such a double-headed grinding method, the support pressure and position of a specific portion of the wafer being ground can be adjusted, and both surfaces of the wafer can be ground uniformly. As a result, the nanotopography of the wafer after double-head grinding that cannot be solved by conventional tilt adjustment and shift adjustment can be minimized, and the yield in the device manufacturing process can be improved.

また、上記両頭研削方法において、ウェーハ面に対して垂直方向に前記砥石を平行移動させるシフト調整および／またはウェーハ面と前記砥石の相対角度を変化させるチルト調整を行ってから両頭研削を行うことが好ましい。   In the double-head grinding method, the double-head grinding may be performed after performing a shift adjustment for translating the grindstone in a direction perpendicular to the wafer surface and / or a tilt adjustment for changing a relative angle between the wafer surface and the grindstone. preferable.

上記静圧パッドの複数のポケットにそれぞれ流体を供給することで、該ポケットごとに流体の静圧を調整する両頭研削方法に、さらにシフト調整および／またはチルト調整を組み合わせることで、両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィをより低減することができる。   By supplying fluid to each of the plurality of pockets of the static pressure pad, the double-head grinding method for adjusting the static pressure of the fluid for each pocket, and further combining shift adjustment and / or tilt adjustment, Wafer nanotopography can be further reduced.

具体的な調整方法を例を挙げて説明する。最初に、両頭研削後のウェーハのナノトポグラフィを測定して、測定値を基にシフト調整／チルト調整を行って、ナノトポグラフィの最小化を図る。このシフト調整／チルト調整を行っても残存する「中央部凹凸」「最外周リング」等については、図４に示すような各ポケットＡ’〜Ｆ’、Ａ〜Ｆへの給水量や水圧をそれぞれ変化させることで最小化する。たとえば、あらかじめポケットＥとポケットＥ’への給水量の差が研削後のウェーハのナノトポグラフィに与える影響を測定しておき、その測定結果を基にナノトポグラフィを最小化するようにポケットＥ’、Ｅの給水量を設定すれば、ナノトポグラフィを改善することができる。他にもたとえば、ポケットＡ、Ｂの給水量を増加あるいは減少させたときの、ウェーハのナノトポグラフィを測定し、その測定結果を基にナノトポグラフィを最小化するようにポケットＡ、Ｂに給水すれば、ナノトポグラフィを改善することができる。   A specific adjustment method will be described with an example. First, the nanotopography of the wafer after double-head grinding is measured, and shift adjustment / tilt adjustment is performed based on the measured value to minimize the nanotopography. Regarding the “center unevenness” and “outermost ring” remaining even after this shift adjustment / tilt adjustment, the water supply amount and water pressure to the pockets A ′ to F ′ and A to F as shown in FIG. Minimize by changing each. For example, the influence of the difference in water supply between the pocket E and the pocket E ′ on the nanotopography of the wafer after grinding is measured in advance, and the pocket E ′, so as to minimize the nanotopography based on the measurement result. If the water supply amount of E is set, nanotopography can be improved. In addition, for example, the nanotopography of the wafer when the water supply amount of the pockets A and B is increased or decreased is measured, and the water is supplied to the pockets A and B so as to minimize the nanotopography based on the measurement result. For example, nanotopography can be improved.

このような調整の例として、図５を用いて説明する。図５の変更前は、ポケットＡ’〜Ｄ’、Ａ〜Ｄに直径０．７ｍｍの給水ノズルで均等に給水し、ポケットＥ’、Ｆ’、Ｅ、Ｆの中心部は直径１．０ｍｍの給水ノズル、周縁部分は直径０．７ｍｍおよび直径０．５ｍｍの給水ノズルにより給水して、両頭研削を行った。両頭研削後のウェーハについて、ウェーハ形状とナノトポグラフィを調べたところ、ウェーハには中央部凹みが存在していた。   An example of such adjustment will be described with reference to FIG. Before the change in FIG. 5, the pockets A ′ to D ′ and A to D are evenly supplied with a water supply nozzle having a diameter of 0.7 mm, and the central portions of the pockets E ′, F ′, E, and F have a diameter of 1.0 mm. The water supply nozzle and the peripheral part were supplied with water by a water supply nozzle having a diameter of 0.7 mm and a diameter of 0.5 mm to perform double-head grinding. When the wafer shape and nanotopography of the wafer after double-head grinding were examined, the wafer had a central recess.

図５の変更後では、ポケットＣ’、Ｄ’、Ａ〜Ｄに直径０．５ｍｍの給水ノズルにより給水し、ポケットＡ’、Ｂ’は変更前と同じく直径０．７ｍｍの給水ノズルにより給水した。ポケットＥ’、Ｆ’の中心部は直径０．７ｍｍの給水ノズルにより、ポケットＥ、Ｆの中心部は直径０．５ｍｍの給水ノズルにより給水した。ポケットＥ’、Ｆ’、Ｅ、Ｆの周縁部分は変更前と同じく直径０．７ｍｍおよび直径０．５ｍｍの給水ノズルにより給水した。このように給水することで、左静圧パッドのポケットＣ’、Ｄ’、Ｅ’、Ｆ’の静圧を低下させ、右静圧パッドのポケットＡ〜Ｆの静圧を低下させることで、ウェーハ両面を両頭研削した。両頭研削後のウェーハについて、ウェーハ形状とナノトポグラフィを調べたところ、中央部凹みが消滅し、ナノトポグラフィも改善していることがわかる。   After the change in FIG. 5, the pockets C ′, D ′, and A to D were supplied with a water supply nozzle having a diameter of 0.5 mm, and the pockets A ′ and B ′ were supplied with a water supply nozzle having a diameter of 0.7 mm as before the change. . The central portions of the pockets E ′ and F ′ were supplied by a water supply nozzle having a diameter of 0.7 mm, and the central portions of the pockets E and F were supplied by a water supply nozzle having a diameter of 0.5 mm. The peripheral portions of the pockets E ′, F ′, E, and F were supplied with water by nozzles having a diameter of 0.7 mm and a diameter of 0.5 mm as before the change. By supplying water in this way, the static pressure of the pockets C ′, D ′, E ′, and F ′ of the left static pressure pad is reduced, and the static pressures of the pockets A to F of the right static pressure pad are reduced, Both sides of the wafer were ground. When the wafer shape and nanotopography of the wafer after double-headed grinding were examined, it was found that the central recess disappeared and the nanotopography was improved.

以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（改善前）
試料ウェーハとしてＣＺ法で製造された直径３００ｍｍの単結晶シリコンウェーハを用いた。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
(Before improvement)
A single crystal silicon wafer having a diameter of 300 mm manufactured by the CZ method was used as a sample wafer.

半導体ウェーハ製造の両頭研削工程で用いる両頭研削装置において、ウェーハのナノトポグラフィの「中央部凹凸」および「最外周リング」を最小化するために、両頭研削装置の砥石のシフト調整およびチルト調整を行った。静圧パッド１１、２１としては、複数のポケットがそれぞれ流体の供給孔を具備せず、各ポケットごとに流体の静圧を調整できない従来型の静圧パッドを使用した。図８（a）に示す両頭研削装置において、左右の静圧パッド１１、２１へ各１本の給水管で給水を行った。流量は２．０Ｌ／ｍｉｎとし、左右に等量の給水を行った。この給水により得られる静圧により、ウェーハＷを非接触支持しながら、両頭研削を行った。   In the double-head grinding machine used in the double-head grinding process of semiconductor wafer manufacturing, shift and tilt adjustment of the grinding wheel of the double-head grinding machine is performed in order to minimize the “center unevenness” and “outermost ring” of the nanotopography of the wafer. It was. As the static pressure pads 11 and 21, conventional static pressure pads in which a plurality of pockets are not provided with fluid supply holes and the static pressure of the fluid cannot be adjusted for each pocket were used. In the double-head grinding apparatus shown in FIG. 8 (a), water was supplied to the left and right static pressure pads 11 and 21 with one water supply pipe. The flow rate was 2.0 L / min, and an equal amount of water was supplied to the left and right. Double-head grinding was performed while supporting the wafer W in a non-contact manner by the static pressure obtained by this water supply.

両頭研削後のウェーハについて光学式の測定装置Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒでナノトポグラフィの測定を行った。得られたナノトポグラフィのデータを演算プログラムにより処理して、ウェーハ面の４本の直径上のナノトポグラフィ測定値、すなわち８本の半径上のナノトポグラフィ測定値を得た。得られた８本の半径上のナノトポグラフィ測定値を、半径方向の各位置における８点で平均し、図３（a）に示す「平均値成分」を得た。図３（a）に示すように、砥石のシフト調整およびチルト調整を行っても、「中央部凹凸」「最外周リング」が残存していることがわかる。   Nanotopography was measured on the wafer after double-headed grinding with an optical measuring device Nanomapper. The obtained nanotopography data was processed by a calculation program to obtain nanotopography measurement values on four diameters of the wafer surface, that is, nanotopography measurement values on eight radii. The obtained nanotopography measurement values on the eight radii were averaged at eight points at each position in the radial direction to obtain an “average value component” shown in FIG. As shown in FIG. 3 (a), it can be seen that even when the shift adjustment and tilt adjustment of the grindstone are performed, the “concavo-convex portion at the center” and the “outermost ring” remain.

（改善後）
次に、図４（ａ）および図４（ｂ）に示す静圧パッド３１、４１の各ポケットの流体の供給孔に給水管を接続し、その各ポケットへの給水量を調節して静圧を調整した以外は、上記改善前と同条件で両頭研削を行った。 (After improvement)
Next, a water supply pipe is connected to the fluid supply hole of each pocket of the static pressure pads 31 and 41 shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), and the amount of water supplied to each pocket is adjusted to make a static pressure. Except for adjusting, double-head grinding was performed under the same conditions as before the improvement.

静圧パッドへの給水量は、図４（ａ）に示す左静圧パッド３１のポケットＡ’〜Ｄ’への給水量は各０．２５Ｌ／ｍｉｎとし、ポケットＥ’およびＦ’への給水量は各０．５Ｌ／ｍｉｎとした。図４（ｂ）に示す右静圧パッド４１のポケットＥ及びＦへの給水量をそれぞれ１．０Ｌ／ｍｉｎとした。右静圧パッド４１のポケットＡ〜Ｄへの給水量は、各０．２５Ｌ／ｍｉｎとした。
このように給水を行うことで、ウェーハのポケットＥ及びＦの部分を左静圧パッド側へ押し付けて両頭研削を行った。 The amount of water supplied to the static pressure pad is 0.25 L / min for each of the pockets A ′ to D ′ of the left static pressure pad 31 shown in FIG. 4A, and the water is supplied to the pockets E ′ and F ′. The amount was 0.5 L / min. The amount of water supplied to the pockets E and F of the right static pressure pad 41 shown in FIG. 4B was 1.0 L / min. The amount of water supplied to the pockets A to D of the right static pressure pad 41 was 0.25 L / min.
By supplying water in this manner, double-head grinding was performed by pressing the pockets E and F of the wafer toward the left static pressure pad.

両頭研削後のウェーハについて、改善前と同条件でナノトポグラフィの測定を行った。得られた結果を図３（ｂ）に示す。図３（ｂ）では、改善前の図３（a）で残存していた「中央部凹凸」「最外周リング」が最小化されていることがわかる。   For the wafer after double-headed grinding, nanotopography was measured under the same conditions as before the improvement. The obtained result is shown in FIG. In FIG. 3 (b), it can be seen that the “center unevenness” and “outermost ring” remaining in FIG. 3 (a) before improvement are minimized.

このように、両頭研削において、静圧パッドのポケット毎に給水の流量および圧力を調整し、砥石の周囲のウェーハを静圧パッドの一定の側に押しつけ、かつ、「ばたつかない」ように支持して研削することで、ナノトポグラフィが改善した。   In this way, in double-head grinding, adjust the flow rate and pressure of the water supply for each pocket of the static pressure pad, press the wafer around the grindstone against a certain side of the static pressure pad, and `` do not flutter '' Supporting and grinding improved nanotopography.

尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

たとえば、ナノトポグラフィの測定は、光学干渉式の測定機以外に、静電容量式測定機やレーザ式センサで行ってもよい。また、本発明により研削されるウェーハは半導体シリコンウェーハに限られず、化合物半導体ウェーハであってもよい。   For example, measurement of nanotopography may be performed by a capacitance type measuring machine or a laser type sensor in addition to the optical interference type measuring machine. The wafer to be ground according to the present invention is not limited to a semiconductor silicon wafer, and may be a compound semiconductor wafer.

(ａ)は本発明に係る静圧パッドの一例であり、（ｂ）は本発明に係る静圧パッドの給水系統の概略図である。(a) is an example of the static pressure pad which concerns on this invention, (b) is the schematic of the water supply system of the static pressure pad which concerns on this invention. (ａ)は本発明に係る両頭研削装置の概略図であり、（ｂ）はウェーハと砥石の回転方向を示す概略図であり、（ｃ）は静圧パッドとウェーハの位置関係を示す概略図である。(a) is the schematic of the double-headed grinding apparatus which concerns on this invention, (b) is the schematic which shows the rotation direction of a wafer and a grindstone, (c) is the schematic which shows the positional relationship of a static pressure pad and a wafer It is. (ａ)は、シフト調整およびチルト調整後に両頭研削したウェーハのナノトポグラフィの平均値成分であり、（ｂ）は、本発明の静圧パッドを用いて両頭研削したウェーハのナノトポグラフィの平均値成分である。(a) is an average value component of nanotopography of a wafer subjected to double-head grinding after shift adjustment and tilt adjustment, and (b) is an average value component of nanotopography of a wafer subjected to double-head grinding using the hydrostatic pad of the present invention. It is. (ａ)は、実施例の改善後における左静圧パッドの各ポケットの概略図であり、（ｂ）は、実施例の改善後における右静圧パッドの各ポケットの概略図である。(a) is the schematic of each pocket of the left static pressure pad after improvement of an Example, (b) is the schematic of each pocket of the right static pressure pad after improvement of an Example. 静圧パッドの各ポケットへの給水量とウェーハ形状およびナノトポグラフィの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the amount of water supply to each pocket of a static pressure pad, a wafer shape, and nanotopography. (a)は濃淡でナノトポグラフィの強度を定性的に表すナノトポグラフィ・マップであり、(b) は４５°おきに測定した４断面（直径)上のナノトポグラフィの形状と定量的な強度を表すグラフである。(a) is a nanotopography map that qualitatively expresses the intensity of nanotopography in light and shade, and (b) shows the shape and quantitative intensity of nanotopography on four sections (diameters) measured every 45 °. It is a graph. ナノトポグラフィ・マップとナノトポグラフィ断面形状の対応を説明する概略図である。It is the schematic explaining the correspondence of a nanotopography map and nanotopography cross-sectional shape. (ａ)は従来の両頭研削装置の概略図であり、（ｂ）はウェーハと砥石の回転方向を示す概略図であり、（ｃ）は静圧パッドのランドパターンを示す写真であり、（ｄ）は静圧パッドとウェーハの位置関係を示す概略図である。(a) is a schematic diagram of a conventional double-head grinding apparatus, (b) is a schematic diagram showing the rotation direction of a wafer and a grindstone, (c) is a photograph showing a land pattern of a static pressure pad, (d ) Is a schematic view showing the positional relationship between the static pressure pad and the wafer. ナノトポグラフィ測定値(ａ)を平均値成分（ｂ）と残差成分（ｃ）に分離したグラフである。It is the graph which isolate | separated the nanotopography measurement value (a) into the average value component (b) and the residual component (c). (a)はシフト調整を説明する概略図であり、 (b)はチルト調整を説明する概略図である。(a) is a schematic diagram for explaining the shift adjustment, and (b) is a schematic diagram for explaining the tilt adjustment. ウェーハ面の８本の半径上のナノトポグラフィ測定値を用いる場合の、半径方向の位置を示す概略図である。It is the schematic which shows the position of a radial direction in the case of using the nanotopography measurement value on eight radiuses of a wafer surface.

１１…従来の左静圧パッド、 ２１…従来の右静圧パッド、
３１…本発明の左静圧パッド、 ４１…本発明の右静圧パッド、
１２…左砥石、 ２２…右砥石、
１３…従来の静圧パッドのランド、 １４…従来の静圧パッドのポケット、
２３…本発明の静圧パッドのランド、 ２４…本発明の静圧パッドのポケット、
１００…流体の供給孔、 １０５…給水管、 １０６…バルブ、 １０７…圧力計、
ｈ…静圧パッドとウェーハの間隙、 Ｗ…ウェーハ、 Ｐ…圧力計、
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ…本発明の右静圧パッドのポケット、
Ａ’、Ｂ’、Ｃ’、Ｄ’、Ｅ’、Ｆ’…本発明の左静圧パッドのポケット。 11 ... Conventional left static pressure pad, 21 ... Conventional right static pressure pad,
31 ... Left static pressure pad of the present invention 41 ... Right static pressure pad of the present invention,
12 ... Left wheel, 22 ... Right wheel,
13 ... Land of conventional static pressure pad, 14 ... Pocket of conventional static pressure pad,
23 ... Land of the hydrostatic pad of the present invention, 24 ... Pocket of the hydrostatic pad of the present invention,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Fluid supply hole, 105 ... Water supply pipe, 106 ... Valve, 107 ... Pressure gauge,
h: Gap between static pressure pad and wafer, W: Wafer, P: Pressure gauge,
A, B, C, D, E, F ... pocket of right hydrostatic pad of the present invention,
A ', B', C ', D', E ', F' ... pockets of the left hydrostatic pad of the present invention.

Claims (5)

半導体ウェーハの両頭研削装置において、複数のポケットに供給される流体の静圧により原料ウェーハをその両面で非接触支持する同じ形状の左右一組の静圧パッドであって、前記複数のポケットがそれぞれ流体の供給孔を具備して、前記ウェーハのナノトポグラフィを最小化するために、各ポケットごとに供給する流体の静圧を調整することによって、前記原料ウェーハ面内あるいは前記左右の静圧パッドで支持する静圧を変更することができ、かつ前記原料ウェーハを支持する静圧が左右で異なるものである静圧パッド。 In a semiconductor wafer double-head grinding apparatus, a set of left and right static pressure pads of the same shape that support a raw material wafer in a non-contact manner on both sides by a static pressure of a fluid supplied to the plurality of pockets, wherein the plurality of pockets are respectively In order to minimize the nanotopography of the wafer by providing fluid supply holes, by adjusting the static pressure of the fluid supplied for each pocket, the surface of the raw wafer or the left and right static pressure pads The static pressure pad which can change the static pressure to support, and the static pressure which supports the said raw material wafer differs in right and left. 前記ポケットごとに供給する流体の静圧を、流体の流量および／または流体圧により調整できるものである請求項１に記載の静圧パッド。   The static pressure pad according to claim 1, wherein the static pressure of the fluid supplied for each pocket can be adjusted by the flow rate and / or the fluid pressure of the fluid. 少なくとも、流体の静圧により原料ウェーハを支持し、該原料ウェーハの両面を同時に研削する半導体ウェーハの両頭研削装置であって、請求項１または請求項２に記載の静圧パッドを具備することを特徴とする両頭研削装置。   A semiconductor wafer double-head grinding apparatus that supports at least a raw material wafer by a static pressure of a fluid and simultaneously grinds both surfaces of the raw material wafer, comprising the static pressure pad according to claim 1 or 2. A double-head grinding machine. 半導体ウェーハの両頭研削方法であって、前記ウェーハのナノトポグラフィを最小化するために、同じ形状の左右一組の静圧パッドの複数のポケットにそれぞれ流体を供給することで、該ポケットごとに流体の静圧を調整することによって、原料ウェーハ面内あるいは前記左右の静圧パッドで支持する静圧を変更して前記原料ウェーハを支持する静圧を左右で異ならせて、該静圧により前記原料ウェーハをその両面で非接触支持しながら、該原料ウェーハを砥石で両頭研削することを特徴とする半導体ウェーハの両頭研削方法。 A double-sided grinding method for a semiconductor wafer, wherein fluid is supplied to each of a plurality of pockets of a set of left and right static pressure pads having the same shape in order to minimize nanotopography of the wafer. By adjusting the static pressure of the raw material wafer, the static pressure that supports the raw material wafer is changed on the left and right by changing the static pressure that is supported in the raw material wafer surface or by the left and right static pressure pads. A double-sided grinding method for a semiconductor wafer, wherein the raw material wafer is double-sided with a grindstone while the wafer is supported on both sides in a non-contact manner. 請求項４に記載の半導体ウェーハの両頭研削方法であって、ウェーハ面に対して垂直方向に前記砥石を平行移動させるシフト調整および／またはウェーハ面と前記砥石の相対角度を変化させるチルト調整を行ってから両頭研削を行うことを特徴とする半導体ウェーハの両頭研削方法。   5. The double-sided grinding method for a semiconductor wafer according to claim 4, wherein shift adjustment for moving the grindstone in a direction perpendicular to the wafer surface and / or tilt adjustment for changing a relative angle between the wafer surface and the grindstone are performed. A double-sided grinding method for a semiconductor wafer, characterized in that double-sided grinding is performed.
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